浅析集成电路反向分析

合集下载

实验33 模拟集成电路版图的反向提取

实验33  模拟集成电路版图的反向提取

实验33 模拟集成电路版图的反向提取模拟集成电路具有设计难度大、应用范围宽等优点,早已成为了集成电路设计领域的重要研究热点,引起了研究者的广泛关注。

模拟集成电路版图的反向提取关乎电路设计的成败,是设计过程中的重要关键环节之一。

本实验要求学生能够独立对标准CMOS模拟集成电路版图单元,完成电路的反向提取、绘制整理和功能分析等工作。

通过对CMOS模拟集成电路版图单元的反向提取实践,锻炼和提高学生对集成半导体器件和模拟集成电路版图的认知能力和对电路整理与结构优化技能,培养学生对模拟集成电路反向设计思想的理解,加强学生灵活运用所学《半导体物理》、《场效应器件物理》、《模拟集成电路设计》和《集成电路制造技术》等理论知识的能力。

一、实验原理1. 模拟集成电路中的集成器件在标准CMOS工艺下,模拟集成半导体器件主要有:MOS晶体管、扩散电阻、多晶硅电阻、多晶硅电容和MOS电容等。

在P型衬底N阱CMOS工艺条件下,NMOS器件直接制作在衬底材料上,PMOS器件制作在N阱中。

在模拟集成电路中,MOS晶体管常常工作在线性区或饱和区,需要承受较大的功耗,这些晶体管具有较大的宽长比。

模拟集成电路版图常常不规则,这就要求在电路提取时要充分注意电路连接关系。

为了解决较大宽长比器件与版图布局资源之间的矛盾,实际版图照片中常常可以看到,以多只较小宽长比晶体管并联形式等效一只较大宽长比晶体管的情形。

这种版图尺寸的转换技术可以实现对芯片总体布局资源的充分合理利用,同时又有利于系统的整体性能提升,有着非常重要的应用。

图33.1给出了大宽长比器件转换示意图,(a)图为多只具有较小宽长比的晶体管,(b)图为这些晶体管通过共用源、漏和栅极,采用并联连接方式实现向大宽长比的转换。

(a) (b)图33.1 大宽长比器件转换示意图图33.2给出了具有较大宽长比的NMOS和PMOS晶体管的等效版图。

从图155中可以看出,NMOS和PMOS晶体管都是由四只晶体管并联组成的,由于源极、漏极和栅极分别接在一起,所以晶体管从漏极流向源极的电流具有四条路径,那么,作用结果相当于四倍宽长比的单只晶体管。

集成电路版图设计(反向提取与正向设计)

集成电路版图设计(反向提取与正向设计)

集成电路设计综合实验报告班级:微电子学1201班姓名:学号:日期:2016年元月13日一.实验目的1、培养从版图提取电路的能力2、学习版图设计的方法和技巧3、复习和巩固基本的数字单元电路设计4、学习并掌握集成电路设计流程二.实验内容1. 反向提取给定电路模块(如下图所示),要求画出电路原理图,分析出其所完成的逻辑功能,并进行仿真验证;再画出该电路的版图,完成DRC验证。

2. 设计一个CMOS结构的二选一选择器。

(1)根据二选一选择器功能,分析其逻辑关系。

(2)根据其逻辑关系,构建CMOS结构的电路图。

(3)利用EDA工具画出其相应版图。

(4)利用几何设计规则文件进行在线DRC验证并修改版图。

三.实验原理1. 反向提取给定电路模块方法一:直接将版图整体提取(如下图)。

其缺点:过程繁杂,所提取的电路不够直观,不易很快分析出其电路原理及实现功能。

直接提取的整体电路结构图方法二:将版图作模块化提取,所提取的各个模块再生成symbol,最后将symbol按版图连接方式组合成完整电路结构(如下图)。

其优点:使电路结构更简洁直观、结构严谨、层次清晰,更易于分析其原理及所实现的功能。

CMOS反相器模块CMOS反相器的symbolCMOS传输门模块 CMOS传输门的symbolCMOS三态门模块 CMOS三态门的symbolCMOS与非门模块 CMOS与非门的symbol各模块symbol按版图连接方式组合而成的整体电路经分析可知,其为一个带使能端的D锁存器,逻辑功能如下:①当A=1,CP=0时,Q=D,Q—=D—;②当A=1,CP=1时,Q、Q—保持;③当A=0,Q=0,Q—=1。

2.CMOS结构的二选一选择器二选一选择器(mux2)的电路如图所示,它的逻辑功能是:①当sel=1时,选择输入A通过,Y=A;②当sel=0时,选择输入B通过,Y=B。

二选一选择器(mux2)由三个与非门(nand)和一个反相器(inv)构成(利用实验1 的与非门和反相器symbol即可)。

电子电路中的反向工程和保护措施有哪些

电子电路中的反向工程和保护措施有哪些

电子电路中的反向工程和保护措施有哪些电子电路的设计和制造在现代科技发展中起到了至关重要的作用。

然而,随着技术的进步,反向工程也变得越来越普遍。

反向工程指的是通过逆向分析和解析目标产品,重建产品的设计和功能。

这不仅侵犯了知识产权,还可能导致商业利益的损失。

因此,保护电子电路免受反向工程的影响变得至关重要。

本文将探讨电子电路中的反向工程以及相应的保护措施。

一、电子电路中的反向工程1. 物理攻击:物理攻击是指通过物理手段获取电子电路的信息,例如使用电子显微镜观察电路结构,通过光学投射技术获取电路布局等。

2. 无源攻击:无源攻击是指通过非接触的方式来获取电子电路的信息,例如使用无线电频谱分析仪、热红外图像仪等设备来监听电路的无线信号和热信号。

3. 有源攻击:有源攻击是指通过修改电子电路中的元件或信号来获取电路的信息,例如通过连接一个特殊设备来读取保护措施的密码,或者通过改变电路中的信号来获取有关电路的信息。

