半导体例题答案

半导体例题答案
半导体例题答案

一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。()(2)因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。()

(3)PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()

(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。()

解:(1)√(2)×(3)√(4)×

二、选择正确答案填入空内。

(1)PN结加正向电压时,空间电荷区将。

A. 变窄

B. 基本不变

C. 变宽

(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通

B.反向截止

C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏

B. 前者正偏、后者反偏

C. 前者正偏、后者也正偏

解:(1)A (2)C (3)B

三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

解:U O1=6V ,U O2=5V 。 #

五、电路如图所示,V CC =15V ,β=100,U BE =。试问: (1)R b =50k Ω时,u O = (2)若T 临界饱和,则R b ≈ 解:

(1)R b =50k Ω时,基极电流、集电极电流和管压降分别为

26b

BE

BB B =-=

R U V I μA

V 2mA

6.2 C C CC CE B C =-===R I V U I I β

所以输出电压U O =U CE =2V 。 (2)设临界饱和时U CES =U BE =,所以

Ω≈-=

===-=k 4.45A

6.28mA 86.2B

BE

BB b C

B c CES

CC C I U V R I I R U V I μβ

六、选择合适答案填入空内。

(1)在本征半导体中加入 元素可形成N 型半导体,加入 元素可形成P 型半导体。

A. 五价

B. 四价

C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 !

A. 增大

B. 不变

C. 减小

(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为。

A. 83

B. 91

C. 100

解:(1)A ,C (2)A (3)C

七、能否将的干电池以正向接法接到二极管两端为什么

解:不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为时,管子会因电流过大而烧坏。

八、电路如图所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。

?

解:u i和u o的波形如解图所示。

九、电路如图(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=。试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。

十、现有两只稳压管,它们的稳定电压分别为6V 和8V ,正向导通电压为。试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值各为多少 (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值各为多少 解:(1)两只稳压管串联时可得、、和14V 等四种稳压值。 #

(2)两只稳压管并联时可得和6V 等两种稳压值。(据说有十种电压值)

十一、已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。

试求图所示电路中电阻R 的取值范围。 解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA

电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为

Ω=-=

k 8.136.0Z

Z

I ~I U U R

12、 已知图所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。

(1)分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值;

(2)若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象为什么

解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流为4mA ,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。故

V

33.3I L

L

O ≈?+=

U R R R U

当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最 小稳定电流I Zmin ,所以,不接负载电阻时: U O =U Z =6V

接入负载电阻后,若稳压值为6V ,负载电流为6/=12mA ,流过限流电阻的电流最小为12mA ,其压降为12V ,稳压管电压为3V ,不能稳定在6V ,所以,稳压管没有击穿,负载电压为5V 。 当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。 \ (2)

=

-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

13、 在图所示电路中,发光二极管导通电压U D =,正向电流在5~15mA 时才能正常工作。试问:

(1)开关S 在什么位置时发光二极管才能发光 (2)R 的取值范围是多少 解:(1)S 闭合。

(2)R 的范围为

。Ω=-=Ω

≈-=700)(233)(Dmin D max Dmax D min I U V R I U V R :

14、 电路如图(a )、(b )所示,稳压管的稳定电压U Z =3V ,R 的取值合适,u I 的波形如图(c )所示。试分别画出u O1和u O2的波形。

解:波形如解图所示

!

15、有两只晶体管,一只的β=200,I CEO=200μA;另一只的β=100,I CEO=10μA,其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子为什么

解:选用β=100、I CBO=10μA的管子,因其β适中、I CEO较小,因而温度稳定性较另一只管子好。

16、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100,现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流,标出其实际方向,并在圆圈中画出管子。

|

解:答案如解图所示。

17、测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。

解:晶体管三个极分别为上、中、下管脚,答案如解表所示。

管号T1?

T2

T3T4T5T6

上e c)

e

b c b

中b b b~

e

e e

下c e c c[

b

c 管型PNP NPN NPN PNP PNP—

NPN

材料

Si Si Si Ge Ge Ge

$

18、 电路如图所示,晶体管导通时U BE =,β=50。试分析V BB 为0V 、1V 、三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。

解:(1)当V BB =0时,T 截止,u O =12V 。 (2)当V BB =1V 时,因为

60

b

BEQ

BB BQ =-=

R U V I μA

[

V 9mA

3 C CQ CC O BQ CQ =-===R I V u I I β 所以T 处于放大状态。

(3)当V BB =3V 时,因为

160

b

BEQ

BB BQ =-=

R U V I μA

BE C CQ O BQ CQ mA

8 U R I V u I I CC <-===β

所以T 处于饱和状态。

19、电路如图所示,试问β大于多少时晶体管饱和 解:取U CES =U BE ,若管子饱和,则

C

b C

BE

CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-?

所以,

100C

b

=≥

R R β时,管子饱和。

20、电路如图所示,晶体管的β=50,|U BE |=,饱和管压降|U CES |=;稳压管的稳定电压U Z =5V ,正向导通电压U D =。试问:当u I =0V 时u O =当u I =-5V 时u O = 解:当u I =0时,晶体管截止,稳压管击穿,u O =-U Z =-5V 。 当u I =-5V 时,晶体管饱和,u O =。因为

mA 24μA 480B C b

BE

I B ===-=

I I R U u I β

CC C C CC EC V R I V U <-=

21、分别判断图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

解:(a )可能 (b )可能 (c )不能

(d )不能,T 的发射结会因电流过大而损坏。 (e )可能

统计学课后习题答案(袁卫)

