最新《电力电子技术》试题(E)
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术试题及答案一知识分享
电力电子技术试题及答案一电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发。
3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断。
4、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示，7表示。
4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会。
6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势。
精品资料8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时，负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结，外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止。
11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压，保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小，来实现移相控制。
14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
精品资料15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
电力电子技术试卷及答案
《电力电子技术》试题(G)一、填空题?（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????和??????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????。
2、??在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组?????????状态、?????????状态、反组????????状态、??????状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经??????????????而不流经??????? ????????的电流。
为了减小环流，一般采用α????β状态。
4、有源逆变指的是把????????能量转变成??????????能量后送给???????????装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的???????电压；在门极加上????????电压，并形成足够的????????????电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时???????????? ?????与?????????????????电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为??????H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为?????????H Z；这说明?????????????????????????????电路的纹波系数比?????????????????电路要小。
8、造成逆变失败的原因有??????????????、??????????????、????????????????、?????????????????等几种。
电力电子技术试题及答案(E)
一、填空（30分）1、双向晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 ， 和 ；双向晶闸管的的触发方式有 、 、 、 .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 。
（电源相电压为U 2）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用 触发；二是用 触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达 度；实际移相才能达 度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式有 、 、 、 。
6、软开关电路种类很多，大致可分成 电路、 电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有 、 、 、 四种。
8、逆变器环流指的是只流经 、 而不流经 的电流，环流可在电路中加 来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有 、 、 。
10、绝缘栅双极型晶体管是以 作为栅极，以 作为发射极与集电极复合而成。
三、选择题（每题2分 10分）1、α为 度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A 、0度。
B 、60度。
C 、30度。
D 、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C =0，改变 的大小，使触发角α=90º，可使直流电机负载电压U d =0。
达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A 、 同步电压，B 、控制电压，C 、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为 。
A 、三相半波可控整流电路，B 、三相半控整流桥电路，C 、单相全控桥接续流二极管电路，D 、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压应为（ ） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( ) A 、90° B 、120° C 、150° D 、180° 四、问答题（20分）1、 实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。
2020—2021学年上学期电子信息工程专业《电力电子技术》期末标准考试题及答案(试卷E)
2020—2021学年上学期电子信息工程专业 《电力电子技术》期末标准考试题及答案（试卷E ）一、单项选择题；1.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）。
①、增加晶闸管的导电能力； ②、抑制温漂；③、增加输出电压稳定性； ④、防止失控现象的产生；2. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（ ① ）。
①、Ud=- 2.34U2cos β； ②、Ud=1.17U2cos β； ③、Ud= 2.34U2cos β；院（系） 班级 姓名 学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………④、Ud=-0.9U2cosβ；3.若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（③）。
①、减小三角波频率；②、减小三角波幅度；③、减小输入正弦控制电压幅值；④、减小输入正弦控制电压频率；4.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( D )。
A、90°；B、120°；C、150°；D、180°；5.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是( A )。
A、0°～90°；B、0°～180°；C、90°～180°；D、180°～360°；6. 当晶闸管串联时，为实现动态均压，可在各个晶闸管两端并联( D )。
A、R；B、L；C、C；D、RC；7.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在(B )。
A、导通状态；B、关断状态；C、饱和状态；D、不定；8.三相半波可控整流电路的自然换相点是(B )。
A、交流相电压的过零点；B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处；C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°；D、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°；9.单结晶体管同步振荡触发电路中，改变R e能实现（A）。
电力电子技术试题及标准答案王兆安九
试试卷九一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）1、晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。
但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。
对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。
2、在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为__________调制和_______调制，______调制方法克服了以上二者的缺点。
3、设DC/DC变换器的Boost电路中，E=10V，α=0.5，则U o=________。
4、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、_____ _、。
5、换流的方式有____________、_____________、____________、____________，全控型器件用_______________方式换流6、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有：、、。
7、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。
