常用贴片电容选型资料

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通用型贴片电容规格书(选型手册)

通用型贴片电容规格书(选型手册)

【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COHCOG, ,-55125,030ppm/060ppm/0805CG101J500NT(PF) ( 0402 0.04 0603 0.06 0805 0.08 1206 0.12 ) 0.02 0.03 0.05 0.06 1.00 1.60 2.00 3.20 ( ) 0.50 0.80 1.25 1.60 CG CH COG NPO COH 100 101 102 10 100 1J G C B D5.00% 2.00% 0.25PF 0.10PF 0.50PF10 10 10 1026R3 100 250 5006.3V 10V 25V 50VS C N / / T BWBWTL mm L 0402 0603 0805 1206 1005 1608 2012 3216 1.00 1.60 2.00 3.20 0.05 0.10 0.20 0.30 W 0.50 0.80 1.25 1.60 0.05 0.50 0.10 0.80 0.20 0.80 1.00 1.25 0.20 0.80 1.00 1.25 T WB 0.05 0.25 0.10 0.30 0.20 0.50 0.20 0.20 0.20 0.60 0.20 0.20 0.10 0.10 0.20 0.3015【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】0.80 0.20 1.00 0.20 0.50 0.80 0.20 1.00 0.20 0.600.20 0.30【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG/COH 0402 0603 0805 12066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF17【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】04020603080512066.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50V 6.3V 10V 16V 25V 50VCapacitance0.5PF 1PF 2PF 3PF 4PF 5PF 6PF 7PF 10PF 22PF 33PF 47PF 68PF 100PF 120PF 150PF 180PF 220PF 330PF 470PF 560PF 680PF 1000PF 2200PF 2700PF 3300PF 4700PF 5600PF 6800PF 10nF 12nF 15nF 22nF 47nF 68nF 100nF【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITORCOG COHPH~SLCOG PH SH SL TH RH UJCOH1-55125-55851. 2. 3. 2 4. 5. , , , , , 103 4 Cr 5PF 0.56% -4 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 10 Cr 500s 3 50mA 150+0/-10 8 25 9 75 235 5 2 0.5 25 60 265 10 1 25 : 1 2 100 170 120 200 1 1 2.5mm/ 24 2 5 5 5 2.5mm/ 245 24 -55 125 2 -55 85 60 510:HP4278A 1. 2. 3. (D.F.) :1.0 C : : (HP4284 25 5 0.2V 0.1MHz; 0.1KHZ ) 1000PF,1.0 :SF2511 , 60 60 1 5 :30% 75%5:C<1000PF,1.06I.R.7>3x150+0/-10 5% 0.5PF D.F. 10 I.R. 24 245【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】General COGCOHPHSL MLCC reliability test methodStandard Number Item COG COH MLCC for General-use -55 125 PH, RH, SH, TH, UJ, SL MLCC for General-use -55 85 Check by using microscope 10 . Test Method1Operating Temperature RangeAppearance21.Good ceramic body color continuity. 2.The chips have no visual damages and must be very smooth. 3.No exposed inner- electrode, no cracks or holes. 4.The outer electrode should have no cracks, holes, damages or surface oxidation. 5.Outer electrode no prolongation or the prolongation is less than half of that of the termination width.3 4 5Dimensions Capacitance Dissipation Factor (DF)Within the specified dimensions Within the specified tolerance Cr 5PF 0.56% 5PF Cr 50PF 1.5 [(150/Cr)+7] 10-4 Cr 50PF 0.15% C C 10nF Ri 10nF Ri 5 1010 Cr 500sUsing micrometer or vernier calipers Measuring Equipments:HP4278 capacitance meter,HP4284 capacitance, Measuring Conditions: 1.Measuring Temperature:25 5 .Humidity: 30% 75%. 2.Measuring Voltage:1.0 0.2V. 3.Measuring Frequency:C<1000PF 1.0 0.1MHz C 1000PF 1.0 0.1KHz Measuring Equipment:Insulation resistance meter (such as Sf2511 insulation resistance). Measuring Method:Must measure at rated voltage, and measure the IR within 60 5 seconds. Must measure at 3 times rated voltage, dwell time: 60 1 seconds, no short and the changing/discharging current less than 50mA. First, pre-heat: heat treat 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Measure the capacitance at -55 125 or -55 85 , the capacitance change ratio comparing to that of 25 must be within the specified range. Dip the capacitor into ethanol or colophony solution, and then dip it into 235 5 ( or 245 5 leadless eutedtic solder solution ) eutectic solder solution hanving lead for 2 0.5 seconds. Dipping speed: 25 2.5mm/second. First pre-heat: heat treat for 60 5 minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Then pre-heat the capacitance according to the following chart. Dip the capacitor into 265 5 eutectic solder solution for 10 1 seconds. Then set it for 24 2 hours at room temperature, then measure. Dipping speed: 25 2.5mm/second. Preheat conditions: Stage 1 2 Temperature 100 170 120 200 Time 1minute 1minute6Insulation Resistance7Withstanding Voltage Capacitance Temperature Characteristic>3x rated continuous working voltage Must meet the capacitor character temperature coefficient requirements within the operating temperature range. Tin coverage should be 75% of the outer electrode Appearance Cap. Change ratio DF No defects visible 5%or 0.5PF (whichever is larger)89SolderabilityResistance to Soldering10Same as original spec