PG-DB两种GPP芯片工艺对比

实验批数
97 Lots
每批实验数量
22pcs
不合格批数
4
备注：如果实验后材料电性不符合产品规格即为不合格（一般为材料电压衰降或者Short）
从以上对比数据，我们可以发现单独看少数几颗材料的短时间评估结果， 并不能反应PG 产品和DB 产品实际优劣。
PG 产品在长时ห้องสมุดไป่ตู้高温严苛条件下的整体稳定性和可靠性更好。 追求品质 持续创新 勤简守信 忠诚感恩
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以上报告，不足之处请指正
Thanks!
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2. 制程图示
1：一次黄光/蚀刻后图示
制程 PG 刀刮
图示
说明
单面曝光，单面蚀刻
双面曝光，N面会预先蚀刻为后续背 切割做准备
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2. 制程图示
2：二次黄光后图示
制程 PG 刀刮
图示
说明
1：晶粒台面有玻璃保护； 2：沟槽中的玻璃被去除便于后续切割； 3：钝化用的光阻玻璃是光阻剂与玻璃 粉的混合物；
优点
缺点
1.焊接时因玻璃及台面无氧化膜保护，焊 锡容易流淌到玻璃上形成锡桥，造成HI1：台面有玻璃，其高度Max:30um， REL及应用失效比例上升； 其焊接面积也会比DB制程小2mil左右， 2.DB制程晶粒玻璃不包覆台面，故PN结 客户需要调整引线钉头的高度和钉头 尖角处保护就存在缺陷，容易造成铜硅 的尺寸； 扩散，应用失效；
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4. PG 产品与DB 产品的实际表现
我司普通整流PG 制程产品均采用SIPOS（Semi-insulating
polycrystalline-silicon ) 为一种半绝缘的氧化膜，所以其会增加芯片的常温
（0.1uA左右）及高温漏电。但是SIPOS本身的漏电流有限，所以到达一定 的温度后，SIPOS自身的漏电流不再增加，可以保证材料在高温条件下稳定
DB: P=400V* 10uA=0.004W； 此功耗其对材料结温的影响非常小
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4. PG 产品与DB 产品的实际表现
统计以往，DB 和PG 制程产品的内部HTRB 评估结果
制程 Die Size
46mil*46mil DB 50mil*50mil 46mil*46mil PG 50mil*50mil 231 Lots 22pcs 0 26 Lots 156 Lots 22pcs 22pcs 1 0
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3. 各制程优缺点
制程 PG 刀刮
1:采用3层钝化保护，高信赖性； 1.生产工艺简单，成本低； 2.台面及玻璃有氧化膜保护，可以阻 2:因晶粒台面无玻璃，焊接时引线的设计 止焊锡流淌到玻璃； 比较简单适用； 3.玻璃包覆台面可以完好的保护PN结 尖角的地方（尖角是电场最集中的， 也通常是应用失效），提高可靠性能；
1：晶粒台面无玻璃保护； 2：沟槽中填满玻璃，背切割裂片时会对 玻璃造成损伤； 3：钝化用的玻璃浆是乙基纤维素、乙基 卡比醇与玻璃粉的混合物；
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2. 制程图示
3：切割后晶粒图示
制程 PG 刀刮
图示
说明
P面沿沟槽切割，不会对钝化玻 璃造成损伤；
背面（N面）切割后裂片，会对玻 璃有损伤；
性。一般在150℃条件下，仍为uA级别（50mil 芯片约为50uA）。
DB 的芯片如不采用SIPOS, 其PN 结表面钝化直接为玻璃，玻璃为绝缘 材料，所以其漏电可以做到很小（常温：0.01uA），150℃条件下，正常材
料IR 为10uA左右；
分别计算PG和DB制程芯片在150℃高温条件下的功耗： PG: P=400V* 50uA=0.02W
PG/刀刮制程简介
追求品质
持续创新
勤简守信
忠诚感恩
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目录
Part 1
1. 制程简介
Part 2
Part 3
2. 制程图示
3.各制程优缺点
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1. 制程简介
1.1：PG制程 PG制程是一种先进的GPP芯片制造工艺，对PN结采用 三层钝化保护（SIPOS/玻璃/LTO) 。工艺过程是先在PN结表 面沉积一层SIPOS,再通过光刻法上玻璃（光阻剂和玻璃粉的 混合物，称为Photo Glass），采用光刻的原理，先通过匀胶 机自然旋转的方法在晶片表面均匀覆盖一层光阻玻璃（ Photo Glass )，然后通过烘烤、曝光、显影去掉切割道及焊接面上的 玻璃，只在PN结的表面留下需要钝化保护的光阻玻璃，最后 通过低温玻璃的烧结的工艺将光阻玻璃中的光阻剂去掉，最 后在高温下将粉状玻璃烧结成致密的固态玻璃体，最后再在 玻璃沉积一层LTO，从而起到非常致密地钝化保护PN结的作 用。 追求品质 持续创新 勤简守信 忠诚感恩
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1. 制程简介
1.2：刀刮制程 刀刮制程是一种比较传统的较为简单的GPP芯片工艺，只 有一层玻璃钝化保护，即采用手工的方法用刀片将玻璃浆乱 涂在晶片表面，再经过低温烧结将玻璃浆中的有机成份去掉， 然后用手工擦拭的方法除掉焊接面的玻璃粉，留下沟槽中的 玻璃粉，最后再经过高温烧结，将粉状的玻璃烧结成固态玻 璃体，从而起到钝化保护PN结的作用。