2013年西北工业大学862高分子物理考研试题(回忆版)

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05―10年西北工业大学材料学考研真题及答案(精)

2005年西北工业大学硕士研究生入学试题一、简答题(每题8分1. 请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。

2. 同素异晶转变和再结晶转变都是以形核长大方式进行的,请问两者之间有何差别?3. 两位错发生交割时产生的扭折和割阶有何区别?4. 请简述扩散的微观机制有哪些?影响扩散的因素又有哪些?5. 请简述回复的机制及其驱动力。

二、计算、作图题:(共60分,每小题12分1. 在面心立方晶体中,分别画出、和、,指出哪些是滑移面、滑移方向,并就图中情况分析它们能否构成滑移系?若外力方向为[001],请问哪些滑移系可以开动?2. 请判定下列位错反应能否进行,若能够进行,请在晶胞图上做出矢量图。

(1(23. 假设某面心立方晶体可以开动的滑移系为,请回答:(1给出滑移位错的单位位错柏氏矢量;(2若滑移位错为纯刃位错,请指出其位错线方向;若滑移位错为纯螺位错,其位错线方向又如何?4. 若将一块铁由室温20℃加热至850℃,然后非常快地冷却到20℃,请计算处理前后空位数变化(设铁中形成1mol空位所需的能量为104675 J,气体常数为8.314J/mol·K。

5. 已知三元简单共晶的投影图,见附图,(1请画出AD代表的垂直截面图及各区的相组成(已知TA>TD;(2请画出X合金平衡冷却时的冷区曲线,及各阶段相变反应。

三、综合分析题:(共50分,每小题25分1. 请对比分析加工硬化、细晶强化、弥散强化、复相强化和固溶强化的特点和机理。

2. 请根据所附二元共晶相图分析解答下列问题:(1分析合金I、II的平衡结晶过程,并绘出冷却曲线;(2说明室温下I、II的相和组织是什么?并计算出相和组织的相对含量;(3如果希望得到共晶组织和5%的β初的合金,求该合金的成分;(4分析在快速冷却条件下,I、II两合金获得的组织有何不同。

2005年西北工业大学硕士研究生入学试题参考答案一、简答题(每题8 分,共40 分1. 请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。

西北工业大学高分子物理862考研真题

2013年西北工业大学《高分子物理》（862）真题回忆版
一简答题（共30分，每题5分）
1何为构型，何为构象，全同立构的聚丙烯可否通过改变构象来提高其结晶度？
2对于聚碳酸酯和聚苯乙烯，如何改善其熔体的流动性？
3何为介电损耗，其产生的原因？
4何为内聚能及内聚能密度，如何测试内聚能？
5材料的理论强度与实际强度为什么有很大差异？
6记不起来了。

二选择题（共50分，每踢2分）
选择题太多了，有25个题，所以很难全部回忆出来。

但有一点是肯定的，所有的选择题都是对课本基本知识点的考察。

三计算题（共25分）
1考察课本109页公式4-45及110页公式4-51和公式4-52
2考察WLF方程
四问答题（共45分）
1高聚物的三种断裂机理，材料的化学结构及聚集态结构对材料强度的影响（20分）
2考察聚合物结晶方面的知识
（1）问高密度聚乙烯，尼龙66，聚丙烯三者哪一个的结晶能力最强？
（2）一个盛有热水的透明的聚乙烯杯子，时间久了为何会变的不透明？
3高聚物的冷拉成颈，SBS热塑弹体的冷拉（课本149页的内容）
最后提醒大家的是关于参考书的问题。

虽然从2013年开始考研大纲上的参考书改成了三本书（第一本：何曼君的高分子物理，第二本：金日光的高分子物理，第三本：焦剑的高聚物性能结构与测试），但是实际上考研大纲以及实际上考的内容完全是根据：蓝立文主编的《高分子物理》（西北工业大学出版社出版，1993年修订版）来进行的。

（蓝立文为西北工业大学化工系教授），所以建议大家按蓝立文主编的《高分子物理》进行复习。

(NEW)西北工业大学《827信号与系统》历年考研真题汇编

2007年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题
2006年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题
2005年西北工业大学信号与系统考研真题
2004年西北工业大学432信号与系统考研真题
2003年西北工业大学432信号与系统考研真题
2002年西北工业大学536信号与系统考研真题
2014年西北工业大学827信号与系统考研真题（回忆版）
2011年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题
2010年西北工业大学827信号与系统（A）考研真题
2009年西北工信号与系统（A）考研真题
目录
2014年西北工业大学827信号与系统考研真题（回忆版） 2011年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题 2010年西北工业大学827信号与系统（A）考研真题 2009年西北工业大学信号与系统（B）考研真题 2008年西北工业大学827信号与系统（A）考研真题 2007年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题 2006年西北工业大学432信号与系统（A）考研真题 2005年西北工业大学信号与系统考研真题 2004年西北工业大学432信号与系统考研真题 2003年西北工业大学432信号与系统考研真题 2002年西北工业大学536信号与系统考研真题