Same as original specIR46【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR1 10N11 10N,10 1 :1.0mm/ 11.5mm 10 D.F. 12 55Hz 210 55Hz 10Hz 6 123 420 mm mmmm13mmmmmmmm150+0/-10 14 24 2 24 260 547【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItems Adhesive Strength of TerminationStandard No removal of the terminations or other defect shall occurTest Method Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.1 using a eutectic solder.Then apply a 10N force inthe direction shown as the arrowhead.The aoldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that an iron or using the refow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as heat shock,etc. 10N,10 1s Speed:1.0mm/s Glss epoxy resinboard11Fig.1 Vibration Resistance Appearance Capacitance No defects or abnormities Within the specified tolerance range Same as original spec12DFSolder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board). The capacitor should be subjected to a simple harmonic motion having a total amplitude of 1.5mm, the frequency being varied uniformly between the approximate limits of 10 and 55Hz, shall be traversed (from 10 Hz to 55 Hz then 10 Hz again) in approximately 1 minute.This motion shall be applied for a period of 2 hours in each 3 mutually perpendicular directions (total is 6 hours).Same i standarFif.2 Bending Resistance No cracks or other defects shall occur Solder the capacitor to the test jig (glass epoxy resin board) shown in Fig.3 using a eutectic solder. Then apply a 10N force in the direction shown as Fig.4. The soldering shall be done either with an iron or using the reflow method and shall be conducted with care so that the soldering is uniform and free of defects such as mm heat shock, etc.mm13mm mm mm14Temperature CycleAppearance No defects or abnormitiesPre-treatment: Heat-treat the capacitor for 60 5minutes at 150+0/-10 , then set it for 24 2 hours at room temperature. Perform five cycles according to the four heat treatments listed in the following table. Set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.48mm【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】MULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR2.5% 0.25PF, 1 10000M 2 3 4 2 3 30 3 2 3 30 3 2 314D.F. I.R.40 290 95 24 2500+24/-05% 0.5PF, 15 ( ) D.F. I.R. 10000M40 2 500+24/-0 5% 0.5PF, 16 D.F. I.R. 10000M90 95 24 22 50mA 5% 0.5PF, 17 D.F. I.R. 10000M1000 12 24 249【 南京南山半导体有限公司 — 贴片电容选型资料】NumberItem Temperature CycleStandard Cap. Change ratio D.F. I.R. 2.5% or 0.25 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000M Heat-treatment:Test Method14stage temperature 1 lowest opeating temperature 3 2 normal temperature 3 high operating temperature 2 4 normal temperaturetime min. 30 3 2 3 30 3 2 3Humidity Steady StateAppearance Cap. Change ratio D.F. I.R.No defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MSet the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Then remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.15Humidity LoadAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply rated voltage to the capacitor for 500+24/-0 hours at the condition of 40 2 and 90-95% humidity. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.16D.F. I.R.Life TestAppearance Cap. Change ratioNo defects or abnormities 5% or 0.5 PF (whichever is larger) Same as original spec More than 10000MApply two times rated voltage to the capacitor for 1000 12 hours at the upper temperature limits, the charging current should be less than 50mA. Remove and set it for 24 2 hours at room temperature, then measure.17D.F. I.R.5057-10%-5%0%5%10%COG 50VX7R 50V Z5U 50V Y5V50V010********-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%[Vdc]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZZ5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG PH RH SH TH UHCOG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%[Hr]X7R20%0%[Vr ms ]COG :1MHZ X7R,Z5U,Y5V:1KHZMULTILAYER CHIP CERAMIC CAPACITOR58-5%0%5%10%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%Z5U 50VY5V 50V X7R 50VC0G 50V0123-20%0%+20%+40%+60%^+80%COG X7R Y5V,Z5U05010010001000010%0%-10%-20%-30%-40%0%GENEREL-USE MLCC CHARCCTER PROFILESCapacitance change ratio DC Voltage[Vdc]Measuring condition COG :1MHzX7R,Z5U,Y5V:1KHzCOG and PHRH SH TH UH siriestemperature coefficentDC Capacitance-AC VoltageCharactericsCapacitance change_agingTime[Hr]X7R tempreture characteristicsZ5U [Vr ms ]Capacitance change ratioCapacitance change ratio Capacitance change ratio Capacitance change ratio。

