半导体的导电特性

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半导体二极管和三极管
2. N型半导体 型半导体
当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素) 时,磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后,磷 原子的外层电子数将是 9 ,比稳定结构多一个价电 子。
Si Si Si P Si Si Si 多余 电子
+
PBiblioteka Baidu
半导体二极管和三极管
掺入磷杂质的硅半导体晶体中,自由电子的数目 磷 ,自由电子的数目 大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式, 大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式, 称之为电子半导体或N型半导体 型半导体。 称之为电子半导体或 型半导体。 在N型半导体 电子 多数载流子、空穴 少数 型半导体中电子 空穴是少 型半导体 电子是多 子 空穴 载流子。 子 室温情况下,本征硅中n0=p0~1.5×1010/cm3,当磷 掺杂量在10–6量级时,电子载流子数目将增加几 十万倍。
半导体二极管和三极管
型半导体和 型半导体 二. N型半导体和P型半导体 型半导体
1. 本征半导体 掺杂半导体 征半导体与掺杂半导体 征半导体 在常温下,本征半导体的两种载流子数量还是极少 的,其导电能力相当低。 如果在半导体晶体中掺入微量杂质元素,将得到掺 掺 杂半导体,而掺杂半导体的导电能力将大大提高 掺杂半导体的导电能力将大大提高。 杂半导体 掺杂半导体的导电能力将大大提高 由于掺入杂质元素的不同,掺杂半导体 掺杂半导体可分为两大 两大 掺杂半导体 类——N型半导体 P型半导体 型半导体和 型半导体。
价电子
硅原子
共价键
半导体二极管和三极管
本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现, 同时又不断进行复合。在一定温度下,载流子 的产生与复合会达到动态平衡,即载流子浓度 与温度有关。温度愈高,载流子数目就愈多, 导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能 影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自 由电子并留下空穴。光强愈大,光子就愈多, 产生的载流子亦愈多,半导体导电能力增强。 故半导体器件对光照很敏感。 杂质原子对导电性能的影响将在下面介绍。
共价键
半导体二极管和三极管
价电子受到激发,形成自 激发, 价电子 激发 自 由电子并留下空穴。 空穴。 由电子 空穴 自由电子和空穴同时产生 自由电子和空穴同时产生 同时 半导体中的自由电子 空 自由电子和空 自由电子 穴都能参与导电——半导 体具有两种载流子。 载流子的产生 复合: 产生与复合 产生 复合:
半导体二极管和三极管
3. P型半导体 型半导体
当在硅或锗的晶体中掺入微量硼(或其它三价元素) 时,硼原子与周围的四个硅原子形成共价键后,硼 原子的外层电子数将是 7 ,比稳定结构少一个价电 子。
Si Si Si B Si 空穴 Si Si
+
B
半导体二极管和三极管
掺硼半导体中,空穴的数目远大于自由电子的数 硼 的数目远大于自由电子 ,空穴的数目远大于自由电子的数 空穴为多数载流子 自由电子是少数载流子, 多数载流子, 目。空穴 多数载流子,自由电子是少数载流子, 这种半导体称为空穴型半导体 空穴型半导体或 型半导体 型半导体。 这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。 一般情况下,掺杂半导体中多数载流子的数量可 达到少数载流子的1010倍或更多,电子载流子数 目将增加几十万倍。 不论是N型半导体还是P型半导体,都只有一种多 数载流子。然而整个半导体晶体仍是电中性的。
半导体二极管和三极管
一、本征半导体
完全纯净、 完全纯净、具有晶体结构的半导体
最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同 四价元素,每个原子最外层电子数为 4 。 特征是四价元素 四价元素
+
Si
+
Ge
半导体二极管和三极管
提纯的硅材料可形成单晶 单晶——单晶硅 单晶 单晶硅 相邻原子由外层电子形成共价键 共价键
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§ 15-1. 半导体的导电特性
半导体:导电能力介于导体和半导体之间的材料。 半导体:导电能力介于导体和半导体之间的材料。 常见的半导体材料有硅 常见的半导体材料有硅、锗、硒及许多金属的氧化 物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。 物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。 半导体材料的特性: 半导体材料的特性: 1. 纯净半导体的导电能力很差; 纯净半导体的导电能力很差; 2. 温度升高 温度升高——导电能力增强; 导电能力增强; 导电能力增强 3. 光照增强 光照增强——导电能力增强; 导电能力增强; 导电能力增强 4. 掺入少量杂质 掺入少量杂质——导电能力增强。 导电能力增强。 导电能力增强
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