电子技术基础试题库(1-6章)
电子技术基础试题(一)

电子技术基础试题(一)一、选择题:(每小题3分,共30分)1、D 触发器在D=1时,输入一个CP 脉冲,其逻辑功能是( )。
A .置1 B .清0 C .保持 D .翻转2、如图电路中,设二极管为硅管,正向压降为 0.7V ,则Y= ( )。
A .0.7V B .3.7V C .10VD .1.5V3、以下表述正确的是( )。
A .组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B .组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C .组合逻辑电路有记忆能力,而时序逻辑电路没有记忆能力。
D .组合逻辑电路没有记忆能力,而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ,化简后的结果是( )。
A .2AB .AC . 1D .A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为( )。
A .EFB .EF C . 0 D . 16、基本 RS 触发器电路中,触发脉冲消失后,其输出状态( )。
A .恢复原状态 B .保持现状态 C .出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时,应选择的档位( )。
A . Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏,集电极反偏时,晶体三极管的工作状态是( )。
A . 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A . I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ,当输入电压为10mV 时,测得输出电压为500mV ,则电压放大倍数是( )。
A . 10 B. 50 C. 500 D.100 二.填空题:(每题3分,共30分)1.半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
电子技术基础试题库(1~6章)

电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
模拟电子技术题库参考答案(1-5章) - 副本
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(2) A um
( Rc // Rc )
rbe
30(5 // 15) 75 1
-3-
模拟电子技术试题汇编参考答案
(3)
Ri Rb1 // Rb 2 // rbe rbe 1k R0 Rc 5k
(4) C e 断开, Re 有电流串联负反馈,( Aum 下降), Ri 增加, R0 不变;
(1) 画出直流通路和微变等效电路 (6 分)。 (2)设 U BEQ 0.7V ,求静态工作点
I CQ 、 U CEQ (4 分)
(3)求 Ri 、 Ro 、 Au
.
Uo Ui
.
.
,设 =30,
rbb' =19 4 (6 分)
(4) I CEO 、U CES 忽略不计,估算最大 不失真输出电压峰值 U om
rbe
100 (3 // 3) 50 3
Ri 5 // 15 // 3k 1.66k R0 RC 3k
(3) Aus
. . Ri 1.66 Au (50) 31.2 R s Ri 1 1.66
-4-
模拟电子技术试题汇编参考答案
3、如下图, C1 ~ C4 足够大,
Ri R1 // R3 // rbe rbe rbb ' (1 ) 26 26 194 (1 30) 1K 1 I EQ
(3) R R 10 K 0 4
U ( R4 // R L ) 30(10 // 10) 150 Au 0 1 u rbe
B;A (8)C (9)A (10)B(11)C(12) C
(1)A(2)B;A;C(3)B;C;C (4) C,B (5)C(6) A(7) ① B ② C ③B15、C
《电子技术基础》试题及参考答案
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《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是(A )A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时,应引入(C )反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是(D)。
A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100,问功率增益是多少分贝(B)。
A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时,输出端的个数是(B)。
A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为(A)。
A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中,若变压器副绕组电压有效值为10V,而测得输出电压为14.1V,则说明:(B )A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时,应引入(D )反馈。
A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路(电阻负载)中承受的最大反向电压是(C)。
A.大于B.小于C.等于D.大于,小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= (A )A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是( C)A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小,则该二极管( C)A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指(B)。
A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区,它们分别是(B)。
A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中,若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点,且瞬时极性相同,则属于(B )A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态,其发射结电压和集电结电压分别为(B)。
数字电子技术试题(1-5章)
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第1章 数制和码制一、填空题1.数制转换:(011010)2 =( )10 =( )8 =( )16。
2.数制转换:(35)10 =( )2 =( )8 =( )16。
3.数制转换:(251)8 =( )2 =( )16 =( )10。
4.数制转换:(4B )16 =( )2 =( )8 =( )10。
5.数制转换:(69)10 =( )2 =( )16 =( )8。
6.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(10011011001)2 =( )8 =( )16。
7.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(1001010.011001)2 =( )8 =( )16。
