(完整版)集成电路设计

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集成电路版图设计(适合微电子专业)

①了解工艺现状，确定工艺路线
确定选用标准pn结隔离或对通隔离工艺或等平面隔离工艺。由此确定工艺路线及光刻掩膜版的块数。由制版和光刻工艺水平确定最小接触孔的尺寸和光刻套刻精度。光刻工艺的分辨率，即能刻蚀图形的最小宽度，受到掩膜分辨率、光刻胶分辨率、胶膜厚度、横向腐蚀等多因素的限制。套刻精度与光刻机的精度和操作人员的熟练程度关系密切。
功能设计设计逻辑设计电路设计功能图逻辑图电路图符号式版图 , 版图
图
版图设计
12
举例：
功能描述 x=a’b+ab’ 的逻辑图
13
CMOS与非门的电路图
14
场SiO2
栅SiO2 栅SiO2
CMOS反相器的掩膜版图
15
版图设计就是按照线路的要求和一定的工艺参数，设计出元件的图形并进行排列互连，以设计出一套供IC制造工艺中使用的光刻掩膜版的图形，称为版图或工艺复合图。版图设计是制造IC的基本条件，版图设计是否合理对成品率、电路性能、可靠性影响很大，版图设计错了，就一个电路也做不出来。若设计不合理，则电路性能和成品率将受到很大影响。版图设计必须与线路设计、工艺设计、工艺水平适应。版图设计者必须熟悉工艺条件、器件物理、电路原理以及测试方法。 16
23
要了解采用的管壳和压焊工艺。封装形式可分为金属圆筒塑(TO-5型)、扁平封装型和双列直插型(DIP)等多种，管芯压点分布必须和管壳外引脚排列相吻合。当采用热压焊时，压焊点的面积只需70μm×70μm，超声压焊需 100μm×100μm ~125μm×25μm，金丝球焊需125μm ×125μm，金丝球焊牢固程度高，金丝在靠近硅片压点处是垂直的，可压到芯片纵深处(但必须使用温度 SiO2纯化层)，使用起来很灵活。

第1章集成电路设计导论

第1章集成电路设计导论
1、微电子（集成电路）技术概述 2、集成电路设计步骤及方法
1
集成电路设计步骤
➢ “自底向上”（Bottom-up）
“自底向上”的设计路线，即自工艺开始，先进行单元设计，在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统设计直至最终完成整个系统设计。在模拟IC和较简单的数字IC设计中，大多仍采用“自底向上”的设计方法。
5
半定制方法
半定制的设计方法分为：门阵列（GA：Gate Array）法；门海（GS：Sea of Gates）法；标准单元（SC: Standard Cell）法；积木块（BB：Building Block Layout）；可编程逻辑器件（PLD：Programmable Logic Device)设计法。
标准单元法也存在不足：பைடு நூலகம்
(1) 原始投资大：单元库的开发需要投入大量的人力物力；当工艺变化时，单元的修改工作需要付出相当大的代价，因而如何建立一个在比较长的时间内能适应技术发展的单元库是一个突出问题。 (2) 成本较高：由于掩膜版需要全部定制，芯片的加工也要经过全过程，因而成本较高。只有芯片产量达到某一定额(几万至十几万)，其成本才可接受。
不满足后仿真
满足
VLS流I数片、字封I装C、的测设试计流图
功能要求
系统建模（Matlab等）
不满足电路仿真
满足手工设计
版图不满足
后仿真满足
模流拟片、IC封的装、设测计试流图
3
集成电路设计方法
➢ 全定制方法（Full-Custom Design Approach） ➢ 半定制方法（Semi-Custom Design Approach）

集成电路的设计流程

集成电路的设计流程集成电路，这听起来是不是特别高大上？就像是一座超级复杂的微观城市，每一个小小的元件都是城市里的建筑或者居民，它们组合在一起，就能完成各种神奇的功能。

今天，我就来给大家讲讲这个神奇的集成电路是怎么设计出来的。

我有个朋友叫小李，他就是干集成电路设计这行的。

有一次我问他：“你这集成电路设计，是不是就像搭积木一样简单呀？”他听了直摇头，笑着说：“哪有那么容易啊！这就好比是要建造一个独一无二的宇宙空间站，每个细节都得精心规划。

