LED制造工艺流程
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（发光二极管）是一种半导体光源，具有高亮度、低功耗和长寿命等特点，因而在照明、显示和通信等领域得到广泛应用。
下面将介绍LED的制造工艺流程。
第一步：晶片生长晶片生长是LED制造的第一步，通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等技术，在蓝宝石衬底上生长GaN等半导体材料，形成LED的发光层。
第二步：晶片分割晶片分割是将生长好的LED晶片切割成小尺寸的方形或圆形芯片，以便后续工艺处理。
第三步：晶渣去除晶渣是晶片分割后产生的残留物，需要通过化学腐蚀或机械研磨等方法去除，以保证晶片表面的平整和光洁。
第四步：金属化通过蒸镀、溅射或印刷等工艺，在LED晶片的表面覆盖金属电极，以便连接外部电路。
第五步：芯片封装LED芯片通过封装工艺，将其封装在透光的塑料封装体内，同时加入辅助材料如荧光粉等，以改变发光颜色。
第六步：测试对封装好的LED芯片进行光电参数测试，包括亮度、颜色、波长等，以保证其品质。
第七步：分选分级根据测试结果对LED芯片进行分类，分为不同等级，以满足不同应用需求。
通过以上工艺流程，LED芯片的制造过程完成，最终可用于LED照明、显示屏和其他应用中，为人们的生活和工作提供更加高效、节能和环保的光源。
LED（发光二极管）制造工艺是一个高度技术化的过程，需要精密的设备和复杂的工艺流程。
通过不断的研究和创新，LED技术在不断进步，成为照明、显示和通信等领域的主流光源之一。
下面将继续介绍LED制造的相关内容。
第八步：组装组装是LED制造的关键环节之一。
在组装过程中，LED芯片通常会与散热器、电路板和透光的封装体结合，组装成LED灯具或LED显示屏等成品。
第九步：包装LED成品需要通过包装，以保护其不受外部环境的影响，同时便于运输和存储。
常见的LED灯具包装材料包括泡沫塑料、纸盒和塑料膜等。
第十步：品质控制LED制造过程中需要严格的品质控制，对原材料、工艺和成品进行全面的检测和监控，确保LED产品符合规定的质量标准。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED（Light Emitting Diode，发光二极管）是一种电子发光器件，其工作原理是通过电流通过半导体材料结构时，电子与空穴重新结合产生光。
LED的生产过程可以分为单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
首先，单晶片制造是整个LED生产工艺的第一步。
它包括以下几个关键步骤：1. 材料准备：首先需要准备各种原材料，包括LED芯片所需的半导体材料，如砷化镓（GaAs）、砷化镓铝（AlGaAs）等，还需要金属材料和氮化镓基板等。
2. 晶体生长：将准备好的材料通过熔化、再结晶等过程，在特定温度和压力条件下进行晶体生长。
通常采用的方法有分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）等。
3. 衬底制备：晶体生长完成后，需要将其粘贴在薄而平整的衬底上，以便后续工艺步骤的进行。
4. 切割和抛光：将已经粘贴在衬底上的晶体进行切割和抛光，制成具有一定尺寸和形状的单晶片。
接下来是LED的包装过程，即将制造好的单晶片进行封装，以便与电路板连接使用。
主要步骤如下：1. 基座制备：首先，需要准备一个金属或塑料的基座，用来固定LED芯片和引出电路。
2. 焊接：将单晶片与基座通过焊接的方式固定在一起，使其能够相互连接。
3. 注射封装：使用注射成型机将造好的LED芯片和引线封装到透明的塑料壳体内，并固化成型。
最后是测试阶段，通过对已封装好的LED进行质量检测和性能测试，以确保其达到设计要求，主要包括以下几个步骤：1. 电性能测试：对封装好的LED进行电流和电压等电性能参数的测试，以确保其正常工作。
2. 光输出测试：通过特定设备测量LED的光输出强度、光谱特性和色温等关键光学参数。
3. 温度测试：将LED芯片加热至一定温度，测试其在高温环境下的工作性能和稳定性。
4. 寿命测试：通过长时间运行和老化试验，测试LED在不同条件下的使用寿命和稳定性。
总的来说，LED的生产工艺流程包括单晶片制造、包装和测试三个主要步骤。
LED生产工艺及封装步骤
LED生产工艺及封装步骤LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，能够将电能转化为光能的能量转换器。
LED的生产工艺及封装步骤是一个复杂的过程，下面将详细介绍LED的生产工艺及封装步骤。
1.衬底选材LED的衬底选材通常采用氮化镓（GaN）材料。
GaN材料具有优良的导电性和热特性，能够满足LED工作时需要的高温和高电流。
2.薄膜生长在衬底上生长多个层次的半导体材料薄膜。
通常包括衬底的缺陷层、n型导电层、活性层和p型导电层。
这些薄膜的顺序和厚度会影响LED的电性能和光性能。
3.芯片制备将薄膜衬底切割成小块，形成独立的LED芯片。
每个芯片都要经过电性能测试和光性能测试，以确保符合要求。
4.金属电极制备在LED芯片上制备金属电极。
金属电极一般是由金属薄膜或金属线制成，用于引出电流和控制电池的正负极性。
5.封装材料选择在LED芯片上方涂覆一层透明的封装材料。
这种封装材料通常选择有机树脂或硅胶，能够保护LED芯片并提高光的折射率，提高光的输出效率。
6.色温和亮度校正根据需要，对LED的色温和亮度进行校正。
通过调整封装材料的混合比例和制造工艺，可以使LED发出不同颜色和亮度的光。
7.封装将LED芯片放置在封装材料内，利用封装设备将封装材料固化。
这一步骤可以选择多种封装方式，如晶粒封装、敞口封装和有灯泡的封装等。
8.电性能测试对封装好的LED进行电性能测试，包括电压、电流、电阻和功率等参数的测量。
确保封装后的LED与设计要求一致，并具有稳定的电性能。
9.光性能测试对封装好的LED进行光性能测试，包括颜色、亮度、发光角度和光衰等参数的测量。
确保封装后的LED具有稳定的光性能，并满足应用需求。
10.温度老化测试将封装好的LED放置在高温环境中进行老化测试。
通过长时间高温老化测试，可以评估LED的长期稳定性和寿命，并提前筛选出潜在的缺陷。
