扩散硅压阻式压力传感器的压力测量讲解
检测技术实验3 扩散硅压阻式压力传感器、电容传感器、直流激励时霍尔传感器和反射式光纤位移传感器测量实验
上海电力学院检测技术实验实验八 压阻式压力传感器的压力测量实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。
二、实验仪器压力传感器、气室、气压表、分压器、差动放大器、电压放大器、直流电压表 三、实验原理扩散硅压力传感器的工作原理如图8-1，在X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流i ，当敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当有剪切力作用时，在垂直于电流方向将会产生电场变化i E ⋅∆=ρ，该电场的变化引起电位变化，则在与电流方向垂直的两侧得到输出电压Uo 。
i d E d U O ⋅∆⋅=⋅=ρ （8-1） 式中d 为元件两端距离。
实验接线图如图8-2所示，MPX10有4个引出脚，1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V 电源、4脚为Uo-；当P1>P2时，输出为正；P1<P2时，输出为负（P1与P2为传感器的两个气压输入端所产生的压强）。
图8-1 扩散硅压力传感器原理图图8-2 扩散硅压力传感器接线图四、实验内容与步骤1． 按图8-2接好“差动放大器”与“电压放大器”，“电压放大器”输出端接数显直流电压表，选择20V 档，打开直流开关电源。
2． 调节“差动放大器”与“电压放大器”的增益调节电位器到适当位置并保持不动，用导线将“差动放大器”的输入端短接，然后调节调零电位器使直流电压表20V 档显示为零。
3． 取下短路导线，并按图8-2连接“压力传感器”与“分压器”。
4．气室的活塞退回到刻度“17”的小孔后，使气室的压力相对大气压均为0，气压计指在“零”刻度处，将“压力传感器”的输出接到差动放大器的输入端，调节Rw1使直流电压表20V档显示为零。
6．实验结束后，关闭实验台电源，整理好实验设备。
实验九扩散硅压阻式压力传感器差压测量一、实验目的了解利用压阻式压力传感器进行差压测量的方法。
二、基本原理压阻式压力传感器的硅膜片受到两个压力P1和P2作用时，由于它们对膜片产生的应力正好相反，因此作用在膜片上是△P=P1-P2，从而可以进行差压测量。
实验二 扩散硅压阻式传感器模块 d1
实验二扩散硅压阻式压力传感器实验模块2.1实验目的：实验2.1.1：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。
工作原理：是指利用单晶硅材料的压阻效应和集成电路技术制成的传感器。
单晶硅材料在受到力的作用后，电阻率发生变化，通过测量电路就可得到正比于力变化的电信号输出。
压阻式传感器用于压力、拉力、压力差和可以转变为力的变化的其他物理量（如液位、加速度、重量、应变、流量、真空度）的测量和控制。
转换原理：在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，，形成4个阻值相等的电阻条。
并将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。
平时敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡，给电桥加一个恒定电压源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。
压阻效应:当力作用于硅晶体时，晶体的晶格产生变形,使载流子从一个能谷向另一个能谷散射,引起载流子的迁移率发生变化，扰动了载流子纵向和横向的平均量，从而使硅的电阻率发生变化。
这种变化随晶体的取向不同而异，因此硅的压阻效应与晶体的取向有关。
硅的压阻效应不同于金属应变计（见电阻应变计），前者电阻随压力的变化主要取决于电阻率的变化，后者电阻的变化则主要取决于几何尺寸的变化（应变），而且前者的灵敏度比后者大50～100倍。
实验2.1.2：了解利用压阻式压力传感器进行差压测量的方法。
2.2实验设备和元件：2.2.1 实验设备：实验台所属各分离单元和导线若干。
2.2.2 其他设备：2号扩散压阻式压力传感器实验模块，14号交直流，全桥，测量，差动放大实验模块，数显单元20V，直流稳压源+5V，+_12V电源。
2.3实验内容：2.3.1扩散压阻式压力传感器一般介绍：单晶硅材料在受到外力作用产生极微小应变时（一般步于400微应变），其内部原子结构的电子能级状态会发生变化，从而导致其电阻率剧烈变化（G因子突变）。
压阻式压力传感器的压力测量实验
实验二压阻式压力传感器的压力测量实验一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。
二、基本原理：扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基片上扩散出P型或N型电阻条，接成电桥。
在压力作用下根据半导体的压阻效应，基片产生应力，电阻条的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，我们把这一变化引入测量电路，则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图一压阻式压力传感器压力测量实验三、需用器件与单元：主机箱、压阻式压力传感器、压力传感器实验模板、引压胶管。
四、实验步骤：1、将压力传感器安装在实验模板的支架上，根据图二连接管路和电路（主机箱内的气源部分，压缩泵、贮气箱、流量计已接好）。
引压胶管一端插入主机箱面板上气源的快速接口中（注意管子拆卸时请用双指按住气源快速接口边缘往内压，则可轻松拉出），另一端口与压力传感器相连。
压力传感器引线为4芯线： 1端接地线，2端为U0＋，3端接＋4V电源， 4端为Uo－，接线见图9-2。
2、实验模板上RW2用于调节放大器零位，RW1调节放大器增益。
