电工电子技术下册习题库分析

第九章

一、填空题

1、本征半导体自由电子浓度空穴浓度；N型半导体的自由电子浓度

空穴浓度；P型半导体的自由电子浓度空穴浓度（大于；小于；

等于）。

2、P型半导体中空穴为________载流子，自由电子为________载流子。

3、二极管最主要的电特性是，在常温下，硅二极管正向导通压降约为；锗二极管正向导通压降约为。

4、下图所示各电路中二极管为理想二极管，则VD ，（导通；截止），

U AB= 。

5、如图电路中，D1为硅二极管，D2为锗二极管，则D1处于

状态，D2处于状态。

6、若稳压二极管V1和V2的稳定电压分别为5V和

9V，求图示电路的输出电压u O（忽略二极管正向导通电压）。

图a，u

0= 图b，u

= 图c， u

=

7、判断下图所示各电路中二极管是导通还是截止，并求U AB（设二极管均为理想二极管）

图a：VD______，U AB=____。

图b：VD______，U AB=______。

二、选择题

1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于。

A、反向偏置击穿状态

B、反向偏置未击穿状态

C、正向偏置导通状态

D、正向偏置未导通状态

2、杂质半导体中的少数载流子浓度取决于_________。

A 掺杂浓度

B 工艺C温度 D 晶体缺陷

3、在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是。

A、一个

B、二个

C、四个

D、六个

4、整流的目的是。。

A、将交流变为直流

B、将高频变为低频

C、将正弦波变为方波

D、将直流变为交流

三、计算题

1、如图所示桥式整流电路，若u的波形是正弦波，试说明该电路的工作原理，并画出u o的波形。

解： u正半周，Va>Vb，二极管 1、3 导通，2、4 截止，u o=u；

u 负半周，Va

o

=-u。

波形如下图所示：

2、如图所示，

V

sin

20

i

t

uω

=，二极管是理想的，试画出u

o

波形。

解：当u i > 8V，二极管导通，可看作短路，u o = 8V u i < 8V，二极管截止，可看作开路u o = ui

第十章

一、填空题

1、 该符号表示 （PNP 、NPN ）型晶体管。其中C 为 ，

B 为 ，E 为 。

2、三极管的三个工作区域是 、 、 。

3、当三极管作为开关使用时，其工作在 区和 区。若半导体三极管发射结正偏，集电结反偏，则该三极管工作在 区。

4、晶体管工作在 区时,相当于闭合的开关;工作在 时,相当于断开的开关。

5、NPN 型晶体管处在放大状态时，三个电极以 电位高， 电位最低。

6、某晶体管的管压降U CE 不变，基极电流为30 uA 时，集电极电流等于3 mA ；这时这只晶体管的β= 。

7、三极管出现饱和失真是由于静态工作点设置偏 ；出现截止失真是由于静态工作点设置偏 ；解决截至失真的办法是将R B 调 。

二、选择题

1、射极跟随器具有_________特点。

A 、电流放大倍数高

B 、电压放大倍数高

C 、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低

D 、电流放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低

2、某NPN 型三极管的输出特性如图所示， 当U ce =6V 时，其电流放大系数β为 。

A 、β=25

B 、β=50

C 、β=100

D 、β=150

B

C E

3、测量放大电路中某三极管各电极电位分别为6V 、2.7V 、2V ，则此三极管为 。

A 、PNP 型锗三极管

B 、NPN 型锗三极管

C 、PNP 型硅三极管

D 、NPN 型硅三极管

4、PNP 型晶体三极管处于放大状态时,各级电位关系正确的是______。

A 、Vc

B 、e V

C 、c V >b V >e V

D 、c V

5、在图示电路中,设C1、C2对交流信号的影响可以忽略不计,当输入f=1KHz 的正弦电压信号后,用示波器观察i V 和Vo ,则二者的相位关系为_______。

A 、相差90º

B 、相差45º

C 、相同

D 、相差180º 6、上图共发射极电路中，电容C 1 ，C 1的作用为_______。

A 、隔直流通交流

B 、隔交流通直流

C 、保证三极管工作在放大状态

D 、没有作用 7、三极管工作于饱和状态的条件是 。

A 、发射结正偏，集电结反偏

B 、发射结正偏，集电结正偏

C 、发射结反偏，集电结正偏

D 、发射结反偏，集电结反偏

8、测得某电路中三极管各极电位分别是3V 、2.3V 、12V 则三极管的三个电极分别是（ ）。

A 、(E 、

B 、C) B 、(B 、

C 、E) C 、(B 、E 、C)

D 、(C 、B 、E) 9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（ ）。 A 、都为0 B 、相等 C 、小 D 、大 10、二极管两端电压大于( )电压时，二极管才导通。 A 、击穿电压 B 、死区 C 、饱和 D 、导通

11、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

A 、正、反向电阻相等

B 、正向电阻大 ，反向电阻小