西北工业大学828光学2012年(回忆版)考研专业课真题试卷

2012年西北工业大学光学考研真题（回忆版）
简答题
1、光栅光谱仪的角色散率、线色散率和色分辨本领的数学表达式为何？
2、艾里斑的线半径怎样计算？
3、在什么情况下哪种光有半波损失？
4、实现偏振光的干涉至少需要哪几个元件？它们分别起什么作用？
5、什么是人为双折射？
计算题
1、空气中双凹厚透镜的两个凹面半径r1和r2分别为-8厘米和7厘米,沿主轴的厚度为2厘米.玻璃折射率n为1.5.求焦点和主平面位置,一物点位于焦点F处,求其象点位置.
2、比耶对切透镜是由焦距为f=10厘米的薄会聚透镜从中间截取宽度为a后剩下的两个半截对接构成.在距其x=3/2f处置一宽度为b的缝状光源,发出的光波长为597nm,缝上不同点所辐射的光是不相干的.在对切透镜的另一侧L=330厘米处置观察屏,试问当狭缝的宽度为多少时,屏上干涉条纹消失?。

青岛科技大学高分子学院《821高分子化学与物理》历年考研真题专业课考试试题

2011年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题
青岛科技大学二○一一年硕士研究生入学考试试题
考试科目：高分子化学与物理注意事项：1．本试卷共10道大题（共计41个小题），满分150分； 2．本卷属试题卷，答题另有答题卷，答案一律写在答题卷上，写在该试题卷上或草纸上均无效。要注意试卷清洁，不要在试卷上涂划； 3．必须用蓝．黑钢笔或签字笔答题，其它均无效。 ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡ ﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡﹡
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2013年青岛科技大学821高分子化学与物理考研真题（回忆版） 2012年青岛科技大学821高分子化学与物理考研真题 2011年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题 2010年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题 2009年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题 2008年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题 2007年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题 2006年青岛科技大学高分子化学与物理考研真题
第一部分：高分子物理
一．名词解释（2×10＝20分） 1．构型 2．液晶原 3．溶解度参数 4．θ溶液 5．玻璃化转变的多维性 6．结晶度 7．Avrami指数 8．等效自由连接链 9．时温等效原理 10．银纹
二．简答题（共26分） 1．请把以下几组聚合物按柔顺性由好到差的顺序排列并说明其柔
二．判断并改错（共20分，每题2分） 1．有链转移时，自由基聚合的动力学链长等于平均聚合度：对或错（）；如果是错的，正确的是（）。
2．乙酸乙烯酯自由基聚合时，加入少量的苯乙烯后，聚合速度大大增加了：
对或错（）；如果是错的，正确的是（）。
3.LDPE 采用配位聚合机理合成。对或错（）；如果是错的，正确的是（）。

西北工业大学自动控制原理考研真题

2013西工大821自动控制原理专业课回忆版共6道大题：1.常规时域题，利用程序框图，r（t），n（t），tr，等求三个未知数k1，k2，t2.常规根轨迹题目，用到D来求原式子，然后加入gc画出根轨迹图3.求稳态cst的，教案上习题应用，好像是分别求模值大小和角度即可4.常规pid校正，不过第二问让文字分析描述本题中的三频段5.常规题，第一问z变换就可以算出，第二问i型求误差6.常规利用na，gs求k和t，算出即可2012西北工业大学自动控制原理回忆版第一题：典型闭环系统加入了前馈控制并且含有未知数t，典型闭环控制开环增益k未知。

(1)当未知数t k为何值是系统等幅震荡(2)当系统为一阶无差系统求满足的t k(3)利用闭环主导极点化简系统方程求超调量和调节时间第二题：直接给出特征方程:三次，含有未知数k t(1)系统有三重负实根确定k t(2)利用求出来的t确定k从0——无穷的根轨迹（参数根轨迹）其中求出渐近线，和分离点第三题：系统两个转接频率2和18中间斜率为—20且高频延长线交为12，初始相角和末都是—180第一问画出概略对数幅频曲线。

第二问确定开环传函第三问是求截止频率和相角裕度第四问忘了第四题：不是典型的校正题没做出来其中给出了校正图G1(S)未知知和G(S)=1除（S+1)串联.让确定函数其中要求在n(t)干扰下的误差为0和kv为12还有就是保持截止频率而增大相角裕度为40但是根据G(s)我不知怎么求截止频率第五题：常规题但是其中有利用到差分方程求误差第六题：典型的1+N(a)G(s)=0不过N(a)是含有虚部的那个4mpeih那个求自震频率和幅值和K变化时对两者影响2014年西工大821自动控制原理考研真题回忆版第一题，三问，1，求K的范围2，好像求误差3.求前馈校正的Gc.第二题，大家都知道是根轨迹的，不过这次好像很多问，对我个人能力来说，比往年难多了，根轨迹要做了前两问才可以开始画，求渐近线，出始角，和虚轴交点。