按图9-2将实验模板的放大器输出V02接到主机箱(电压表)的Vin插孔，将主机箱中的显示选择开关拨到2V档，合上主机箱电源开关，RW1旋到满度的1／3位置(即逆时针旋到底再顺时针旋2圈)，仔细调节RW2使主机箱电压表显示为零。
3、输入气压，压力上升到4Kpa左右时调节调节Rw2（低限调节），，使电压表显示为相应的0.4V左右。
再仔细地反复调节旋钮使压力上升到19Kpa左右时调节差动放大器的增益电位器Rw1（高限调节），使电压表相应显示1.9V左右。
4、再使压力慢慢下降到4Kpa，调节差动放大器的调零电位器，使电压表显示为相应的0.400V。
再仔细地反复调节汽源使压力上升到19Kpa时调节差动放大器的增益电位器，使电压表相应显示1.900V。
5、重复步骤4过程，直到认为已足够精度时仔细地逐步调节流量计旋钮，使压力在4－19KPa之间变化，每上升3KPa气压分别读取电压表读数，将数值列于表1。
传感器实验指南
目录实验一压阻式压力传感器的特性测试实验 (2)实验二电容传感器的位移特性实验 (5)实验三直流激励线性霍尔传感器的位移特性实验 (9)实验四电涡流传感器材料分拣的应用实验 (12)实验五光纤传感器位移测量实验 (14)实验一压阻式压力传感器的特性测试实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和标定方法。
二、实验内容掌握压力传感器的压力计设计。
三、实验仪器传感器检测技术综合实验台、压力传感器实验模块、压力传感器、导线。
四、实验原理扩散硅压阻式压力传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应，在半导体受到力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，使得它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应。
一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出多个半导体电阻应变薄膜（扩散出敏感栅）组成电桥。
在压力（压强）作用下弹性元件产生应力，半导体电阻应变薄膜的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，经电桥转换成电压输出，则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图13-1为压阻式压力传感器压力测量实验原理图。
+-放大单元主台体上电压表+4V 压阻式压力传感器Vo+VS+Vo-Vs-图1-1 压阻式压力传感器压力测量实验原理五、实验注意事项1、严禁将信号源输出对地短接。
2、实验过程中不要带电拔插导线。
3、严禁电源对地短路。
六、实验步骤1、将引压胶管连接到压力传感器上，其他接线按图1-2进行连接，确认连线无误且打开主台体电源、压力传感器实验模块电源。
图1-2 压阻式压力传感器的特性测试实验接线图2、打开气源开关，调节流量计的流量并观察压力表，压力上升到4Kpa左右时，根据计算所选择的第二级电路的反馈电阻值，接好相应的短接帽；再调节调零电位器RW2，使得图1-3中Vx与计算所得的值相符；再调节增益电位器RW1，使电压表显示为0.4V左右。
（进行此步之前，请先仔细阅读：七、实验报告要求）3、再仔细地反复调节流量使压力上升到18KPa左右时，根据计算，电压表将显示1.8V 左右。
传感器实验1
实验一压阻式压力传感器的特性测试实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和标定方法。
二、实验内容掌握压力传感器的压力计设计。
三、实验仪器传感器检测技术综合实验台、压力传感器实验模块、压力传感器、导线。
四、实验原理扩散硅压阻式压力传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应，在半导体受到力变形时会暂时改变晶体结构的对称性，因而改变了半导体的导电机理，使得它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应。
一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出多个半导体电阻应变薄膜（扩散出敏感栅）组成电桥。
在压力（压强）作用下弹性元件产生应力，半导体电阻应变薄膜的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，经电桥转换成电压输出，则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图13-1为压阻式压力传感器压力测量实验原理图。
+-放大单元主台体上电压表+4V 压阻式压力传感器Vo+VS+Vo-Vs-图13-1 压阻式压力传感器压力测量实验原理五、实验注意事项1、严禁将信号源输出对地短接。
2、实验过程中不要带电拔插导线。
3、严禁电源对地短路。
六、实验步骤1、将引压胶管连接到压力传感器上，其他接线按图13-2进行连接，确认连线无误且打开主台体电源、压力传感器实验模块电源。
图13-2 压阻式压力传感器的特性测试实验接线图2、打开气源开关，调节流量计的流量并观察压力表，压力上升到4Kpa 左右时，根据计算所选择的第二级电路的反馈电阻值，接好相应的短接帽；再调节调零电位器RW2，使得图13-3中Vx 与计算所得的值相符；再调节增益电位器RW1，使电压表显示为0.4V 左右。
（进行此步之前，请先仔细阅读：七、实验报告要求）3、再仔细地反复调节流量使压力上升到18KPa 左右时，根据计算，电压表将显示1.8V 左右。
4、重复步骤2和3过程，直到认为已足够精度时调节流量计使压力在4~18KPa 之间，每上升1Kpa 气压分别读取电压表读数，将数值列于表3。
实验七 扩散硅压阻式压力传感器压力实验
自动化与电气工程类基础实验实验报告实验名称：压力传感器、电容式传感器实验指导老师：雷璐宁班级：智能电网0861202班成员：彭伟平2012212822、吴志辉2012212807实验七 扩散硅压阻式压力传感器压力实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。