二、电子电路的保护措施1. 物理层面的保护措施:a. 电路封装:通过采用特殊封装材料和技术,可以使电路无法直接观察和触摸,从而保护其结构和布局。

b. 电路布线:采用复杂的布线技术,使电路的信号路径更复杂和难以分析。

c. 特殊材料应用:使用特殊材料,如高性能陶瓷材料和聚合物材料,以提高电路的耐高温和抗腐蚀性能。

d. 物理隔离:通过物理隔离技术,将电路与其他电路或外部环境隔离,以防止非授权访问。

2. 逻辑层面的保护措施:a. 代码混淆:通过对电路中的代码进行混淆和加密,使其难以被理解和分析。

b. 逻辑重构:通过改变电路的逻辑结构和功能,使其与原始设计不同,从而增加反向工程的难度。

c. 错误注入:在电路中注入一些特殊的错误和故障,使得反向工程者很难正确分析电路的功能。

d. 防火墙:在电路中添加防火墙技术,阻止非授权访问和数据泄漏。

3. 硬件层面的保护措施:a. 专利和法律保护:通过申请专利和依法保护自己的技术和产品,增加法律保护力度。

复旦大学-集成电路设计-正向设计和反向设计

复旦大学-集成电路设计-正向设计和反向设计

Top-Down设计关键技术
逐级细化并
目前存在的问题: ① 缺少可综合的系统级库资源 ② 通过行为级综合工具把功能级描述转换成RTL级 描述,速度最快可达到传统人工方式的20倍,但 工具尚未实用化
Cadence的SPW 4.9(Signal Processing Worksystem ) linux 版本硬件设计系统, 能自动生成RTL代码
State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University ,Jinmei Lai
1、正向设计与反向设计 按功能和实现的先后顺序分
功能
半导体
要求
实现
结构 功能
?
模拟修改
半导体
半导体
实现
实现 State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University ,Jinmei Lai
Synthesis, Synplify,和Design Compiler进行优化。 6. 提供从算法设计到FPGA流程执行的全面综合工具。
State Key Lab of ASIC & Systems, Fudan University ,Jinmei Lai
Bottom-Up
自底向上(Bottom-Up)设计
1、正向设计与反向设计
反向设计方法的应用领域越来越小
功能的多样化和专门化 集成度越来越高,数十亿晶体管;保密措施 从样品制备、图像采集、网表提取、电路整理验证,
版图设计
1. 2007年65nm 内存DR3芯片 2. 2008年10月45nm Intel 凌动处理器的Cache区域 3. 2011, 28nm工艺,VIRTEX7 68亿个晶体管

浅析集成电路反向分析的争议性

浅析集成电路反向分析的争议性

合 理 使 用 :条 例 第 二 十 三 条
规定 ,下列 行 为可 以不 经布 图设 计
的 许 多特 征 ,但 是 布 图设 计 并 不要
权 利 人 许 可 ,不 向 其 支 付 报 酬 : “( 一 )为个 人 目的或者 单 纯 为评
价 、分 析 、研 究 、教 学 等 非 商 业
求也难 以达到专利 的新颖性和创造
应 用 专题
I A P P L I c A T l o N s
浅析集成 电路反 向分析 的争 议性
■ 艾 恩 溪
[ 摘 要】 反 向分析是集成 电路产业颇具争议 的一项技术 ,其争议性 主要源于反向分析技 术的不 当使用 可 能会对 知识产 权产 生侵害。然而 ,事实上反 向分析技术在国外恰恰是 作为一种保 护集成 电路知识 产 权 的技 术 而 被 广 泛 应 用 。
护 , 中国2 0 0 1 年 颁布 实 施 的 《 集成
电路 布 图保 护 条 例 》就 是针 对 集 成 电路 布 图设 计 而 设立 的一项 法 律 。
不 相 同 。我 国从 保 护 布 图设计 的实 际 出发 ,根 据华 盛 顿 条 约 和T R I P S 有 权 ,复制 权 和商 业利 用权 。
( 2)布 图设 计 权 是 一 种 经 登 记产 生 的权 利
设计 的专有权人或权利持有人 ,其 协 议 规定 ,确定 了两项 布 图设 计 专
图设计权 、专利权 、著作权和商业
秘 密权 等 ,其 中最 重要 的是 布 图设
计 权 和 专利 权 。 关于 集成 电路布 图设 计 权 : (1)布 图设 计 权 是 布 图设 计 权 一 种 特殊 知识 产 权 。
集 成 电 路 布 图 设 计 权 的 产 生

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析

芯片反向设计是什么?芯片反向设计解析芯片反向设计时什么?为什么要进行芯片反方设计。

本文主要探讨的就是芯片反向设计解析以及意义芯片反向设计是什么反向设计传统上被称为“自底向上”的设计方法,也称为逆向设计。

它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

芯片反向工程的意义现代IC产业的市场竞争十分激烈,所有产品都是日新月异,使得各IC设计公司必须不断研发新产品,维持自身企业的竞争力。

IC设计公司常常要根据市场需求进入一个全然陌生的应用和技术领域,这是一件高风险的投资行为。

并且及时了解同类竞争对手芯片的成本和技术优势成为必然的工作。

如果让工程师在最短的时间以最有效率的方式设计电路才是最难解决的问题,逆向工程看来是其中一个解决方案。

逆向工程能将整颗IC从封装,制成到线路布局,使用将内部结构,尺寸,材料,制成与步骤一一还原,并能通过电路提取将电路布局还原成电路设计。

目前,国外集成电路设计已经非常成熟,国外最新工艺已经达到10nm,而国内才正处于发展期,最新工艺达到了28nm。

有关于集成电路的发展就不说了,网络上有的是资料。

对于IC设计师而言,理清楚IC设计的整个流程对于IC设计是非常有帮助的。

然而,网络上似乎并没有有关于IC设计整个流程的稍微详细一点的介绍,仅仅只是概略性的说分为设计、制造、测试、封装等四大主要板块,有的资料介绍又显得比较分散,只是单独讲某个细节,有的只是讲某个工具软件的使用却又并不知道该软件用于哪个流程之中,而且每个流程可能使用到的工具软件也不是太清楚(此观点仅为个人经历所得出的结论,并不一定真是这样)。