11.出货检验对符合要求的LED进行出货检验，保证质量和性能的一致性。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程是指将LED芯片通过一系列的加工工艺处理，使其成为一颗完整的LED发光元件的过程。
下面是LED工艺流程的简要介绍：1. 晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础，通常由砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等半导体材料制成。
制备晶圆的过程包括原料准备、化学气相沉积、研磨抛光等步骤。
2. 掩膜制作：在晶圆上制作掩膜，用于定义LED芯片的结构，包括电极、层次等。
掩膜制作通常采用光刻技术，其中包括溅射法、电子束曝光法等。
3. 晶圆衬底：将晶圆粘贴到衬底上，用于增加机械强度和散热性能。
通常使用金属或陶瓷材料作为衬底。
4. 磷化：在晶圆表面镀上磷化物，用于调节LED的发光颜色。
常见的磷化物有三磷化镓（GaP）、三磷化铝（AlP）等。
5. 架晶：将LED芯片碎片切割成小块，然后将其架设到芯片承载架上。
承载架通常采用金属材料，如镍。
6. 焊接：将上步骤中架设好的芯片与引线进行焊接，形成电子电路连接。
常见的焊接方式有球焊、金线焊接等。
7. 嵌入：将芯片与本体进行结合，形成最终的LED发光元件。
通常使用封装材料，如环氧树脂封装。
8. 散热处理：对LED发光元件进行散热处理，以确保其正常工作和寿命。
常见的散热方式有铝基板散热、风扇散热等。
9. 光电性测试：对LED发光元件进行光电性能测试，包括亮度、色温、色差、电阻等参数的测量。
10. 分选与包装：根据光电性测试的结果，对LED发光元件进行分类和包装，以满足不同应用需求。
常见的包装形式有芯片、贴片、灯珠等。
以上是LED工艺流程的大致步骤，不同厂家和产品可能会有所不同。
LED工艺流程的优化和改进可以提高LED产品的性能和可靠性，降低成本，推动LED产业的发展。
led 工艺流程
led 工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光效果，是现代照明领域中常见的光源之一。
LED工艺流程是指在制造LED 器件时所采取的一系列生产工艺步骤。
本文将详细介绍LED工艺流程的各个环节及其作用。
1. 衬底准备：在LED制造过程中，需要选择合适的衬底材料，常用的有蓝宝石、氮化镓等。
衬底准备是制备LED器件的第一步，其主要目的是为了提供一个稳定的基底，便于后续工艺的进行。
2. 衬底清洗：在衬底准备完成后，需要对衬底进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这是保证器件质量的重要步骤，清洗过程中要使用去离子水和有机溶剂等，确保衬底表面的干净度。
3. 衬底外延：外延是指在衬底表面沉积一层具有所需结构和性质的材料。
常用的外延方法有分子束外延、金属有机化学气相沉积等。
外延过程中需要控制温度和材料的流动速度，以获得均匀的薄膜。
4. 光刻：光刻是将光致化学反应用于半导体材料，通过光刻胶的光偏置，将图案转移到衬底上的一种技术。
光刻主要用于定义LED器件的结构，包括电极、导线等。
光刻液的选择和曝光时间的控制对于器件性能具有重要影响。
5. 腐蚀：制作LED器件时，需要将不需要的材料部分去除，以保留所需的结构。
腐蚀是一种常用的加工方法，可以通过化学反应去除材料。
腐蚀液的选择和腐蚀时间的控制对于器件的性能和外观有重要影响。
6. 电极制备：电极是LED器件的重要组成部分，它是LED的正负极连接点，以便于电流的注入和分布。
电极制备需要选择合适的材料和工艺方法，常用的有金属蒸发、电镀等。
电极的形状和尺寸对器件的性能和光输出有重要影响。
7. 封装：LED器件制备完成后，需要进行封装，以保护器件，提高光效和可靠性。
封装过程中需要将LED芯片与导线连接，并加入透明的封装材料。
封装的方法有多种，如胶滴封装、球型封装等，需要根据器件的应用需求选择合适的封装方式。
8. 测试与筛选：完成LED器件的制备和封装后，需要对其进行测试和筛选。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程1. 概述LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体光电器件，具有能够将电能直接转化为光能的特性，广泛应用于照明、显示等领域。
LED的制造工艺流程主要包括晶体生长、芯片切割、封装和测试等步骤。
2. 晶体生长晶体生长是LED制造的第一步，其目的是在衬底上形成高质量的半导体晶体。
常用的晶体生长方法包括金属有机化学气相沉积（MOCVD）和分子束外延（MBE）等。
在MOCVD过程中，金属有机气相沉积法通过将金属有机化合物和气体源反应，使得半导体原料在衬底上逐层沉积，形成多层结构。
而MBE则是通过在真空环境中，将各种原子束束流直接照射到衬底上，使得原子在衬底上沉积，形成单晶生长。
3. 芯片切割芯片切割是将生长好的晶体切割成小块，用于制作LED芯片。
首先，将晶体固定在切割机上。
然后，采用钻头或切割盘等工具，将晶体切割成大小合适的芯片。
切割后的芯片通常是由正方形或圆形构成。
芯片切割的目的是将晶体切割成均匀且尺寸合适的芯片，以便于后续的封装步骤。
4. 封装封装是LED制造的重要步骤，其目的是将LED芯片进行保护，并提供方便的引出电极。
### 4.1 封装材料选择在封装过程中，常见的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
这些材料具有耐高温、耐湿、耐腐蚀等特点，能够有效地保护LED芯片。
4.2 封装工艺步骤封装的主要步骤包括以下几个方面：- 准备封装材料：将封装材料进行预处理，如去气泡、搅拌均匀等。
- 封装腔体设计：根据LED芯片的尺寸和要求，设计合适的封装腔体。
- 制作封装模具：根据封装腔体的设计要求，制作相应的封装模具。
- 封装材料注入：将准备好的封装材料注入封装模具中，确保完全填满腔体，并使材料均匀分布。
- 固化封装材料：将注入封装材料的模具经过固化处理，使封装材料完全硬化并与LED芯片牢固结合。
