模拟电子技术学习笔记

本证半导体：纯净晶体结构的导体。常用的有硅和锗。

在外电场的作用下，自由电子定向移动形成电子电流；从而破坏晶格间原有的共价键，出现

电子的空位，称为空穴。空穴也进行位置的相对移动，形成空穴电流。

N型半导体：在本征半导体中加入+5价的元素，（磷，锑，砷）。使导体内的每一个原子周围除形成共价

键之外，有一个游离的电子，N型半导体的多数载流子电子，少数载流子空穴。电子受力移动，留下施主

杂质带正电（不参与导电）。

所以，杂质半导体，多数载流子主要取决于杂质的浓度。少数载流子有共价键提供，其浓度取决于

温度。整个半导体内先电中性。

PN结

P型与N型的交界处形成PN结。

交界两侧电子与空穴浓度差悬殊，产生扩散运动。电子由动，

形成P向N的电子电流。交界动且显负，正的杂质离子，从而

形成散运动，中将达到二者平衡。

N向P移

P,N分别留下（漂移）了不能移

N向P的自建电场，阻碍了扩

当达到平衡时，扩散运动与漂移运动的作用相等，通过界面的总载流子数为

零，PN结的电流为0; PN结交界区形成一个高阻区，称为耗尽层。

PN结的导电性

扩散电容

正向电压

势垒电容

反向电压

电压超

过门限

值，PN

结击穿

击穿不

一定

PN结

的损坏

P接电源高电压，N接电源低电压,

外加电场与自建场方向相反，阻挡层变

窄，促进多子扩散，PN结导通。

N接电源高电压，P接电源低电压

外加电场与自建场方向相同，阻挡层变宽，

促进少子漂移，PN结截止, 电流方向与正向

偏置时相反，称为反向电流。少子成小电

流，反向电流很小。

反向电压超过0•几V时少子基本在电场作

用下，形成漂移电流，少子不因为电压变大

而增多，反向电流基本不变，即饱和电

流。

雪奔击穿（碰撞击穿）少子能量过大，

与原子碰撞，从而形成电子一—空穴

对。如此连锁反应，反向电流快速增

加。

齐纳击穿（电场击穿）原子间的

价电子直接拉出，形成电子一一

空穴对，反向电流急剧增加。

工作在击穿条件下，反向电流变化大，电压却变化很小，即具有稳压性。

二极管的应用：限幅电路

门电路

三极管的结构及类型

集电結

I

卜C1O 集电结、

N -—集电区

基极b P P一基艺 ---------- 亡 b —P

发射结丿

—发射区N

C> e0

e

(a} NPN (/»PNP

集电结

发射结

正向反向

正向饱和状态放大状态

反向反向放大截止状态

l e=l c+l b（共基极电流放大系数a,共发射极电流放大系数®

1：发射结（c）重掺杂。

2:基区（e）很薄。

3 :集电极面积大。

（a）共基极（b）共发射极（c）共集电极

三极管的放大作

用

三极管的特性曲线:

1当Uce不变时，输入回路中的电流lb与电压Ube之间的关系曲线称为输入特性

2：当lb不变时，输出回路中的电流lc与电压Uce之间的关系

曲线称为输出特性

基极电流lb、集电极电流lc= B i b, Uce。

电容开路

电感短路

信号源短路

直流分析：即静态分析，（先画出直流通路）

共设极的电路:

静态工作点不合适1、输入电压与输出电压反相。

2、顶部失真，输入回路就出现开始失真。（饱

和）

3、底部失真，输入端lb没失真，在输出出现失真。

大到极限近似等于Vcc

Uce减小到极限

（截止）Uce增不失真，整个周期，三极管处在放大区