一、填空题答案:1.26、32、1A ;2.100011、43、 23;3.10101001、A9、169;4.1001011、113、75;5.1000101、45、105;6.2331、4D9;7.112.31、4A.64。
第2章 逻辑代数基础一、填空题1.逻辑函数Y AB A B ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。
2.逻辑函数Y A B AB C ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。
3. 将逻辑函数AC BC AB Y ++=化为与非-与非的形式,为 。
4.逻辑函数Y A A BC '''=+,化简后的最简表达式为 。
5.逻辑函数Y A B A B ''=++,化简后的最简表达式为 。
6.逻辑函数()()Y A BC AB ''''=+,化简后的最简表达式为 。
7. 逻辑函数Y AB AB A B ''=++,化简后的最简表达式为 。
一、填空题答案1.()()()Y AB A B '''''= ; 2.()()()Y A B AB C '''''=;3. ()()()()Y AB BC AC ''''=; 4. Y A '=;5.1Y =; 6.1Y =; 7.Y A B =+。
电子技术基础数字部分第五版康光华主编第1~6章章节详细习题答案
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第一章习题答案1.1.4 一周期性信号的波形如图题1.1.4所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比012(ms)图题1.1.4解: 周期T=10ms 频率f=1/T=100Hz 占空比q=t w /T ×100%=1ms/10ms ×100%=10%1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数和十六进制数,要求误差不大于2-4: (1)43 (2)127 (3)254.25 (4)2.718 解:1. 转换为二进制数:(1)将十进制数43转换为二进制数,采用“短除法”,其过程如下:2 43 ………………………余1……b 02 21 ………………………余1……b 12 1 ………………………余1……b 52 2 ………………………余0……b 42 5 ………………………余1……b 32 10 ………………………余0……b20高位低位从高位到低位写出二进制数,可得(43)D =(101011)B(2)将十进制数127转换为二进制数,除可用“短除法”外,还可用“拆分比较法”较为简单: 因为27=128,因此(127)D =128-1=27-1=(1000 0000)B -1=(111 1111)B(3)将十进制数254.25转换为二进制数,整数部分(254)D =256-2=28-2=(1 0000 0000)B -2=(1111 1110)B 小数部分(0.25)D =(0.01)B (254.25)D =(1111 1110.01)B(4)将十进制数2.718转换为二进制数 整数部分(2)D =(10)B小数部分(0.718)D =(0.1011)B 演算过程如下:0.718×2=1.436……1……b-1 0.436×2=0.872……0……b-2 0.872×2=1.744……1……b-3 0.744×2=1.488……1……b-4 0.488×2=0.976……0……b-5 0.976×2=1.952……1……b-6高位低位要求转换误差小于2-4,只要保留小数点后4位即可,这里算到6位是为了方便转换为8进制数。
电子技术基础与技能训练试题
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电子技术基础(模拟篇)第一章 半导体二极管一、单选题1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移B. 右移,上移C. 左移,上移D. 右移,下移2. 在PN 结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN 结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
A. 小于,大于B. 大于,小于C. 大于,大于D. 小于,小于3. 设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程为( )A. U I e SB. TU U I eS C. )1e (S -T U U I D. 1e S -T U U I4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。
A B C D5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。
A. I D = 0B. I D < I Z 且I D > I ZMC. I Z > I D > I ZMD. I Z < I D < I ZM6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。
A. 少子B. 多子C. 杂质离子D. 空穴7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正偏导通状态。
A. 0B. 死区电压C. 反向击穿电压D. 正向压降8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于( )。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 掺杂浓度D. 晶体缺陷9. PN 结形成后,空间电荷区由( )构成。
A. 电子和空穴B. 施主离子和受主离子C. 施主离子和电子D. 受主离子和空穴10. 硅管正偏导通时,其管压降约为( )。
A B C D11. 用模拟指针式万用表的电阻档测量二极管正向电阻,所测电阻是二极管的 电阻,由于不同量程时通过二极管的电流 ,所测得正向电阻阻值 。
A. 直流,相同,相同B. 交流,相同,相同C. 直流,不同,不同D. 交流,不同,不同12. 在25ºC 时,某二极管的死区电压U th ≈,反向饱和电流I S ≈,则在35ºC 时,下列哪组数据可能正确:()。
电子技术基础第一章测试题
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第一章测试题《模拟电子技术基础》90分钟姓名:班级:分数:一、判断题(对的打“√”,错的打“×”,每小题2分,共20分)1、N型半导体的多数载流子是空穴()2、P型半导体的多数载流子是空穴()3、二极管只要加上正偏电压就能导通()4、二极管击穿后会立即烧坏()5、二极管具有单向导电性()6、一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压()7、二极管加正向电压导通,加反向电压时截止()8、从二极管的伏安特性曲线可知,它的电压电流关系满足欧姆定律()9、稳压二极管正常工作区域为反向击穿区()10、物质按其导电能力可分为导体和绝缘体()二、填空题(每空1分,共20分)1、二极管按使用的材料可分为和两类。
2、锗二极管的正向偏置电压必须达到才能导通,硅二极管的正向偏置电压必须达到才能导通。
3、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象为二极管的现象。
4、半导体具有两种载流子:和5、P型半导体,又称为,是在纯净半导体中掺入微量的制成的,P型半导体中是多数载流子,是少数载流子6、PN结具有,即当电源接P区,接N区时,称为给PN结加正向电压或正向偏置,当电源正极接N区,负极接P区时,称为给PN结加或7、二极管负极电压为3.7V,正极电压为3V,表明该二极管工作于状态8、滤波电路的作用是向电路提供9、整流电路是指:将电转换为电的电路三、选择题(每题2分,共26分)1、如果二极管的正,反向电阻都很大,则该二极管()。