5. 测试测试是LED制造工艺流程的最后一步，其目的是确保LED芯片的品质和性能。
led照明生产工艺流程
led照明生产工艺流程LED（Light Emitting Diode）照明是一种高效、耐用的照明技术，具有节能、环保、寿命长等优点。
下面将介绍LED照明的生产工艺流程。
1. 芯片制备：首先，从半导体原料中制备出GaN（氮化镓）晶体。
接下来，在GaN晶体上进行各种物理和化学处理，以制备出LED芯片。
这包括沉积导电层、制备发光层等步骤。
2. 芯片切割：将得到的LED芯片进行切割，以得到单个的LED芯片。
这个过程通常使用钻石刀片进行切割。
3. 固晶：将切割好的LED芯片固定在支架上，通常使用射频（RF）固晶来实现。
4. 焊接：将固晶好的LED芯片与金线连接。
这一步骤通常使用自动焊接机来完成，将金线精确地连接到芯片的金属引脚上。
5. 封装：将焊接好的LED芯片封装在塑料或陶瓷外壳中，以保护芯片并提供适当的光学特性。
封装也有不同的类型，如LED球泡灯、LED灯管等。
6. 测试：对封装好的LED产品进行测试，以确保其性能符合要求。
这包括电气参数测试、蓝光波长测试、光通量测试等。
7. 散热处理：LED照明产生的热量需要通过散热器来散发，以保持LED芯片的正常工作温度。
散热器的设计和选型非常重要，可以采用散热铝板、散热风扇等方式。
8. 二次封装：对已测试好的LED产品进行二次封装，如安装支架、外壳等。
这一步骤是为了提供更好的安装和使用便利性。
9. 质量控制：对最终的LED产品进行质量控制，包括外观质量、亮度一致性、颜色一致性等方面的检查。
10. 包装和出货：将经过质量控制的LED产品进行包装，并安排出货。
综上所述，LED照明生产工艺流程包括芯片制备、芯片切割、固晶、焊接、封装、测试、散热处理、二次封装、质量控制和包装出货等多个环节。
这些工艺环节相互配合，确保了最终产品的质量和性能。
随着技术的不断进步，LED照明的生产工艺也在不断演变和改善，以满足不断增长的市场需求。
led工艺流程
led工艺流程LED工艺流程。
LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，具有发光、耐震动、寿命长等特点，因此在照明、显示、通信等领域得到广泛应用。
LED的制造过程包括晶片制备、封装、测试等环节，下面将对LED工艺流程进行详细介绍。
首先是LED的晶片制备。
晶片制备是LED制造的关键环节，主要包括外延生长、光刻、蚀刻、扩散、金属化等工艺步骤。
外延生长是在衬底上生长n型外延层、发光层和p型外延层，形成LED的发光结构。
光刻工艺是利用光刻胶和掩膜，将图形转移到外延片表面，用于形成LED的电极和结构。
蚀刻工艺是利用化学腐蚀或物理腐蚀，去除不需要的材料，形成LED的结构和电极。
扩散工艺是通过高温处理，使掺杂物扩散到外延片内部，改变材料的导电性能。
金属化工艺是在外延片表面沉积金属膜，形成LED的电极。
其次是LED的封装。
封装是将LED晶片、金线、支架、胶水等材料封装在一起，形成LED灯珠或LED封装件。
封装工艺包括固晶、金线焊接、树脂封装、测试等步骤。
固晶是将LED晶片粘合在支架上，以提高LED的散热性能。
金线焊接是将LED晶片与支架之间用金线连接，形成LED的电路。
树脂封装是将LED晶片、金线等材料封装在透明的树脂中，保护LED并散发光线。
测试是对封装后的LED进行电参数测试和光参数测试，以筛选出合格品。
最后是LED的测试和分选。
测试和分选是对封装后的LED进行电参数测试和光参数测试，以保证LED的质量和性能。
电参数测试包括正向电压、反向电流、漏电流等测试项目，以判断LED的电性能。
光参数测试包括光通量、光强度、色温、色坐标等测试项目，以判断LED的光性能。
测试合格的LED将进行分选，按照光通量、色温等参数进行分档，以满足不同应用领域的需求。
综上所述，LED的制造过程包括晶片制备、封装、测试和分选等环节，每个环节都是关键的工艺步骤，需要严格控制和管理。
随着LED技术的不断发展，LED工艺流程也在不断完善，以满足市场对LED产品质量和性能的需求。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程1. 布局设计：首先确定LED芯片的布局设计，包括LED的尺寸、排布和连接方式等。
2. 外延生长：通过外延生长技术，在基板上生长出LED晶片的外延层，外延层的材料包括氮化镓、氮化铟等。
3. 掩模制备：在外延层上制备掩模，用来定义LED芯片的结构和尺寸。
4. 蚀刻制备：利用蚀刻技术，将外延层上不需要的部分去除，保留下LED晶片的结构。
5. 衬底分离：将LED晶片从生长基板上分离出来，以便后续工艺处理。
6. 晶片检测：对LED晶片进行检测，测试其光电特性和质量，筛选合格的LED晶片。
7. 封装：将LED晶片封装在LED灯珠上，通过焊接、封胶等工艺，形成完整的LED灯珠。
8. 脉冲测量：对封装完成的LED灯珠进行脉冲测量，测试其亮度、颜色等参数。
9. 整灯组装：将LED灯珠组装在灯具中，进行电路连接和外壳装配等工艺。
10. 品质检测：对整灯进行品质检测，包括光通量、色温、色彩均匀性等参数的测试。
11. 包装出厂：对通过检测的LED灯具进行包装，并出厂销售。
LED（Light Emitting Diode）作为一种节能、环保的照明产品，已经成为当今照明行业中的主流产品。
LED的制造工艺流程不仅包括了对LED芯片的制备，也涵盖了LED灯珠的封装和整灯的组装。
下面将继续介绍LED制造工艺流程的相关内容。
12. 全球照明标准：在LED制造的过程中，为了确保LED产品的质量和性能，各国及地区都有相应的照明产品标准。
生产制造企业需要严格遵守这些标准，以确保LED产品符合相关标准要求，安全可靠、性能优良。
一般来说，LED产品需要符合的标准包括光通量、色温、寿命、发光效率等。
13. 一致性和可靠性测试：LED产品制造完成后，还需要进行一致性和可靠性测试。
一致性测试是为了保证同一批次的LED产品在光通量、色彩等方面具有一致的性能指标。
而可靠性测试则是为了验证LED产品在长时间使用后的稳定性和可靠性，如耐热、耐湿热等环境适应能力。
LED工艺流程完美讲解