各种贴片电容容值规格全参数表

各种贴片电容容值规格全参数表

各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号:大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

宇阳科技贴片电容设计选型

宇阳科技贴片电容设计选型
无极性、高成本、耐高温性差。
宇阳科技贴片电容设计选型
陶瓷介质电容器的分类
1类陶瓷介质——顺电体,线性温度系数,热 稳定型或热补偿型
2类陶瓷介质——铁电体,非线性温度特性, 高比体积电容,小型化、微型化
3类陶瓷介质——阻挡层或晶界层型陶瓷 , 单层型圆片电容器介质
宇阳科技贴片电容设计选型
1类瓷的标志代码( ANSI/EIA -198-E)
高频/高压化——高可靠、片式化、高Q值、耐高压。适 用于RF模块,电源滤波,LCD背光。
宇阳科技贴片电容设计选型
1、 MLCC的应用——IT及外设、网络
宇阳科技贴片电容设计选型
1、 MLCC的应用——通信
宇阳科技贴片电容设计选型
1、MLCC的应用——数字视听(A&V)
宇阳科技贴片电容设计选型
9
±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10.0 ±15.0 ±22.0
+22/-33
+22/-56
+22/-82
(a)
(e)行的 字母代码
A B C D E F P R S T U V
宇阳科技贴片电容设计选型
2类陶瓷介质的温度特性
X7R:ΔC/C±15%, (55℃~125℃)
2、电容器的分类
陶瓷介质类(1、2、3类) 有机薄膜类(聚酯PET、聚丙烯PP、聚苯乙烯
PS、聚碳酸酯PC、聚2,6萘乙烯酯PEN、聚苯 硫醚PPS) 电解类:钽、铝电解液、有机半导体络合盐 TCNQ、导电聚合物阴极聚吡咯(PPY)\聚噻 吩(PTN) 其他类(云母、云母纸、空气)
宇阳科技贴片电容设计选型
1990
1997
2002

各品牌贴片电容规格资料汇总

各品牌贴片电容规格资料汇总

各品牌贴片电容规格资料汇总贴片电容是一种常见的电子元器件,被广泛用于电路设计和生产中。

它们具有小巧的尺寸、稳定性好以及较低的成本。

各品牌贴片电容的规格资料是电子行业从业人员日常工作所必需的信息之一、本文将汇总一些知名品牌的贴片电容规格资料,供读者参考。

1. Murata(村田)Murata是一家日本电子元器件制造企业,也是全球最大的陶瓷电容制造商之一、以下为Murata的一些常用贴片电容规格资料:-容量范围:从0.1pF到100μF-额定电压范围:从4V到100V-外观尺寸:包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812等常见尺寸-允许偏差:±0.1pF到±20%不等-温度系数:X7R、X5R、NPO等不同温度系数可选-特殊系列:如高温型、高电压型、耐震性、防激波等2. Samsung(三星)三星是一家韩国综合电子企业,也是全球最大的半导体制造商之一、以下为三星的一些常用贴片电容规格资料:-容量范围:从0.5pF到22μF-额定电压范围:从4V到100V见尺寸-允许偏差:±0.1pF到±20%不等-温度系数:X7R、X5R、X6S、X8S等不同温度系数可选-特殊系列:如高温型、高电压型、耐震性、防激波等3.TDK(TDK公司)TDK是一家日本电子元器件制造企业,也是全球最大的磁性元件制造商之一、以下为TDK的一些常用贴片电容规格资料:-容量范围:从0.1pF到220μF-额定电压范围:从4V到100V-外观尺寸:包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812等常见尺寸-允许偏差:±0.1pF到±20%不等-温度系数:X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列:如高温型、高电压型、耐震性、防激波等4. Yageo(圆石)圆石是一家台湾电子元器件制造企业,也是全球最大的无源元件制造商之一、以下为圆石的一些常用贴片电容规格资料:-容量范围:从0.1pF到2.2μF-额定电压范围:从4V到100V见尺寸-允许偏差:±0.1pF到±20%不等-温度系数:X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列:如高温型、高电压型、耐震性、防激波等5.AVX(AECOM公司)AVX是一家美国电子元器件制造企业,也是全球领先的陶瓷电容制造商之一、以下为AVX的一些常用贴片电容规格资料:-容量范围:从0.1pF到47μF-额定电压范围:从6.3V到100V-外观尺寸:包括0201、0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812等常见尺寸-允许偏差:±0.1pF到±20%不等-温度系数:X7R、X5R、X6S、X7S等不同温度系数可选-特殊系列:如高温型、高电压型、耐震性、防激波等以上仅为一些知名品牌贴片电容规格资料的简要汇总,实际应用中还需要根据具体的设计要求、电路需求以及可用的供应商和库存情况选择最合适的贴片电容。