A正常; B.已经击穿; C. 内部断路;2、如果二极管的正,反向电阻都很小,则该二极管()。
A正常; B.已经击穿; C. 内部断路;3、稳压管通常工作于()A.截止区B.正向导通区C.反向击穿区4、不属于半导体属性的是()A、热敏性B、光敏性C、掺杂性D、综合性5、交流电通过整流电路后,得到的输出电压是()A、交流电压B、脉动直流电压C、平滑的直流电压6、在单相桥式整流电路中,若变压器次级电压的有效值U2=10V,则输出电压U0为()。
电子技术基础与技能题库(三)
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第一章:直流稳压电路第一节:整流滤波电路一、填空题1、整流是将交流电压转换为_________电压,但整流后的电压是脉动直流电压,含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量,使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端,滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联,以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________二、判断题1、二极管的正向电阻比反向电阻大。
()2、二极管两端加上正向电压就能导通。
()3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的1.2倍。
()4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
()5、整流输出电压加电容滤波后,电压脉动减小了,输出电压也下降了。
()6、在半波整流电路中,接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压()7、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性,将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。
()8、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性。
()9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。
()10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。
()11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变,在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。
()12、电容滤波电路通常选电容比较大,效果越好。
()13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
()三、选择题1、二极管具有()A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管()A、特性良好B、已被击穿C、内部开路3、在用万用表测量二极管过程中,对于同一种二极管,用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同,主要原因是()A、万用表在不同的档位,其内阻不同B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管质量差4、关于电容滤波,下列说法错误的是()A、输出电压高B、在大电流是滤波效果好C、带负载能力差D、电源接通瞬间整流管要承受较大的浪涌电流5、关于电感滤波,下列说法错误的是()A、体积小B、对变动的负载滤波效果好C、带负载能力好D、整流管不会受到浪涌电流的损害四、计算题1、有一直流负载,电阻为1.5KΩ,要求工作电流为10mA,如果采用半波整流电路,试求电源变压器二次电压为多少?2、有一直流负载需直流电压6V,直流电流0.4A,如果采用单相桥式整流电路,试求电源变压器二次电压为多少?流过二极管的平均电流为多少?第二节:直流稳压电源一、选择题1、用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管(2CW13)的电压,读数只有0.7V,这种情况表明该稳压二极管()A、工作正常B、接反C、已经击穿2、硅稳压二极管稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串接,此限流电阻的作用是()A、提供偏流B、仅是限制电流C、限流和调压3、一个稳压二极管稳压值为8V,另一个稳压二极管稳压值为7.5V,若把两个二极管的正极并接,再将负极并接,组成一个稳压电路该稳压值为()A、8VB、7.5VC、15.5V二、填空题1、直流稳压电源是一种交流电网电压发生变化时,或负载变动时,能保持___________电压基本稳定的直流电源。
电路与电子技术基础总复习题及解 (1)

总复习题及解总复习题及解一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么?答:电流参考方向(箭头方向)与电压降参考方向(“+”到“-”的方向)一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时,理想电压源不作用时视为短路,理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南(诺顿)等效电路的内阻时,屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ,电压和电流间的关系为:,2、换路定律是指: 3、全响应解的两种表达式:(1)全响应=(零输入响应)+(零状态响应) (2)三要素法: 第四章答题1、直流电路中,感抗为0,容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为uUUθ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
4、三相对称电源星型联结,相、线电压的关系为相电压是线电压的31倍,且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时,线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流,相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足:U=IR,关联参考方向下电压和电流同相位,即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度;N型半导体的电子浓度大于空穴浓度;P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件,晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时,应使发射结正向偏置;集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性,就是PN结正偏时导通,反偏时截止。
6、当温度升高时,三极管的集电极电流Ic 增加,发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数(绝对值)之比。
2、抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用差放电路。