芯片正向设计与反向设计目前国际上的几个大的设计公司都是以正向设计为主,反向设计只是用于检查别家公司是否抄袭。

当然,芯片反向工程原本的目的也是为了防止芯片被抄袭的,但后来演变为小公司为了更快更省成本的设计出芯片而采取的一种方案。

反向实验报告

反向实验报告

电子科技大学成都学院实验报告册课程名称:集成电路反向设计分析实验Ⅱ姓名:沈旭浪学号:2940710211院系:微电子技术系专业:集成电路设计与集成系统教师:林国伟2012 年6 月20 日实验一:电路网表提取一、实验目的:1.研究芯片datasheet 剖析电路的整体框架;2.了解芯片的具体功能;研究芯片中的所有模块,分析芯片引脚。

3. 创建芯片工作区,追整体芯片整体布线;创建网表工作区,追线VDD、GND 及其他PAD,提取PAD周围器件,尽量判断PAD具体名称。

4.划分工作区,提取工作区器件。

5.完成工程线网连接,通过ERC检查,修改连pin时出现的错误,确保网表正确。

二、实验原理和内容:原理:根据芯片的图像和所学的理论知识,判别器件类型并提取,根据金属和多晶布线提取线网,并进行ERC检查。

1.查看芯片datasheet,分析芯片功能和模块。

2.创建工作区,追整体布线。

3.提取工作区所有器件4.提取线网连接pin脚,并做ERC检查。

5.导出hierux单元库。

三、实验步骤:1.打开芯片datasheet文档,并进行分析。

2.打开ChipAnalyzer软件,开工程Power_Manager_chip_1,创建工作区。

3.划分任务4.配置模拟器件类型5.提取器件6.进行单元检查7.连接pin脚8.进行ERC检查,并修改错误。

9.导出数据进行网表对比,修改错误。

四、实验数据和结果:1.电阻提取:a.POLYFUSEb.POLY电阻c.N注入电阻d. P注入电阻2.MOS管提取:a.PMOS管b.NMOS管3.MOS电容提取:4.数字电路部分提取:a.反相器a. 与非门b. 或非门1. 整个工作区提取完之后的图:2. 布完线之后的工作区如下图:五、实验总结:1. 提取器件的时候我们非常容易造成遗漏某些器件,忘记修改提取器件的名字,忽略MOS管的bn,电阻宽长搞反等。

懂得了细心的返回修改,如:提完遗漏的器件,重新量电阻的宽长等。

集成电路故障分析技术研究

集成电路故障分析技术研究

集成电路故障分析技术研究集成电路是现代电子产业的关键领域之一。

而集成电路的故障分析技术则是保障集成电路品质与可靠性的重要手段。

本文将从引言、集成电路故障类型分析、故障分析技术研究、应用案例等方面展开,全面探讨集成电路故障分析技术研究。

引言近年来,随着电子设备的普及和应用,集成电路的发展也越来越迅速,成为电子信息产业中发展最为重要的一个领域之一。

然而,由于集成电路元器件的微缩和复杂化,使得集成电路的故障诊断越来越具有挑战性。

对于集成电路的故障,有很多种类型。

它们常常因为不同的原因和不同的造成方式而导致故障的形成。

针对这些故障,相关专家进行了长期的技术研究,研究出了一系列的故障分析技术,用于解决集成电路的故障问题。

下面将对这些故障类型和故障分析技术逐一进行探讨。

集成电路故障类型分析当我们在使用电子产品的过程中遇到了故障,很多时候都是由于集成电路出现了问题而导致的。

在集成电路故障类型方面,它们主要可分为以下几类:1、时序故障时序故障是指由于操作或采样时序的问题导致的电路故障。

这类故障主要出现在时钟信号的设计和接口传输方面,如时钟频率不合适、时钟缺失等。

对于时序故障,应采用静态或动态的时序分析方法进行故障定位。

其中,动态时序分析方法是观察回波或宏单元状态的行为,以较高的分辨率检测故障。

2、温度故障由于电子元器件的自身特性和使用条件(如气温、室内温度等)造成的故障称为温度故障。

这类故障可能在工作过程中产生不良的板载元器件,涉及不合格设备和环境错误。

为了解决温度问题,可以通过温控系统自动控制温度,或借助于热成像设备来发现局部温度差异并采取措施。

3、电源故障电源故障是指由于供电电压或电流异常导致的故障。

这种故障可能是因为电压波动、电源削减、内存使用不正确、电源过载等原因而产生。

处理电源故障的关键是确定干扰源和确定电源质量问题。

要想排除这种故障,必须对电路进行全面的评估,包括它的实施,设备必须有一个可靠的供电电源。

集成电路逆向设计流程的研究

集成电路逆向设计流程的研究

安徽大学本科毕业论文(设计、创作)题目:集成电路逆向设计流程的研究学生姓名:学号:院(系):电子信息工程学院专业:微电子学入学时间:2008年9月导师姓名:职称/学位:导师所在单位:安徽大学电子信息工程学院完成时间:2012年5月集成电路逆向设计流程的研究摘要集成电路(IC)逆向设计(工程)是一种人们从优秀芯片中提取技巧和知识的过程,是获取芯片工艺、版图、电路、设计思想等信息的一种手段。