8.2pF贴片电容0603CG8R2C500NT风华电容选型资料

8.2pF贴片电容0603CG8R2C500NT风华电容选型资料
第1页共3页
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】

|通用型贴片电容特性曲线
※ C0G 贴片电容温度系数图
※ X7R 贴片电容温度系数图
※ Y5V 贴片电容温度系数图
※ Z5U 贴片电容温度系数图
※ 贴片电容偏压特性图
※ 贴片电容器老化特性图
※ 贴片电容交流特性图 第2页共3页
【南京南山—领先的片式无源器件整合供应商】
0603CG8R2C500NT 贴片电容器选型表

8.2pF 贴片电容 0603CG8R2C500NT 主要参数:封装 0603、精度±0.25pF,材质 C0G(NP0),耐压值为额定工作电压 50V 的 3 倍,详见风华高科贴片电容规格书。本选型表主要内容包括风华 0603CG8R2C500NT 电容规格参数、制造与订购信息、 最小包装量、电容材质特性、封装代号与外形尺寸对照表、通用特性曲线等。后附小批量样品申请单。
L(长)尺寸 W(宽)尺寸 T(高)尺寸 电极宽度 wb 公制封装代号 英制封装代号
1.6±0.1mm 0.8±0.1mm 0.8±0.1mm 0.30±0.10mm 1608 0603
声明:
1、本规格书是由风华高科授权代理商-南京南山半导体有限公司自风华高科官方网站下载整理,若有变更,恕不另行通知; 2、本规格书没有足够的空间说明详细电性能参数,仅列明了标准规格,在订购产品之前谨请与风华高科代理商南京南山半导体有限公司确认。
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贴片电容选型指南

贴片电容选型指南

贴片电容选型资料与使用说明MLCC(片状多层陶瓷电容)现在已经成为了电子电路最常用的元件之一。

MLCC表面看来,非常简单,可是,很多情况下,设计工程师或生产、工艺人员对MLCC的认识却有不足的地方。

以下谈谈MLCC 选择及应用上的一些问题和注意事项。

MLCC虽然是比较简单的,但是,也是失效率相对较高的一种器件。

失效率高,一方面是MLCC结构固有的可靠性问题,另外还有选型问题以及应用问题。

由于电容算是“简单”的器件,所以有的设计工程师由于不够重视,从而对MLCC的独有特性不了解。

在理想化的情况下,电容选型时,主要考虑容量及耐压两个参数就够了。

但是对于MLCC,仅仅考虑这两个参数是远远不够的。

使用MLCC,不能不了解MLCC的不同材质和这些材质对应的性能。

MLCC的材质有很多种,每种材质都有自身的独特性能特点。

不了解这些,所选用的电容就很有可能满足不了电路要求。

举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)材质,X7R材质,Y5V材质。

C0G的工作温度范围和温度系数最好,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时温度系数为0 ±30ppm/°C。

X7R次之,在-55°C至+125°C的工作温度范围内时容量变化为±15%。

Y5V的工作温度仅为-30°C至+85°C,在这个工作温度范围内时其容量变化可达-22%至+82%。

当然,C0G、X7R、Y5V的成本也是依次减低的。

在选型时,如果对工作温度和温度系数要求很低,可以考虑用Y5V的,但是一般情况下要用X7R的,要求更高时必须选择COG的。

一般情况下,MLCC厂家都设计成使X7R、Y5V材质的电容在常温附近的容量最大,但是随着温度上升或下降,其容量都会下降。

仅仅了解上面知识的还不够。

由于C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是依次减少的,所以,同样的尺寸和耐压下,能够做出来的最大容量也是依次减少的。

常用电容电阻电感设计选型共20页文档

常用电容电阻电感设计选型共20页文档

1.贴片电容C:100nF/ 50V X7R +/-10% 0805, -55℃到+125℃>100nF / 25V X5R +/-10% 0805,+10℃---+85℃一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

封装DC="50V"DC="100V"0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF三Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

最全贴片电容规格书

最全贴片电容规格书

贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V,常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。

所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。

二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

贴片电容资料

贴片电容资料

Y5V电容器Y5V电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达 22%到-82%。

Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μF电容器。

Y5V电容器的取值范围如下表所示X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。

当温度在-55℃到125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。

它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

下表给出了X7R电容器可选取的容量范围。

NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。

在温度从-55℃到 125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。

这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于Z5U电容器主要的是它的小尺寸和低成本。

对于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有最大的电容量。

但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。

尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围。

尤其是在退耦电路的应用中。

下表给出了Z5U电容器的取值范围。

贴片电容容量表大全

贴片电容容量表大全

贴片电容容量表厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号:大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