统计学课后习题答案(袁卫、庞皓、曾五一、贾俊平)第三版 第1章绪论 1.什么是统计学?怎样理解统计学与统计数据的关系? 2.试举出日常生活或工作中统计数据及其规律性的例子。 3..一家大型油漆零售商收到了客户关于油漆罐分量不足的许多抱怨。因此,他们开始检查供货商的集装箱,有问题的将其退回。最近的一个集装箱装的是2 440加仑的油漆罐。这家零售商抽查了50罐油漆,每一罐的质量精确到4位小数。装满的油漆罐应为4.536 kg。要求: (1)描述总体; (2)描述研究变量; (3)描述样本; (4)描述推断。 答:(1)总体:最近的一个集装箱内的全部油漆; (2)研究变量:装满的油漆罐的质量; (3)样本:最近的一个集装箱内的50罐油漆; (4)推断:50罐油漆的质量应为4.536×50=226.8 kg。 4.“可乐战”是描述市场上“可口可乐”与“百事可乐”激烈竞争的一个流行术语。这场战役因影视明星、运动员的参与以及消费者对品尝试验优先权的抱怨而颇具特色。假定作为百事可乐营销战役的一部分,选择了1000名消费者进行匿名性质的品尝试验(即在品尝试验中,两个品牌不做外观标记),请每一名被测试者说出A品牌或B品牌中哪个口味更好。要求: (1)描述总体; (2)描述研究变量; (3)描述样本; (4)一描述推断。 答:(1)总体:市场上的“可口可乐”与“百事可乐” (2)研究变量:更好口味的品牌名称; (3)样本:1000名消费者品尝的两个品牌 (4)推断:两个品牌中哪个口味更好。 第2章统计数据的描述——练习题 ●1.为评价家电行业售后服务的质量,随机抽取了由100家庭构成的一个样本。服务质量的等级分别表示为:A.好;B.较好;C.一般;D.差;E.较差。调查结果如下: B E C C A D C B A E D A C B C D E C E E A D B C C A E D C B B A C D E A B D D C C B C E D B C C B C D A C B C D E C E B B E C C A D C B A E B A C D E A B D D C A D B C C A E D C B C B C E D B C C B C (1) 指出上面的数据属于什么类型;

(完整版)高电压技术考试试题答案

高电压技术考试试题答案 一、选择题(每小题1分共15分) 1、气体中的带电质点是通过游离产生的。 2、气体去游离的基本形式有漂移、扩散、复合、吸附效应。 3、气体放电形式中温度最高的是电弧放电。表现为跳跃性的为火花放电。 4、根据巴申定律,在某一Pd的值时,击穿电压存在极小值。 5、自然界中的雷电放电就是属于典型的超长间隙放电。 6、在极不均匀电场中,空气湿度增加,空气间隙击穿电压提高。 7、即使外界游离因素不存在,间隙放电仅依靠外电场作用即可继续进行的放电,称为自持放电。 8、交流高电压试验设备主要是指高电压试验变压器。 9、电磁波沿架空线路的传播速度为C或真空中的光速。 10、一般当雷电流过接地装置时,由于火花效应其冲击接地电阻小于工频接地电阻。 11、线路的雷击跳闸率包括雷击杆塔跳闸率和绕击跳闸率。 12、为了防止反击,要求改善避雷线的接地,适当加强绝缘,个别杆塔使用避雷器。 13、考虑电网的发展,消弧线圈通常处于过补偿运行方式。 14、导致铁磁谐振的原因是铁芯电感的饱和特性。 15、在发电厂、变电所进线上,设置进线段保护以限制流过避雷器的雷电流幅值和入侵波的陡度。 二、判断题(每小题2分共20分正确的在题后括号内打“×”错误的在题后打“√”) 1、气体状态决定于游离与去游离的大小。当去游离小于游离因素时最终导致气体击穿。(√) 2、游离主要发生在强电场区、高能量区;复合发生在低电场、低能量区。(√) 3、游离过程不利于绝缘;复合过程有利于绝缘。(√) 4、巴申定律说明提高气体压力可以提高气隙的击穿电压。(√) 5、空气的湿度增大时,沿面闪络电压提高。(×) 6、电气设备的绝缘受潮后易发生电击穿。(×) 7、输电线路上的感应雷过电压极性与雷电流极性相同。(×) 8、避雷器不仅能防护直击雷过电压,也能防护感应雷过电压。(√) 9、.带并联电阻的断路器可以限制切除空载线路引起的过电压。(√) 10、输电线路波阻抗的大小与线路的长度成正比。(×) 三、选择题(在每个小题的四个备选答案中,按要求选取一个正确答案,并将正确答案的序号填在题后括号内。每小题1分共15分) 1、电晕放电是一种( A )。 A.自持放电B.非自持放电C.电弧放电D.均匀场中放电 2、SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是( D )。 A.无色无味性B.不燃性C.无腐蚀性D.电负性 3、在极不均匀电场中,正极性击穿电压比负极性击穿电压( A )。 A..小B.大C.相等D.不确定 4、减少绝缘介质的介电常数可以( B )电缆中电磁波的传播速度。 A.降低B.提高C.不改变D.不一定 5、避雷器到变压器的最大允许距离( A )。

半导体物理 课后习题答案

第一章习题 1.设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近 能量E V (k)分别为: E c =02 20122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V - =-+ 0m 。试求:为电子惯性质量,nm a a k 314.0,1==π (1)禁带宽度; (2) 导带底电子有效质量; (3)价带顶电子有效质量; (4)价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解:(1) eV m k E k E E E k m dk E d k m k dk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43 (0,060064 3 382324 3 0)(2320 2121022 20 202 02022210 1202== -==<-===-==>=+===-+ 因此:取极大值处,所以又因为得价带: 取极小值处,所以:在又因为:得:由导带: 04 32 2 2 *8 3)2(1 m dk E d m k k C nC = ==

s N k k k p k p m dk E d m k k k k V nV /1095.704 3 )() ()4(6 )3(25104 3 002 2 2*1 1 -===?=-=-=?=- == 所以:准动量的定义: 2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107 V/m 的电场时,试分别 计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解:根据:t k h qE f ??== 得qE k t -?=? s a t s a t 137 19282 19 11027.810106.1) 0(1027.81010 6.1)0(----?=??-- = ??=??-- = ?π π 第三章习题和答案 1. 计算能量在E=E c 到2 *n 2 C L 2m 100E E π+= 之间单位体积中的量子态数。 解 3 2 2233 *28100E 212 33*22100E 00212 3 3 *231000 L 8100)(3222)(22)(1Z V Z Z )(Z )(22)(23 22 C 22C L E m h E E E m V dE E E m V dE E g V d dE E g d E E m V E g c n c C n l m h E C n l m E C n n c n c πππππ=+-=-=== =-=*++??** )()(单位体积内的量子态数) (

社会统计学复习题(有答案)