3、差分放大电路能够抑制共模信号,放大差模信号。
《电子技术基础与技能》单元复习题(一、二单元)

《电子技术基础与技能》单元复习题第一单元二极管及其应用一、单项选择题1.在本征半导体中加入()元素可形成P型半导体,加入()元素可形成N型半导体。
A.五价B.四价C.三价D.二价2.P型半导体中的带电粒子是(),N型半导体中的带电粒子是()。
A.自由电子B.空穴C.载流子D.中子3.在杂质半导体中,少子的浓度主要取决于(),而多子的浓度则受()的影响最大。
A.温度B.掺杂浓度C.掺杂工艺D.晶体缺陷4.PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
A.变窄B.变宽C.基本不变D.不确定5.如果用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管()。
A.特性良好B.已被击穿C.内部开路D.功能正常6.桥式整流电路由4只二极管组成,故流过每只二极管的电流为()。
A.I o/4 B.I o/3 C.I o/2 D.I o7.在桥式整流电路中,已知U2 =10V,若某一个二极管开路,则此时的输出电压U o=()。
A.12V B.9V C.D.3V8.当温度升高时,二极管的正向电压将(),反向饱和电流将()。
A.增大B.减小C.基本不变D.以上选项都正确9.稳压管的稳压区是工作在()状态。
A.反向截止B.正向导通C.反向击穿D.不确定10.发光二极管发光时,其工作在()区。
A.反向截止B.正向导通C.反向击穿D.不确定11.整流的目的是()。
A.将交流变为直流B.将直流变为交流C.将正弦波变为方波D.将高频变为低频12.在用指针式万用表测量二极管正向电阻时,对于同一只二极管用不同的挡位测出的正向电阻值不同,主要原因是()。
A.指针式万用表在不同挡位时,其内阻不同B.二极管有非线性的伏安特性C.二极管已损坏D.被测二极管的质量差13.下列元器件中,能将电信号转成光信号的元件是()。
A.发光二极管B.三极管C.二极管D.光电二极管二、多项选择题1.下列关于半导体的表述正确的是()。
A.半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间B.硅、锗是半导体材料C.半导体具有单向导电性D.在纯净的半导体中渗入微量的杂质,会使半导体的导电性能大大减弱2.二极管的主要参数包括()。
电子技术试题及答案
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电子技术试题及答案-(《电子技术基础》题库适用班级:2012级电钳3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。
一、填空题:第一章半导体二极管○1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体,半导体和绝缘体三类。
Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是半导体。
○3、半导体具有热敏特性、光敏特性、参杂的特性。
Δ4、PN结正偏时,P区接电源的正极,N极接电源的负极。
○5、PN结具有单向导电特性。
○6、二极管的P区引出端叫正极或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。
Δ7、按二极管所用的材料不同,可分为硅二极管和锗二极管两类;○8、按二极管用途不同,可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。
★9、二极管的正向接法是二极管正极接电源的正极,负极接电源的负极;反响接法相反。
○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V ,锗二极管导通时的管压降约0.3V。
Δ11、使用二极管时,应考虑的主要参数是最大整流电流,最高反向电压和反向电流。
★12、发光二极管将电信号转换为光信号。
★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中,通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。
★14、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为零。
第二章半导体三极管及其放大电路○15、三极管是电流控制元件。
○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏,集电结反偏。
★17、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic变大,发射结压降变小。
Δ18、三极管处在放大区时,其集电结电压小于零,发射结电压大于零。
★19、三极管的发射区杂质浓度很高,而基区很薄。
Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是:发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度,同时基区厚度要很小.Δ21、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为100 。
电子技术基础试题
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电子技术基础试题库(第四版)第一章:半导体二极管一、填空题1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为______________、__________和__________三类。
导体、绝缘体、半导体2、PN节具有__________特性,即加正向压时__________,加反向压时__________。
单向导电特性、导通、截止3、硅二极管导通时的正向管压降约__________V,锗二极管导通时的正向管压降约__________V。
0.7、0.34、使用二极管时,应考虑的主要参数是__________、__________。
最大整流电流、最高反向工作电压5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常__________于锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性较__________小、好6、根据导电能力来衡量,自然界的物质可分为 _______ 、_________和__________三类。
导体,绝缘体,半导体7、PN结具有 _____________性能,即加正向电压时PN结________,加反向电压时的PN结_________。
单向导电性,导通,截止二,判断题1、半导体随温度的升高,电阻会增大。
()N2、二极管是线性元件。
()N3、不论是哪种类型的半导体二极管,其正向电压都为0.3V左右。
()N4、二极管具有单向导电性。
()Y5、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
()N6、二极管加正向压时一定导通()N7、晶体二极管是线性元件。
()N8、一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
()Y三、选择题1、PN结的最大特点是具有()CA、导电性B、绝缘性C、单相导电性2、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()CA、立即导通B、到0.3V才开始导通C、超过死区压才开始导通D、不导通3、当环境温度升高时,二极管的反向电流将()AA、增大B、减少C、不变D、先变大后变小4、半导体中传导电流的载流子是()。
电子技术教考分离试题库.