二、实验仪器压力传感器、气室、气压表、差动放大器、电压放大器、电压温度频率表 三、实验原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，可以制备各种压力传感器。
摩托罗拉公司设计出X 形硅压力传感器，如图7-1所示，在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。
将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。
扩散硅压力传感器的工作原理如图7-1，在X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流i ，当敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当有剪切力作用时（本实验采用改变气室内的压强的方法改变剪切力的大小），在垂直于电流方向将会产生电场变化i E ⋅∆=ρ，该电场的变化引起电位变化，则在与电流方向垂直的两侧得到输出电压Uo 。
i d E d U O ⋅∆⋅=⋅=ρ （7-1） 式中d 为元件两端距离。
实验接线图如图7-2所示，MPX10有4个引出脚，1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V 电源、4脚为Uo-；当P1>P2时，输出为正；P1<P2时，输出为负（P1与P2为传感器的两个气压输入端所产生的压强）。
图7-1 扩散硅压力传感器原理图图7-2 扩散硅压力传感器接线图四、实验内容与步骤1． 按图7-2接好“差动放大器”与“电压放大器”，“电压放大器”输出端接电压温度频率表（选择U ，20V 档），打开直流电源开关。
（将“2~20V 直流稳压电源”输出调为5V）2．调节“差动放大器”与“电压放大器”的增益调节电位器到中间位置并保持不动，用导线将“差动放大器”的输入端短接，然后调节调零电位器使电压温度频率表显示为零。
实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验
实验一扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验实验目的：1. 熟悉扩散硅压阻式压力传感器的工作原理和特性。
2. 了解扩散硅压阻式压力传感器的使用方法和注意事项。
3. 利用扩散硅压阻式压力传感器进行压力测量实验。
实验器材：1. 扩散硅压阻式压力传感器2. 数字万用表3. 压力泵4. 接线板、导线等实验原理：扩散硅压阻式压力传感器是利用扩散硅作为敏感元件的压力传感器。
当扩散硅受到外界压力作用时，会产生微小的形变，从而改变扩散硅的电阻值。
通过电路对电阻值的变化进行放大和处理，最终转换成电压信号作为输出，实现压力的测量。
实验步骤：1. 将扩散硅压阻式压力传感器连接到接线板上，注意仔细阅读连接图并正确连接。
2. 将数字万用表连上扩散硅压阻式压力传感器的输出端口，选择电压测量档位，并将数显切换为直流电压。
3. 将压力泵连接到扩散硅压阻式压力传感器的压力输入端口，打开压力泵。
4. 按照设定步骤开始进行实验，观察和记录压力泵的压力输出值以及扩散硅压阻式压力传感器的电压输出值。
5. 在测量结束后，关闭压力泵，并将扩散硅压阻式压力传感器从电路中拆开。
实验结果分析：通过扩散硅压阻式压力传感器测量实验，我们能够得出被测压力值和输出电压值之间的关系。
由于具有较好的灵敏度和稳定性，扩散硅压阻式压力传感器被广泛应用于压力测量领域，如航空、采矿、化工、医疗等领域。
注意事项：1. 在进行实验前，必须确认设备和电路是否连接正确，避免短路或其他故障发生。
2. 在使用压力泵时，应注意安全防范措施，避免压力泵爆炸等危险事件发生。
3. 在电路连接和处理信号时，应注意干扰和噪声的影响，保证测量精度的准确性。
4. 在实验过程中，如有异常情况发生应及时停止实验，并排除故障，确保实验结果可靠有效。
扩散硅压力传感器原理
扩散硅压力传感器原理扩散硅压力传感器是一种常用的压力测量装置，它利用硅材料的特性来实现对压力的测量。
扩散硅压力传感器的原理是利用硅材料的压阻效应来实现对压力的测量，其工作原理如下：1. 压力传感器的结构。
扩散硅压力传感器通常由硅芯片、导电膜和封装壳体组成。
硅芯片是传感器的核心部件，它通常采用单晶硅制成，具有良好的机械性能和化学稳定性。
导电膜是用于测量电阻值的部件，它通常采用金属材料制成，能够与硅芯片形成良好的电接触。
封装壳体则用于保护传感器内部结构，同时也可以起到固定和连接的作用。
2. 压力传感器的工作原理。
当外界施加压力到传感器上时，硅芯片会产生微小的变形，这种变形会导致硅芯片内部应力的变化，从而改变硅芯片的电阻值。
导电膜可以通过测量硅芯片的电阻值来间接测量外界施加到传感器上的压力大小。
传感器内部的电路会将电阻值转换为相应的电压信号，然后输出给外部的测量设备进行显示和记录。
3. 压力传感器的特点。
扩散硅压力传感器具有灵敏度高、稳定性好、响应速度快、温度影响小等特点。
由于硅材料的优良特性，使得扩散硅压力传感器在工业自动化控制、航空航天、医疗器械等领域得到广泛应用。
4. 压力传感器的应用。
扩散硅压力传感器广泛应用于各种压力测量场合，如液压系统、气动系统、汽车制动系统、工业流体控制系统等。
在这些应用场合中，扩散硅压力传感器能够准确、稳定地测量各种压力信号，并将其转换为标准的电信号输出，为工程控制和管理提供了重要的数据支持。
总结，扩散硅压力传感器是一种应用广泛的压力测量装置，其原理简单清晰，具有灵敏度高、稳定性好等特点，适用于各种工业领域的压力测量和控制。
随着科技的不断发展，扩散硅压力传感器的性能将会进一步提升，应用领域也会更加广泛。
扩散硅压力传感器 压阻效应原理
扩散硅压力传感器压阻效应原理引言：扩散硅压力传感器是一种常用的压力测量设备，通过利用硅片的压阻效应来实现对压力的测量。