二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为（）A、157AB、100AC、80AD、246.5A2、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。
A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT3、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器4、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（）A、消除谐波分量B、包含幅值更大的基波分量C、减少开关次数D、削弱直流分量5、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为（）A、U d=0B、U d=EC、U d=E/2D、U d= – E6、若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）A、减小三角波频率B、减小三角波幅值C、减小输入正弦波控制电压幅值D、减小输入正弦波控制电压频率7、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD、比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9、可实现有源逆变的电路为（）。
《电力电子技术》测试题及其答案
《电力电子技术》测试题及其答案一、判断题1、表示各种电力半导体器件的额定电流，都是以平均电流表示的。
（错）2、对于门极可关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，当门极加上足够的负触发脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
（对）3、晶闸管由正向阻断状态变为导通状态所需要的最小门极电流，称为该管的维持电流。
（错）4、在规定条件下，不论流过晶闸管的电流波形如何，也不论晶闸管的导通角是多大，只要通过管子的电流的有效值不超过该管额定电流的有效值，管子的发热就是允许的。
（错）5、三相半波可控整流电路的最大移相范围是0°～180°。
（错）6、无源逆变是将直流电变换为某一频率或可变频率的交流电供给负载使用。
（错）7、正弦波脉宽调制（SPWM）是指参考信号为正弦波的脉冲宽度调制方式。
（对）8、直流斩波器可以把直流电源的固定电压变为可调的直流电压输出。
（错）9、斩波器的定频调宽工作方式，是指保持斩波器通端频率不变，通过改变电压脉冲的宽度来使输出电压平均值改变。
（对）10、电流型逆变器抑制过电流能力比电压型逆变器强，适用于经常要求起动、制动与反转拖动装置。
（对）11、三相桥式全控整流大电感负载电路工作于整流状态时，其触发延迟角的最大移相范围为0°～90°。
（对）12、额定电流为100A的双向晶闸管与额定电流为50A两只反并联的普通晶闸管，两者的电流容量是相同的。
（错）13、晶闸管的正向阻断峰值电压，即在门极断开和正向阻断条件下，可以重复加于晶闸管的正向峰值电压，其值低于转折电压。
（对）14、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变参考信号正弦波的幅值，就可以调节逆变器输出交流电压的大小。
（错）15、在SPWM调制方式的逆变器中，只要改变载波信号的频率，就可以改变逆变器输出交流电压的频率16、若加到晶闸管两端电压的上升率过大，就可能造成晶闸管误导通。
（对）17、晶闸管整流电路中的续流二极管只是起到了及时关断晶闸管的作用，而不影响整流输出电压值及电流值。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
《电力电子技术》试卷E及答案
2006 ——2007学年第（二）学期期末考试《电力电子技术》试卷E一、填空（30分）1、和门极G。
2、晶闸管的导通条件阳极加正电压、门极加正向电压；关断条件是阳极电流大于掣住电流、阳极电流小于维持电流或加反向电压。
3、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√2U2。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为√6 U2。
（电源电压为U2）4、从晶闸管开始承受正向电压起到晶闸管导通之间的电角度称为控制角，用α表示。
5、同步电压为锯齿波的触发电路锯齿波底宽可达240º度；正弦波触发电路的理想移相范围可达180º、度，实际移相范围只有150º。
6、一般操作过电压都是瞬时引起的尖峰电压，经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压，还需要设置非线性电阻保护，目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
7、交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
8、绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管的栅极作为栅极，以电力晶体管的集电极和发射极作为发射极与集电极复合而成。
9、晶闸管的过电流能力比较差，必须采用保护措施，常见的快速熔断器、过流继电器、直流快速开关、、限流与脉冲移相保护。
10、型号为KP100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定电流为100安。
11、单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在0º-180º内，在电感性负载时移相范围在ф-180º内。
12、变频电路常用的换流方式有负载谐振换流、脉冲（强迫）换流两种。
13、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用α大于β工作方式。
二、判断题（9分）（对√、错×）1、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（×）2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
电力电子技术试题及标准答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计分数阅卷人得分一、选择（每题1.5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。
A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
A、越大B、越小C、不变D、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（）A、IGBTB、MOSFETC、GTRD、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、IPMB、MOSFETC、IGBTD、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.3V才导通D、超过0.7V才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区B、负阻区C、饱和区D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术习题及参考答案
电力电子技术习题及参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案：A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B3.可实现有源逆变的电路为（）。
A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案：C4.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。
A、90°～180°B、0°～180°C、0°～90°正确答案：C5.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案：B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。
A、0°～120°B、0°～150°C、30°～150°D、15°～125°正确答案：B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案：D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案：B11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案：B12.IGBT属于（）控制型元件。
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术习题与参考答案
电力电子技术习题与参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）度。
A、0～120B、0～90C、0～180D、0～150正确答案：A2.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。
A、0°～150°B、0°～120°C、15°～125°D、30°～150°正确答案：A3.电力电子器件一般工作在（）状态A、开关B、放大C、开关和放大D、其他正确答案：A4.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
A、SCRB、GTOC、MOSFETD、IGBT正确答案：D5.在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差（）度。
A、180度B、60度C、120度D、360度正确答案：A6.为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（），单位为度。
A、40～45B、20～25C、10～15D、30～35正确答案：D7.三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是()A、α=л/4B、α＜л/2C、α＞л/2D、α=л/3正确答案：C8.可实现有源逆变的电路为（）。