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<< 电子技术>>教考分离试题库第一部分:选择题部分第一章晶体二极管及其应用1.为使PN结正向偏置,就使P区接电源(),N区接电源()A.正极、负极 B。
负极、正极C.正极、正极 D。
负极、负极2.在下图所示电路中,稳压管Dw1和Dw2的稳压值分别为6V和7V,且工作在稳压状态,由此可知输出电压UO为()。
A.6V B。
7V C。
0V D。
1V第二章晶体三极管及放大电路3.若分别测得放大电路中的NPN型硅管各极电位如下图所示,则管脚①②③分别为电极()A.c、b、e B.e、c、b C.b、c、e D.b、e、c4.如下图所示各电路中,处于放大状态的三极管是()5.为了消除基本共射放大电路的饱和失真,应()A.减小基极偏置电阻 B。
增大基极偏置电阻C.减小集电极偏置电阻 D。
增大集电极偏置电阻6.温度升高时,三极管的部分参数的变化规律是()A.β↑、ICEO ↑、UBE↑ B。
β↑、ICEO↑、UBE↓C.β↓、ICEO ↑、UBE↑ D。
β↑、ICEO↓、UBE↓18. 以下哪些不属于引入负反馈后对电路的影响()A.使放大电路的放大倍数减小B.使放大电路通频带展宽C.改变放大电路的输入输出电阻D.使放大电路放大倍数增大19. 由NP管组成的基本共射放大电路,输入信号为正弦波,输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是()A.饱和失真 B。
频率失真 C。
截止失真 D。
以上均不定第三章场效应管放大电路7.表征场效应管放大能力的重要参数是()A.夹断电压Up B。
低频互导(跨导)gmC.饱和漏极电流IDSS D。
最大栅源电压BUGS8.源极输出器类似于()A.共发射极放大电路 B。
共基极放大电路 C.共集电极放大电路 D。
共漏极放大电路9.N沟道结型场效应管处于放大状态要求()A.UGS >0 B。
UGS=0 C。
UGS<0 D。
UDS=0第四章正弦波振荡电路10.LC正弦波振荡电路起振的振幅条件是()A.︱AF︱=0 B.︱AF︱=1 C.︱AF︱<1 D. ︱AF︱>111.采用石英晶体振荡电路的主要目的是()A.提高输出信号幅度 B。
经典模拟电子技术基础知识总结习题(选择,填空,解答题)
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第一章 半导体二极管及其应用电路 第六章 运放应用电路
第二章
半导体三极管及其放大电路
第七章
功率放大电路
第三章
场效应晶体管及其放大电路
第八章
波形发生和变换电路
第四章
集成运算放大器
第九章
直流稳压电源
第五章
负反馈放大电路
第十一章~第二十一章
应用篇
第一章 半导体二极管及其应用电路
一、填空: 绝缘体 之间的物 导体 和_______ 1.半导体是导电能力介于_______ 质。 掺杂 特性,制成杂质半导体;利 2.利用半导体的_______ 光敏 特性,制成光敏电阻,利用半 用半导体的_______ 热敏 特性,制成热敏电阻。 导体的_______ 导通 ,加反向电压时 3.PN结加正向电压时_______ 截止 ,这种特性称为PN结的 单向导电 _______ _______ 特性。
饱和 8.当三极管工作在____区时, UCE ≈0。发射极 正向 正向 ____偏置,集电极____偏置。 9.当NPN硅管处在放大状态时,在三个电极电位中, 集电 发射 以____极的电位最高,____极电位最低, 基 发射 ____极和____极电位差等于____。 0.7V 10.当 PNP锗管处在放大状态时,在三个电极电位中, 以____极的电位最高,____极电位最低, 发射 集电 UBE等于____。 -0.3V 三个电极的电位分别为 11.晶体三极管放大电路中 ,试判断三极管的 V ,V2 1.2V ,V3 1.5V 类型是 ____,材料是____。 1 4V 锗 PNP
T 10.单相桥式整流电容滤波电路,当满足 RLC (3~5) 2 时,负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2 C. 1.2 U2 D. 0.45U2
电子技术基础试题库(1-6章)
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电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
电子技术基础与技能题库(三)
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第一章:直流稳压电路第一节:整流滤波电路一、填空题1、整流是将交流电压转换为_________电压,但整流后的电压是脉动直流电压,含有交流成分。
2、全波整流电路负载两端的电压大约是变压器二次电压的_____倍。
3、滤波是从脉动直流电压中滤除交流分量,使之成为___________电压。