本文将详细介绍扩散硅压力传感器的原理和工作过程，以期帮助读者更好地理解和应用这一技术。
一、压阻效应的基本原理扩散硅压力传感器基于压阻效应，即当硅片受到外力作用时，其电阻值会发生变化。
这是因为硅片的电阻与其几何形状和材料导电特性有关，当外力作用于硅片表面时，硅片发生变形，从而改变了其几何形状和材料导电特性，进而导致电阻值的变化。
利用这一原理，我们可以通过测量硅片电阻值的变化来间接测量外力的大小。
二、扩散硅压力传感器的结构和工作原理扩散硅压力传感器通常由硅片、电极和支撑结构等组成。
硅片是传感器的核心部件，也是扩散硅压力传感器的灵敏元件。
电极用于接触硅片并测量其电阻值的变化。
支撑结构则用于固定硅片和电极，保证传感器的稳定性和可靠性。
当外界压力作用于扩散硅压力传感器时，压力会传递给硅片，并使其发生微小的变形。
这一变形会导致硅片的电阻值发生变化。
电阻值的变化可以通过电极测量得到，并转化为电信号输出。
由于硅片的变形与外界压力成正比，所以通过测量电阻值的变化，我们可以间接地获得外界压力的大小。
三、扩散硅压力传感器的优势和应用领域扩散硅压力传感器具有以下几个优势：1. 高灵敏度：扩散硅压力传感器对压力变化非常敏感，能够测量微小的压力变化。
2. 宽测量范围：扩散硅压力传感器的测量范围广，可以覆盖从几帕到几千帕的压力范围。
3. 高精度：扩散硅压力传感器的精度较高，能够满足对压力测量的精确要求。
4. 快速响应：扩散硅压力传感器的响应速度快，可以实时监测压力变化。
扩散硅压力传感器广泛应用于各个领域，包括工业自动化控制、汽车电子、医疗器械、环境监测等。
例如，在汽车电子领域，扩散硅压力传感器可以用于测量发动机燃油压力、轮胎气压等参数，以提高汽车的安全性和燃油利用率。
在医疗器械领域，扩散硅压力传感器可以用于测量血压、呼吸机气道压力等，以辅助医生进行诊断和治疗。
实验报告
6、电涡流位移传感器
7、数字万用表
四、实验内容及步骤
（一）、YD-1型压电式加速度传感器灵敏度标定
1、将加速度传感器用M5螺丝头固定在校准仪振动台面上。
注意：安装传感器时应使用传感器固定扳手，以防损坏校准仪振动台弹簧。
2、将被标定的加速度传感器与电荷放大器的输入端连接；将电荷放大器的输出端与数字万用表的交流电压输入连接；输入电压一般应小于2V。
8、根据电荷放大器输出电压的实测值和电荷放大器在输入加速度为 时的标准输出电压值，即可计算出被测传感器的标定误差。
9、加速度传感器实际电荷灵敏度标定值为：
式中： ————电荷放大器输出电压峰值（mV）；
————电荷放大器灵敏度设定旋纽设定值 ；
————校准台振动加速度输出幅值 ；
————电荷放大器输出增益值 。
2、动态标定
1）、将测试台面、电涡流传感器固定支架、传感器固定套及电涡流传感器依次固定在校准仪控制面上。
2）、将电涡流传感器、前置器、示波器及数字万用表正确连接。
3）、将前置器电源连接线端子与-24V电源正确连接。
实验十九 涡流传感器的位移特性试验
一、实验目的
1、了解涡流式传感器的基本结构。
2、掌握涡流式传感器的工作原理及性能。
二、实验所用单元
涡流式传感器和铁片、涡流式传感器转换电路板、直流稳压电源、数字电压表、位移台架。
三、实验原理及电路
通过高频电流的线圈产生磁场，当有导体接近时，因导电体涡流效应产生涡流损耗，引起线圈的电感发生变化。而涡流损耗与导电体离线圈的距离有关，因此可以进行位移测量。
2.64
2.84
3.06
3.27
3.48
压阻式压力传感器的压力测量实验
实验二压阻式压力传感器的压力测量实验一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。
二、基本原理：扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基片上扩散出P型或N型电阻条，接成电桥。
在压力作用下根据半导体的压阻效应，基片产生应力，电阻条的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，我们把这一变化引入测量电路，则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图一压阻式压力传感器压力测量实验三、需用器件与单元：主机箱、压阻式压力传感器、压力传感器实验模板、引压胶管。
四、实验步骤：1、将压力传感器安装在实验模板的支架上，根据图二连接管路和电路（主机箱内的气源部分，压缩泵、贮气箱、流量计已接好）。
引压胶管一端插入主机箱面板上气源的快速接口中（注意管子拆卸时请用双指按住气源快速接口边缘往内压，则可轻松拉出），另一端口与压力传感器相连。
压力传感器引线为4芯线： 1端接地线，2端为U0＋，3端接＋4V电源， 4端为Uo－，接线见图9-2。
2、实验模板上R W2用于调节放大器零位，RW1调节放大器增益。
按图9-2将实验模板的放大器输出V02接到主机箱(电压表)的Vin插孔，将主机箱中的显示选择开关拨到2V档，合上主机箱电源开关，RW1旋到满度的1／3位置(即逆时针旋到底再顺时针旋2圈)，仔细调节RW2使主机箱电压表显示为零。
3、输入气压，压力上升到4K pa左右时调节调节R w2（低限调节），，使电压表显示为相应的0.4V左右。
再仔细地反复调节旋钮使压力上升到19Kpa左右时调节差动放大器的增益电位器Rw1（高限调节），使电压表相应显示1.9V左右。
4、再使压力慢慢下降到4K pa，调节差动放大器的调零电位器，使电压表显示为相应的0.400V。
扩散硅压力传感器 压阻效应原理
扩散硅压力传感器压阻效应原理一、概述扩散硅压力传感器是一种常用的压力传感器，利用压阻效应来测量被测介质的压力。
它通过硅晶圆的扩散过程来形成感应区结构，实现对压力的测量。
本文将详细介绍扩散硅压力传感器的原理、工作过程及其应用领域。
二、扩散硅压力传感器的原理1. 压阻效应压阻效应，即电阻随着外界压力的变化而产生相应的变化。
在扩散硅压力传感器中，利用硅的特性，通过改变其电阻来实现对压力的测量。
当硅受到外界压力作用时，硅晶体结构变形，导致电阻发生变化。
2. 硅晶体结构硅晶体是一个具有晶体结构的材料，其晶格结构规则有助于实现对压力的测量。