A、单相半控桥整流电路B、三相半控桥整流桥电路C、单相全控桥接续流二极管电路D、三相半波可控整流电路正确答案：D9.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、交流相电压的过零点D、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°正确答案：B10.α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A、120度，B、60度C、0度D、30度正确答案：D11.具有自关断能力的电力半导体器件称为()A、不控型器件B、半控型器件C、全控型器件D、触发型器件正确答案：C12.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）A、15°～125°B、30°～150C、0°～150°D、0°～120°正确答案：C13.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（）A、触发电压信号B、触发电流信号C、干扰信号和触发信号D、干扰信号正确答案：D14.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
电力电子技术试卷及答案(2)
《电力电子技术》试题(G)一、填空题（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为和。
2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经的电流。
为了减小环流，一般采用αβ状态。
4、有源逆变指的是把能量转变成能量后送给装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的电压；在门极加上电压，并形成足够的电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时与电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为H Z；这说明电路的纹波系数比电路要小。
8、造成逆变失败的原因有、、、等几种。
9、提高可控整流电路的功率因数的措施有、、、等四种。
10、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于电流之前，如去掉脉冲，晶闸管又会关断。
二、判断题：(每题2分,20分) 对√，错×。
1、有源逆变指的是把直流能量转变成交流能量送给用电器。
（）2、给晶闸管加上正向门极电压它就会导通。
（）3、在半控桥整流带大电感负载，不加续流二极管电路中，电路不正常时可能会出现失控现象。
（）4、三相半波可控整流电路中，如果三个晶闸管采用同一组触发装置，则α的移相范围只有120o。
（）5、设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
（）6、三相半波可控整流电路也要采用双窄脉冲触发。
（）7、KP2—5表示的是额定电压200V，额定电流500A的普通型晶闸管。
（）8、在单结晶体管触发电路中，稳压管削波的作用是为了扩大脉冲移相范围。
（）9、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定工作电压应取电源相电压U2。
（）10、在三相桥式全控整流电路中，采用双窄脉冲触发晶闸管元件时，电源相序还要满足触发电路相序要求时才能正常工作。
（）三、选择题（10分）1、在单相全控桥整流电路中，两对晶闸管的触发脉冲，应依次相差度。
《电力电子技术》习题
《电力电子技术》习题第1章 电力电子器件1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.4请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.5试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.6请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.7型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.7所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.7答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
(b)A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c ）A V I A 1501150=Ω=，大于额定值，所以不合理。
电力电子技术试题及答案
德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1B 、2C 、3D 、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大B 、越小C 、不变D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个B 、两个C 、三个D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）、GTR D 、A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ）A 、IPMB 、MOSFETC 、IGBTD 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、晶闸管B、单结晶体管C、电力晶体管D、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、直流B、低频C、中频D、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压B、在集电极加正电压C、在栅极加负电压D、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管A、稍高于B、低于C、远高于D、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压为（）A、700VB、750VC、800VD、850V 16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单A、普通晶闸管B、可关断晶闸管C、电力晶体管D、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过才导通D、超过才导通18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO器件电路符号的是（）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR器件电路符号的是（）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是（）21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的A、截止区 B、负阻区 C、饱和区 D、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动机的转速。
电力电子技术题库含参考答案
电力电子技术题库含参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案：C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时，uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案：D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案：B4、（）不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案：B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：D6、电压型逆变电路输出的电流波形为（）。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案：A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：B8、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案：C9、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案：C10、斩波电路中，输出电压高于输入电压的电路称为（）。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案：B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3～4倍B、4～5倍C、2～3倍D、1～2倍正确答案：C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案：D13、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术试卷及答案
《电力电子技术》试题(G)一、填空题?（每空1分，34分）1、实现有源逆变的条件为????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????????和??????????????????????????????? ????????????????????????????????????????????????????????????????????。
2、??在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组?????????状态、?????????状态、反组????????状态、??????状态。
3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经??????????????而不流经??????? ????????的电流。
为了减小环流，一般采用α????β状态。