人们对已有的集成电路芯片进行完全仿制设计,或在原有芯片的基础上进行部分改动设计。

然后依据现有工艺线的设计规则要求重新流片,可以通过对原有芯片进行压缩面积、更改更细线宽,从而达到降低芯片成本的要求。

简单而言,芯片反向设计就是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

芯片反向设计服务包括网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。

关键字:逆向设计;逆向软件;网表提取;LVS检查Research of IC reverse design flowAbstractIntegrated circuit ( IC ) design ( Reverse Engineering ) is a kind of process that people design extraction skills and knowledge from excellent chip. It is a means of obtaining the information of the chip, such as technology, layout, circuit and design. People have copied the design completely, or have some design changed which is based on the original integrated circuit chip. Then in order to reduce the chip cost requirements, people can pass on the original chip compression area and change more fine lines on the basis of the existing process line and design rules.In simple terms, reverse design is based on the chip circuit extraction , analysis and collation. It realizes to the in-depth understanding of technology principle, design, manufacturing process, structure and mechanism of the chip. It can be used to verify the design framework and analysis of information flow in the technical problem. It also can help the new chip design or product design scheme.Reverse design services include a netlist / circuit reverse extraction, circuit level arrangement, logical analysis, abstraction and design, design rule check adjustment, logic layout verification, cell library replaced as well as the process dimension scaling etc.Keywords:r everse design; reverse engineering software; netlist extraction ;LVS examination目录1 引言 (1)1.1 集成电路逆向设计背景 (1)1.2 国内外逆向软件研究现状 (1)1.3 本课题研究的内容与结构 (2)2 集成电路逆向设计软件Chipsmith (2)2.1 Chipsmith软件简介 (2)2.2 Chipsmith基本操作 (3)3 芯片逆向设计流程 (4)3.1 划分工作区 (4)3.2 基本元器件电路的提取与分析 (5)3.2.1 电阻的提取 (5)3.2.2 电容的提取 (7)3.2.3 二极管的提取 (9)3.2.4 MOS管的提取 (9)3.3 版图库单元的建立 (10)3.4 线网绘制和元器件端口的连接 (15)3.5 人工交互检错及网表预处理 (15)3.6 SVS检查 (15)3.7 提取逻辑 (15)3.8 仿真 (16)3.9 版图设计与流片封装 (16)4 结束语 (16)主要参考文献 (17)致谢..................................................... 错误!未定义书签。

集成电路反向设计

集成电路反向设计

电子科技大学成都学院实验报告册课程名称:姓名:学号: 1院系:专业:教师:2012 年12 月日实验一:模拟器件提取(电阻)一、实验目的:1. 学习ChipAnalyzer软件使用,学会创建工作区2.识别工程项目各个层次3.学会划分模拟工作区与数字工作区4. 能够识别电阻,掌握电阻提取的方法与步骤5.掌握电阻串联和并联提取二、实验原理和内容:实验原理:1.根据学到的电路知识,从照片图像识别出物理结构,再从物理结构得出电学特性从而识别出器件类型。

2.从染色层(离子注入层)可以判断各区域的掺杂类型(对CMOS工艺一般染色后,“亮”色为N型杂质,“暗”色为P型杂质);在多晶层可以看到接触孔的位置、多晶硅图像;从金属层可以判断出各器件的连接关系。

3.CMOS工艺中常见电阻类型:阱电阻(RNWELL、RPWELL)、注入电阻(RNPLUS 、RPPLUS)、多晶电阻(RPOL Y)、金属电阻(RMETAL)。

实验内容:1.创建工作区2.重命名工作区并更改工作区大小3.在工作区中提取电阻三、实验步骤:1.启动ChipAnalyzer软件;2.打开工程项目;3.创建工作区;4.提取电阻四、实验数据和结果:电阻的提取:单条电阻:RR0(20104,14414) w=3.19u,l=38.1u串联电阻:RR4(19302,14354) w=6.31u l=39.6u s=2并联电阻:RR5(19510,14875) W=4.29u L=30.5u m=3五、实验总结:在这个试验中学会了ChipAnalyzer软件的使用,创建工作区,学会了认识各种电阻,掌握了单个电阻,串联电阻和并联电阻的提取。

实验二模拟器件提取(电容、二极管)一、实验目的:1.进一步学习ChipAnalyzer软件使用2.能够识别电容和二级管,掌握电容和二极管的提取方法与步骤二、实验原理和内容:1.实验原理:1)电容:CMOS工艺常见电容有MOS电容,双多晶电容,金属多晶电容双层或多层金属电容,在集成电路中电容有上下两个导电的极板好和两层之间的绝缘介质构成,在基于ChipAnalyzer软件的构成中可以看到向上下两个极板看不到中间的绝缘介质。

