多晶硅生产企业安全技术指导书

关于印发《多晶硅生产企业安全技术指导书》的通知豫安监管〔2011〕35号各省辖市安全生产监督管理局、各相关企业：现将《多晶硅生产企业安全技术指导书》印发给你们，请遵照执行。

附件：多晶硅生产企业安全技术指导书河南省安全生产监督管理局二〇一一年四月二十五日附件:多晶硅生产企业安全技术指导书1、范围本指导书规定了多晶硅生产过程产生的各类危害因素应采取的基本安全技术要求和措施，包括总图平面布局与通道、防火防爆、防雷防静电、电气安全、生产装置安全、防尘防毒、防噪声、防护用品、多晶硅作业安全和安全管理等方面内容。

适用于河南省境内用氯硅烷法生产多晶硅的生产企业。

2、基本安全要求2.1基本规定2.1.1新建、扩建、改建多晶硅生产企业（装置）应符合本指导书的规定。

暂不符合本指导书规定的现有多晶硅生产企业，应采取综合预防、治理措施，达到本指导书要求。

2.1.2新建、扩建、改建多晶硅生产企业的安全、卫生状况，安全、卫生技术措施与管理措施应符合GB 12801-2008《生产过程安全卫生要求总则》的规定；其安全设施设计专篇应符合《危险化学品建设项目安全设施设计专篇编制导则》（试行）；爆炸危险场所应当符合《爆炸危险场所安全规定》劳部发[1995]56号。

多晶硅生产企业的新建、改建、扩建工程，必须进行安全、环保和职业卫生评价，其安全、卫生、消防、环保设施，应与主体工程同时设计、同时施工、同时投入生产和使用。

用于生产、储存危险化学品的多晶硅生产企业应进行安全条件论证和委托有资质的机构进行安全评价；其建设项目应委托具有化工设计乙级以上资质的设计单位设计；应委托具有化工建设（安装）资格的单位负责施工。

2.2总图功能分区与通道2.2.1多晶硅生产企业总图布置应符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）和《石油化工企业设计防火规范》（GB50160-2008）、《化工企业总图运输设计规范》（GB50489-2009）的有关规定。

2.2.2建筑物的耐火等级和防火间距符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）和《石油化工企业设计防火规范》（GB50160-2008）的有关规定。

2.2.3厂区消防系统设计应符合《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）的有关规定。

2.3.防火防爆分区与间距2.3.1同一防火分区内有不同性质生产时，其火灾分类，应按火灾危险性较大的部分确定。

多晶硅生产企业火灾危险性分类和举例见附录A。

2.3.2氯化氢与三氯氢硅合成装置、多晶硅还原装置、还原尾气回收分离装置、四氯化硅氢化装置、电解水制氢装置、氢气罐区、氯硅烷罐区等有爆炸危险厂房的泄爆面积应符合GB50016-2006《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）第3.6节要求。

2.3.3易燃易爆厂房内不应设置办公室、休息室。

如必须贴邻本厂房设置时，应采用一、二级耐火等级建筑，并应采用耐火极限不低于3h的非燃烧体防护墙隔开或设置直通室外或疏散楼梯的安全出口。

2.3.4若专用控制室、中控化验室必须与设有氯化氢与三氯氢硅合成反应、四氯化硅氢化反应、多晶硅还原反应、电解水反应等生产设备的房间布置在同一建筑物内时，应用非燃烧体防火墙隔开和设置独立的安全出口，朝向爆炸危险区域的应采用防爆墙。

防火墙的耐火等级应为一级。

2.4贮存场所2.4.1构成重大危险源的氢气罐区和氯硅烷储罐区应严格按照重大危险源的有关规定执行。

2.4.2所有氯硅烷罐区都应按照该罐区单个最大容积储罐配备备用储罐。

2.4.3所有甲、乙类液体的轻便容器（如桶、瓶）存放在室外时，应设置防晒棚或水喷淋（雾）设施。

氯硅烷贮罐区应设防日晒设施或其他降温设施，甲、乙类液体贮罐阀门冬季应有防冻措施。

储存氯硅烷液体，应选用压力储罐。

2.4.4厂区消防设施应按照《建筑设计防火规范》（GB50016-2006）、《建筑灭火器配备设计规范》（GB50140-2005）的相关要求配置。

2.5消防、防雷、防静电2.5.1扑救四氯化硅、三氯氢硅、二氯二氢硅、一氯三氢硅、硅烷、等甲、乙、丙类液体应选用干粉灭火器。

生产作业场所应按GB50140-2005《建筑灭火器配置设计规范》的规定根据火源及着火物质性质，配备适当种类、足够数量的消防器材，并定期检查，保持有效状态。

2.5.2生产作业场所的各类建、构筑物、露天装置、贮罐应设置防雷设施。

防雷措施及防雷装置应符合GB 50057-1994（2002年版）《建筑物防雷设计规范》的要求。

防雷设施应由有资质的单位进行设计、安装和监测。

2.5.3生产作业场所内可能产生静电危害的物体应采取工业防静电接地措施，应符合GB 12158-2006《防止静电事故通用导则》的要求。

使用、贮存、输送、装卸、运输易燃易爆物品（各类溶剂、氯硅烷、导热油、产生可燃性粉料等）的生产装置（反应器、提纯塔、换热容器、贮罐、输送泵、装卸设施和过滤器、易燃液体、气体管道阀门等）、装卸场所以及产生静电积累易燃易爆的生产设施岗位都应有防静电接地措施。