硅晶体具有一个晶格常数，当受到外力作用时，晶格常数会发生变化，从而导致电阻发生变化。
三、扩散硅压力传感器的工作过程1.制备硅衬底：将硅材料制备成平整的硅衬底。
2.制备扩散层：在硅衬底上涂敷扩散层材料，保持一定的温度和时间，使扩散层与硅衬底发生化学反应，形成感应区。
3.电极连接：在感应区的两侧分别连接金属电极，形成电路。
4.封装封装扩散硅片：将扩散硅片封装在外壳中，以提供保护和稳定的环境。
5.通电测量：当外界压力作用于扩散硅片时，电阻发生变化，通过电路测量电阻变化，即可得到压力值。
四、扩散硅压力传感器的应用领域•工业控制领域：扩散硅压力传感器广泛应用于自动化生产中的压力测量，如汽车制造、机械制造、石油化工等领域。
•医疗领域：扩散硅压力传感器可用于医疗设备中，如呼吸机、血压计等，用于测量患者的生理参数。
•环境监测领域：扩散硅压力传感器可应用于大气压力、液位、水位等的测量，用于环境监测和天气预报等领域。
五、使用扩散硅压力传感器需要注意的问题1.温度影响：扩散硅压力传感器的工作需要考虑温度的影响，温度变化会导致电阻变化，需要进行温度补偿。
2.脆弱性：扩散硅压力传感器的感应区较为脆弱，需要进行适当的防护或结构设计，以避免损坏。
六、总结扩散硅压力传感器利用压阻效应原理，通过感应区的电阻变化来测量压力。
硅压阻式原理是如何测压的？
硅压阻式原理是如何测压的？硅压阻扩散硅压力传感器采用高精度半导体电阻应变片组成的惠斯通电桥作为力电转换的测量电路，具有测量精度高、功耗低、成本极低的特点。
查尔斯·惠斯通生于1802年2月6日，是英国物理学家。
他首次使用惠斯通电桥精确测量电阻，这在实验室中得到广泛应用，然后到了今天，惠斯通已经被广发应用在多个类型的压力变送器中，也成就了压阻式压力变送器今时今日在传感器领域的地位。
四个电阻R1、R2、R3、R4连成四边形，称为电桥的四个臂。
四边形的一个对角线连有检流计，称为“桥”；四边形的另一对角线接上电源，称为电桥的“电源对角线”。
E为线路中供电电源，需要用到直流稳压电源，电压可在0-30V之间调节。
一般的扩散硅压力芯体都是刻蚀在扩散硅压力变送器周围固定的圆形应力杯的硅薄膜内壁上四块精制半导体应变片，从而形成惠斯通测量桥，通过这个惠斯通电桥的转化，直接将压力所带来的电阻值变化转换成对应关系的电压值。
它的测量精度最高可达±0.075%FS，一般常规的扩散硅压力芯体也有±0.2%FS到±0.5%FS的精度，完全足以应付当下工业生产中对压力测量精度的要求。
硅压阻扩散硅压力传感器的上下层均为玻璃体，中间层为硅片。
硅片中部会做成如同茶杯一样的结构，一般业内称之为硅杯，应力硅膜上部是一个空腔，这里的压力环境决定了压力变送器所测量的压力类型是怎样的。
例如一般的表压压力变送器，在生产制作时会将这个空腔与压力变送器外部环境连通，这时空腔的压力其实就是外部真实环境的大气压。
又例如绝对压力变送器，当我们希望压力值是以一个标准大气压力值为参考压力值时，这个空腔就会被制作成密封腔，人为地灌注一个标准大气压值。
在应力硅膜与真空腔接触的一侧通过光刻形成电阻应变计桥电路。
当外界压力通过压力腔进入传感器的硅杯时，应力硅膜在外力作用下会略微凸起，产生弹性变形。
结果，四个电阻应变计的电阻将发生变化，破坏惠斯通电桥原有电路的平衡，电桥将输出与压力成比例的电压信号。
(2021年整理)压阻式压力传感器测量压力特性实验
压阻式压力传感器测量压力特性实验编辑整理：尊敬的读者朋友们：这里是精品文档编辑中心，本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的，发布之前我们对文中内容进行仔细校对，但是难免会有疏漏的地方，但是任然希望（压阻式压力传感器测量压力特性实验）的内容能够给您的工作和学习带来便利。
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压阻式压力传感器测量压力特性实验一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和标定方法。
二、基本原理:扩散硅压阻式压力传感器的工作机理是半导体应变片的压阻效应,在半导体受力变形时会暂时改变晶体结构的对称性,因而改变了半导体的导电机理,使得它的电阻率发生变化，这种物理现象称之为半导体的压阻效应 .一般半导体应变采用N型单晶硅为传感器的弹性元件，在它上面直接蒸镀扩散出多个半导体电阻应变薄膜(扩散出P型或N型电阻条)组成电桥.在压力（压强）作用下弹性元件产生应力，半导体电阻应变薄膜的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，经电桥转换成电压输出，则其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
图为压阻式压力传感器压力测量实验原理图。
压阻式压力传感器压力测量实验原理三、需用器件与单元：主机箱中的气压表、气源接口、电压表、直流稳压电源±15V、±2V~±10V（步进可调）；压阻式压力传感器、压力传感器实验模板、引压胶管。
四、实验步骤：1、按示意图安装传感器、连接引压管和电路:将压力传感器安装在压力传感器实验模板的传感器支架上；引压胶管一端插入主机箱面板上的气源的快速接口中（注意管子拆卸时请用双指按住气源快速接口边缘往内压，则可轻松拉出）,另一端口与压力传感器相连；压力传感器引线为4芯线(专用引线）,压力传感器的 1端接地，2端为输出Vo＋,3端接电源＋4V,4端为输出Vo－.具体接线见下图。
扩散硅压阻式压力传感器介绍
真空表压传感器的输出信号为双极性，所以信号处理较复杂。
扩散硅压阻式压力传感器压力类型介绍Ⅱ
• 密封表压 Sealed(S)
密封表压的测量参考点为背压腔里的密封标准 大气压。其测量原理如右图所示：
优点：不需要外接导气管，使用方便。 缺点：当标定地点和使用地点的大气压差别较大时，
会对传感器的输出产生一定的影响。
扩散硅压阻式压力传感器压力类型介绍Ⅲ
• 差压 Differential(D)