我们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大家知道,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,大都具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确定之后,能否达到预期的效果,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途可以分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳定电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分可以分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率可以分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

其特点是介质系数较大,介质损耗小,温度系数和范围广,一般在(+120~-5600)ppm/℃之间可调。

高频热补偿电容瓷常用来制造的负温产品,其用途最广的地方就是振荡回路,像彩电高频头。

大家知道,振荡回路都是由电感和电容构成,回路中的电感线圈一般具有正的电感温度系数。

常见的贴片电容的型号命名方法选用涉及到很多问题

常见的贴片电容的型号命名方法选用涉及到很多问题

常见的贴片电容的型号命名方法选用涉及到很多问题贴片电容的命名:贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。

一般订购贴片电容需提供的参数要有尺寸的大小、要求的精度、电压的要求、容量值、以及要求的品牌即可。

贴片电容的命名:0805CG102J500NT0805:是指该贴片电容的尺寸套小,是用英寸来表示的。

08表示长度是0.08英寸、05表示宽度为0.05英寸;CG:是表示做这种电容要求用的材质,这个材质一般适合于做小于10000PF以下的电容;102:是指电容容量,前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10×102,也就是=1000PF;J:是要求电容的容量值达到的误差精度为5%,介质材料和误差精度是配对的;500:是要求电容承受的耐压为50V。

同样500前面两位是有效数字,后面是指有多少个零;N:是指端头材料。

现在一般的端头都是指三层电极(银/铜层)、镍、锡;T:是指包装方式。

T表示编带包装,B表示塑料盒散包装;贴片电容的颜色,常规见得多的就是比纸板箱浅一点的黄,和青灰色,这在具体的生产过程中会有产生不同差异。

贴片电容上面没有印字,这是和他的制作工艺有关(贴片电容是经过高温烧结面成,所以没办法在它的表面印字),而贴片电阻是丝印而成(可以印刷标记)。

贴片电容有中、高压贴片电容、普通贴片电容,系列电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、100V、200V、500V、1000V、2000V、3000V、4000V。

贴片电容的尺寸表示法有两种,一种是英寸为单位来表示,一种是以毫米为单位的公制来表示。

贴片电容系列的型号有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。

04表示长度是0.04英寸,02表示宽度0.02英寸,其他类同。

英制英寸公制mm 长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.201206 3216 3.20±0.30 1.60±0.20 0.70±0.201210 3225 3.20±0.30 2.50±0.30 1.25±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00贴片电容的选用涉及到很多问题。

贴片电容常见容值规格参数

贴片电容常见容值规格参数

贴片电容常见容值规格参数在电子产品的制造和设计中,贴片电容是一种常见的元器件。

它具有体积小、重量轻、安装方便等优点,因此被广泛应用于电子设备中。

在选择贴片电容时,容值是一个重要的参数。

容值的大小决定了电容器的存储电荷量,也直接影响电路的性能。

容值是贴片电容的最基本参数之一,也是我们选择时需要特别关注的。

常见的贴片电容容值规格参数有以下几种:1. 纳法(nF):纳法是最常见的贴片电容容值单位之一。

它表示的是电容器的容值大小,其数值一般较小,通常在几个皮法到几百微法之间。

纳法容值的贴片电容器广泛用于各类电子设备中,如手机、电脑、摄像机等。

2. 微法(uF):微法是另一种常见的贴片电容容值单位。

与纳法相比,微法容值的贴片电容器数值较大,一般在几微法到几百微法之间。

微法容值的贴片电容器常用于需要较大电容值的电路中,如电源滤波电路、音频放大电路等。

3. 皮法(pF):皮法是贴片电容容值的较小单位,一皮法等于一万分之一纳法。

皮法容值的贴片电容器一般用于需要较小电容值的高频电路中,如射频电路、天线匹配电路等。

4. 法拉(F):法拉是电容器容值的国际单位,容值较大,一般在几毫法到几百毫法之间。

法拉容值的贴片电容器常用于一些特殊应用中,如电动机启动电容器、电力电子设备中的电容器等。

在实际应用中,我们选择贴片电容时需要根据电路的需求来确定合适的容值。

一般来说,如果电路对容值的要求较高,我们可以选择容值较大的贴片电容器;如果电路对容值的要求较低,我们可以选择容值较小的贴片电容器。

当然,还需要考虑到电容器的尺寸、工作电压、温度系数等其他因素。

除了容值之外,贴片电容还有一些其他的规格参数也需要注意。

比如工作电压(V),它表示电容器能够承受的最大电压值;温度系数(TC),它表示电容器容值随温度变化的程度;失效率(DF),它表示电容器在工作频率下的损耗程度等等。