LED工艺流程完美讲解LED（Light Emitting Diode）即发光二极管，是一种能够将电能转化为光能的半导体器件。
LED具有高效能、长寿命、节能环保等优点，广泛应用于照明、显示屏幕、信号传输等领域。
一、晶圆制备：晶圆是LED芯片的基础材料，一般采用氮化铝晶圆。
该步骤主要包括基片选择、基片清洗、基片架放置、磨割加工等。
基片清洗能够去除表面污染物，确保芯片质量。
二、外延生长：外延生长是指在晶圆表面逐渐沉积LED材料的过程，主要材料为三五族化合物，如氮化镓等。
该步骤是制备LED芯片的关键，需要严格控制温度、气压、混合气体比例等因素，以保证外延层的质量。
三、击晶：在外延层上，通过模具或激光刻蚀的方式，将外延层进行形状切割，形成各个LED芯片的形状。
击晶的过程需要精确控制切割深度和角度，以免损坏芯片。
四、脱胶：击晶的过程中，会在芯片表面形成胶层。
脱胶的目的是去除这些残留的胶层，以保证后续工序的顺利进行。
常用的脱胶方法包括化学脱胶和热脱胶。
五、划线：划线是在芯片表面进行金属线的印制，以连接芯片的正负极。
划线主要使用导电胶或金线，需要精细操作以保证线的精确位置和质量。
六、加工：加工步骤包括剥薄、抛光、荧光粉涂覆等。
剥薄是指将芯片由外延层剥离，使其达到所需的光学效果。
抛光是为了使外观更加光滑，提高反射率。
荧光粉涂覆是为了增强LED的发光效果。
七、金球焊接：金球焊接是将金属线与LED芯片连接的过程。
焊接方式包括热压焊接、超声波焊接等。
金球焊接需要高精度的设备，以确保焊接的稳定性和可靠性。
八、封装：封装是将LED芯片置于LED灯泡或LED显示屏等外壳中，以便安装和使用。
封装过程包括金膏涂覆、打枪、密封等步骤。
金膏涂覆是为了在芯片上形成保护层，提高散热能力。
打枪是将芯片固定在片头，以确保芯片位置准确。
密封是将芯片与外壳连接，并填充封装胶，以保护芯片。
九、测试：测试是对已封装的LED产品进行功能、亮度、颜色等方面的检测。
led生产工艺流程
led生产工艺流程LED生产工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体光电器件，具有高亮度、耐用性和低功耗等优点，广泛应用于照明、显示和信息技术等领域。
LED的生产过程通常包括晶片生长、晶圆制备、芯片制造、封装、测试和包装等环节。
首先是晶片生长。
晶片是LED的核心部件，它由半导体材料构成，通过晶片来发光。
晶片生长主要采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术。
该技术通过将原料气体在高温条件下流经衬底基片，使其在表面形成晶体生长。
这个过程需要精确控制温度和气体流量等参数，以确保晶片的质量。
接下来是晶圆制备。
晶圆是晶片制造的基础材料，通常使用硅衬底进行制备。
制备晶圆的过程包括备料、涂膜、曝光、显影和腐蚀等步骤。
这些步骤的主要目的是在硅衬底上形成一层薄膜，以便后续的光刻和化学腐蚀工艺。
然后是芯片制造。
在晶片上进行光刻和化学腐蚀工艺，形成PN结构。
光刻工艺使用光刻胶和光罩，通过紫外线照射和显影等步骤，在晶片上形成光刻胶图形。
然后使用化学腐蚀液来腐蚀晶片表面，形成亮区和暗区的结构。
这个工艺需要高精度的设备和工艺控制，以确保芯片的精确性和一致性。
接下来是封装。
封装是将芯片放置在外壳中，并与引线相连，形成最终的LED器件。
封装过程包括器件的剥离、极林、引线焊接和封装胶固化等步骤。
这个过程需要精确的焊接和封装技术，以确保器件的性能和可靠性。
然后是测试。
在封装完成后，需要对LED器件进行测试，以确保其参数符合要求。
测试过程包括外观检查、电气参数测试和性能测试等。
这个过程需要精确的测试设备和工艺，以确保器件质量和稳定性。
最后是包装。
LED器件通过自动化设备进行包装，形成最终的成品。
包装过程包括器件的分选、分盘、封入芯片等步骤。
这个过程需要高效的设备和工艺，以确保产品的包装效果和出货率。
综上所述，LED生产工艺流程包括晶片生长、晶圆制备、芯片制造、封装、测试和包装等环节。
这个流程涉及多个关键步骤，需要精确的设备和工艺控制，以确保LED器件的质量和性能。
led灯的工艺流程
led灯的工艺流程
《LED灯的工艺流程》
LED（Light Emitting Diode）是一种新型的照明产品，具有高效、低能耗、长寿命等优点，因而在现代照明领域得到了广泛应用。
LED灯的制造工艺流程包括以下几个步骤：
一、芯片制备：LED芯片是LED灯的核心部件，它的制备包括晶片衬底生长、晶片切割、镀膜等工艺。
在晶片衬底生长过程中，研磨衬底表面、蒸发金属等工艺操作对芯片的质量有着重要的影响。
二、封装：LED芯片需要封装成成品灯珠。
封装工艺包括将芯片与基板焊接、使用封装胶固定、切割成合适尺寸等步骤。
封装的质量对LED灯的亮度、色彩、稳定性等性能有着直接的影响。
三、封装组装：这一步骤包括灯珠与散热底座的组装、连接线的焊接、透镜的安装等工艺。
在封装组装过程中需要严格控制温度、湿度等参数，保证LED灯的性能不受影响。
四、测试与筛选：制造出的LED灯需要进行各项测试，包括亮度测试、色彩测试、寿命测试等。
根据测试结果对灯珠进行筛选，保证合格品的出货率。
五、包装：经过测试与筛选的LED灯进行包装并进行质量检查，然后分装成合适的规格，准备出货。
以上就是LED灯的工艺流程，每一个步骤都需要严格控制，确保LED灯的质量和性能达到要求。
随着LED技术的不断进步，LED灯的工艺流程也在不断完善，未来LED灯的制造工艺将更加智能化、高效化。
LED的生产工艺流程及其设备
LED的生产工艺流程及其设备LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，其生产工艺包括晶片制作、封装、测试等多个环节。
下面是LED的生产工艺流程及其设备。
1. 晶片制作晶片制作是LED生产的第一步，主要包括晶片生长、切割和清洗。
晶片生长是指利用外延技术在基片上生长半导体材料，常用的设备有外延炉和外延片机。
晶片切割是指将生长好的晶片切割成小尺寸的晶体，常用的设备有线锯和刻线机。
晶片清洗是指清洗切割好的晶片，常用的设备有超声波清洗机和离子清洗机。
2. 封装封装是将晶片封装成成品LED灯具的过程，主要包括封装胶料的点胶、固化和测试。
点胶是指在晶片上涂抹封装胶料，常用的设备有自动点胶机和手动点胶机。