数字集成电路学习总结5CMOS反相器

数字集成电路学习总结5CMOS反相器

数字集成电路学习总结5CMOS反相器今天开始总结数字集成电路。

这本书其实算是本科最难的⼀本了,细节过多⽆法卒读,涉及到的知识也⾮常全⾯。

实际上本科课程安排中并为将其作为重点,我们的课⾮常⽔,不知道讲了什么。

今天详细总结⼀下。

当时然由于内容过多,⽆法全部涵盖,只能⼤致总结,并着重记录定性的结论。

涉及到计算之类的问题,就只能略过了。

第五章 COMS反相器5.1 引⾔为什么从第五章开始,原因是这章⽐较基础,详细学习CMOS反相器后,才能继续看组合电路和时序电路等等。

研究的对象有如下⼏个指标:成本(复杂性和⾯积)、完整性和稳定性(静态特性)、性能(动态特性)、能量效率(功耗)。

5.2 静态CMOS反相器——直观综述课本上的描述:晶体管只不过是⼀个具有⽆限关断电阻和有限导通电阻的开关。

以开关来理解,可以推导出其他重要特性:1、输出⾼电平和低电平分别为VDD和GND,换⾔之,电压摆幅等于电源电压。

因此噪声容限很⼤。

2、逻辑电平与器件的相对尺⼨⽆关,所以晶体管可以采⽤最⼩尺⼨。

这⾥有⼀个概念叫⽆⽐逻辑3、稳态时,输出和VDD或GND之间总存在有限电阻的通路。

因此⼀个设计良好的CMOS反相器具有低输出阻抗,这使得它对噪声和⼲扰不敏感。

4、输⼊电阻极⾼。

理论上,单个反相器可以驱动⽆穷个门,或者说有⽆穷⼤的扇出。

但很快我们发现增加扇出也会增加传播延时。

因此扇出不会影响稳态特性,会影响瞬态特性。

5、忽略漏电流的话,意味着⽆静态功耗。

之前常⽤的是NMOS电路,静态功耗不为0,限制了集成度。

后来必须转向CMOS。

电压传输特性(VTC)的性质和形状可以通过图解法迭加两管的图像得到。

结果是观察到VTC具有⾮常窄的过渡区。

我们可以把开关特性简化为RC电路,⼀个快速门的设计是通过减⼩输出电容或者减⼩晶体管的导通电阻(增⼤宽长⽐)实现的。

5.3 CMOS反相器稳定性的评估——静态特性5.3.1 开关阈值开关阈值VM定义是Vin=Vout的点,利⽤图解法可以看出。

集成电路反向设计试验

集成电路反向设计试验

集成电路反向设计实验实验目的:掌握集成电路解剖的原理和方法;掌握集成电路反向分析的方法;了解集成电路反向设计的基本步骤。

实验原理:反向设计是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

1.反向设计流程反向设计的流程如下:(1)提取横向尺寸①打开封装,进行照相(把电路产品放大数百倍分块照相,提取集成电路的复合版图);⏹打开外壳:用浓硫酸等方法打开塑料封装,露出管芯;⏹芯片拍照:用光学显微镜进行排照,得到管芯外观图;⏹去掉钝化层,拍照,得到金属连线图;⏹去掉金属层和绝缘介质层,拍照,得到下层金属或多晶硅版图;⏹若为多层布线,重复上一步骤,得到各层版图;⏹去掉所有外部各层,露出硅表面,染色区分p和n区,拍照。

②拼图(把照片拼成整个产品的复合版图);③由产品的复合版图提取电路图、器件尺寸和设计规则;④进行电路模拟,验证所提取的电路是否正确;⑤如果模拟正确,可以着手画版图。

(2)提取纵向尺寸用扫描电镜,扩展电阻仪等提取氧化层厚度、金属膜厚度、多晶硅厚度、结深、基区宽度等纵向尺寸和纵向杂质分布。

(3)测试产品的电学参数电学参数包括阈值电压,又称开启电压(V T)、薄膜电阻,又称方块电阻(R□)、电流放大倍数(β)、特征频率(f T)等。

然后,在(2)和(3)的基础上确定工艺参数,制订工艺条件和工艺流程。

已出现与计算机联网的显微镜,无需照相可直接进行版图分析。

从版图中提取出电路图,进行仿真及功能分析、结构修改后,又转入正向设计。

详见下表。

网表提取标准流程利用网表提取器ChipLogic Analyzer能够提取得到芯片的网表数据,并以标准格式(Verilog、SPICE和EDIF)输出。

软件提供的线网自动提取算法和单元自动搜索算法可以很大程度地减少手工操作的工作量。

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护

论集成电路知识产权之反向工程侵权与保护摘要:反向工程在工程技术科研领域具有重要的地位和作用,同理集成电路反向工程在集成电路行业同样具有极其重要的地位和作用;无论国际、国内对反向工程均持积极态度,反向工程的积极作用和对社会经济发展的积极意义是肯定的,但是不能否认反向工程也有消极的一面,如对其不加法律限制,则会产生危害技术进步、发展的严重后果,会损害社会经济发展步伐、扰乱社会秩序。

因此,我们必须防止反向工程的消极面,以“反向工程”加“法律”的形式,规范反向工程,规范集成电路反向工程,加强对集成电路反向工程法律问题的研究、在合理、合规、合法的前提下运用集成电路反向工程发展集成电路产业;禁止利用“集成电路反向工程”幌子招牌违法实施集成电路布图设计专有权侵权行为,并对其依法惩治;鼓励利用“集成电路反向工程”进行技术创新、技术升级、技术进步,获得技术发展,并对其依法进行必要的保护,以促进科学技术的不断进步、发展,实现经济社会的不断进步、发展。

关键词:集成电路知识产权反向工程侵权保护一、关于“反向工程”及“集成电路反向工程”1.反向工程:“一般指逆向工程(又称逆向技术),是一种产品设计技术再现过程,即对一项目标产品逆向分析及研究,从而演绎并得出该产品的处理流程、组织结构、功能特性及技术规格等设计要素,以制作出功能相近,但又不完全一样的产品。