”集成电路的设计流程那可是相当复杂的。

最初得有个设想，这就像是要写一个故事之前先有个主题一样。

设计师们得知道这个集成电路是用来做什么的，是要让手机运行得更快，还是让汽车的控制系统更智能呢？这时候，他们得和客户或者相关的产品团队进行交流。

就像一群探险家聚在一起商量要去探索的目的地。

我想象他们的对话大概是这样的：产品经理说：“我们希望这个集成电路能让我们的智能手表续航更久。

”设计师就会问：“那具体要达到多久呢？还有，手表上其他功能对功耗的限制是怎样的？”这就开始了一场你来我往的问答，就像一场激烈的乒乓球赛，目的就是把这个集成电路的功能需求确定得清清楚楚。

确定好需求之后，就要进行架构设计了。

这一步就像是设计一座大楼的框架。

设计师要决定这个集成电路里有哪些主要的功能模块，这些模块之间怎么连接。

这时候他们又得像一群超级规划师一样，得考虑到各种情况。

比如说，要计算每个模块大概需要占用多少空间，就像在规划大楼的时候要考虑每个房间的大小一样。

而且还得考虑数据在这些模块之间流动的速度，这就好比是大楼里的交通流量规划。

我问小李：“这架构设计是不是很头疼啊？”小李皱着眉头说：“哎呀，那可不是一般的头疼。

就像你要把一团乱麻理清楚，还得让它变成一个漂亮的图案。

”接着就是电路设计啦。

这就好比是给大楼的框架里填充各种设施。

设计师要根据架构设计来确定每个模块里具体的电路元件，比如说晶体管怎么连接，电阻电容的值是多少。

集成电路设计基本流程

集成电路设计基本流程
集成电路设计的基本流程包括以下步骤：
1. 功能设计阶段：此阶段主要确定产品的应用场合，设定功能、操作速度、接口规格、环境温度及消耗功率等规格，以作为将来电路设计时的依据。

2. 设计描述和行为级验证：功能设计完成后，可以将SOC划分为若干功能模块，并决定实现这些功能将要使用的IP核。

此阶段间接影响了SOC内部的架构及各模块间互的信号，及未来产品的可靠性。

决定模块之后，可以用VHDL或Verilog等硬件描述语言实现各模块的设计，并进行功能验证或行为验证。

3. 逻辑综合：综合过程中，需要选择适当的逻辑器件库作为合成逻辑电路时的参考依据。

4. 门级验证：此阶段主要确认经综合后的电路是否符合功能需求，一般利用门电路级验证工具完成。

5. 布局和布线：布局指将设计好的功能模块合理地安排在芯片上，规划好它们的位置。

以上是集成电路设计的基本流程，具体实施时，可以根据实际需求和情况进行调整。

关于集成电路设计的流程详解

关于集成电路设计的流程详解集成电路设计（英语：Integrated circuit design），根据当前集成电路的集成规模，亦可称之为超大规模集成电路设计（VLSI design），是指以集成电路、超大规模集成电路为目标的设计流程。

集成电路设计通常是以“模块”作为设计的单位的。

例如，对于多位全加器来说，其次级模块是一位的加法器，而加法器又是由下一级的与门、非门模块构成，与、非门最终可以分解为更低抽象级的CMOS 器件。

下面就让我们进一步的了解集成电路设计的相关知识。

集成电路设计介绍集成电路设计的流程一般先要进行软硬件划分，将设计基本分为两部分：芯片硬件设计和软件协同设计。

芯片硬件设计包括：1．功能设计阶段。

设计人员产品的应用场合，设定一些诸如功能、操作速度、接口规格、环境温度及消耗功率等规格，以做为将来电路设计时的依据。

更可进一步规划软件模块及硬件模块该如何划分，哪些功能该整合于SOC 内，哪些功能可以设计在电路板上。

2．设计描述和行为级验证功能设计完成后，可以依据功能将SOC 划分为若干功能模块，并决定实现这些功能将要使用的IP 核。

此阶段间接影响了SOC 内部的架构及各模块间互动的讯号，及未来产品的可靠性。

决定模块之后，可以用VHDL 或Verilog 等硬件描述语言实现各模块的设计。

接着，利用VHDL 或Verilog 的电路仿真器，对设计进行功能验证（functionsimulation，或行为验证 behavioral simulation）。