固化是指将封装胶料固化成固体，常用的设备有烤箱和紫外线固化机。
测试是指对封装好的LED灯具进行检测，常用的设备有光学测试仪和电学测试仪。
3. 包装包装是最后一道工序，主要包括对封装好的LED灯具进行分类、包装和贴标签。
分类是指根据LED灯具的参数进行分类，常用的设备有自动分类机和手动分类机。
包装是指将分类好的LED灯具进行包装，常用的设备有真空包装机和热压封装机。
贴标签是指在包装好的LED灯具上贴上标签，常用的设备有自动贴标机和手动贴标机。
以上是LED的生产工艺流程及其设备，通过这些工艺流程和设备，可以实现LED的高效生产和质量控制。
LED（发光二极管）生产工艺流程及其设备的细节非常重要，因为质量控制直接影响LED产品的性能和可靠性。
以下将继续深入探讨LED的生产工艺流程并详细介绍所使用的设备。
4. 晶片制作晶片生长是LED生产的关键步骤之一。
在晶片生长过程中，通常使用外延炉或者MOCVD （金属有机化学气相沉积）系统。
外延炉是一种用于外延生长晶体材料的设备，它具有高温、高真空和精确的气氛控制能力，能够确保晶片的高质量生长。
MOCVD系统是一种化学气相沉积工艺，通过将金属有机前驱体和气相介质分解反应来生长晶片。
LED各流程工艺详解
LED各流程工艺详解LED（Light Emitting Diode）是一种能够发光的二极管，具有高效能、长寿命、低能耗等优点，在照明、显示、通信等领域有广泛应用。
下面详细介绍LED的各流程工艺：1.衬底制备：LED通常使用蓝宝石晶体作为衬底，通过切割、抛光等工艺制备出平整的衬底片。
2.堆栈生长：在蓝宝石衬底上先生长一层GaN（氮化镓）材料，再通过MOCVD（金属有机化学气相沉积）等方法，将P型和N型材料层逐层生长，形成LED所需的堆栈结构。
3.芯片划分：将大面积生长的LED芯片通过划分工艺，切割成一个个独立的芯片。
划分方法有机械划割、激光切割等。
4.金属化：在芯片表面通过光刻、蒸镀等工艺，将金属电极、排线等结构形成，用于电流的注入和导出。
5.调制层制备：通过激光蒸镀等方法，在芯片表面制备调制层，用于提高光的提取效率。
6.光学封装：将芯片与透明的封装材料相结合，形成一个封装好的LED器件，用于保护芯片，并增强光的聚光效果。
7.器件测试：对封装好的LED器件进行电性能测试，如电压、电流、亮度等参数的测量，以确保器件品质。
8.研磨和抛光：对芯片进行研磨和抛光工艺，以去除表面的缺陷和不平整，提高器件的外观和质量。
9.芯片封装：将LED芯片放置在封装基板上，通过自动焊接、高温银胶等工艺，将芯片与接线板相连接，形成最终的LED灯。
10.色坐标校正：通过色温仪等仪器，对封装好的LED灯进行色坐标校正，保证灯光的色彩质量和一致性。
11.应用测试：对封装好的LED灯进行一系列的应用测试，如光效测试、信号传输测试等，以确保灯具满足设计要求。
12.产品包装：对测试合格的LED灯进行包装，标记产品型号、规格等信息，并进行质量检查，最后进行包装。
以上是LED的各流程工艺的详解。
LED制造过程中需要注意工艺参数的控制，以确保器件的品质和性能。
同时，随着技术的进步，LED工艺也在不断发展和改进，以提高光电转换效率，降低成本，满足不同应用场合的需求。
LED制造工艺流程
LED制造工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，其制造工艺流程包括晶圆制备、晶片制造、芯片分离、封装等步骤。
下面将逐步详细介绍LED的制造工艺流程。
1.晶圆制备：LED晶片的制造通常从晶圆开始。
晶圆是通过将单晶硅材料化学蒸气沉积放在单晶硅基片上制成的。
首先，晶圆材料被加热到高温，而后，源材料被引进反应室中，反应后形成气体，沉积在基片上，逐渐形成晶圆。
通常使用的材料有氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）等。
2.晶片制造：制备好的晶圆经过一系列的工艺步骤，形成具有光电特性的晶片。
首先，通过光刻工艺将光掩模模式转移到晶圆表面，并涂刮上光刻胶。
然后，经过曝光和显影等步骤，形成需要的图案。
接下来，进行离子注入，通过在晶片表面注入杂质，形成p型和n型区域。
最后，进行退火和金属化处理，形成电极等结构。
3.芯片分离：晶片制造好后，需要进行分离，得到单个的LED芯片。
常见的分离方法有机械分离、激光分离和化学分离等。
机械分离是利用切割技术，将晶圆切割成小的芯片。
激光分离采用激光切割技术，通过激光束切割晶圆。
化学分离则是利用化学溶剂将晶圆在特定区域溶解。
4.封装：经过芯片分离后，LED芯片需要进行封装，以便保护芯片、提高光效并方便使用。
封装过程包括焊接金线、填充封胶和切割芯片等步骤。
首先，在芯片表面焊接金线，为电极引出提供支持。
然后，应用透明封装材料封装芯片，填充封胶以保护芯片。
最后，对封装后的芯片进行切割，得到单个的LED器件。
5.效果测试：在整个制造过程结束后，需要对LED器件进行效果测试，包括亮度、光谱、色温等参数的测试。
这些测试旨在确保LED器件的质量，并检查是否符合规格要求。
总结：LED的制造工艺涵盖晶圆制备、晶片制造、芯片分离、封装和效果测试等步骤。
通过这些工艺步骤，LED器件得以制造和封装，最终形成可用于照明、显示等领域的高效光电器件。
led显示屏生产工艺流程
led显示屏生产工艺流程LED显示屏生产工艺流程主要包括前期准备、芯片制造、封装装配和测试等环节。
下面是一个大致的工艺流程。
1. 前期准备：选择合适的LED芯片厂商，与之合作制定产品需求和规格。
确定LED显示屏的尺寸、分辨率等参数，并设计相应的电路连接。
制定生产计划，确定生产的数量和周期。
2. 芯片制造：制造LED芯片是整个工艺流程的核心。
通过化学气相沉积技术将外延片上的材料逐层生长，形成P型和N型结构。
然后通过光刻、腐蚀、扩散等工艺，制作出LED芯片的结构。
3. 封装装配：将制造好的LED芯片封装到LED灯珠中。
首先，将LED芯片粘贴到导热底座上，并进行金线连接。
然后，在封装底座上加入透明树脂，固化形成LED灯珠。
4. 灯珠组装：将封装好的LED灯珠按照设计要求组装成LED显示屏的像素颗粒。
通过精确的组装工艺，将LED灯珠按照像素布局连接并固定在显示屏的基板上。