贴片电容的常见容值规格参数包括纳法、微法、皮法和法拉。

在选择贴片电容时,我们需要根据电路的需求来确定合适的容值。

MLCC贴片电容如何选型

MLCC贴片电容如何选型

MLCC贴片电容如何选型MLCC贴片电容(片状多层陶瓷电容)如今现已成为了电子电路最常用的元件之一。

MLCC外表看来,十分简略,可是,许多情况下,描绘工程师对MLCC贴片电容的知道却有缺乏的当地。

以下谈谈MLCC挑选上的一些难题和注重事项。

MLCC贴片电容尽管是比较简略的,可是,也是失功率相对较高的一种器材。

失功率高,一方面是MLCC 布局固有的牢靠性难题,别的还有选型难题以及运用难题。

因为电容算是“简略”的器材,所以有的描绘工程师因为不行注重,从而对MLCC的独有特性不知道。

在理想化的情况下,电容选型时,首要思考容量及耐压两个参数就够了。

可是关于MLCC,只是思考这两个参数是远远不行的。

运用MLCC,不能不知道MLCC贴片电容的不一样原料和这些原料对应的功能。

MLCC的原料有许多种,每种原料都有本身的共同功能特色。

不知道这些,所选用的电容就很有能够满意不了电路需求。

举例来说,MLCC常见的有C0G(也称NP0)原料,X7R原料,Y5V原料。

C0G的作业温度规模和温度系数最棒,在-55°C 至+125°C的作业温度规模内时温度系数为0 ±30ppm/°C。

X7R次之,在-55°C至+125°C的作业温度规模内时容量改变为±15%。

Y5V的作业温度仅为-30°C至+85°C,在这个作业温度规模内时其容量改变可达-22%至+82%。

当然,C0G、X7R、Y5V的本钱也是顺次减低的。

在选型时,若是对作业温度和温度系数需求很低,能够思考用Y5V的,可是通常情况下要用X7R的,需求更高时有必要挑选COG的。

通常情况下,MLCC 厂家都描绘成使X7R、Y5V原料的电容在常温邻近的容量最大,可是跟着温度上升或降低,其容量都会降低。

只是知道上面常识的还不行。

因为C0G、X7R、Y5V的介质的介电常数是顺次削减的,所以,相同的尺度和耐压下,能够做出来的最大容量也是顺次削减的。

片式电容器选型概要

片式电容器选型概要

贴片陶瓷电容全称为多层(积层、叠层)片式陶瓷电容器,也称为片容或表面贴装电容器,英文缩写:MLCC。

主要规格尺寸,按英制标准分为:0201、0402、0603、0805、1206;以及大规格的1210、1808、1812、2220、2225、3012、3035等。

容量范围:0.5pF~100uF,其中,一般认为容量在1uF以上为大容量电容。

额定电压:从4V到4kV(DC),当额定电压在100V及以上时,即归纳为中高压电容。

目前,南京南山主要提供以下系列贴片式电容产品:通用系列、大容量系列、直流中高压系列、超薄型系列、片式三端陶瓷滤波器(EMI)、四联体/二联体片式电容器(片式排容)等。

贴片钽电解电容全称:片式固体电解质钽电容器,也称为贴片钽电容,简称:片钽。

主要规格,分为:A型、B型、C型、D型、E型以及P型(超小型)等容值范围:0.1uF~470uF;标准精度为±20%,可以根据客户要求提供±10%的产品。

额定电压范围:4V~50V,使用温度范围:-55℃~+125℃。

钽电解电容产品,都是用五氧化二钽作为电介质,在生产过程中,通过电解工艺,在钽阳极体表面生成一层五氧化二钽膜。

这种膜具较高绝缘强度和介电常数,且厚度极小;钽电解电容器正是利用这个特性,使得钽电容器单位体积内所具有的电容量可以做到很大。

特别需要注意的是,当使用温度大于+85℃时,需使用相应的降额电压。

同时,钽电容是具有极性的电子元件(其正极一般用深色的长条或斜角标识),不能接反,否则会造成永久失效。

贴片钽电容封装尺寸表T491系列标准品贴片铝电解电容Array全称:贴片铝电解电容器,简称:片式铝电解,片铝等。

南京南山主要代理分销“风华”和“立隆”两个品牌的贴片铝电解电容器。

主要规格尺寸,按公制标准分为:Φ4×5.5mm、Φ5×5.5m、Φ6.3×5.5mm、Φ6.3×7.7mm、Φ8×6.2mm、Φ8×10.2mm、Φ10×10.2mm、Φ10×12mm等。

各类贴片电容容值规格参数表

各类贴片电容容值规格参数表

各类贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳固。

X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201~1206 X7R贴片电容选型表1210~2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表2009-07-15 16:28 阅读354 评论1 字号:大中小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