注意，这种功能仿真没有考虑电路实际的延迟，也无法获得精确的结果。

3．逻辑综合确定设计描述正确后，可以使用逻辑综合工具（synthesizer）进行综合。

综合过程中，需要选择适当的逻辑器件库（logic cell library），作为合成逻辑电路时的参考依据。

硬件语言设计描述文件的编写风格是决定综合工具执行效率的一个重要因素。

事实上，综合工具支持的HDL 语法均是有限的，一些过于抽象的语法只适于作为系统评估时的仿真模型，而不能被综合工具接受。

(完整版)集成电路设计复习题及解答

集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。

（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。

11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。

12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。

13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

集成电路设计方案(一)

集成电路设计方案一、实施背景随着中国逐渐走向高端制造业，集成电路（IC）作为产业核心，其发展速度与质量直接关系着国家的技术进步与经济崛起。

当前，国内集成电路产业受制于技术落后、产业链不完善、缺乏自主创新等多重因素，难以满足国内市场日益增长的需求。

因此，从产业结构改革的角度出发，探讨集成电路设计方案，对于优化产业结构、提升产业价值具有重要意义。

二、工作原理本设计方案以“系统级芯片”（System-on-Chip, SoC）为核心，通过将多种功能模块集成在一个芯片上，实现计算、存储、通信等功能的集成。

SoC芯片具有高性能、低功耗、小尺寸的特点，可广泛应用于智能手机、平板电脑、智能家居等电子产品。

工作原理主要基于先进的半导体工艺和电路设计技术，通过将多个功能模块进行优化组合，实现各模块之间的协同工作，提高系统整体性能。

三、实施计划步骤1.需求分析：明确产品应用场景和性能需求，制定相应的技术指标。

2.架构设计：根据需求分析结果，设计芯片的总体架构和功能模块划分。

3.硬件设计：依据架构设计，进行各功能模块的电路设计和版图绘制。

4.软件编程：基于硬件设计结果，编写软件程序，实现各模块的功能。

5.系统测试：对开发完成的芯片进行系统级的测试和验证，确保性能和质量达标。

6.产业化推广：将芯片应用到具体产品中，进行产业化推广和销售。

四、适用范围本设计方案适用于需要高度集成化、高性能、低功耗的电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居等。