社会统计学课程期末复习题 一、填空题(计算结果一般保留两位小数) 1、第五次人口普查南京市和上海市的人口总数之比为 比较 相对指标;某企业男女职工人数之比为 比例 相对指标;某产品的废品率为 结构 相对指标;某地区福利机构网点密度为 强度 相对指标。 2、各变量值与其算术平均数离差之和为 零 ;各变量值与其算术平均数离差的平方和为 最小值 。 3、在回归分析中,各实际观测值y 与估计值y ?的离差平方和称为 剩余 变差。 4、平均增长速度= 平均发展速度 —1(或100%)。 5、 正J 形 反J 形 曲线的特征是变量值分布的次数随变量值的增大而逐步增多; 曲线的特征是变量值分布的次数随变量值的增大而逐步减少。 6、调查宝钢、鞍钢等几家主要钢铁企业来了解我国钢铁生产的基本情况,这种调查方式属于 重点 调查。 7、要了解某市大学多媒体教学设备情况,则总体是 该市大学中的全部多媒体教学设备 ;总体单位是 该市大学中的每一套多媒体教学设备; 。 8、若某厂计划规定A 产品单位成本较上年降低6%,实际降低了7%,则A 产品单位成本计划超额完成程度为 100%7% A 100% 1.06%100%6% -=-=-产品单位成本计划超额完成程度 ;若某厂计划规定B 产品产量较上年增长5%,实际增长了10%,则B 产品产量计划超额完成程度为 100%10% 100% 4.76%100%5% +=-=+B 产品产量计划超额完成程度 。 9、按照标志表现划分,学生的民族、性别、籍贯属于 品质 标志;学生的体重、年龄、成绩属于 数量 标志。 10、从内容上看,统计表由 主词 和 宾词 两个部分组成;从格式上看,统计表由 总标题 、 横行标题 、 纵栏标题 和 指标数值(或统计数值); 四个部分组成。 11、从变量间的变化方向来看,企业广告费支出与销售额的相关关系,单位产品成本与单位产品原材料消耗量的相关关系属于 正 相关;而市场价格与消费者需求数量的相关关系,单位产品成本与产品产量的相关关系属于 负 相关。 12、按指标所反映的数量性质不同划分,国民生产总值属于 数量 指标;单位成本属于 质量 指标。 13、如果相关系数r=0,则表明两个变量之间 不存在线性相关关系 。 二、判断题

统计学第六版部分课后题答案

第四章 数据分布特征的测度 4.6 解:先计算出各组组中值如下: 4.8 解: ⑴ ⑵体重的平均数 体重的标准差 ⑶ 55—65kg 相当于μ-1σ到μ+1σ 根据经验法则:大约有68%的人体重在此范围内。 ⑷ 40—60kg 相当于μ-2σ到μ+2σ 2501935030450425501865011426.7120116.5 i M f x f s ?+?+?+?+?=====∑∑ 大。所以,女生的体重差异===离散系数===离散系数女 男10 .010 1 505v 08.012 1 605v =μσ=μσσσ) (1102.250)(1322.260磅=磅=女男=?μ=?μ) (112.25磅==?σ

根据经验法则:大约有95%的人体重在此范围内。 4.9 解: 在A 项测试中得115分,其标准分数为: 在B 项测试中得425分,其标准分数为: 所以,在A 项中的成绩理想。 4.11 解: 成年组的标准差为: 幼儿组的标准差为: 所以,幼儿组身高差异大。 115 100 115X Z =-=σμ-=5.050 400425X Z =-=σμ-= 172.1 4.24.2 2.4%172.1s x x n s s V x = == ====∑ 71.3 2.52.5 3.5% 71.3s x x n s s V x = =====∑

第七章 参数估计 7.7 根据题意:N=7500,n=36(大样本) 总体标准差σ未知,可以用样本标准差s 代替 32 .336 4.119n x x ===∑样本均值 2 1.61 s z α= =样本标准差: 边际误差为:22222 90 1.645 1.6451.61 1.6450.446 3.320.44 (2.883.76)95 1.9699 2.58(2.803.84)(2.634.01) z z x z z z ααααα==?=±=±置信水平%时,=平均上网时间的置信区间为: ,同理,置信水平%时,=;置信水平%时,=平均上网时间的置信区间分别为:,;,

高电压技术练习试题及答案解析

高电压技术练习题(一) 一、填空题 1.描述气体间隙放电电压与气压之间关系的是(A)

A、巴申定律 B、汤逊理论 C、流注理论 D、小桥理论。 2.防雷接地电阻值应该( A )。 A、越小越好 B、越大越好 C、为无穷大 D、可大可小 3.沿着固体介质表面发生的气体放电称为(B) A电晕放电 B、沿面放电 C、火花放电 D、余光放电 4.能够维持稳定电晕放电的电场结构属于(C) A、均匀电场 B、稍不均匀电场 C、极不均匀电场 D、同轴圆筒 5.固体介质因受潮发热而产生的击穿过程属于(B) A、电击穿 B、热击穿 C、电化学击穿 D、闪络 6.以下试验项目属于破坏性试验的是(A )。 A、耐压试验 B、绝缘电阻测量 C、介质损耗测量 D、泄漏测量 7.海拔高度越大,设备的耐压能力(B)。 A、越高 B、越低 C、不变 D、不确定 8.超高压输电线路防雷措施最普遍使用的是(B ) A、避雷针 B、避雷线 C、避雷器 D、放电间隙 9.变电站直击雷防护的主要装置是(A )。 A、避雷针 B、避雷线 C、避雷器 D、放电间隙 10.对固体电介质,施加下列电压,其中击穿电压最低的是(C)。

A、直流电压 B、工频交流电压 C、高频交流电压 D、雷电冲击电压 11.纯直流电压作用下,能有效提高套管绝缘性能的措施是(C)。 A、减小套管体电容 B、减小套管表面电阻 C、增加沿面距离 D、增加套管壁厚 12.由于光辐射而产生游离的形式称为( B )。 A、碰撞游离 B、光游离 C、热游离 D、表面游离答案:B 19.解释气压较高、距离较长的间隙中的气体放电过程可用( A ) A、流注理论 B、汤逊理论 C、巴申定律 D、小桥理论 13测量绝缘电阻不能有效发现的缺陷是( D )。 A、绝缘整体受潮 B、存在贯穿性的导电通道 C、绝缘局部严重受潮 D、绝缘中的局部缺陷 14.设 S1、S2 分别为某避雷器及其被保护设备的伏秒特性曲线,要使设备受到可靠保护必须( B )。 A、S1高于S2 B、S1低于S2 C、S1等于S2 D、S1与S2 相交 15.表示某地区雷电活动强度的主要指标是指雷暴小时与( B )。 A、耐雷水平 B、雷暴日 C、跳闸率 D、大气压强 16.极不均匀电场中的极性效应表明( D )。 A、负极性的击穿电压和起晕电压都高 B、正极性的击穿电压和起晕电压都高 C、负极性的击穿电压低和起晕电压高 D、正极性的击穿电压低和起晕电压高