逆向工程源于商业及军事领域中的硬件分析。

其主要目的是在不能轻易获得必要的生产信息的情况下,直接从成品分析,推导出产品的设计原理。

逆向工程可能会被误认为是对知识产权的严重侵害,但是在实际应用上,反而可能会保护知识产权所有者。

例如:在集成电路领域,如果怀疑某公司侵犯知识产权,可以用逆向工程技术来寻找证据。

”①“在集成电路产业的发展过程中,反向工程行为普遍存在,该行为一方面有利于更快地设计出基本功能相同,但性能更好、尺寸更小、成本更低的集成电路产品,促进集成电路产业技术进步,同时也并不过分违背公平竞争原则……”②1.集成电路反向工程:是指对集成电路产(成)品进行解剖分析,从而弄清该集成电路布图设计的产品的机理,掌握其设计诀窍的一种方法,对集成电路芯片而言,通常是用化学方法使晶片溶解,然后把电路系统拍摄下来,在彻底解剖、了解该电路功能的基础上,重新设计出与原产品不同但功能相当的芯片。

浅析集成电路反向分析

浅析集成电路反向分析

浅析集成电路反向分析新人第一次发帖,不知道各位专利代理人对集成电路方面的专利是否了解。

楼主来自一个集成电路反向分析公司,目前从事专利方面的工作。

下面是以下关于今后我将为大家带来集成电路专利分析的一些解释和技术。

希望对各位看官有些帮助。

多年来一直有行业内外人士提出反向分析到底是什么?利用反向分析如何为专利分析服务?甚至有反向分析是否合法的疑问。

那么从今天起,将定期推送文章,为您揭开反向分析的神秘面纱。

一.反向分析与正向设计芯片反向分析(reverseengineering, RE)也称反向设计或反向工程,之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。

正向设计采用自顶向下(top down)的设计方法,即从设计思想出发,通过电路或逻辑设计得到芯片网表,最后设计完成用于生产的版图。

与之相反,反向分析采用自底向上(bottom up)的设计方法,从参考芯片(有时也称为“原芯片”)的图像开始,通过电路提取得到芯片网表或电路图,然后再对电路进行层次整理和分析,进而获取参考芯片的设计思想。

正向设计和反向分析的难点是不同的,正向设计的难点在于设计思想的构思,而反向分析的难点则在于设计思想的获取。

实际上正向设计是一种设计方法,通过正向设计可以把设计思想转变成芯片实物。

而反向分析则是以学习设计技巧、提高设计经验、配合和完善正向设计为目的,因此,严格来讲反向分析并不是一种设计方法,而是促进和完善正向设计的一种工具和手段,是正向设计有益的必要的补充。

二.反向分析流程反向分析主要应用于集成电路技术分析、专利分析、芯片仿制等不同的方面,不同的应用有着不同的设计流程。

芯片仿制是利用反向技术完成一个完整的芯片设计,其流程最为完整,为了让读者更加全面地了解反向分析流程,下面就以芯片仿制为例详细介绍一下反向分析流程。

下图是芯片仿制流程,包括芯片前处理、网表提取、电路整理分析、版图设计和流片生产等环节。

芯片前处理是反向分析的基础性环节,它包括封装去除、管芯解剖、图像采集和图像处理等步骤,通过前处理可以得到包含参考芯片所有版图信息的芯片图像数据库。

集成电路的正向设计集成电路的逆向设计集成电路设计方法学

集成电路的正向设计集成电路的逆向设计集成电路设计方法学

后仿真 产生测试向量
门阵列法设计流程图
门阵列方法的设计特点: 设计周期短,设计成本低,适合设计适当规模、中 等性能、要求设计时间短、数量相对较少的电路。 不足:设计灵活性较低;门利用率低;芯片面积浪
费。
门海方法的设计特点: 门利用率高,集成密度大,布线灵活,保证布线布
通率。
不足:仍有布线通道,增加通道是单元高度的整数倍, 布线通道下的晶体管不可用。
20.2.1 固定栅格式
二、半定制方法

半定制集成电路(Semi-Custom Design Approach) ——即设计者在厂家提供的半成品基础上 继续完成最终的设计,只需要生成诸如金 属布线层等几个特定层次的掩膜。根据需 求采用不同的半成品类型。
20.3半定制方法
半定制的设计方法 分为门阵列(GA:Gate Array)法和门海 (GS:Sea of Gates)法两种:

全定制集成电路(Full-Custom Design Approach)
适用于要求得到最高速度、最低功耗和最小面积
的芯片设计。

即在晶体管的层次上进行每个单元的性能、面积的优化 设计,每个晶体管的布局/布线均由人工设计,并需要人 工生成所有层次的掩膜。对每个器件进行优化,芯片性能
获得最佳,芯片尺寸最小。
标准单元法也存在不足:


(1) 原始投资大:单元库的开发需要投入大 量的人力物力;当工艺变化时,单元的修改 工作需要付出相当大的代价,因而如何建立 一个在比较长的时间内能适应技术发展的单 元库是一个突出问题。 (2) 成本较高:由于掩膜版需要全部定制, 芯片的加工也要经过全过程,因而成本较高。 只有芯片产量达到某一定额(几万至十几万), 其成本才可接受。

数字集成电路正反向判别器论文

数字集成电路正反向判别器论文

毕业设计论文数字集成电路正反向判别器指导老师姓名:专业名称:班级学号:论文提交日期:论文答辩日期:摘要:数字集成电路组成的正反方向判别器的设计是用来判别转动部件的正反转的一个装置,其中用霍尔传感器进行采样,正常情况下一周在60度内分布4个传感器,用六块磁钢粘在转动部件随轴动部件一起转动,在15度范围内转动时可以判断是正转或反转。