差压是测量两个压力的差值，此类传感器有两个 引压腔，通常被称为正压腔（高压腔）和负压腔（低 压腔），当负压腔通大气时，其功能同表压传感器。 其测量原理如右图所示：
优点：可以允许较高的共模压力。 缺点：使用及维护稍复杂。
• 响应时间：在0psi到FSS压力变化中，从10%上升到90%
所用的时间。
• 相应频率：响应时间的倒数。
扩散硅压阻式压力传感器量程Ⅰ
19系列不锈钢传感器（单位：PSI）
额定量程 0-3 0-5 0-10 0-15 0-30 0-50
0-100 0-200 0-300 0-500
最大工作压力 9 15 30 45 90
注：本PPT后续介绍的内容皆以Honeywell（13/19系列）不锈钢压力传感器为 例进行介绍。
扩散硅压阻式压力传感器内部结构图 • 扩散硅压阻式压力传感器内部结构图如下：
扩散硅压阻式压力传感器压力类型
• 扩散硅压阻式压力传感器压力类型：
普通表压 Gage(G) 密封表压 Sealed(S) 真空表压 Vacuum Gage(V) 差压 Differential(D) 绝压 Absolute(A)
扩散硅压阻式压力传感器的压力测量讲解
传感器课程设计报告题目：扩散硅压阻式压力传感器的差压测量专业班级：BG1003姓名：桑海波时间：2013.06.17~2013.06.21指导教师：胥飞2013年6月21日摘要本文介绍一种以AT89S52单片机为核心，包括ADC0809类型转换器的扩散硅压阻式压力传感器的差压测量系统。
简要介绍了扩散硅压阻式压力传感器电路的工作原理以及A/D变换电路的工作原理，完成了整个实验对于压力的采样和显示。
与其它类型传感器相比，扩散硅压阻式电阻应变式传感器有以下特点：测量范围广，精度高，输出特性的线性好，工作性能稳定、可靠，能在恶劣的化境条件下工作。
由于扩散硅压阻式压力传感器具有以上优点，所以它在测试技术中获得十分广泛的应用。
关键字：扩散硅压阻式压力传感器，AT89S52单片机，ADC0809，数码管目录1.引言 (1)1.1课题开发的背景和现状 (1)1.2课题开发的目的和意义 (1)2.设计方案 (2)2.1设计要求 (2)2.2设计思路 (2)3.硬件设计 (3)3.1电路总框图 (3)3.2传感器电路模块 (3)3.3A/D变换电路模块 (4)3.4八段数码管显示 (8)3.5AT89S52单片机 (9)3.6硬件实物 (12)4.实验数据采集及仿真 (13)4.1数据采集及显示 (13)4.2实验数据分析 (13)5.程序设计 (16)5.1编程软件调试 (16)5.2软件流程图 (17)5.3程序段 (18)6.结果分析 (19)7.参考文献 (20)1.引言1.1 课题开发的背景和现状传感器是一种能够感受规定的被测量的信息，并按照一定规律转换成可用输出信号的的器件或装置，通常由敏感元件、转换元件、测量电路三部分组成。
传感器技术是现代信息技术的三大支柱之一，其应用的数量和质量已被国际社会作为为衡量一个国家智能化、数字化、网络化的重要标志。
近年来，随着国家资金投入大的增加，我国压阻式传感器有了较快的发展，某些传感器如矩形双岛膜结构的6KPa微压传感器的性能甚至优于国外，其非线性滞后、重复性均小于5×10-4FS，分辨率优于20Pa，具有较高的过压保护范围以及可靠性。
实验七 压阻式压力传感器的压力测量实验
实验七 压阻式压力传感器的压力测量实验一．实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理和方法。
二．基本原理扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基片上扩散出P 型或N 型电阻条，接成电桥。
在压力作用下根据半导体的压阻效应，基片产生应力，电阻条的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，我们把这一变化引入测量电路，其输出电压的变化反映了所受到的压力变化。
三．需用器件与单元压力源（已在主控箱）、压力表、压阻式压力传感器、CGQ -002压力传感器实验模块、流量计、连接导管、电压表、直流稳压源±4V 、±15V 。
四．实验步骤1．根据图2-1连接管路和电路，主控箱内的气源部分，压缩泵、贮气箱、流量计已接好。
将硬管一端插入主控板上的气源快速插座中（注意管子拉出时请用手按住气源插座边缘往内压，则硬管可轻松拉出）。
另一端软导管与压力传感器接通。
这里选用的差压传感器两只气咀中，靠右边一只为高压嘴，另一只为低压嘴。
本实验模块连接见图2-2，压力传感器储气箱压缩泵220ACK3调气阀 快速接头三通压力传感器显示单元处理电路低压端 高压端主控箱内部外接部分流量计单相阀图2-1 压阻式压力传感器测量系统压力显示有4端：3端VS接+4V电源，1端接地线，2端为V o+，4端为V o-。
1、2、3、4端顺序排列见图2-2。
图2-2 压力传感器压力实验接线图2．实验模块接入模块电源±15V（从主控箱引入），检查无误后，合上主控箱电源开关。
实验模块上Rw2用于调节零位，Rw1可调节放大倍数，按图2-2接线，模块的放大器输出V o2引到主控箱电压表表的V i插座。
将显示选择开关拨到20V档，反复调节Rw2（Rw1旋到满度的1/3）使电压表表显示为零。
3．先松开流量计下端进气口调气阀的旋钮，开通流量计。
4．合上主控箱上的气源开关，启动压缩泵，此时可看到流量计中的滚珠浮子向上浮起悬于玻璃管中。
5．逐步关小流量计旋钮，使标准压力表指示某一刻度。
扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验讲解
实验四扩散硅压阻式压力传感器的压力测量实验一、实验目的：了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。
二、实验仪器压力传感器模块、温度传感器模块、数显单元、直流稳压源+4V、±15V。
三、实验原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，，形成4个阻值相等的电阻条。
并将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。