半导体材料课后题答案

绪论 1. 半导体的基本特性? ①电阻率大体在10-3~109Ω?cm范围 ②整流效应 ③负电阻温度系数 ④光电导效应 ⑤光生伏特效应 ⑥霍尔效应 2. 为什么说有一天,硅微电子技术可能会走到尽头? ①功耗的问题 存储器工作靠的是成千上万的电子充放电实现记忆的,当芯片集成度越来越高耗电量也会越来越大,如何解决散热的问题? ②掺杂原子均匀性的问题 一个平方厘米有一亿到十亿个器件,掺杂原子只有几十个,怎么保证在每一个期间的杂质原子的分布式一模一样的呢?是硅微电子技术发展遇到的又一个难题 ③SiO2层量子隧穿漏电的问题 随着器件尺寸的减小,绝缘介质SiO2的厚度也在减小,当减小到几个纳米的时候,及时很小的电压,也有可能使器件击穿或漏电。量子隧穿漏电时硅微电子技术所遇到的另一个问题。 ④量子效应的问题 如果硅的尺寸达到几个纳米时,那么量子效应就不能忽略了,现有的集成电路的工作原理就可能不再适用 第一章 ⒈比较SiHCl3氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点? ⑴三氯氢硅还原法 优点:产率大,质量高,成本低,是目前国内外制备高纯硅的主要方法。 缺点:基硼、基磷量较大。

⑵硅烷法 优点 ①除硼效果好;(硼以复盐形式留在液相中) ②无腐蚀,降低污染;(无卤素及卤化氢产生) ③无需还原剂,分解效率高; ④制备多晶硅金属杂质含量低(SiH4的沸点低) 缺点:安全性问题 相图 写出合金Ⅳ由0经1-2-3的变化过程 第二章 ⒈什么是分凝现象?平衡分凝系数?有效分凝系数? 答:⑴分凝现象:含有杂质的晶态物质溶化后再结晶时,杂质在结晶的固体和未结晶的液体中浓度不同,这种现象较分凝现象。 ⑵平衡分凝系数:固液两相达到平衡时,固相中的杂质浓度和液相中的杂 质浓度是不同的,把它们的比值称为平衡分凝系数,用K0表示。 K0=C S/C L

高电压技术课后习题答案详解

1-1气体放电过程中产生带电质点最重要的方式是什么,为什么? 答: 碰撞电离是气体放电过程中产生带电质点最重要的方式。 这是因为电子体积小,其自由行程(两次碰撞间质点经过的距离)比离子大得多,所以在电场中获得的动能比离子大得多。其次.由于电子的质量远小于原子或分子,因此当电子的动能不足以使中性质点电离时,电子会遭到弹射而几乎不损失其动能;而离子因其质量与被碰撞的中性质点相近,每次碰撞都会使其速度减小,影响其动能的积累。 1-2简要论述汤逊放电理论。 答: 设外界光电离因素在阴极表面产生了一个自由电子,此电子到达阳极表面时由于过程,电子总数增至d eα个。假设每次电离撞出一个正离子,故电极空间共有(d eα-1)个正离子。这些正离子在电场作用下向阴极运动,并撞击阴极.按照系数γ的定义,此(d eα-1) eα-1)个正离子在到达阴极表面时可撞出γ(d 个新电子,则(d eα-1)个正离子撞击阴极表面时,至少能从阴极表面释放出一个有效电子,以弥补原来那个产生电子崩并进入阳极的电子,则放电达到自持放电。即汤逊理论的自持放电条件可表达为r(d eα=1。 eα-1)=1或γd 1-3为什么棒-板间隙中棒为正极性时电晕起始电压比负极性时略高? 答:(1)当棒具有正极性时,间隙中出现的电子向棒运动,进入强电场区,开始引起电离现象而形成电子崩。随着电压的逐渐上升,到放电达到自持、爆发电晕之前,在间隙中形成相当多的电子崩。当电子崩达到棒极后,其中的电子就进入棒极,而正离子仍留在空间,相对来说缓慢地向板极移动。于是在棒极附近,积聚起正空间电荷,从而减少了紧贴棒极附近的电场,而略为加强了外部空间的电场。这样,棒极附近的电场被削弱,难以造成流柱,这就使得自持放电也即电晕放电难以形成。 (2)当棒具有负极性时,阴极表面形成的电子立即进入强电场区,造成电子崩。当电子崩中的电子离开强电场区后,电子就不再能引起电离,而以越来越慢的速度向阳极运动。一部份电子直接消失于阳极,其余的可为氧原子所吸附形

社会统计学习题和答案--相关与回归分析报告

第十二章 相关与回归分析 第一节 变量之间的相关关系 相关程度与方向·因果关系与对称关系 第二节 定类变量的相关 双变量交互分类(列联表)·削减误差比例(PRE )·λ系数与τ系数 第三节 定序变量的相关分析 同序对、异序对和同分对·Gamma 系数·肯德尔等级相关系数(τa 系数、τb 与τc 系数)·萨默斯系数(d 系数)·斯皮尔曼等级相关(ρ相关)·肯德尔和谐系数 第四节 定距变量的相关分析 相关表和相关图·积差系数的导出和计算·积差系数的性质 第五节 回归分析 线性回归·积差系数的PRE 性质·相关指数R 第六节 曲线相关与回归 可线性化的非线性函数·实例分析(二次曲线指数曲线) 一、填空 1.对于表现为因果关系的相关关系来说,自变量一般都是确定性变量,依变量则一般是( 随机性 )变量。 2.变量间的相关程度,可以用不知Y 与X 有关系时预测Y 的全部误差E 1,减去知道Y 与X 有关系时预测Y 的联系误差E 2,再将其化为比例来度量,这就是( 削减误差比例 )。 3.依据数理统计原理,在样本容量较大的情况下,可以作出以下两个假定:(1)实际观察值Y 围绕每个估计值c Y 是服从( );(2)分布中围绕每个可能的c Y 值的( )是相同的。 4.在数量上表现为现象依存关系的两个变量,通常称为自变量和因变量。自变量是作为( 变化根据 )的变量,因变量是随( 自变量 )的变化而发生相应变化的变量。 5.根据资料,分析现象之间是否存在相关关系,其表现形式或类型如何,并对具有相关关系的现象之间数量变化的议案关系进行测定,即建立一个相关的数学表达式,称为( 回归方程 ),并据以进行估计和预测。这种分析方法,通常又称为( 回归分析 )。 6.积差系数r 是( 协方差 )与X 和Y 的标准差的乘积之比。 二、单项选择 1.当x 按一定数额增加时,y 也近似地按一定数额随之增加,那么可以说x 与y 之间 存在( A )关系。 A 直线正相关 B 直线负相关 C 曲线正相关 D 曲线负相关