5. 微电子封装：将已组装好的LED显示屏的基板进行微电子封装，即在基板上覆盖一层绝缘保护层，并加上承载显示屏电路连接的基板。
6. 程序调试：在完成封装之后，对LED显示屏进行程序调试。
设置显示屏的亮度、显示效果等参数。
7. 焊接组装：将调试好的LED显示屏与控制电路连接，进行焊接组装。
通过电线连接显示屏与控制电路，确保正常的数据传输。
8. 测试和质检：对已组装好的LED显示屏进行测试和质检。
测试显示屏的正常工作、亮度、分辨率等指标是否符合要求。
质检检查显示屏的外观、电气性能等是否合格。
9. 包装和出货：将符合质检要求的LED显示屏进行包装。
根据订单要求，进行包装和标识，然后进行发货。
以上是LED显示屏生产工艺的一个大致流程。
不同厂商和不同产品可能在细节上有所差异，但整体流程大致类似。
这个工艺流程需要一系列专业的设备和工艺技术来完成，确保显示屏的质量和性能符合要求。
led制造工艺流程
led制造工艺流程LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光装置，其制造工艺流程一般包括芯片制造、封装、测试和筛选等步骤。
首先，LED芯片制造包括晶片生长和制作芯片两个主要步骤。
晶片生长是通过在金属基板上生长晶体层来制造LED芯片的过程。
常见的晶片生长方法有气相外延法（MOVPE）和分子束外延法（MBE）等。
制作芯片是在晶片的表面进行蚀刻和沉积，形成PN结构。
这包括光罩对晶片进行光刻、酸碱清洗、金属沉积等步骤。
接下来，LED芯片需要经过封装步骤。
封装是将芯片封装到具有透光性的封装材料中，保护芯片并提供光传输的功能。
首先，需要将芯片与金线进行焊接连接，形成电路。
然后，将芯片粘贴到塑料封装的导体片上，并加热固化。
最后，在芯片和导体片之间注入封装材料（通常为环氧树脂），并加热固化，形成密封的封装。
完成封装后，需要进行测试和筛选步骤。
测试是为了验证LED芯片的品质和性能。
常见的测试项目包括亮度测试、色温测试、波长测试等。
通过测试，可以将LED芯片根据其性能分为不同的等级，以便后续的应用选用。
筛选是将测试合格的LED芯片进行分级，根据其亮度和颜色特性进行分类，以满足不同应用需求。
最后，经过以上工艺流程后的LED芯片可以用于各种应用领域。
例如，LED应用于照明领域时，可以根据封装的不同形状和尺寸，制造不同形式的LED灯珠、灯管或灯带等。
LED 应用于显示屏领域时，可以封装成小尺寸的LED芯片，组合成LED显示屏，用于电子产品、广告牌等。
此外，LED还可以应用于无线通信、传感器等领域，具有广泛的应用前景。
总的来说，LED的制造工艺流程包括芯片制造、封装、测试和筛选等步骤。
通过这些工艺步骤，可以制造出具有不同性能和品质的LED芯片，广泛应用于照明、显示屏和其他领域，推动科技和工业的发展。
led灯工艺流程
led灯工艺流程LED灯工艺流程LED灯是一种新型的照明产品，具有高亮度、低能耗、长寿命等优点，因此在现代照明领域得到了广泛应用。
LED灯的制作工艺流程包括材料准备、芯片制备、封装、测试和组装等环节。
一、材料准备制作LED灯首先需要准备一些基本材料，包括LED芯片、散热器、电路板、电线等。
LED芯片是LED灯的核心部件，其质量和性能直接影响到LED灯的发光效果。
散热器用于散去LED芯片产生的热量，保证LED灯的稳定工作。
电路板是LED灯的电源和控制部分，通过电线连接各个组件。
二、芯片制备LED芯片的制备是整个工艺流程的关键环节。
制备芯片的过程可以分为晶体生长、切割、抛光和腐蚀等步骤。
晶体生长是将半导体材料以特定的方法在晶体基底上生长，形成具有特定结构和特性的晶体。
切割是将晶体切割成小块，以便后续加工。
抛光是对芯片进行表面处理，提高其光电性能。
腐蚀是通过化学方法去除芯片表面的杂质，提高芯片的纯净度。
三、封装封装是将LED芯片安装在散热器上，并用封装材料将其密封起来的过程。
封装的目的是保护LED芯片，提高其光电转换效率。
常见的封装材料有环氧树脂、硅胶等。
封装的过程可以分为焊接、固定和密封等步骤。
焊接是将LED芯片与电路板的引脚连接起来，使其能够正常工作。
固定是将LED芯片固定在散热器上，保证其稳定性。
密封是用封装材料将LED芯片包裹起来，防止灰尘和湿气对其影响。
四、测试在封装完成后，需要对LED灯进行测试，以确保其质量和性能符合要求。
测试的内容包括亮度、色温、色彩均匀度等。
亮度测试是通过光度计测量LED灯的光通量，以评估其亮度。
色温测试是通过光谱仪测量LED灯的光谱分布，以评估其色温。
色彩均匀度测试是通过光度计测量LED灯不同部位的光强度，以评估其色彩均匀度。
五、组装经过测试合格的LED灯可以进行组装。
组装的过程包括安装灯泡、电源和控制器等。
安装灯泡是将LED灯的灯珠安装在灯座上，使其能够发出光线。
LED生产流程非常详细
LED生产流程非常详细LED（Light Emitting Diode）是一种固态光源，具有高效、环保、寿命长等特点，被广泛应用于照明、显示和通信等领域。
下面将详细介绍LED的生产流程，主要包括晶片制备、封装和测试等环节。
1.晶片制备晶片是LED的核心部件，其制备是整个生产流程的第一步。
晶片制备主要包括以下几个环节：(1)材料准备：选择合适的材料，主要包括n型和p型的半导体材料，如GaN（氮化镓）、InGaN（铟镓氮化物）等。
(2)晶体生长：采用蒸发法、金属有机化学气相沉积（MOCVD）等方法，在衬底上生长出晶片材料。
(3)外延生长：通过控制温度、气氛和物料流速等条件，使晶片材料在衬底表面慢慢生长出多晶体结构。
(4)分离：将生长好的晶片从衬底上分离下来，常用的方法有折断、切割和磨蚀等。
(5)针对不同材料和工艺的晶片，还需要进行经过去背、打磨和抛光等工序，以提高晶片的光电性能和表面质量。
2.封装封装是将制备好的晶片与引线、支架等元件连接并封装在透明的封装体中，形成LED光源的过程。
(1)引线焊接：将晶片的正负极分别与引线进行焊接，以实现电气连接。
(2)芯片固定：将晶片粘贴在支架上，并使用导热胶等材料固定。
(3)封装体注射：将封装体材料（通常为透明的环氧树脂）加热至一定温度，然后通过注射工艺在晶片和支架之间形成透明的封装体。
(4)引线剪断：根据需要，将引线剪断至一定长度。
3.测试测试是LED生产流程中不可或缺的环节，通过测试可以确保LED的质量和性能符合要求。