层叠独石结构,具有高可靠性。

优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

咱们把用来制造片式多层瓷介电容(MLCC)的陶瓷叫电容器瓷。

那个地址所说的瓷介确实是用电容器瓷制成的陶瓷介质。

大伙儿明白,陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。

就其显微结构而论,多数具有多晶多相结构。

其性能往往决定于其成份和结构。

当配方确信以后,可否达到预期的成效,关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。

按其用途能够分为三类:①高频热补偿电容器瓷(UJ、SL);②高频热稳固电容器瓷(NPO);③低频高介电容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。

按温度系数分能够分为两类:①负温度系数电容器瓷(即高频热补偿电容器瓷);②正温度系数电容器瓷(即平常咱们常说的COG、X7R、Y5V瓷料)。

按工作频率能够分为三类:低频、高频、微波介质。

高频热补偿、热稳固电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用,其瓷料要紧成份是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。

贴片电容规格表

贴片电容规格表

贴片电容规格表贴片电容规格表贴片电容是一种高效的电子元器件,广泛应用于电子电路中。

以下是一些常用的贴片电容规格表,其中包括容值范围、工作电压、温度系数和尺寸等信息。

1. 0603规格贴片电容0603规格贴片电容是一种常用的小型电容,尺寸为0.06英寸×0.03英寸,也就是1.60 mm×0.80 mm。

其容值范围为1pF to 1µF,工作电压在6.3V to 50V之间。

温度系数通常为±100ppm/℃,也有一些产品温度系数更小,例如±50ppm/℃。

这种电容通常用于手机、平板电脑、笔记本电脑等小型电子设备中。

2. 0805规格贴片电容0805规格贴片电容是一种中等尺寸的电容,尺寸为0.08英寸×0.05英寸,也就是2.03 mm×1.27 mm。

其容值范围为1pF to 10µF,工作电压在6.3V to 250V之间。

温度系数通常为±100ppm/℃。

这种电容通常用于消费电子产品、车载电子设备等中等尺寸的电子设备中。

3. 1206规格贴片电容1206规格贴片电容是一种较大的电容,尺寸为0.12英寸×0.06英寸,也就是3.20 mm×1.60 mm。

其容值范围为1pFto 22µF,工作电压在6.3V to 630V之间。

温度系数通常为±100ppm/℃。

这种电容通常用于工业控制、通信设备等较大尺寸的电子设备中。

以上是常见的贴片电容规格表,但不限于此,不同品牌和型号的贴片电容可能具有不同的规格和性能参数。

在选购贴片电容时,应该根据具体的应用需求和设计要求选择合适的规格和品牌。

贴片电容封装选型标准

贴片电容封装选型标准

贴片电容封装选型标准贴片电容是电子元器件中广泛使用的一种,其封装类型也有很多种。

在进行贴片电容封装选型时,需要考虑以下几个方面:1. 封装类型贴片电容的封装类型有很多种,如0805、0603、0402等,不同的封装类型大小不同,功率也不同。

选型时需要根据具体的电路板设计和元器件布局要求来选择合适的封装类型。

2. 容值贴片电容的容值是选型的重要参数之一。

容值大小决定了电容器的存储电荷量,一般用单位“微法”(μF)表示。

容值越大,存储电荷量越多,反之存储电荷量越少。

在选型时需要根据具体的电路设计要求选择合适的容值。

3. 额定电压贴片电容的额定电压是指电容器能承受的最大电压值。

在选型时需要根据具体的电路设计要求选择合适的额定电压值。

如果额定电压过小,可能会导致电容器被击穿,从而影响整个电路的正常工作。

4. 精度贴片电容的精度是指其实际容值与标称容值之间的差异。

一般来说,精度越高,价格也越高。

在选型时需要根据具体的电路设计要求选择合适的精度。

5. 工作温度范围贴片电容的工作温度范围是指其能够正常工作的温度范围。

在选型时需要根据具体的应用场景来选择合适的工作温度范围。

如果工作温度范围不符合要求,可能会导致电容器失效或损坏。

6. 寿命贴片电容的寿命是指其能够正常工作的时间。

在选型时需要根据具体的应用场景来选择合适的寿命。

如果寿命不符合要求,可能会导致电容器失效或损坏。

总之,在进行贴片电容封装选型时,需要根据具体的电路设计要求和应用场景来选择合适的封装类型、容值、额定电压、精度、工作温度范围和寿命等参数。

同时,在选型时还需要考虑价格、供货周期、供应商信誉等因素,以确保选型的合理性和可靠性。

贴片电容选型

贴片电容选型

MLCC贴片电容选型不同介质性能决定了MLCC不同的应用C0G电容器具有高温度补偿特性,适合作旁路电容和耦合电容X7R电容器是温度稳定型陶瓷电容器,适合要求不高的工业应用Z5U电容器特点是小尺寸和低成本,尤其适合应用于去耦电路Y5V电容器温度特性最差,但容量大,可取代低容铝电解电容MLCC常用的有C0G(NP0)、X7R、Z5U、Y5V等不同的介质规格,不同的规格有不同的特点和用途。