统计学课后习题答案(Chap1.2)

第1章绪论 1.什么是统计学怎样理解统计学与统计数据的关系 2.试举出日常生活或工作中统计数据及其规律性的例子。 3..一家大型油漆零售商收到了客户关于油漆罐分量不足的许多抱怨。因此,他们开始检查供货商的集装箱,有问题的将其退回。最近的一个集装箱装的是2 440加仑的油漆罐。这家零售商抽查了50罐油漆,每一罐的质量精确到4位小数。装满的油漆罐应为4.536 kg。要求: (1)描述总体; (2)描述研究变量; (3)描述样本; (4)描述推断。 答:(1)总体:最近的一个集装箱内的全部油漆; (2)研究变量:装满的油漆罐的质量; (3)样本:最近的一个集装箱内的50罐油漆; (4)推断:50罐油漆的质量应为×50=226.8 kg。 4.“可乐战”是描述市场上“可口可乐”与“百事可乐”激烈竞争的一个流行术语。这场战役因影视明星、运动员的参与以及消费者对品尝试验优先权的抱怨而颇具特色。假定作为百事可乐营销战役的一部分,选择了1000名消费者进行匿名性质的品尝试验(即在品尝试验中,两个品牌不做外观标记),请每一名被测试者说出A品牌或B品牌中哪个口味更好。要求: (1)描述总体; (2)描述研究变量; (3)描述样本; (4)一描述推断。 答:(1)总体:市场上的“可口可乐”与“百事可乐” (2)研究变量:更好口味的品牌名称; (3)样本:1000名消费者品尝的两个品牌 (4)推断:两个品牌中哪个口味更好。 第2章统计数据的描述——练习题 ●1.为评价家电行业售后服务的质量,随机抽取了由100家庭构成的一个样本。服务质量的等级分别表示为:A.好;B.较好;C.一般;D.差;E.较差。调查结果如下: B E C C A D C B A E D A C B C D E C E E A D B C C A E D C B B A C D E A B D D C C B C E D B C C B C D A C B C D E C E B B E C C A D C B A E B A C D E A B D D C A D B C C A E D C B C B C E D B C C B C (1) 指出上面的数据属于什么类型; (2)用Excel制作一张频数分布表;

高电压技术考试试题及其答案精编5套

《高电压技术》期末冲刺试卷(1) 1.B 2.A 3.C 4A 5.D 6.D 7.C 8.B 1.流注理论未考虑( )的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.极化时间最短的是( )。 A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 3.先导通道的形成是以( )的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 4.下列因素中,不会影响液体电介质击穿电压的是() A.电压的频率 B.温度 C.电场的均匀程度 D. 杂质 5.电晕放电是一种()。 A.滑闪放电 B.非自持放电 C.沿面放电 D.自持放电 6.以下四种气体间隙的距离均为10cm,在直流电压作用下,击穿电压最低的是()。 A.球—球间隙(球径50cm) B.棒—板间隙,棒为负极 C.针—针间隙 D.棒—板间隙,棒为正极 7.不均匀的绝缘试品,如果绝缘严重受潮,则吸收比K将( ) A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 8.雷击线路附近地面时,导线上的感应雷过电压与导线的() A. 电阻率成反比 B.悬挂高度成反比 C.悬挂高度成正比 D. 电阻率成正比 二、填空题(本大题共9小题,每空1分,共18分) 1.表面、体积 2.空间电荷 3.电子式极化、离子式极化、偶极子极化

4.击穿、闪络 5.光电离、热电离 6.60 7.集中性、分散性 8.防雷接地、工作接地、保护接地9.耐压水平、雷击跳闸率 1.固体电介质电导包括_______电导和_______电导。 2.极不均匀电场中,屏障的作用是由于其对________的阻挡作用,造成电场分布的改变。 3.电介质的极化形式包括________、________、________和夹层极化。 4.气体放电现象包括_______和_______两种现象。 5.带电离子的产生主要有碰撞电离、______、______、表面电离等方式。 6.工频耐压试验中,加至规定的试验电压后,一般要求持续_______秒的耐压时间。 7.按绝缘缺陷存在的形态而言,绝缘缺陷可分为_______缺陷和______缺陷两大类。 8.在接地装置中,接地方式可分为________、________、________。 9.输电线路防雷性能的优劣主要用________和_________来衡量。 三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)在每小题的括号内对的打“√”,错的打“×”。 1.无论何种结构的电介质,在没有外电场作用时,其内部各个分子偶极矩的矢量和平均来说为零, 因此电介质整体上对外没有极性。() 2.在四种电介质的基本极化形式中,只有电子式极化没有能量损耗。() 3.测量电气设备的绝缘电阻时一般要加直流电压,绝缘电阻与温度没有关系。() 4.防雷接地装置是整个防雷保护体系中可有可无的一个组成部分。() 5.管式避雷器实质上是一只具有较强灭弧能力的保护间隙。() 1.(√)2.(×)3.(×)4.(×)5.(√) 四、名词解释题(本大题共5小题,每小题6分,共30分) 1.吸收比: 2.雷击跳闸率: 3.雷暴日: 4.伏秒特性: 5.气体击穿: 1.指的是电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比。(或指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比。)