4、有源逆变指的是把????????能量转变成??????????能量后送给???????????装置。
5、给晶闸管阳极加上一定的???????电压；在门极加上????????电压，并形成足够的????????????电流，晶闸管才能导通。
6、当负载为大电感负载，如不加续流二极管时，在电路中出现触发脉冲丢失时???????????? ?????与?????????????????电路会出现失控现象。
7、三相半波可控整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为??????H Z；而三相全控桥整流电路，输出到负载的平均电压波形脉动频率为?????????H Z；这说明?????????????????????????????电路的纹波系数比?????????????????电路要小。
8、造成逆变失败的原因有??????????????、??????????????、????????????????、?????????????????等几种。
电力电子技术试题与答案
_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _名姓_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _号试考_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _级班_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _别系⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯线⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯封⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯密⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯德州科技职业学院机电系14 级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷题号一二三四合计6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）分数A、IGBT B 、MOSFET C、GTR D、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）阅卷人得分A、IGBT B 、MOSFET C、GTR D、GTO一、选择（每题 1.5 分，共 60 分）8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（）A、IGBT B 、MOSFET C、GTR D、GTO1、晶闸管内部有（）个 PN结。
9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（A、1B、2C、3D、4）A、IGBT B 、MOSFET C、GTR D、GTO2、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。
10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定A、IPM B 、MOSFET C、IGBT D 、GTO3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（）A、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值A、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）个电极。
12、电力场效应管MOSFET适于在（）条件下工作A、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个A、直流 B 、低频 C 、中频D、高频5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT器件电路符号的是（）13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（）A、在栅极加正电压 B 、在集电极加正电压C、在栅极加负电压 D 、_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _名姓_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _号试考_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _级班_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _别系⋯在集电极加负电压⋯⋯14、电力晶体管的开关频率（）电力场效应管⋯⋯A、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于⋯⋯⋯15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET器件电路符号的是⋯⋯⋯825V，则该晶闸管的额定电压为（）（）线⋯A、700V B 、750V C 、800V D 、850V⋯⋯⋯16、下列电力电子器件中，（）的驱动功率小，驱动电路简单⋯⋯A、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应⋯⋯⋯晶体管21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（）工作特性设计的⋯⋯⋯17、二极管两端加上正向电压时（）A、截止区 B 、负阻区 C 、饱和区 D 、任意区域⋯封A、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过 0.3V 才导通 D 、超22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（）就能改变直流电动⋯⋯⋯过 0.7V 才导通机的转速。
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《电力电子技术》试题(E)
一、填空（30分）
1、双向晶闸管的图形符号是，三个电极分别是，和；双向晶闸管的的触发方式有、、、 .。
2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
（电源相电压为U2）
3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用
触发；二是用触发。
4、在同步电压为锯齿波的触发电路中，锯齿波底宽可达度；实际移相才能
达度。
5、异步电动机变频调速时，对定子频率的控制方式
有、、、。
6、软开关电路种类很多，大致可分成电路、电路两大类。
7、变流电路常用的换流方式有、、、四种。
8、逆变器环流指的是只流经、而不流经的电流，环流可在电路中加来限制。
9、提高变流置的功率因数的常用方法有、、。
10、绝缘栅双极型晶体管是以作为栅极，以作为发射极与集电极复合而成。
二、判断题,（20分）（对√、错×）
1、半控桥整流电路，大电感负载不加续流二极管，输出电压波形中没有负向面积。
( )
2、采用两组反并联晶闸管的可逆系统，供直流电动机四象限运行时，其中一组逆变器工作
在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（）
3、晶闸管并联使用时，必须注意均压问题。
（）
4、无源逆变指的是不需要逆变电源的逆变电路。
（）
5、并联谐振逆变器必须是呈电容性电路。
（）
6、直流斩波电路只能实现降低输出直流电压的作用（）
7、无源逆变指的是把直流电能转变成交流电能回送给电网。
（）
8、在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）
9、三相全控桥整流电路中，输出电压的脉动频率为150Hz。
（）
10、变频调速实际是改变电动机内旋转磁场的速度，达到改变输出转速的目的。
（）
三、选择题（每题2分10分）
1、α为度时，三相桥式全控整流电路，带电阻性负载，输出电压波形处于连续和断续的临界状态。
A、0度。
B、60度。
C、30度。
D、120度。
2、晶闸管触发电路中，若使控制电压U C=0，改变的大小，使触发角α=90º，可使直流电机负载电压U d=0。
达到调整移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
A、同步电压，
B、控制电压，
C、偏移调正电压。
3、能够实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，
B、三相半控整流桥电路，
C、单相全控桥接续流二极管电路，
D、单相桥式全控整流电路。
4、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）
A、700V
B、750V
C、800V
D、850V
5、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )
A、90°
B、120°
C、150°
D、180°
四、问答题（20分）
1、实现有源逆变必须满足哪些必不可少的条件？（6分）
2、根据对输出电压平均值进行控制的方法不同，直流斩波电路可有哪三种控制方式？并简述其控制原理。
（7分）
3、电压型逆变电路中反馈二极管的作用是什么？为什么电流型逆变电路中没有反馈二极管？（7分）
五、计算题（每题10分，20分）
1．在图示升压斩波电路中，已知E=50V，负载电阻R=20Ω，L值和C值极大，采用脉宽调制控制方式，当T=40µs，t on=25µs时，计算输出电压平均值U0，输出电流平均值I0。
2、三相半波整流电路，如图所示：将变压器二次侧绕组等分为二段，接成曲折接法，每段绕组电压为100V。
试求：
（1）晶闸管承受的最大反压是多少？
（2）变压器铁心有没有直流磁化？为什么？
祁高速公路（淮南至合肥）段路基工
程建设项目
监
理
旁
站
计
划
编制单位：安徽省公里工程建设监理有限责任公司济祁高速公路淮合段路基第三驻地办
编制人：
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日期：二〇一四年四月二十七日。