同时，由于其可扩展性强的特点，也可应用于物联网、人工智能等领域。

五、创新要点1.采用了先进的半导体工艺和电路设计技术，实现了高性能、低功耗的特性。

2.提出了系统级芯片的设计理念，将多种功能模块集成在一个芯片上，提高了系统整体性能和产品竞争力。

3.采用了模块化设计方法，便于根据市场需求进行功能扩展或缩减，满足不同产品的定制化需求。

4.针对中国市场特点，注重自主创新和知识产权保护，推动国内集成电路产业的自主发展。

集成电路设计流程

集成电路设计流程集成电路设计是一项复杂而关键的任务，它涉及到从概念到实际产品的整个过程。

在这个过程中，需要遵循一系列的设计流程来确保设计的准确性和可行性。

本文将介绍集成电路设计的主要流程，并详细探讨每个流程的关键步骤。

一、需求分析阶段在集成电路设计的起始阶段，需要进行需求分析，明确设计目标和产品的功能要求。

在这个阶段，设计团队与客户密切合作，明确产品的工作原理、性能指标和功能。

这个过程中需要进行详尽的调研和分析，以便确保设计的准确性和可行性。

二、系统级设计阶段在需求分析阶段确定设计目标后，下一步是进行系统级设计。

在这个阶段，设计团队将产品的功能要求转化为具体的电路设计方案。

在设计方案中，需要定义电路的整体架构、模块划分和接口设计。

这个阶段需要综合考虑各种因素，包括功耗、性能、面积和成本等。

三、芯片级设计阶段系统级设计完成后，接下来是进行芯片级设计。

在这个阶段，设计团队将系统级设计中的每个模块进行具体的电路设计和优化。

这个过程中需要使用专业的EDA工具进行电路设计和仿真。

同时，还需要进行逻辑综合、布图和时序分析等步骤，以确保电路的正确性和稳定性。

四、物理设计阶段在芯片级设计完成后，下一步是进行物理设计。

在这个阶段，设计团队将芯片级设计转化为实际的物理布局。

这个过程中需要进行布线规划、功耗优化和时序收敛等步骤。

同时，还需要考虑布局的面积、功耗和产能等因素。

五、验证与测试阶段物理设计完成后，需要对设计进行验证和测试。

这个阶段包括功能验证、时序验证和功耗验证等。

验证工作需要使用专业的验证工具和方法，以确保设计的准确性和稳定性。

同时，还需要进行可靠性测试和产能测试，以确保产品的性能和质量。

六、制造和封装阶段验证和测试通过后，设计团队将进行芯片的制造和封装。

在这个阶段，需要选择合适的制造工艺和封装方式，并进行芯片的批量生产。

制造和封装过程中需要考虑工艺的兼容性和成本的控制，以确保产品的质量和可行性。

七、芯片调试与发布最后一个阶段是芯片调试和发布。

集成电路(IC)设计完整流程详解及各个阶段工具简介

IC设计完整流程及工具IC的设计过程可分为两个部分，分别为：前端设计（也称逻辑设计）和后端设计（也称物理设计），这两个部分并没有统一严格的界限，凡涉及到与工艺有关的设计可称为后端设计。

前端设计的主要流程：1、规格制定芯片规格，也就像功能列表一样，是客户向芯片设计公司（称为Fabless，无晶圆设计公司）提出的设计要求，包括芯片需要达到的具体功能和性能方面的要求。

2、详细设计Fabless根据客户提出的规格要求，拿出设计解决方案和具体实现架构，划分模块功能。

3、HDL编码使用硬件描述语言（VHDL，Verilog HDL，业界公司一般都是使用后者）将模块功能以代码来描述实现，也就是将实际的硬件电路功能通过HDL语言描述出来，形成RTL（寄存器传输级）代码。

4、仿真验证仿真验证就是检验编码设计的正确性，检验的标准就是第一步制定的规格。

看设计是否精确地满足了规格中的所有要求。

规格是设计正确与否的黄金标准，一切违反，不符合规格要求的，就需要重新修改设计和编码。

设计和仿真验证是反复迭代的过程，直到验证结果显示完全符合规格标准。

仿真验证工具Mentor 公司的Modelsim，Synopsys的VCS，还有Cadence的NC-Verilog均可以对RTL 级的代码进行设计验证，该部分个人一般使用第一个-Modelsim。

该部分称为前仿真，接下来逻辑部分综合之后再一次进行的仿真可称为后仿真。

5、逻辑综合――Design Compiler仿真验证通过，进行逻辑综合。

逻辑综合的结果就是把设计实现的HDL代码翻译成门级网表netlist。

综合需要设定约束条件，就是你希望综合出来的电路在面积，时序等目标参数上达到的标准。

逻辑综合需要基于特定的综合库，不同的库中，门电路基本标准单元（standard cell）的面积，时序参数是不一样的。

所以，选用的综合库不一样，综合出来的电路在时序，面积上是有差异的。

一般来说，综合完成后需要再次做仿真验证（这个也称为后仿真，之前的称为前仿真）逻辑综合工具Synopsys的Design Compiler，仿真工具选择上面的三种仿真工具均可。

《集成电路设计》课件

蒙特卡洛模拟法
通过随机抽样和概率统计的方法，模拟系统或产品的失效过程，评估其可靠性。
可靠性分析流程
确定分析目标
明确可靠性分析的目的和要求，确定分析的对象和范围。
进行需求分析
分析系统或产品的使用环境和条件，确定影响可靠性的因素和条件。
进行失效分析
分析系统或产品中可能出现的失效模式和原因，确定失效对系统性能和功能的影响。
DRC/LVS验证
DRC/LVS验证概述
DRC/LVS验证是物理验证中的两个重要步骤，用于检查设计的物理实现是否符合设计规则和电路图的要求。
DRC验证
DRC验证是对设计的物理实现进行规则检查的过程，以确保设计的几何尺寸、线条宽度、间距等参数符合设计规则的要求。
LVS验证
LVS验证是检查设计的物理实现与电路图一致性的过程，以确保设计的逻辑功能在物理实现中得到正确实现。
版图设计流程
确定设计规格
明确设计目标、性能指标和制造工艺要求。
导出掩模版
将最终的版图导出为掩模版，用于集成电路制造。
电路设计和模拟
进行电路设计和仿真，以验证电路功能和性能。
物理验证和修改
进行DRC、LVS等物理验证，根据结果进行版图修改和完善。
版图绘制
将电路设计转换为版图，使用专业软件进行绘制。
集成电路设计工具
电路仿真工具
用于电路设计和仿真的软件，如Cadence、Synopsys等。
版图编辑工具
用于绘制版图的软件，如Laker 、Virtuoso等。
物理验证工具
用于验证版图设计的正确性和可靠性的软件，如DRC、LVS等。
可靠性分析工具
用于进行可靠性分析和测试的软件，如EERecalculator、 Calibre等。