西工大材科2013年考研题（回忆版）大全

西工大材科2013年考研题（回忆版）大全第一篇：西工大材科2013年考研题(回忆版)大全2013年西北工业大学《材料科学基础》考研试题一、简答题1、位错能不能终止于晶体内部，为什么？2、从结合键角度分析金属塑性优于陶瓷的原因？3、处于同一直线上两个长度为x的位错，相隔距离为3x,两位错b的方向相同均垂直位错线，分析施加于同向切应力后位错运动情况？并求此切应力？分析两个b反向的情况？4、科肯道尔界面运动方向？分析此效应意义？二、分析作图题1、分析划痕、单滑移、多滑移、交滑移、变形孪晶、退火孪晶的显微组织图，并作图。

2、计算立方晶体形核的临界边长、临界形核功、临界形核功与表面能关系。

3、简单立方晶体中（100）面上a[001]方向一螺位错1）、分析（001）晶面a[010]的刃位错与其交割后分别形成割阶还是扭折，为错性质，是否可动？2）、按以上情况分析（001）面a[100]方向螺位错与之交割情况。

4、画金～钒相图。

（大家可在教材相图课后思考题找到原题目，但课本上那个题目还有一些错误，大家注意）三、综合分析题目1、相图分析（1），写出各相区相组成。

（2），分析40%合金和95%合金冷却曲线。

（3），分析以上两点合金非平衡结晶组织与平衡结晶区别。

（我用的手机，相图没办法给大家贴图，但是可以在其他学校看完题目中找到，好像在材科辅导书里面也有，记不太清。

这个题目很简单，望读者不要有压力）2、分析层片状共晶形核和长大机理与过程。

（个人觉得这和题目最好用文字描述+画图结合，方可得高分，本题20分。

）小结：以上内容仅凭回忆所得，难免有一些错误，请大家在使用本篇试题过程注意察觉。

如有对题目有疑问、或者对答案不确定的，可以在我空间留言，我会尽自己能力给大家解答。

希望本篇试题可以为14年有意报考西工大材料学院的同学和4院正在准备期末考试大三同学提供一点点帮助！第二篇：14北大博物馆考研题回忆版2014年北大文博专硕之博物馆方向试题回忆版一、名词解释：1.博物馆藏品管理2.傅振伦3.国际博物馆学会4.唐三彩5.博物馆观众服务6.南通博物苑7.大都会博物馆8.博物馆基本陈列9.《博物馆管理办法》10.记不起了二、论述题1．历史博物馆与艺术博物馆的特点2．文物理解与文物展示关系3．博物馆（记忆+创造力）=社会变革4．举例国内外社区博物馆并谈自己看法第三篇：2015年长材科工作总结2015年长材科工作总结一、质量管理工作 1.产品质量管理每天各产线主管工程师统计废次降数量，分析按单生产完成情况，对于未完成当日按单生产的，及时组织生产单位分析原因，并制定改进措施。

西工大考研2012~2013真题回忆版

2012年真题回忆版
第一题：典型闭环系统加入了前馈控制并且含有未知数t，典型闭环控制开环增益k未知。

第一问是当未知数t k为何值时系统等幅震荡
第二问是当系统为一阶无差系统求满足的t k
第三问是利用闭环主导极点化简系统方程求超调量和调节时间
第二题：直接给出特征方程 :三次，含有未知数k t
第一问是系统有三重负实根确定k t
第二问是利用求出来的t 确定k从0——无穷的根轨迹（参数根轨迹）其中求出渐近线，和分离点
第三题：系统两个转接频率2和18 中间斜率为—20 且高频延长线交为12 初始相角和末都是—180
第一问画出概略对数幅频曲线。

第二问确定开环传函第三问是求截止频率和相角裕度第四问忘了
第四题：不是典型的校正题没做出来其中给出了校正图G1(S)未知知和G(S)= 1除（S+1) 串联.让确定函数其中要求在n(t)干扰下的误差为0和kv 为12 还有就是保持截止频率而增大相角裕度为40 但是根据G(s)我不知怎么求截止频率
第五题：常规题但是其中有利用到差分方程求误差
第六题：典型的1+N(a)G(s)=0 不过N(a)是含有虚部的那个4mpeih那个求自震频率和幅值和K变化时对两者影响
2013年真题回忆版
总的来说今年难度较往年略小，共6道大题：
1.常规时域题，利用程序框图，r（t），n（t），tr，等求三个未知数k1，k2，t
2.常规根轨迹题目，用到D来求原式子，然后加入gc画出根轨迹图
3.求稳态cst的，教案上习题应用，好像是分别求模值大小和角度即可
4.常规pid校正，不过第二问让文字分析描述本题中的三频段
5.常规题，第一问z变换就可以算出，第二问i型求误差
6.常规利用na，gs求k和t，算出即可。