平时敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当传感器受压后芯片电阻发生变化，电桥将失去平衡，给电桥加一个恒定电压源，电桥将输出与压力对应的电压信号，这样传感器的电阻变化通过电桥转换成压力信号输出。
四、实验内容与步骤1.扩散硅压力传感器MP×10已安装在压力传感器模块上，将气室1、2的活塞退到20ml处，并按图4-1接好气路系统。
其中P1端为正压力输入、P2端为负压力输入，P×10有4个引出脚，1脚接地、2脚为 Uo＋、3脚接+5V电源、4脚为Uo ﹣；当P1＞P2时，输出为正；当P1＜P2时，输出为负。
2.检查气路系统，分别推进气室1、2的两个活塞，对应的气压计有显示压力值并能保持不动。
3. 接入+4V、±15V直流稳压电源，模块输出端Uo2接控制台上数显直流电压表，选择20V档，打开实验台总电源。
4. 调节Rw2到适当位置并保持不动，用导线将差动放大器的输入端Ui短路，然后调节Rw3使直流电压表200mV档显示为零，取下短路导线。
5. 退回气室1、2的两个活塞，使两个气压计均指在“零”刻度处，将MP×10的输出接到差动放大器的输入端Ui，调节Rw1使直流电压表200mv档显示为零。
6. 保持负压力输入P2压力零不变，增大正压力输入P1的压力，每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。
直到P1的压力达到0.095Mpa；填入表4-1。
P(KPUo2(V7. 保持正压力输入P1压力0.095Mpa不变，增大负压力输入P2的压力，每隔0.005Mpa记下模块输出Uo2的电压值。
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传感器课程设计报告题目：扩散硅压阻式压力传感器的差压测量专业班级：BG1003姓名：桑海波时间：2013.06.17~2013.06.21指导教师：胥飞2013年6月21日摘要本文介绍一种以AT89S52单片机为核心，包括ADC0809类型转换器的扩散硅压阻式压力传感器的差压测量系统。
简要介绍了扩散硅压阻式压力传感器电路的工作原理以及A/D变换电路的工作原理，完成了整个实验对于压力的采样和显示。
与其它类型传感器相比，扩散硅压阻式电阻应变式传感器有以下特点：测量范围广，精度高，输出特性的线性好，工作性能稳定、可靠，能在恶劣的化境条件下工作。
由于扩散硅压阻式压力传感器具有以上优点，所以它在测试技术中获得十分广泛的应用。
关键字：扩散硅压阻式压力传感器，AT89S52单片机，ADC0809，数码管目录1.引言 (1)1.1课题开发的背景和现状 (1)1.2课题开发的目的和意义 (1)2.设计方案 (2)2.1设计要求 (2)2.2设计思路 (2)3.硬件设计 (3)3.1电路总框图 (3)3.2传感器电路模块 (3)3.3A/D变换电路模块 (4)3.4八段数码管显示 (8)3.5AT89S52单片机 (9)3.6硬件实物 (12)4.实验数据采集及仿真 (13)4.1数据采集及显示 (13)4.2实验数据分析 (13)5.程序设计 (16)5.1编程软件调试 (16)5.2软件流程图 (17)5.3程序段 (18)6.结果分析 (19)7.参考文献 (20)1.引言1.1 课题开发的背景和现状传感器是一种能够感受规定的被测量的信息，并按照一定规律转换成可用输出信号的的器件或装置，通常由敏感元件、转换元件、测量电路三部分组成。
传感器技术是现代信息技术的三大支柱之一，其应用的数量和质量已被国际社会作为为衡量一个国家智能化、数字化、网络化的重要标志。
近年来，随着国家资金投入大的增加，我国压阻式传感器有了较快的发展，某些传感器如矩形双岛膜结构的6KPa微压传感器的性能甚至优于国外，其非线性滞后、重复性均小于5×10-4FS，分辨率优于20Pa，具有较高的过压保护范围以及可靠性。
但是就总体而言，我国压阻式传感器的研究，在产量和批量封装等方面还存在不足，精度、可靠性、重复性尚待提高，离市场需求级国际水平还有较大差距。
1.2 课题开发的目的和意义日常生活和生产中，我们常常想了解温度、流量、压力、位移、角度等一系列参数，压力传感器技术在诸多领域中相对而言最为成熟。
根据工作原理的不同，压力传感器通常可以分为机械膜片、硅膜片电容性、压电性、应变性、光纤、霍尔效应、压阻式压力传感器等。
压阻式传感器又包括扩散硅型和应变片型传感器，扩散硅压阻式传感器由于具有结构简单、可微型化、输出信号大、精度高、分辨率高、频响高、低功耗、体积小、工作可靠等突出特点而在压阻式压力传感器市场中占据更大的份额。
2.设计方案2.1设计要求1．了解扩散硅压阻式压力传感器的工作原理；2．掌握扩散硅压阻式压力传感器调理电路和AD转换；3．了解非线性特性和其校正方式；4．使用单片机读取转换值并显示。
2.2设计思路利用全桥测量原理，通过对电路输出电压和标准压强的线性关系，建立具体的数学模型，将电压量的变化改为压力的变化，即可以测出一定范围内的压力值。
其中测量电路中最主要的元器件就是扩散硅压阻式压力传感器。
本设计采用全桥测量电路，使系统产生的误差更小，输出的数据更精确。
而运算放大电路的作用就是把传感器输出的微弱的模拟信号进行一定倍数的放大，以满足A/D转换器对输入信号电平的进行各种转换处理的要求。
ADC0809 的A/D转换作用是把模拟信号转变成数字信号，进行模数转换，然后把数字信号输送到显示电路中去，由六位八段数码管显示出测量结果。
3.硬件设计3.1电路总框图该扩散硅压阻式压力传感器实验，采用筒式压力传感器，输出信号通过AD 转换器实现模拟到数字的转换，再经过89C51芯片，在LED数码管显示所要的结果。
总的电路构建框图如下。
图3.1基于MCS-51单片机为核心压力传感器实验构建框图3. 2传感器电路模块扩散硅压阻式压力传感器在单晶硅的基片上扩散出P型或N型电阻条，接成电桥。
在压力作用下根据半导体的压阻效应，基片产生应力，电阻条的电阻率产生很大变化，引起电阻的变化，我们把这一变化引入测量电路，输出电压的变化即反映了其所受到的压力变化。