4、电容滤波即将电容器________连接于负载两端,滤除交流分量。
5、电感滤波即将电感器与________串联,以限制交流分量通过负载。
6、二极管最主要的特性是___________二、判断题1、二极管的正向电阻比反向电阻大。
()2、二极管两端加上正向电压就能导通。
()3、全波整流电路电容滤波负载上电压是二次电压的1.2倍。
()4、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。
()5、整流输出电压加电容滤波后,电压脉动减小了,输出电压也下降了。
()6、在半波整流电路中,接入滤波电容时的输出电压平均值约等于变压器二次电压()7、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性,将输入的交流电压转换为脉动的直流电压。
()8、整流电路是直流电源的核心部分,它是利用二极管的单向导电性。
()9、常用的整流电路有半波整流电路和桥式整流电路。
()10、半波整流电路二极管流过的电流为负载上电流的一半。
()11、电容滤波电路是利用电容两端电压不能突变,在电容充、放电过程中使输出电压趋于平滑。
()12、电容滤波电路通常选电容比较大,效果越好。
()13、稳压二极管稳压电路输出电流不受稳压二极管最大稳定电流的限制。
()三、选择题1、二极管具有()A、信号放大作用B、单向导电性C、双向导电性2、用万用表测得二极管的正、反向电阻都很大,则二极管()A、特性良好B、已被击穿C、内部开路3、在用万用表测量二极管过程中,对于同一种二极管,用万用表不同的档位测出的正向电阻值不同,主要原因是()A、万用表在不同的档位,其内阻不同B、二极管有非线性的伏安特性C、被测二极管质量差4、关于电容滤波,下列说法错误的是()A、输出电压高B、在大电流是滤波效果好C、带负载能力差D、电源接通瞬间整流管要承受较大的浪涌电流5、关于电感滤波,下列说法错误的是()A、体积小B、对变动的负载滤波效果好C、带负载能力好D、整流管不会受到浪涌电流的损害四、计算题1、有一直流负载,电阻为1.5KΩ,要求工作电流为10mA,如果采用半波整流电路,试求电源变压器二次电压为多少?2、有一直流负载需直流电压6V,直流电流0.4A,如果采用单相桥式整流电路,试求电源变压器二次电压为多少?流过二极管的平均电流为多少?第二节:直流稳压电源一、选择题1、用一只直流电压表测量一只接在电路中的稳压二极管(2CW13)的电压,读数只有0.7V,这种情况表明该稳压二极管()A、工作正常B、接反C、已经击穿2、硅稳压二极管稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串接,此限流电阻的作用是()A、提供偏流B、仅是限制电流C、限流和调压3、一个稳压二极管稳压值为8V,另一个稳压二极管稳压值为7.5V,若把两个二极管的正极并接,再将负极并接,组成一个稳压电路该稳压值为()A、8VB、7.5VC、15.5V二、填空题1、直流稳压电源是一种交流电网电压发生变化时,或负载变动时,能保持___________电压基本稳定的直流电源。
电子技术基础试题及答案
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电子技术基础考试试题及答案一.填空题:(每题3分,共30分)1、N型半导体又称电子型半导体,它主要靠自由电子导电。
2、NPN型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最高的是c极。
PNP型晶体三极管工作在放大状态时,三个极中电位最高的是e极3、单级共射放大器对信号有放大和反相两个作用。
4、串联负反馈能提高放大器的输入电阻,并联负反馈能降低放大器的输入电阻。
5、差分放大器可以放大差模信号,抑制共模信号。
6、(25)10=(11001)27、逻辑函数F=ABC+A+B+C的逻辑值为1。
8、时序逻辑电路的特点是电路任何时刻的输出状态不仅取决于该时刻的输入状态,而且还取决于电路的原有状态。
9、与非门构成的基本RS触发器中,设S=0,R=1时,其输出状态是1。
10、能够暂时存放二进制数据的电路称为寄存器。
二.选择题(每题3分,共30分)1.将交流电变换为脉动直流电的电路称为:(A)A.整流电路B.滤波电路C.稳压电路D.放大电路2.固定偏置共发射极放大电路中,三极管工作在放大区,如果将Rc增大,此时三极管为放大状态,则集电极电流Ic将:(B)A.显著减小B.不变C.显著增加D.无法确定3.放大器若要提高输入电阻,降低输出电阻,应引入的反馈类型是:(B)A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈C.电流并联负反馈D.电流串联负反馈4.单管功率放大器,在阻抗匹配时,输出的不失真交流功率达到最大,此时功率放大器的效率为:(C)A.100%B.75%C.50%D.25%5.