各专设的防静电接地电阻值不应大于100Ω。

2.5.4在输送和灌装过程时，应防止液体的飞散和飞溅，以减少静电产生。

从底部或上部入灌的注入管末端应设计成不易使液体飞散的倒T形状或另加导流板；或在上部灌装时，使液体沿侧壁缓慢下流。

2.5.5易燃易爆液体应从槽车等大型容器底部注入，若不得已在上部灌装时，应将注入管伸入容器内离其底部不大于200mm处，在注入管未浸入液面前，其流速应限制在1m/s 以内。

2.5.6装运危险化学品的汽车槽车装卸作业时应配带阻火帽、静电接地链等设施，在装卸区应安装静电接地报警器，装卸作业按照先接地再作业的原则进行。

装卸工作完毕后，应静置2min以上时间，才能拆除接地线。

2.5.7氢气储罐区、氢气压缩机房等重点防火防爆作业区的入口处，应设置人体静电消除装置（接地裸露金属体如栏杆、金属支架等）。

2.6电气安全2.6.1电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置、氢气和氯硅烷罐区等爆炸性气体环境电气装置应符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》第2章的要求, 硅粉仓库等爆炸性粉尘环境电气装置应符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》第3章的要求。

2.6.2电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化等生产装置中的DCS过程控制系统应有ups备用电源，多晶硅还原炉冷却系统循环动力泵应有其它备用电源或冷却水备用水箱。

四氯化硅氢化、活性炭吸附和多晶硅还原或其他工艺采用直接电加热方式，应采取电气防爆措施，并符合GB 50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》要求。

2.6.3电解水制氢装置、氯化氢合成装置、三氯氢硅合成装置、氯硅烷分离提纯装置、多晶硅还原装置、还原尾气干法回收装置、四氯化硅氢化装置生产装置、氢气和氯硅烷罐区等易燃易爆环境的电气设备和线路的安装和敷设应符合GB50058-1992《爆炸和火灾危险环境电力装置设计规范》、GB50257-1996《爆炸和火灾危险环境电力装置竣工及验收规范》。

2.6.4各种场所的电气设施防爆等级见附录。

2.7生产装置安全2.7.1生产设备应具备基本安全功能，符合GB5083-1999《生产设备安全卫生设计总则》的通用安全要求。

锅炉、压力容器、及其压力管道、电梯、电动葫芦、供垂直运输物品的升降机、叉车等特种设备应当符合《特种设备安全监察条例》要求。

2.7.2建构筑物防腐应满足GB50046-95《工业建筑防腐蚀设计规范》的要求。

2.7.3生产工艺过程中接触氯硅烷介质的生产装置不宜采用304不锈钢材料。

2.7.4工业金属管道的材料、组成件的选用、布置应符合GB 50316-2000《工业金属管道设计规范》的要求。

2.7.5工业管道的识别色、识别符号、安全标识应符合GB 7231-2003《工业管道的基本识别色、识别符号和安全标识》要求。

2.8相关安全装置2.8.1凡工艺上有放空的设备均应设放空装置，并定期检查其有效性。

用于易燃、易爆气体放空的安全阀及放空管，应至少将其导出管高出建筑物屋脊1.0m以上，不应将导出管置于下水道等限制性空间，以免引起爆炸。

放空管应选用金属材料，不应使用塑料管或橡皮管。

其中释放压力大于等于0.1MPa的放空管线应采用不锈钢材料。

放空管上应设有阻火器，应静电接地。

管口上应有挡雨、阻雪的伞盖。

2.8.2易燃易爆液体严禁使用玻璃管液位计。

2.8.3四氯化硅氢化反应器和导热油电加热器温度控制装置应有冗余设计，宜使用两套控制仪器，并定期校验。

氢化反应器及系统中的安全附件、安全保护装置、测量调控装置及有关附属仪器应完整、齐全、有效。

2.9安全标志2.9.1多晶硅企业生产作业场所应按GB 2894-1996（安全标志）的规定设置安全标志，或在建（构）筑物及设备上按GB 2893-2001《安全色》规定涂安全色。

2.9.2生产作业场所的紧急通道和出入口，应设置明显醒目的标志。

生产作业区入口及其他禁止明火和产生火花的场所应有禁止烟火的安全标志。

2.10职业危害控制2.10.1生产过程应严格控制粉尘、毒物的产生。

存在严重职业危害的作业岗位应按GBZ 158-2003《工作场所职业病危害警示标识》的规定设置醒目的警示标识和中文警示标志。

2.10.2根据生产工艺和粉尘、毒物特性，采取防尘、防毒通风措施控制其扩散，使作业场所有害物质及粉尘的浓度符合GBZ 2-2002（工作场所有害因素职业接触限值）规定。

多晶硅生产场所空气中主要有毒物质及粉尘容许浓度见附件B。

2.10.3产生粉尘、可燃性气体烟雾的作业场所，应设排毒或除尘净化的通风设施。

通风设施应有防爆措施，风机与电机应要求防爆隔爆等级。

通风空气不应循环使用。

2.10.4对于毒性危害严重的生产过程和设备，应设计可靠的事故处理装置及应急防护措施。

在有毒性危害的作业环境中，应设置必要的洗眼器、淋洗器等卫生防护设施，其服务半径应小于15m。

并根据作业特点和防护要求，确定配置事故柜、急救箱或个人防护用品。

2.10.5应从声源上控制生产过程和设备噪声，以低噪声的工艺和设备代替高噪声的工艺和设备。

2.10.6生产过程和设备的噪声应采取隔声、消声、隔振及管理等综合措施，使操作人员每天连续8h接触的噪声不大于85dB（A）。

作业场所噪声声级的卫生限值，应符合国家标准GBZ 1-2002（工业企业设计卫生标准）要求。

2.10.7当室内作业地点气温等于或大于37℃时应采取局部降温和防暑措施，并应减少接触时间。