半导体物理学-(第七版)-习题答案分解

3-7.(P 81)①在室温下,锗的有效状态密度Nc =1.05×1019cm -3,Nv =5.7×1018cm -3 ,试求锗的载流子有效质量m n *和m p * 。计算77k 时的Nc 和Nv 。已知300k 时,Eg =0.67eV 。77k 时Eg =0.76eV 。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。②77k ,锗的电子浓度为1017 cm -3 ,假定浓度为零,而Ec -E D =0.01eV,求锗中施主浓度N D 为多少? [解] ①室温下,T=300k (27℃),k 0=1.380×10-23J/K ,h=6.625×10-34 J·S, 对于锗:Nc =1.05×1019cm -3,Nv=5.7×1018cm -3 : ﹟求300k 时的Nc 和Nv : 根据(3-18)式: Kg T k Nc h m h T k m Nc n n 3123 32 19 234032 2*32 3 0* 100968.5300 1038.114.32)21005.1()10625.6(2)2()2(2---?=??????=?=??=ππ根据(3-23)式: Kg T k Nv h m h T k m Nv p p 3123 3 2 18 2340 32 2 *32 3 0*1039173.33001038.114.32)2107.5()10625.6(2)2()2(2---?=??????=?=??=ππ﹟求77k 时的Nc 和Nv : 19192 3 23'233 2 30* 3 2 30*'10365.11005.1)30077()'(;)'()2(2) '2(2?=??===??=c c n n c c N T T N T T h T k m h T k m N N ππ 同理: 17182 3 23' 1041.7107.5)300 77()'(?=??==v v N T T N ﹟求300k 时的n i : 13181902 11096.1)052 .067 .0exp()107.51005.1()2exp()(?=-???=- =T k Eg NcNv n i 求77k 时的n i : 723 1918 1902 110094.1)77 1038.12106.176.0exp()107.51005.1()2exp()(---?=?????-???=-=T k Eg NcNv n i ②77k 时,由(3-46)式得到: Ec -E D =0.01eV =0.01×1.6×10-19;T =77k ;k 0=1.38×10-23;n 0=1017;Nc =1.365×1019cm -3 ; ;==-1619 2231917200106.610 365.12)]771038.12106.101.0exp(10[2)]2exp([??????????-=-Nc T k E Ec n N D D [毕] 3-8.(P 82)利用题7所给的Nc 和Nv 数值及Eg =0.67eV ,求温度为300k 和500k 时,含施主浓度N D =5×1015cm -3,受主浓度N A =2×109cm -3的锗中电子及空穴浓度为多少? [解]1) T =300k 时,对于锗:N D =5×1015cm -3,N A =2×109cm -3:

统计学课后习题答案完整版

统计学课后习题答案 HEN system office room 【HEN16H-HENS2AHENS8Q8-HENH1688】

第四章 统计描述 【】某企业生产铝合金钢,计划年产量40万吨,实际年产量45万吨;计划降低成本5%,实际降低成本8%;计划劳动生产率提高8%,实际提高10%。试分别计算产量、成本、劳动生产率的计划完成程度。 【解】产量的计划完成程度=%5.112100%40 45 100%=?=?计划产量实际产量 即产量超额完成%。 成本的计划完成程=84%.96100%5%-18% -1100%-1-1≈?=?计划降低百分比实际降低百分比 即成本超额完成%。 劳动生产率计划完= 85%.101100%8%110% 1100%11≈?++=?++计划提高百分比实际提高百分比 即劳动生产率超额完成%。 【】某煤矿可采储量为200亿吨,计划在1991~1995年五年中开采全部储量的%, 试计算该煤矿原煤开采量五年计划完成程度及提前完成任务的时间。 【解】本题采用累计法: (1)该煤矿原煤开采量五年计划完成=100% ?数 计划期间计划规定累计数 计划期间实际完成累计 = 75%.1261021025357 4 =?? 即:该煤矿原煤开采量的五年计划超额完成%。 (2)将1991年的实际开采量一直加到1995年上半年的实际开采量,结果为2000万吨,此时恰好等于五年的计划开采量,所以可知,提前半年完成计划。 【】我国1991年和1994年工业总产值资料如下表:

要求: (1)计算我国1991年和1994年轻工业总产值占工业总产值的比重,填入表中; (2)1991年、1994年轻工业与重工业之间是什么比例(用系数表示)? (3)假如工业总产值1994年计划比1991年增长45%,实际比计划多增长百分之几? 1991年轻工业与重工业之间的比例=96.01.144479 .13800≈; 1994年轻工业与重工业之间的比例=73.04.296826 .21670≈ (3) %37.25 1%) 451(2824851353 ≈-+ 即,94年实际比计划增长%。 【】某乡三个村2000年小麦播种面积与亩产量资料如下表: 要求:(1)填上表中所缺数字; (2)用播种面积作权数,计算三个村小麦平均亩产量; (3)用比重作权数,计算三个村小麦平均亩产量。

高电压技术考试试题及其答案精华版

《高电压技术》期末冲刺试卷(1) 1.流注理论未考虑( B )的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.极化时间最短的是( A )。 A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 3.先导通道的形成是以( C )的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 4.下列因素中,不会影响液体电介质击穿电压的是(A ) A.电压的频率 B.温度 C.电场的均匀程度 D. 杂质 5.电晕放电是一种( D )。 A.滑闪放电 B.非自持放电 C.沿面放电 D.自持放电 6.以下四种气体间隙的距离均为10cm,在直流电压作用下,击穿电压最低的是( D )。 A.球—球间隙(球径50cm) B.棒—板间隙,棒为负极 C.针—针间隙 D.棒—板间隙,棒为正极 7.不均匀的绝缘试品,如果绝缘严重受潮,则吸收比K将( C ) A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 8.雷击线路附近地面时,导线上的感应雷过电压与导线的( B ) A. 电阻率成反比 B.悬挂高度成反比 C.悬挂高度成正比 D. 电阻率成正比 二、填空题(本大题共9小题,每空1分,共18分) 1.固体电介质电导包括___表面____电导和_体积______电导。 2.极不均匀电场中,屏障的作用是由于其对__空间电荷__的阻挡作用,造成电场分布的改变。