集成电路设计方法与设计流程

集成电路设计方法与设计流程一、集成电路设计方法概述1. 顶层设计法顶层设计法是一种自顶向下的设计方法，它从系统整体出发，将复杂问题分解为若干个子问题，再针对每个子问题进行详细设计。

这种方法有助于提高设计效率，确保系统性能。

2. 底层设计法底层设计法，又称自底向上设计法，它是从最基本的电路单元开始，逐步搭建起整个系统。

这种方法适用于对电路性能要求较高的场合，但设计周期较长，对设计人员的要求较高。

3. 混合设计法混合设计法是将顶层设计法与底层设计法相结合的一种设计方法。

它充分发挥了两种设计方法的优势，既保证了系统性能，又提高了设计效率。

在实际应用中，混合设计法得到了广泛采用。

二、集成电路设计流程1. 需求分析需求分析是集成电路设计的起点，主要包括功能需求、性能需求和可靠性需求。

设计人员需充分了解项目背景，明确设计目标，为后续设计工作奠定基础。

2. 系统架构设计系统架构设计是根据需求分析结果，对整个系统进行模块划分，明确各模块的功能和接口。

此阶段需充分考虑模块间的兼容性和可扩展性，为后续电路设计提供指导。

3. 电路设计与仿真电路设计是根据系统架构，对各个模块进行详细的电路设计。

设计过程中，需运用EDA工具进行电路仿真，验证电路性能是否满足要求。

如有问题，需及时调整电路参数，直至满足设计指标。

4. 布局与布线5. 后端处理后端处理主要包括版图绘制、DRC（设计规则检查）、LVS（版图与原理图一致性检查）等环节。

通过这些环节，确保芯片设计无误，为后续生产制造提供可靠保障。

6. 生产制造7. 测试与验证测试与验证是检验芯片性能和可靠性的关键环节。

通过对芯片进行功能和性能测试，确保其满足设计要求。

如有问题，需及时反馈至设计环节，进行优化改进。

至此，集成电路设计流程基本完成。

在实际设计中，设计人员需不断积累经验，提高自身设计能力，以应对日益复杂的集成电路设计挑战。

三、设计中的关键技术与注意事项1. 信号完整性分析选择合适的传输线阻抗，以减少信号反射和串扰。

集成电路工艺和版图设计参考

0.5 m 、 0.35 m －设计规范（最小特征尺寸）
布线层数：金属（掺杂多晶硅）连线旳层数。
集成度：每个芯片上集成旳晶体管数
12/9/2023
2
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
IC工艺常用术语
净化级别：Class 1, Class 10, Class 10,000 每立方米空气中含灰尘旳个数去离子水氧化扩散注入光刻 …………….
互补对称金属氧化物半导体－特点：低功耗
VDD
C
PMOS
Vi
Vo
I/O
NMOS
VDD I/O
VSS
VSS CMOS倒相器
12/9/2023
C
CMOS传播门
22
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
VDD
S
D
P+
P+
N-Si
VG
Vo
D n+
S
VSS
n+
P-阱
CMOS倒相器截面图
12/9/2023
CMOS倒相器版图
双极IC 半导体IC MOSIC
NMOS IC PMOS IC CMOS IC
BiCMOS
12/9/2023
18
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
MOS IC及工艺
MOSFET — Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
.
— 金属氧化物半导体场效应晶体管
Hinkle.
12/9/2023
15
文档仅供参考，如有不当之处，请联系改正。
Here we are looking at the Incoming material disposition racks