(1)光电参数测试：测量晶片的电流电压特性、光强和颜色等光电参数，以保证其性能符合规定。
(2)寿命测试：通过对一定数量的LED进行长时间稳定工作，观察其亮度降低情况，以评估其寿命。
(3)色坐标测量：测量LED的色坐标，以确保光色的一致性。
(4)外观检查：检查LED的外观质量，如有无裂纹、气泡、灰尘等。
4.包装和出厂在测试合格后，LED进行包装，并进行严格的质量控制，最终出厂。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
点胶 在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于 GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、 黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、 绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难 点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有 详细的工艺要求。 由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银 胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的 事项。
涂粘结剂，正胶并前烘
曝 光
曝 光 后
显 影 并 坚 膜
腐 蚀
去 胶
等 离 子 去 胶 机
正胶 :腐蚀，去除被照的部分 负胶:剥离，去除被挡住的部分，后烘
刻蚀RIE和 ICP 以CF4刻蚀SiO2为例说明 刻蚀包括化学过程和物理过程，化学过程是指 反应气体与被刻蚀物质的化学反应，物理过程 是指离子在电场作用下对被刻蚀物质的物理轰 击 e* + CF4 → CF3 + F + e 4F + SiO2(s) → SiF4(g) + 2O
N电极蒸发（Al）
N电极光刻（Al）
芯片点测
划片
芯片分选
自动分选
扫描
手选
崩膜，扩膜 贴标签 计数
封装
LED的封装的任务 是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时 保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率 的作用。关键工序有装架、压焊、封装。
封装形式有Lamp-LED、 TOP-LED、SideLED、SMD-LED、High-Power-LED等。
外延片
P面工艺
反射欧姆电极蒸镀Cr/Pt73产品 (Ag) Cr不与Ag形 成欧姆接触，绝缘。Cr易氧化，粘附力差，Pt 保护Cr， CrPt互补 蒸发台: 温度 厚度 压力 功率 速度 蒸发前清洗 80℃王水煮40min冲水10min后 HCl:H2O=1:1 泡5min Ni/Ag蒸发 Ni粘附力好，但挡光，1埃 合金 P面电极图形
LAMP
食人鱼
TOP LED
大功率LED
封装工艺说明
芯片检验 镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill） 芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否 完整 扩片 由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约 0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对 粘结芯片的膜进行扩张，使LED芯片的间距拉伸到约 0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉 落浪费等不良问题。
5×InGaN/GaN多量子阱 N型导电GaN掺Si层 氮化镓(GaN)缓冲层 氮化铝(AlN)缓冲层
Silicon Substrate
3~4um 430um
Si(111)衬底
外延层主要结构：缓冲层、N型导电层、量子 阱发光层、P型导电层
外延片检测
PL机 半峰宽 主波长 台阶仪 清洗，去除有机物等BOE
压焊 压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内 外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右 图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一 点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯 断铝丝。金丝球焊过程在在压第一点前先烧个球，其 余过程类似。 压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要 需要监控的压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状， 拉力。 对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如 金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈力（钢嘴） 选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条 件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在 微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）
切筋和划片 由于LED在生产中是连在一起的（不是单个）， Lamp封装采用切筋切断LED支架的连筋。 SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机 来完成分离工作。 测试 测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时 根据客户要求对LED产品进行分选。 包装 将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静 电包装。