该设计采用了多种数字集成电路,比如CD4069,74LS32,CD4081,CD4013芯片,有效的把数字信号和模拟信号结合在一起。

关键词:霍尔传感器, 或门, 与门, 非门,D触发器。

Abstract:digital integrated circuit design and direction discriminant criterion is used to turn the parts of a device, and positive &negative hall-effect sensor with sampling, normally a week in 60 degrees, the distribution of four sensor with six magnets with rotating components in moving parts together in 15 degrees, within the scope of rotation is positive transfer or reverse. The design has adopted various digital integrated circuit, such as CD4069, 74LS32, CD4081 CD4013 chip, effective, the digital signal and analog signals together.Keywords:hall sensors, or door, door, with FeiMen, D flip-flop目录摘要 (I)第一章绪论 (1)1.1 概述 (1)1.2 传感器 (2)1.2.1传感器简介 (2)1.2.2传感器的组成 (2)1.3霍尔传感器介绍 (3)第二章整体方案设计 (4)2.1 设计要求 (4)2.2 器材组成 (4)2.3 器件简介 (4)2.3.1霍尔传感器 (4)2.3.1.1霍尔传工作原理 (5)2.3.2 CD4069(非门) (5)2.3.3 74LS32(或门) (5)2.3.4 CD4013(D触发器) (6)2.3.5 CD4081(与门) (7)第三章电路组成 (9)3.1 信号输入电路 (9)3.2 编码电路 (9)3.3 磁钢正转的判定 (10)3.3.1 磁钢与触发器接触的顺序 (10)3.4磁钢反转的判定 (14)3.4.1 磁钢与触发器接触的顺序 (14)3.5 磁钢中途变换方向的判定 (17)第四章总结 (18)致谢 (19)参考文献 (20)毕业设计论文数字集成电路正反向判别器第一章绪论1.1 概述数字集成电路组成的正反方向判别器的设计是用来判别转动部件的正反转的一个装置,其中用霍尔传感器进行采样,正常情况下一周在60度内分布4个传感器,用六块磁钢粘在转动部件随轴动部件一起转动,在15度范围内转动时可以判断是正转或反转。

集成电路反向设计流程

集成电路反向设计流程

集成电路反向设计流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成,希望大家下载以后,能够帮助大家解决实际的问题。

文档下载后可定制随意修改,请根据实际需要进行相应的调整和使用,谢谢!并且,本店铺为大家提供各种各样类型的实用资料,如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等,如想了解不同资料格式和写法,敬请关注!Download tips: This document is carefully compiled by theeditor. I hope that after you download them,they can help yousolve practical problems. The document can be customized andmodified after downloading,please adjust and use it according toactual needs, thank you!In addition, our shop provides you with various types ofpractical materials,such as educational essays, diaryappreciation,sentence excerpts,ancient poems,classic articles,topic composition,work summary,word parsing,copy excerpts,other materials and so on,want to know different data formats andwriting methods,please pay attention!集成电路反向设计流程。

1. 获取芯片样本。

从市场或其他来源获取目标集成电路样本。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

浅析集成电路反向分析
新人第一次发帖,不知道各位专利代理人对集成电路方面的专利是否了解。

楼主来自一个集成电路反向分析公司,目前从事专利方面的工作。

下面是以下关于今后我将为大家带来集成电路专利分析的一些解释和技术。

希望对各位看官有些帮助。

多年来一直有行业内外人士提出反向分析到底是什么?利用反向分析如何为专利分析服务?甚至有反向分析是否合法的疑问。

那么从今天起,将定期推送文章,为您揭开反向分析的神秘面纱。

一.反向分析与正向设计
芯片反向分析(reverseengineering, RE)也称反向设计或反向工程,之所以称为“反向分析”是相对于“正向设计”而言的。

正向设计采用自顶向下(top down)的设计方法,即从设计思想出发,通过电路或逻辑设计得到芯片网表,最后设计完成用于生产的版图。

与之相反,反向分析采用自底向上(bottom up)的设计方法,从参考芯片(有时也称为“原芯片”)的图像开始,通过电路提取得到芯片网表或电路图,然后再对电路进行层次整理和分析,进而获取参考芯片的设计思想。

正向设计和反向分析的难点是不同的,正向设计的难点在于设计思想的构思,而反向分析的难点则在于设计思想的获取。

实际上正向设计是一种设计方法,通过正向设计可以把设计思想转变成芯片实物。

而反向分析则是以学习设计技巧、提高设计经验、配合和完善正向设计为目的,因此,严格来讲反向分析并不是一种设计方法,而是促进和完善正向设计的一种工具和手段,是正向设计有益的必要的补充。

二.反向分析流程
反向分析主要应用于集成电路技术分析、专利分析、芯片仿制等不同的方面,不同的应用有着不同的设计流程。

芯片仿制是利用反向技术完成一个完整的芯片设计,其流程最为完整,为了让读者更加全面地了解反向分析流程,下面就以芯片仿制为例详细介绍一下反向分析流程。

下图是芯片仿制流程,包括芯片前处理、网表提取、电路整理分析、版图设计和流片生产等环节。

芯片前处理是反向分析的基础性环节,它包括封装去除、管芯解剖、图像采集和图像处理等步骤,通过前处理可以得到包含参考芯片所有版图信息的芯片图像数据库。

网表提取是基于芯片图像进行单元、互连线等各种版图元素的识别,并得到芯片网表的过程。

提取得到的芯片网表通常包含一系列模拟器件和基本数字单元,以及这些器件和单元端口的连接关系信息。

网表通常是以文本文件的形式描述,也可以转换为图形化的平面电路图形式。

对于提取得到的网表(或平面电路图),还需要进行电路整理分析,在保证电路连接关系不变的前提下将其转化为层次化电路图,还原其原始的设计架构和功能模块,这样就可以了解参考芯片的设计思想、设计技巧和设计特点。

