数字电位器
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数字电位器
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何为数字电位器
市场现状 研制目标 生产工艺要求
4
何为数字电位器
何为数字电位器
何为数字电位器
何为数字电器
Βιβλιοθήκη Baidu
何为数字电器
何为数字电器
何为数字电器
何为数字电器
数字电位器亦称数控可编程电阻器,简称数 控电位器,DCP(Digitally controlled Potentiometers)。 它是采用CMOS 工艺制成的数字模拟混合信 号处理集成电路 微处理器或单片机、数字电路和按键控制 有源器件、阶梯变化、通电自动恢复到保 存的位置、
EEPROM
EEPROM(带电可擦写可编 程只读存储器,Electrically Erasable Programmable ROM )是用户可更改的只 读存储器(ROM),其可通 过高于普通电压的作用来擦 除和重写。
模拟开关
MOS场效应管即金属氧化物-半导体型场效 应管,英文缩写为 MOSFET(MetalOxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor ,即金属氧化物合成半 导体的场效应晶体管) ,属于绝缘栅型 。
模拟开关
谢谢
感谢大家的时间
Company
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何为数字电器
数字电位器主要有8种接口电路:
①按键式接口;②单线接口;
③I2C总线接口;④三线加/减式串行接口;
⑤二线加/减式串行接口;⑥SPI总线接口;
⑦Microwire总线接口;⑧二线并行接口。
市场现状
数字电位器是一种非常具有发展前景的新型 电子器件,在许多领域可取代传统的机械电位器 ,广泛用于仪器仪表、计算机及通信设备、家用 电器、医疗保健产业、工业控制领等域
典型应用举例: LCD背光 音量控制
研制目标
X9313是基于三线 加/减式接口的单路 32抽头非易失性数 字电位器
研制目标
Cmos工艺
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS 中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一 硅衬底上,制作CMOS集成电路。CMOS集成电路具有功耗低、速度 快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺目前已成为当 前大规模集成电路的主流工艺技术,绝大部分集成电路都是用CMOS 工艺制造的。 CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,NMOS 晶体管是做在P型硅衬底上的,而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的, 要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块 反型区域,该区域被称为“阱”。根据阱的不同,CMOS工艺分为P 阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱 CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获 得广泛的应用 就是做coms器件的栅长,一般有.5工艺。.35工艺.18工艺等等 就是栅长500n,350n,180n的制作工艺。栅长越低说明器件越小, 技术越高。 现在intel已经小于28nm了。
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数字电位器亦称数控可编程电阻器,简称数 控电位器,DCP(Digitally controlled Potentiometers)。 它是采用CMOS 工艺制成的数字模拟混合信 号处理集成电路 微处理器或单片机、数字电路和按键控制 有源器件、阶梯变化、通电自动恢复到保 存的位置、
EEPROM
EEPROM(带电可擦写可编 程只读存储器,Electrically Erasable Programmable ROM )是用户可更改的只 读存储器(ROM),其可通 过高于普通电压的作用来擦 除和重写。
模拟开关
MOS场效应管即金属氧化物-半导体型场效 应管,英文缩写为 MOSFET(MetalOxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor ,即金属氧化物合成半 导体的场效应晶体管) ,属于绝缘栅型 。
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数字电位器主要有8种接口电路:
①按键式接口;②单线接口;
③I2C总线接口;④三线加/减式串行接口;
⑤二线加/减式串行接口;⑥SPI总线接口;
⑦Microwire总线接口;⑧二线并行接口。
市场现状
数字电位器是一种非常具有发展前景的新型 电子器件,在许多领域可取代传统的机械电位器 ,广泛用于仪器仪表、计算机及通信设备、家用 电器、医疗保健产业、工业控制领等域
典型应用举例: LCD背光 音量控制
研制目标
X9313是基于三线 加/减式接口的单路 32抽头非易失性数 字电位器
研制目标
Cmos工艺
CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS 中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一 硅衬底上,制作CMOS集成电路。CMOS集成电路具有功耗低、速度 快、抗干扰能力强、集成度高等众多优点。CMOS工艺目前已成为当 前大规模集成电路的主流工艺技术,绝大部分集成电路都是用CMOS 工艺制造的。 CMOS电路中既包含NMOS晶体管也包含PMOS晶体管,NMOS 晶体管是做在P型硅衬底上的,而PMOS晶体管是做在N型硅衬底上的, 要将两种晶体管都做在同一个硅衬底上,就需要在硅衬底上制作一块 反型区域,该区域被称为“阱”。根据阱的不同,CMOS工艺分为P 阱CMOS工艺、N阱CMOS工艺以及双阱CMOS工艺。其中N阱 CMOS工艺由于工艺简单、电路性能较P阱CMOS工艺更优,从而获 得广泛的应用 就是做coms器件的栅长,一般有.5工艺。.35工艺.18工艺等等 就是栅长500n,350n,180n的制作工艺。栅长越低说明器件越小, 技术越高。 现在intel已经小于28nm了。