图3.2扩散硅压阻式压力传感器扩散硅压力传感器工作原理：被测介质的压力直接作用于传感器的膜片上（不锈钢或陶瓷），使膜片产生与介质压力成正比的微位移，使传感器的电阻值发生变化，和用电子线路检测这一变化，并转换输出一个对应于这一压力的标准测量信号。
扩散硅压力传感器内部结构简图如下：1-低压腔2-高压腔3-硅杯4-引线5-硅膜片图3.3结构简图3. 3 A/D变换电路模块ADC芯片型号很多，在精度、速度和价格方面千差万别、，较为常见的ADC主要有逐次逼近型、双积分型和电压—频率变换型三种。
这里我们选用逐次逼近型，即ADC0809。
它由±5V电源供电，片内带有锁存功能的8路模拟多路开关，片内具有多路开关的地址译码器和锁存电路、高阻抗斩波器、稳定的比较器，256Ω电阻T型网络和树状电子开关以及逐次逼近寄存器。
输出具有TTL三态锁存缓冲器，可直接接到单片机数据总线上。
通过适当的外接电路，ADC0809可对0V～5V的双极性模拟信号进行转换。
ADC0809是28脚双列直插式封装，引脚图如图3-3 所示。
各引脚功能说明如下：2-1～2-8：8位数字量输出引脚，由最低引脚到最高引脚。
IN0—IN7:8路模拟量输入引脚。
V：+5V工作电压。
CCGND：地。
REF（+）：参考电压正端。
REF（—）：参考电压负端。
START：A/D转换启动信号输入端。
ALE：地址锁存允许信号输入端。
以上两个信号用于启动A/D转换。
EOC：转换结束信号输出引脚。
开始转换时为低电平，转换结束时为高电平。
OE：输出允许控制端。
用以打开三态数据输出锁存器。
CLK：时钟信号输入端。
ADDA、ADDB、ADDC：地址输入线。
经译码后可选通IN0—IN7 8个通道的一个通道进行转换。
图3.4 ADC0809引脚图ADC0809的内部逻辑结构图如下图所示：图3.5 ADC0809的内部逻辑结构图图中多路开关可选通8个模拟通道，允许8路模拟量分时输入，共用一个A/D转换器进行转换，这是一种经济的多路数据采集方法地址锁存与译码电路完成对ABC 3个地址位进行锁存和译码，其译码输出用于通道选择，其转换结果通过三态输出锁存器存放输出，因此可以直接与系统数据总线相连，传感器桥路输出的电压经过比例变换后转换成二进制码的形式送入P0口。
其程序框图如下：图3.6A/D转换电路程序框图3. 4 八段数码管显示图3.7显示电路图经过单片机P0输出的八位二进制码，变换成BCD码，在数码管上显示。
经过段选信号和位选信号的控制，最后在相应数码管上显示出相应的压力值。
程序框图如下：3. 5 AT89S52单片机本实验采用AT89S52单片机，其管脚图如下：图3.9 AT89S52管脚图其管脚功能如下：VCC：AT89S52电源正端输入，接+5V。
VSS：电源地端。
XTAL1：单芯片系统时钟的反相放大器输入端。
XTAL2：系统时钟的反相放大器输出端，一般在设计上只要在 XTAL1 和XTAL2 上接上一只石英振荡晶体系统就可以动作了，此外可以在两引脚与地之间加入一20PF 的小电容，可以使系统更稳定，避免噪声干扰而死机。
RESET：AT89S52的重置引脚，高电平动作，当要对晶片重置时，只要对此引脚电平提升至高电平并保持两个机器周期以上的时间，AT89S51便能完成系统重置的各项动作，使得内部特殊功能寄存器之内容均被设成已知状态，并且至地址0000H处开始读入程序代码而执行程序。
EA/Vpp："EA"为英文"External Access"的缩写，表示存取外部程序代码之意，低电平动作，也就是说当此引脚接低电平后，系统会取用外部的程序代码（存于外部EPROM中）来执行程序。
因此在8031及8032中，EA引脚必须接低电平，因为其内部无程序存储器空间。
如果是使用 8751 内部程序空间时，此引脚要接成高电平。
此外，在将程序代码烧录至8751内部EPROM时，可以利用此引脚来输入21V的烧录高压（Vpp）。
ALE/PROG：ALE是英文"Address Latch Enable"的缩写，表示地址锁存器启用信号。
AT89S52可以利用这支引脚来触发外部的8位锁存器（如74LS373），将端口0的地址总线（A0～A7）锁进锁存器中，因为AT89S52是以多工的方式送出地址及数据。
平时在程序执行时ALE引脚的输出频率约是系统工作频率的1/6，因此可以用来驱动其他周边晶片的时基输入。
此外在烧录8751程序代码时，此引脚会被当成程序规划的特殊功能来使用。
PSEN：此为"Program Store Enable"的缩写，其意为程序储存启用，当8051被设成为读取外部程序代码工作模式时（EA=0），会送出此信号以便取得程序代码，通常这支脚是接到EPROM的OE脚。
AT89S52可以利用PSEN及RD引脚分别启用存在外部的RAM与EPROM，使得数据存储器与程序存储器可以合并在一起而共用64K的定址范围。
PORT0（P0.0～P0.7）：端口0是一个8位宽的开路汲极（Open Drain）双向输出入端口，共有8个位，P0.0表示位0，P0.1表示位1，依此类推。
其他三个I/O 端口（P1、P2、P3）则不具有此电路组态，而是内部有一提升电路，P0在当做I/O用时可以推动8个LS的TTL负载。
如果当EA引脚为低电平时（即取用外部程序代码或数据存储器），P0就以多工方式提供地址总线（A0～A7）及数据总线（D0～D7）。
设计者必须外加一锁存器将端口0送出的地址栓锁住成为A0～A7，再配合端口2所送出的A8～A15合成一完整的16位地址总线，而定址到64K的外部存储器空间。
PORT2（P2.0～P2.7）：端口2是具有内部提升电路的双向I/O端口，每一个引脚可以推动4个LS的TTL负载，若将端口2的输出设为高电平时，此端口便能当成输入端口来使用。
P2除了当做一般I/O端口使用外，若是在AT89S52扩充外接程序存储器或数据存储器时，也提供地址总线的高字节A8～A15，这个时候P2便不能当做I/O来使用了。
PORT1（P1.0～P1.7）：端口1也是具有内部提升电路的双向I/O端口，其输出缓冲器可以推动4个LS TTL负载，同样地若将端口1的输出设为高电平，便是由此端口来输入数据。