电路整理后还需要进行电路或逻辑仿真,通过仿真可以验证网表提取的正确性,也可以修正由于工艺移植带来的器件参数值的偏差。

版图设计是参照图像背景,按照目标工艺的设计规则进行版图绘制的过程。

它是芯片仿制中重要而独特的一个环节。

版图绘制完成后,还需要同网表进行LVS验证,以发现网表提取或版图绘制中的错误,从而提高芯片仿制的成功率。

版图设计结束后,还需要对版图进行后仿真,以验证和优化版图移植后的时序和功耗等性能。

以上工作都完成后,就进入到芯片制造环节。

这个环节包括掩膜版制作、流片生产、芯片封装和芯片测试等。

三.正反向相结合的设计方法
正向设计和反向分析并不是相互对立的,在实际设计中,这两种方法经常结合使用,只不过使用时会有所偏重。

当设计思路明确、设计技巧积累充分时,会以正向设计为主,反向分析为辅。

此时,反向分析起到纠正设计思路误差、弥补设计缺陷的作用。

在产品规划阶段,反向分析对确定设计目标、选择设计工艺、合理估算成本等方面起到参考作用;在设计初期,反向分析可以验证设计思路的合理性和完善性;而在设计过程中遇到难点时,反向分析可帮助寻求解决问题的线索。

当技术不够成熟、整体设计思路不完善时,只能采取以反向分析为主的方式,此时正向设计可以优化产品性能和规避侵权风险。

在电路设计方面,可以对反向提取得到的电路加以修改和优化(例如添加部分电路模块或替换部分电路模块),用以规避专利侵权和提升产品某些性能,进而形成自主知识产权的产品。

在版图设计方面,可以在反向提取得到的电路的基础上,采用手工绘制或者自动布局布线的方法重新设计版图,从而形成与原芯片版图不同的新产品。

采用这种方式可有效地屏蔽布图设计侵权问题,适合难以理解的协议类或算法类芯片的设计。

正反向相结合的设计方法,在国内集成电路设计能力普遍落后的情况下,具有重要的现实意义。

首先,在设计技术上,国内设计水平远远落后于发达国家。

因此,要完全依靠自己的力量,独立地开发出全新的并在国际市场上有竞争力的产品,是非常困难的。

其次,国内高水平的集成电路设计人才奇缺,难以设计出一流的芯片产品。

再次,国内集成电路设计企业在进行芯片设计时面临的普遍问题是资金不足,而集成电路行业是一个高投入、高风险、高收益的行业,没有足够的资金投入,很难保证设计的质量和成功率。

最后,在开发风险上,
由于缺乏技术积累和设计经验,国内集成电路设计企业在进行芯片产品的设计时,往往要承担很高的设计风险。

通过以上分析可以看出,由于国内集成电路设计行业自身的局限性和行业本身的特点,要独立自主、借鉴吸收、跳跃式地开发集成电路产品就必须走“学习、吸收、再创新”的路子。

这就要求通过反向分析技术,学习和参考国外先进的设计经验和技巧,来快速、高效地赶上国外的集成电路设计水平;同时通过正向设计,创造有竞争力的产品,来赢得市场和利润。

依照国内外的相关法律,企业完全可以通过反向分析合法地获取设计经验和技巧。

事实证明,通过正反向相结合的设计方法来发展国内的集成电路行业是可行的,也是必须的。

国内很多集成电路设计公司都是通过这种方式起步并发展壮大的。

所谓芯片反向设计,简单而言,就是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理,实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉,可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题,也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。

我们通过与知名芯片设计企业的合作,长期致力于为设计公司完成产品定位、竞争性研究分析、版权保护、学习参考先进设计思路和设计技巧提供技术支持与服务。

我们对芯片反向设计有自己独特的技术手法和实战技巧,快速准确的电路反向提取和高效的电路整理与分析,能够为客户提供自主创新平台,从而缩短学习曲线,加快自有技术水平的提高。

我们的芯片反向设计服务包括网表/电路图反向提取、电路层次化整理、逻辑功能分析、版图提取与设计、设计规则检查调整、逻辑版图验证、单元库替换以及工艺尺寸的缩放等方面。

通过这些逆向分析手段,我们可以帮助客户了解其他产品的设计,用于项目可行性研究、打开思路、寻找问题、成本核算等,比如:在进入新领域之前,评估、验证自己技术方案和设计思路的可行性;通过对市场上成熟产品的研究,协助解决关键性的技术问题;利用已有产品的市场资源,降低进入壁垒,实现更好的产品兼容性等等。

网表/电路图反向提取
在芯片反向设计中,网表/电路图的提取是个很大的课题,网表提取的质量和速度直接影响后续整理、仿真、LVS等方方面面的工作。

我们在总结众多成功案例的基础上,依托自主研发的软件应用,可准确、快速、高质量地进行网表/电路图的提取。

逻辑功能分析
网表提取结束后,往往需要进行电路的整理工作,把一个打平(flatten)的电路进行层次化(hiberarchy)整理,形成一个电路的层次化结构,以便理解设计者的设计思路和技巧,同时还能达到查找网表错误的目的。

版图设计
版图设计是电路逻辑的物理实现,是集成电路产品实现(ChipLogic Layeditor)。

我们在反向设计的基础上提供版图的提取、工艺库替换、目标工艺修改、DRC检查和LVS校验等各种设计服务。

逻辑版图验证
网表和版图设计结束后,往往需要对其正确性进行各种验证,为了保证设计流程的完整性,盛世提供芯片网表数据和版图数据的各种验证服务。

相关文档
最新文档