已知某差动放大电路的差模放大倍数为100,共模放大倍数为2,则共模抑制比K CMR为(C)A.100B.50C.1/50D.1/1006.正弦波振荡器的振荡频率f取决于(B)A.放大电路的放大倍数B.反馈网络元件的参数C.正反馈的强弱D.电源电压的高低 7.右图TTL 电路中1端输入数字 信号,2,3端悬空,则Y=(B ) A.0B.1C.AD.A8.要表示十进制数的十个数码需二进制数码的位数至少为(C ) A.2位B.3位C.4位D.5位9.已知某逻辑门的真值表如图所示,则对应的门的逻辑符号是(C ) A.B.C.D.10.将JK 触发器JK 两端短接,就可以接成(C ) A.RS 触发器B.D 触发器C.T 触发器D.T ’触发器 三、分析计算题:(每题10分,共40分)1.分析下面组合逻辑电路的逻辑功能(要求写出函数表达式,列出真值表)。
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电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
答:I BQ、I CQ、U CEQ。
u i i都是由分量和分量两部分组成。
17、放大电路工作在动态时,,,CE B C答:直流、交流。
18、在共射极放大电路中,输出电压u o和输入电压ui相位。
答:相反。
(中)35、画放大电路的直流通路时,把看成开路;画放大电路的交流通路时,把和看成短路。
答:电容、电容、直流电源。
19、利用通路可估算放大器的静态工作点;利用通路的等效电路可以近似估算放大器的输入电阻,输出电阻和电压放大倍数。
答:直流、交流。
20、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻些,以减轻信号源的负担,输出电阻些,以增大带负载的能力。
答:大、小。
21、放大电路的图解分析法,就是利用三极管的和,通过方法来分析放大器的工作情况。
答:输入特性、输出特性、作图。
(中)22、放大电路中,静态工作点设置得太高,会导致失真;静态工作点设置太低时,会导致失真。
答:饱和、截止。
23、放大电路产生非线性失真的根本原因是。
答:三极管特性的非线性。
24、影响放大电路静态工作点稳定的主要原因是。
答:温度。
25、多级放大电路常用的级间耦合方式有、、和。
答:阻容耦合、变压器耦合、直接耦合、光电耦合。
26、把放大器的一部分或全部通过一定的电路,按照某种方式送回到并与输入信号(电压或电流)叠加,可以改变放大器性能。
这种把电压或电流从放大器的输出端返送到输入端的过程叫做。
答:输出信号、输入端、反馈。
27、负反馈放大器是由电路和电路组成。
答:基本放大、反馈。
28、所谓电压反馈是指;所谓电流反馈是指。
答:反馈信号取的输出电压、反馈信号取的输出电流。
29、通常采用法判别正反馈还是负反馈。
答:瞬时极性法。
30、负反馈组态有、、和四种基本形式。
答:电流串联、电压串联、电压并联、电流并联。
31、电压负反馈的作用是,电流负反馈的作用是。
答:稳定输出电压、稳定输出电流。
32、在放大电路中为了稳定静态工作点应该引入负反馈。
为了提高电路的输入电阻,应该引入负反馈。
33、直流负反馈能稳定放大器的,交流负反馈能改善放大器的。
答:静态工作点、动态性能。
34、射极输出器具有输入电阻,输出电阻,电压放大倍数近似为等特点。
答:大、小、近似为1。
35、功率放大器的主要任务是。
答:放大功率。
36、功率放大器按功放管工作点的位置不同可分为放大器、放大器和放大器三类。
答:甲类、乙类、甲乙类。
37、常用功率放大器按照输出端特点不同可分为功率放大器、功率放大器和功率放大器。
答:变压器、无输出变压器、无输出电容。
38、两个大小且极性的输入信号称为共模信号。
答:相等、相同。
39、两个大小且极性的输入信号称为差模信号。
答:相等、相反。
40、衡量差动放大电路性能优优劣的主要指标是。
答:共模抑制比。
(中)41、利用和概念分析工作在线性区的集成运放电路,可大大简化分析和计算过程。
答:虚短、虚断。
41、理想集成运放工作在非线性区,当U P大于U N时,U0= ;理想集成运放工作在非线性区,当U P小于U N时,U0= 。
答:+Uom 、-Uom。
(中)42、集成运放线性应用时,电路中必须引入才能保证集成运放工作在区。
答:负反馈、线性。
43、正弦波振荡电路是一种能量转换装置,它无需外加信号,就能通过电路自身的正反馈把转变为的电子电路。
答:输入、直流电源提供的能量、具有一定频率和振幅的交流信号。
44、正弦波振荡器由、和等组成。
答:放大电路、正反馈电路、选频电路。
45、实现振荡的两个条件分别为和。
答:相位平衡条件、振幅平衡条件。
46、LC正弦波振荡器有式、式和式等几种形式。
答:变压器反馈、电感三点、电容三点。
47、电感三点式LC振荡器中,电感线圈三端分别与晶体三极管的、和相接。
答:基极、集电极、发射极。
48、RC桥式振荡器的振荡频率fo= 。
答:12RC。
49、石英晶体振荡器根据选用的谐振频率,可分为型和型两种形式。