集成电路设计ppt

第四章半导体集成电路基本加工工艺与设计规则 4.1 引言 4.2 集成电路基本加工工艺 4.3 CMOS工艺流程 4.4 设计规则 4.5 CMOS反相器的闩锁效应 4.6 版图设计
第五章 MOS管数字集成电路基本逻辑单元设计 5.1 NMOS管逻辑电路 5.2 静态CMOS逻辑电路 5.3 MOS管改进型逻辑电路 5.4 MOS管传输逻辑电路 5.5 触发器 5.6 移位寄存器 5.7 输入输出（I/O）单元
[3] 陈中建主译. CMOS电路设计、布局与仿真.北京：机械工业出版社，2006.
[4]（美）Wayne Wolf. Modern VLSI Design System on Silicon. 北京：科学出版社，2002.
[5] 朱正涌. 半导体集成电路. 北京：清华大学出版社，2001. [6] 王志功，沈永朝.《集成电路设计基础》电子工业出版
第六章 MOS管数字集成电路子系统设计 6.1 引言 6.2 加法器 6.3 乘法器 6.4 存储器
6.5 PLA 第七章 MOS管模拟集成电路设计基础
7.1 引言 7.2 MOS管模拟集成电路中的基本元器件 7.3 MOS模拟集成电路基本单元电路 7.4 MOS管集成运算放大器和比较器 7. 5 MOS管模拟集成电路版图设计第八章集成电路的测试与可测性设计
1.2 集成电路的发展
1、描述集成电路工艺技术水平的五个技术指标（1）集成度（Integration Level）
集成度是以一个IC芯片所包含的元件（晶体管或门/数）来衡量（包括有源和无源元件）。随着集成度的提高，使IC及使用 IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积和重量减小、产品成本下降，从而提高了性能/价格比，不断扩大其应用领域，因此集成度是IC技术进步的标志。为了提高集成度采取了增大芯片面积、缩小器件特征尺寸、改进电路及结构设计等措施。为节省芯片面积普遍采用了多层布线结构。硅晶片集成（Wafer Scale Integration -WSI)和三维集成技术也正在研究开发。从电子系统的角度来看，集成度的提高使IC进入系统集成或片上系统（SoC）的时代。

集成电路课程设计(范例)

集成电路课程设计1. 目的与任务本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程，其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础上，训练综合运用已掌握的知识，利用相关软件，初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。

2. 设计题目与要求2.1设计题目及其性能指标要求器件名称：含两个2-4译码器的74HC139芯片要求电路性能指标：（1）可驱动10个LSTTL 电路（相当于15pF 电容负载）；（2）输出高电平时，|I OH |≤20μA ，V OH ，min =4.4V ；（3）输出底电平时，|I OL |≤4mA ，V OL ，man =0.4V ；（4）输出级充放电时间t r =t f ，t pd ＜25ns ；（5）工作电源5V ，常温工作，工作频率f work =30MHz ，总功耗P max ＝150mW 。

2.2设计要求1. 独立完成设计74HC139芯片的全过程；2. 设计时使用的工艺及设计规则： MOSIS:mhp_n12；3. 根据所用的工艺，选取合理的模型库；4. 选用以lambda(λ)为单位的设计规则；5. 全手工、层次化设计版图；6. 达到指导书提出的设计指标要求。

3. 设计方法与计算 3.1 74HC139芯片简介74HC139是包含两个2线-4线译码器的高速CMOS 数字电路集成芯片，能与TTL 集成电路芯片兼容，它的管脚图如图1所示，其逻辑真值表如表1所示：图1 74HC139芯片管脚图表1 74HC139真值表片选输入数据输出 C s A 1 A 0 Y 0 Y 1 Y 2 Y 3 0 0 0 0 1 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 0 1××1111从图1可以看出74HC139芯片是由两片独立的2—4译码器组成的，因此设计时只需分析其中一个2—4译码器即可，从真值表我们可以得出Cs 为片选端，当其为0时，芯片正常工作，当其为1时，芯片封锁。

(完整版)1-1集成电路版图设计概述

二、按集成度分类
集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目
类别
数字集成电路
模拟集成电路
MOS IC
双极IC
SSI
<102
<100
<30
MSI
102103
100500
30100
LSI
103105
5002000
100300
VLSI
105107
>2000
>300
ULSI
107109
GSI
❖ 专用集成电路根据某种电子设备中特定的技术要求而专门设计的集成电路简称ASIC，其特点是集成度较高功能较多，功耗较小，封装形式多样。玩具狗芯片；通信卫星芯片；计算机工作站CPU中存储器与微处理器间的接口芯片
第一章集成电路设计概述
1.3 无生产线集成电路设计技术 Fabless IC Design Technique
IDM与Fabless集成电路实现
• 集成电路发展的前三十年中，设计、制造和封装都是集中在半导体生产厂家内进行的，称之为一体化制造 (IDM，Integrated Device Manufacture)的集成电路实现模式。
• 近十年以来，电路设计、工艺制造和封装开始分立运行，这为发展无生产线（Fabless）集成电路设计提供了条件，为微电子领域发展知识经济提供了条件。
第一章集成电路设计概述
1.1 集成电路（IC）的发展
芯片，现代社会的基石
内存条
PDA：掌上电脑
手机
数码相机
主板
计算机
集成电路
Integrated Circuit ，缩写IC IC是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体晶片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能的一种器件。