RIE (Reactive Ion Etching)反应离子刻蚀
ICP (Induced Coupled Plasma)
电感耦合等离子体
外延材料生长
MOCVD 记编号 放片子
反应原理、反应方程式
氨气NH3
反应管
Ga(CH3)3(v)+NH3(v)一GaN(s)+3CH4(v)
衬底 石墨支撑盘
LED制ห้องสมุดไป่ตู้工艺流程
工艺过程
氮化镓(GaN)
硅(Si)
50毫米
制造衬底 制造发光 二极管外 延片
200微米=0.2毫米
制造 芯片 40000个 一片2直径英寸的外 延片可以加工20000 多个LED芯片
封状成 成品
例如GaAs、 Al2O3 、Si、 SiC 等
例如MOCVD
上游产业： 材料的外延与生长
灌胶封装 Lamp-LED的封装采用灌胶的形式。灌封的过程是先 在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的 LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中 脱出即成型。 固化与固化后 固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在 135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 后固化 后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老 化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘结强度 非常重要。一般条件为120℃，4小时。
中游产业： 芯片制造
下游产业： 器件封装与应用
技术路线
衬底制备 外延材料生长 外延片检测
N面工艺
薄膜转移
P面工艺
芯片点测
划片
芯片分选
衬底制备
直拉法 主要包括以下几个 过程： 加料→熔化→缩颈 生长→放肩生长→ 等径生长→尾部生 长
切片 磨片
抛光
清洗:2h 光刻: 刻蚀:1h一炉(8片)
光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程(以正胶 为例)： (1) 涂光刻胶；(2) 前烘；(3) 曝光(使用光刻版掩 膜)； (4) 显影；(5) 坚膜；(6) 腐蚀；(7) 去胶
去边
（2）SiO2掩膜光刻
去边 （3）去边腐蚀
去边
（4）去Pt (P型接触层)
去边 （5）去SiO2
剥离？LLO
N面工艺
表面粗化(AFM观察) 尖的高度和大小 钝化蓝光SiON 2800埃 SiO2 N电极蒸发Al/Ti/Au 电极光刻
钝化
（1）SiN生长
钝化 （2）SiN光刻
备胶 和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在ＬＥＤ 背面电极上，然后把背部带银胶的ＬＥD安装在支 架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均 适用备胶工艺。 手工刺片 将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的 夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针 将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片 和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的 芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。
自动装架 自动装架其实是结合了粘胶（点胶）和安装芯片 两大步骤，先后在LED支架点上银胶（绝缘胶）， 然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置 在相应的支架位置上。 自动装架在工艺上主要熟悉设备操作编程，同时 对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用 上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤， 特别是蓝、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划 伤芯片表面的电流扩散层。
烧结 烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监 控，防止批次性不良。 银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小 时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。 绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须 按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品， 中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止 污染。
Reactor chamber (CH3 )3 Ga + NH3 --> GaN + 3 CH4 NH3 Substrate Susceptor H2 TMG bubbler
NH3 TMG
氢气H2 三甲基镓源 TMG
外延层结构
200nm
2nm=0.002um 8nm=0.008um
P型导电GaN掺Mg层
P型接触层蒸发合金
粘结层蒸发
粘结层光刻
压力/温度
薄膜转移
bonding
压头
石墨
双面镀金基板
外延片与基板
灌蜡 堵住沟槽，保护Ag
金锡邦定 金金邦定不牢，表面不干净，因在邦定前不能用 H2SO4泡（Ag不允许）
去Si衬底
522( HNO3:HF:冰乙酸)
N型层
去沟槽，去蜡 丙酮超声
去边(去GaN防止漏电) （1）SiO2掩膜生长