3.电介质的极化形式包括_电子式极化__、__离子式极化_、__偶极子极化_和夹层极化。 4.气体放电现象包括__击穿_____和__闪络_____两种现象。 5.带电离子的产生主要有碰撞电离、__光电离____、_热点离_____、表面电离等方式。 6.工频耐压试验中,加至规定的试验电压后,一般要求持续__60_____秒的耐压时间。 7.按绝缘缺陷存在的形态而言,绝缘缺陷可分为__集中性_____缺陷和__分散性____缺陷两大类。 8.在接地装置中,接地方式可分为_防雷接地_______、_保护接地_______、_工作接地_______。 9.输电线路防雷性能的优劣主要用__耐雷水平______和_雷击跳闸率________来衡量。 三、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)在每小题的括号内对的打“√”,错的打“×”。 1.无论何种结构的电介质,在没有外电场作用时,其内部各个分子偶极矩的矢量和平均来说为零, 因此电介质整体上对外没有极性。(对) 2.在四种电介质的基本极化形式中,只有电子式极化没有能量损耗。(错) 3.测量电气设备的绝缘电阻时一般要加直流电压,绝缘电阻与温度没有关系。(错) 4.防雷接地装置是整个防雷保护体系中可有可无的一个组成部分。(错) 5.管式避雷器实质上是一只具有较强灭弧能力的保护间隙。(对) 四、名词解释题(本大题共5小题,每小题6分,共30分) 1.吸收比:指的是电流衰减过程中的两个瞬间测得的两个电流值或两个相应的绝缘电阻值之比。(或指被试品加压60秒时的绝缘电阻与加压15秒时的绝缘电阻之比。) 2.雷击跳闸率:指每100KM线路每年由雷击引起的跳闸次数 3.雷暴日:指某地区一年四季中有雷电放电的天数,一天中只要听到一次及以上雷声就是一个雷暴日。 4.伏秒特性:对某一冲击电压波形,间隙的击穿电压和击穿时间的关系称为伏秒特性 5.气体击穿:气体由绝缘状态变为导电状态的现象称为击穿 五、简答题(本大题共2小题,每小题8分,共16分)

半导体物理课后习题解答

半导体物理习题解答 1-1.(P 32)设晶格常数为a 的一维晶格,导带极小值附近能量E c (k )和价带极大值附近能量E v (k )分别为: E c (k)=0223m k h +022)1(m k k h -和E v (k)= 0226m k h -0 2 23m k h ; m 0为电子惯性质量,k 1=1/2a ;a =0.314nm 。试求: ①禁带宽度; ②导带底电子有效质量; ③价带顶电子有效质量; ④价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 [解] ①禁带宽度Eg 根据dk k dEc )(=0232m k h +0 12)(2m k k h -=0;可求出对应导带能量极小值E min 的k 值: k min = 14 3 k , 由题中E C 式可得:E min =E C (K)|k=k min = 2 10 4k m h ; 由题中E V 式可看出,对应价带能量极大值Emax 的k 值为:k max =0; 并且E min =E V (k)|k=k max =02126m k h ;∴Eg =E min -E max =021212m k h =2 02 48a m h =11 28282 2710 6.1)1014.3(101.948)1062.6(----???????=0.64eV ②导带底电子有效质量m n 0202022382322 m h m h m h dk E d C =+=;∴ m n =022 283/m dk E d h C = ③价带顶电子有效质量m ’ 022 26m h dk E d V -=,∴022 2'61/m dk E d h m V n -== ④准动量的改变量 h △k =h (k min -k max )= a h k h 83431= [毕] 1-2.(P 33)晶格常数为0.25nm 的一维晶格,当外加102V/m ,107V/m 的电场时,试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 [解] 设电场强度为E ,∵F =h dt dk =q E (取绝对值) ∴dt =qE h dk

社会统计学复习题有答案

社会统计学复习题有答 案 集团标准化工作小组 #Q8QGGQT-GX8G08Q8-GNQGJ8-MHHGN#

社会统计学课程期末复习题 一、填空题(计算结果一般保留两位小数) 1、第五次人口普查南京市和上海市的人口总数之比为 比较 相对指标;某企业男女职工人数之比为 比例 相对指标;某产品的废品率为 结构 相对指标;某地区福利机构网点密度为 强度 相对指标。 2、各变量值与其算术平均数离差之和为 零 ;各变量值与其算术平均数离差的平方和为 最小值 。 3、在回归分析中,各实际观测值y 与估计值y ?的离差平方和称为 剩余 变差。 4、平均增长速度= 平均发展速度 —1(或100%)。 5、 正J 形 反J 形 曲线的特征是变量值分布的次数随变量值的增大而逐步增多; 曲线的特征是变量值分布的次数随变量值的增大而逐步减少。 6、调查宝钢、鞍钢等几家主要钢铁企业来了解我国钢铁生产的基本情况,这种调查方式属于 重点 调查。 7、要了解某市大学多媒体教学设备情况,则总体是 该市大学中的全部多媒体教学设备 ;总体单位是 该市大学中的每一套多媒体教学设备; 。 8、若某厂计划规定A 产品单位成本较上年降低6%,实际降低了7%,则A 产品单位成本计划超额完成程度为 100%7% A 100% 1.06%100%6% -=- =-产品单位成本计划超额完成程度 ;若某厂计划规定B 产品产量较上年增长5%,实际增长了10%,则B 产品产量计划超额完成程度为 100%10% 100% 4.76%100%5% += -=+B 产品产量计划超额完成程度 。

9、按照标志表现划分,学生的民族、性别、籍贯属于品质标志;学生的体重、年龄、成绩属于数量标志。 10、从内容上看,统计表由主词和宾词两个部分组成;从格式上看,统计表由 总标题、横行标题、纵栏标题和指标数值(或统计数值); 四个部分组成。 11、从变量间的变化方向来看,企业广告费支出与销售额的相关关系,单位产品成本与单位产品原材料消耗量的相关关系属于正相关;而市场价格与消费者需求数量的相关关系,单位产品成本与产品产量的相关关系属于负相关。 12、按指标所反映的数量性质不同划分,国民生产总值属于数量指标;单位成本属于质量指标。 13、如果相关系数r=0,则表明两个变量之间不存在线性相关关系。 二、判断题 1、在季节变动分析中,若季节比率大于100%,说明现象处在淡季;若季节比率小于100%,说明现象处在旺季。(×;答案提示:在季节变动分析中,若季节比率大于100%,说明现象处在旺季;若季节比率小于100%,说明现象处在淡季。 ) 2、工业产值属于离散变量;设备数量属于连续变量。(×;答案提示:工业产值属于连续变量;设备数量属于离散变量) 3、中位数与众数不容易受到原始数据中极值的影响。(√;) 4、有意识地选择十个具有代表性的城市调查居民消费情况,这种调查方式属于典型调查。(√)

统计学(第五版)贾俊平-课后思考题和练习题答案(完整版)