C0G、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。

在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同,随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同,所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。

C0G(NP0)电容器C0G是一种最常用的具有温度补偿特性的MLCC。

它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。

C0G电容量和介质损耗最稳定,使用温度范围也最宽,在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。

C0G电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。

其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。

C0G电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。

C0G电容器适合用于振荡器、谐振器的旁路电容,以及高频电路中的耦合电容。

X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型陶瓷电容器。

X7R电容器温度特性次于C0G,当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。

X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下也是不同的,它随时间的变化而变化,大约每10年变化1%ΔC,表现为10年变化了约5%。

X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用,并且电压变化时其容量变化在可以接受的范围内,X7R的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。

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贴片电容简述
通常大家所说的贴片电容是指片式多层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors),简称MLCC,又叫做独石电容。

它是在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次烧结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成的。

具有小体积、大容量、Q值高、高可靠和耐高温等优点。

同时也具有容量误差较大、温度系数很高的缺点。

一般用在噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路。

常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V,常见引脚封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。

贴片电容基本结构
多层陶瓷电容(MLCC)是由平行的陶瓷材料和电极材料层叠而成。

见下图:
贴片电容封装尺寸
封装(L) 长度
公制(毫米)
英制(英寸)
(W) 宽度
公制(毫米)
英制(英寸)
(t) 端点
公制(毫米)
英制(英寸)
0201 0.60 ± 0.03
(0.024 ± 0.001)
0.30 ± 0.03
(0.011 ± 0.001)
0.15 ± 0.05
(0.006 ± 0.002)
0402 1.00 ± 0.10
(0.040 ± 0.004)
0.50 ± 0.10
(0.020 ± 0.004)
0.25 ± 0.15
(0.010 ± 0.006)
0603 1.60 ± 0.15
(0.063 ± 0.006)
0.81 ± 0.15
(0.032 ± 0.006)
0.35 ± 0.15
(0.014 ± 0.006)
0805 2.01 ± 0.20
(0.079 ± 0.008)
1.25 ± 0.20
(0.049 ± 0.008)
0.50 ± 0.25
(0.020 ± 0.010)
1206 3.20 ± 0.20 1.60 ± 0.20 0.50 ± 0.25
多层陶瓷电容(MLCC)根据材料分为Class 1和Class 2两类。

Class 1是温度补偿型,Class 2是温度稳定型和普通应用的。

•Class 1 - Class 1或者温度补偿型电容通常是由钛酸钡不占主要部分的钛酸盐混合物构成。

它们有可预见的温度系数,通常没有老化特性。

因此它们是可用的最稳定的电容。

最常用的Class 1多层陶瓷电容是COG(NPO)温度补偿型电容(±0 ppm/°C).
•Class 2 - EIA Class 2 电容通常也是由钛酸钡化合物组成。

Class 2电容有很大的电容容量和温度稳定性。

最普通最常用的Class 2电容电解质是X7R和Y5V。

在温度范围-55°C到125°C 之间,X7R能提供仅有±15%变化的的中等容量的电容容量。

它最适合应用在温度范围宽,电容量要求稳定的场合。

Y5V能提供最大的电容容量,常用在环境温度变化不大的地方。

在温度范围-30°C to 85°C之间,Y5V电容值的变化是22% to -82%。

所有的Class 2电容的电容容量受以下几个条件影响:温度变化、操作电压(直流和交流)、频率。

对Class 2材料电容的容量随温度变化,EIA可以通过3个符号代码来表述。

第一个符号表示工作温度范围的下限,第二个符号表示工作温度的上限,第三个符号表示在这个温度内允许容量变化的百分比。

以下表提供了EIA系统详细的描述。

Y5V贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的电容量受温度、电压、时间变化影响大。

•具有较差的电容量稳定性,在-25℃~85℃工作温度范围内,温度特性为+30%,-80%。

•层叠独石结构,具有高可靠性。

•优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

•应用于温度变化小的退耦、隔直等电路中。

厚度与符号对应表
X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。

它的容量相对稳定。

•具有较高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为±15%。

•层叠独石结构,具有高可靠性。

•优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

•应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。

厚度与符号对应表
NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。

它的容量稳定,几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。

尤其适用于高频电子电路。

•具有最高的电容量稳定性,在-55℃~125℃工作温度范围内,温度特性为:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。

•层叠独石结构,具有高可靠性。

•优良的焊接性和和耐焊性,适用于回流炉和波峰焊。

•应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。

厚度与符号对应表。

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