50、在变压器次级电压相同的情况下,桥式整流电路输出的直流电压是半波整流电路的倍,而且脉动。
答:2、较小。
51、将变成的过程叫做整流。
答:交流电、脉动直流电。
52、直流电源一般由、、和组成。
答:电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。
(中)53、单相半波整流电路中,若电源变压器次级电压的有效值是200V,则负载电压是。
答:90 V。
(中)54、在单相桥式整流电路中,如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是。
答:10 A。
53、常用滤波电路有、、等几种,滤波电路一般接在电路的后面。
答:电容滤波、电感滤波、复式滤波、整流。
54、滤波电路中,滤波电容和负载联,滤波电感和负载联。
答:并、串。
55、若变压器次级电压为U2则单相半波整流电容滤波电路负载获得的直流电压在接负载时为,不接负载时为。
答:U2256、所谓稳压电路,就是当或时,能使稳定的电路。
答:电源电压波动、负载变化、输出电压。
57、晶闸管的三个电极分别是________、________和________。
答:阴极、阳极、门极。
58、晶闸管导通的条件是:在_____和_____之间加正向电压的同时,在______和_____之间也加正向电压。
答:阳极、阴极、门极、阴极。
59、晶闸管导通后_______就失去控制作用,这时晶闸管本身的压降为_______V左右。
答:门极、1。
(中)60、晶闸管整流电路与二极管整流电路的最大区别是:晶闸管整流电路的输出电压是________,二极管整流电路的输出电压是________。
答:可变的、不变的。
61、快速熔断器在使用时,应________在电路中。
答:串联。
62、为了保证晶闸管长时间安全可靠的工作,实际使用时除主要考虑晶闸的和电压等级外,还必须采取适当的________和________保护措施。
答:、电流等级、过电压、过电流。
63、过电流保护通常采用______来进行。
答:快速熔断器。
64、过电压保护主要有______和______来保护。
答:阻容吸收、压敏电阻。
(中)65、阻容吸收回路可以并联在晶闸管整流电路______、_____或_____。
答:交流侧、直流侧、保护电路。
二、判断题:(每题1分)()1、半导体随温度的升高,电阻会增大。
()2、PN结正向偏置时电阻小,反正偏置时电阻大。
()3、硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
()4、二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。
()5、二极管一旦反向击穿就一定损坏。
()6、光电二极管和发光二极管使用时都应接反向电压。
()7、发光二极管可以接受可见光线。
()8、发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。
答:1、×2、√3、×4、×5、×6、√7、×8、×()9、放大器不设置静态工作点时,由于三极管的发射结有死区和三极管输入特性曲线的非线性,会产生失真。
()10、在共射极放大电路中,输出电压与输入电压同相。
()11、放大器具有能量放大作用。
()12、放大器在工作时,电路同时存在直流和交流分量。
()13、共射放大电路的电压放大倍数随负载R L而变化,R L越大,电压放大倍数越大。
答:9、√10、×11、×12、√13 、√;()14、固定偏置放大器的缺点是静态工作点不稳定。
(中)()15、稳定静态工作点,主要是稳定三极管的集电极电流I C。
()16、采用阻容耦合的放大电路,前后级的静态工作点互相影响。
()17、采用直接耦合的放大电路,前后级的静态工作点互相牵制。
()18、分析多级放大电路时,可把后级放大电路的输入电阻看成是前级放大电路的负载。
答:14、√15、√16、×17 、√18、√;()19、反馈信号与输入信号的相位相同称为负反馈。
()20、负反馈可以使放大倍数提高。
()21、串联反馈就是电流反馈,并联反馈就是电压反馈。
()22、若将负反馈放大器的输出端短路,则反馈信号也一定随之消失。
()23、电压反馈送回到放大器输入端的信号是电压。
()24、电流反馈送回到放大器输入端的信号是电流。
()25、负反馈可提高放大器放大倍数的稳定性。
()26、负反馈可以减小放大器非线性失真。
答:19、×20、×21、×22、×23、×24、×25、√26、√;()27、负反馈对放大器的输入电阻和输出电阻都有影响。
()28、射极输出器输入电阻大,输出电阻小。
(中)()29、射极输出器电压放大倍数小1而接近于1,所以射极输出器不是放大器。
(中)()30、乙类功率放大器静态时,I CQ≈0,所以静态功率几乎为零,效率高。
(中)()31、甲乙类功率放大器能消除交越失真,是因为两只晶体三极管有合适的偏流。
()32、OTL功率放大器输出电容的作用仅仅是将信号传递到负载。