统计学(第五版)贾俊平课后思考题和练习题答案(最终完整版) 第一部分思考题 第一章思考题 1.1什么是统计学 统计学是关于数据的一门学科,它收集,处理,分析,解释来自各个领域的数据并从中得出结论。 1.2解释描述统计和推断统计 描述统计;它研究的是数据收集,处理,汇总,图表描述,概括与分析等统计方法。 推断统计;它是研究如何利用样本数据来推断总体特征的统计方法。 1.3统计学的类型和不同类型的特点 统计数据;按所采用的计量尺度不同分; (定性数据)分类数据:只能归于某一类别的非数字型数据,它是对事物进行分类的结果,数据表现为类别,用文字来表述; (定性数据)顺序数据:只能归于某一有序类别的非数字型数据。它也是有类别的,但这些类别是有序的。 (定量数据)数值型数据:按数字尺度测量的观察值,其结果表现为具体的数值。 统计数据;按统计数据都收集方法分; 观测数据:是通过调查或观测而收集到的数据,这类数据是在没有对事物人为控制的条件下得到的。 实验数据:在实验中控制实验对象而收集到的数据。 统计数据;按被描述的现象与实践的关系分; 截面数据:在相同或相似的时间点收集到的数据,也叫静态数据。 时间序列数据:按时间顺序收集到的,用于描述现象随时间变化的情况,也叫动态数据。 1.4解释分类数据,顺序数据和数值型数据 答案同1.3 1.5举例说明总体,样本,参数,统计量,变量这几个概念 对一千灯泡进行寿命测试,那么这千个灯泡就是总体,从中抽取一百个进行检测,这一百个灯泡的集合就是样本,这一千个灯泡的寿命的平均值和标准差还有合格率等描述特征的数值就是参数,这一百个灯泡的寿命的平均值和标准差还有合格率等描述特征的数值就是统计量,变量就是说明现象某种特征的概念,比如说灯泡的寿命。 1.6变量的分类 变量可以分为分类变量,顺序变量,数值型变量。 变量也可以分为随机变量和非随机变量。经验变量和理论变量。 1.7举例说明离散型变量和连续性变量 离散型变量,只能取有限个值,取值以整数位断开,比如“企业数” 连续型变量,取之连续不断,不能一一列举,比如“温度”。 1.8统计应用实例 人口普查,商场的名意调查等。 1.9统计应用的领域 经济分析和政府分析还有物理,生物等等各个领域。

纳米材料习题答案

纳米材料习题答案 1、简单论述纳米材料的定义与分类。 答:最初纳米材料是指纳米颗粒和由它们构成的纳米薄膜和固体。 现在广义: 纳米材料是指在三维空间中至少有一维处在纳米尺度范围,或由他们作为基本单元构成的材料。 如果按维数,纳米材料可分为三大类: 零维:指在空间三维尺度均在纳米尺度,如:纳米颗粒,原子团簇等。 一维:指在空间有两处处于纳米尺度,如:纳米丝,纳米棒,纳米管等。 二维:指在三维空间中有一维处在纳米尺度,如:超薄膜,多层膜等。 因为这些单元最具有量子的性质,所以对零维,一维,二维的基本单元,分别又具有量子点,量子线和量子阱之称。 2、什么是原子团簇谈谈它的分类。 3、通过Raman 光谱中任何鉴别单壁和多臂碳纳米管如何计算单壁碳纳米管直径 答:利用微束拉曼光谱仪能有效地观察到单臂纳米管特有的谱线,这是鉴定单臂纳米管非常灵敏的方法。 100-400cm-1范围内出现单臂纳米管的特征峰,单臂纳米管特有的环呼吸振动模式;1609cm-1,这是定向多壁纳米管的拉曼特征峰。 单臂管的直径d与特征拉曼峰的波数成反比,即d = 224/w d:单壁管的直径,nm;w:为特征拉曼峰的波数cm-1

4、论述碳纳米管的生长机理(图)。 答:碳纳米管的生长机理包括V-L-S机理、表面(六元环)生长机理。 (1)V-L-S机理:金属和碳原子形成液滴合金,当碳原子在液滴中达到饱和后开始析出来形成纳米碳管。根据催化剂在反应过程中的位置将其分为顶端生长机理、根部生长机理。 ①顶端生长机理:在碳纳米管顶部,催化剂微粒没有被碳覆盖的的部分,吸附并催化裂解碳氢分子而产生碳原子,碳原子在催化剂表面扩散或穿过催化剂进入碳纳米管与催化剂接触的开口处,实现碳纳米管的生长,在碳纳米管的生长过程中,催化剂始终在碳纳米管的顶端,随着碳纳米管的生长而迁移; ②根部生长机理:碳原子从碳管的底部扩散进入石墨层网络,挤压而形成碳纳米管,底部生长机理最主要的特征是:碳管一末端与催化剂微粒相连,另一端是不含有金属微粒的封闭端; (2)表面(六元环)生长机理:碳原子直接在催化剂的表面生长形成碳管,不形成合金。 ①表面扩散机理:用苯环坐原料来生长碳纳米管,如果苯环进入催化剂内部,会被分解而产生碳氢化合物和氢气同时副产物的检测结果为只有氢气而没有碳氢化化物。说明苯环没有进入催化剂液滴内部,而只是在催化剂表面脱氢生长,也符合“帽式”生长机理。 5、论述气相和溶液法生长纳米线的生长机理。 (1)气相法反应机理包括:V-L-S机理、V-S机理、碳纳米管模板法、金属原位生长。 ①V-L-S机理:反应物在高温下蒸发,在温度降低时与催化剂形成低共熔液滴,小液滴相互聚合形成大液滴,并且共熔体液滴在端部不断吸收粒子和小的液滴,最后由于微粒的过饱和而凝固形成纳米线。 ②V-S机理:首先沉底经过处理,在其表面形成许多纳米尺度的凹坑蚀丘,这些凹坑蚀丘为纳米丝提供了成核位置,并且它的尺寸限定了纳米丝的临界成核直径,从而使生长的丝为纳米级。 ③碳纳米管模板法:采用碳纳米管作为模板,在一定温度和气氛下,与氧化物反应,碳纳米管一方面提供碳源,同时消耗自身;另一方面提供了纳米线生长的场所,同时也限制了生成物的生长方向。 ④金属原位生长: (2)溶液法反应机理包括溶液液相固相、选择性吸附。 ①S-L-S机理:SLS 法和 VLS 法很相似,二者的主要差别在于 SLS 法纳米线成长的 液态团簇来源于溶液相,而 VLS 法则来自蒸气相。

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