半导体物理学期末复习
《半导体物理》期末复习题目
《半导体物体复习资料》1、本征半导体是指(A )的半导体。
A. 不含杂质和晶格缺陷B. 电阻率最高C. 电子密度和空穴密度相等D. 电子密度与本征载流子密度相等2、如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定(D )。
A. 不含施主杂质B. 不含受主杂质C. 不含任何杂质D. 处于绝对零度3、对于只含一种杂质的非简并n型半导体,费米能级E F随温度上升而(D )。
A. 单调上升B. 单调下降C. 经过一个极小值趋近EiD. 经过一个极大值趋近Ei4、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升,该材料为( C )。
A. 金属B. 本征半导体C. 掺杂半导体D. 高纯化合物半导体5、公式中的是半导体载流子的( C )。
A. 迁移时间B. 寿命C. 平均自由时间D. 扩散时间6、下面情况下的材料中,室温时功函数最大的是( A )A. 含硼1×1015cm-3的硅B. 含磷1×1016cm-3的硅C. 含硼1×1015cm-3,磷1×1016cm-3的硅D. 纯净的硅7、室温下,如在半导体Si中,同时掺有1×1014cm-3的硼和1.1×1015cm-3的磷,则电子浓度约为( B ),空穴浓度为( D ),费米能级为( G )。
将该半导体由室温度升至570K,则多子浓度约为( F ),少子浓度为( F ),费米能级为( I )。
(已知:室温下,n i≈1.5×1010cm-3;570K时,n i≈2×1017cm-3)A、1×1014cm-3B、1×1015cm-3C、1.1×1015cm-3D、2.25×105cm-3E、1.2×1015cm-3F、2×1017cm-3G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei8、最有效的复合中心能级位置在( D )附近;最有利陷阱作用的能级位置在( C )附近,常见的是( E )陷阱。
半导体物理期末试卷(含部分答案
半导体物理期末试卷(含部分答案半导体物理,考试,复习,试卷一、填空题1.纯净半导体Si中掺错误!未找到引用源。
族元素的杂质,当杂质电离时释放电子。
这种杂质称施主杂质;相应的半导体称N 型半导体。
2.当半导体中载流子浓度的分布不均匀时,载流子将做扩散运动;在半导体存在外加电压情况下,载流子将做漂移运动。
3.nopo=ni2标志着半导体处于平衡状态,当半导体掺入的杂质含量改变时,乘积nopo改变否?不变;当温度变化时,nopo改变否?改变。
4.非平衡载流子通过复合作用而消失,非平衡载流子的平均生存时间叫做寿命τ,寿命τ与复合中心在禁带中的位置密切相关,对于强p型和强n型材料,小注入时寿命τn为,寿命τp为5.迁移率是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量,扩散系数是反映有浓度梯度时载n爱因斯坦关系式。
6.半导体中的载流子主要受到两种散射,它们分别是电离杂质散射和晶格振动散射。
前者在电离施主或电离受主形成的库伦势场下起主要作用,后者在温度高下起主要作用。
7.半导体中浅能级杂质的主要作用是影响半导体中载流子浓度和导电类型;深能级杂质所起的主要作用对载流子进行复合作用。
8、有3个硅样品,其掺杂情况分别是:甲含铝1015cm-3 乙. 含硼和磷各1017 cm-3 丙含镓1017 cm-3 室温下,这些样品的电阻率由高到低的顺序是乙甲丙。
样品的电子迁移率由高到低的顺序是甲丙乙。
费米能级由高到低的顺序是乙甲丙。
9.对n型半导体,如果以EF和EC的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准,那么EC EF 2k0T为非简并条件;0 EC EF 2k0T为弱简并条件;EC EF 010.当P-N结施加反向偏压增大到某一数值时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为PN结击穿,其种类为:雪崩击穿、和齐纳击穿(或隧道击穿)。
11.指出下图各表示的是什么类型半导体?12. 以长声学波为主要散射机构时,电子迁移率μn与温度的-3/2 次方成正比13 半导体中载流子的扩散系数决定于其中的载流子的浓度梯度。
半导体物理期末复习考点整理
大三下:半导体物理期末复习考点整理重要:15年6月底期末考试原卷(除了计算题改成了书上的原题,其他题目完全一样),书上的计算题难度和这上面的难度一样,是基础计算共30分强烈建议考前翻翻这篇pdf附近有关的推广链接,有这类题型的且不难的卷子.(我就是考前看了看这个链接,考试就是原题);计算题只用关心一两步公式就能做出来的书上作业基础原题;简答概念●典型面心结构有银铜铝汞●金刚石/ZnS是两个彼此错开的面心结构.砷化镓结构和其类似●本征半导体:完全不含杂质且无晶格缺陷的●把价带中空着的状态看成带正电的粒子空穴●导带上的电子与价带空穴参与导电●杂质影响半导体性质原因:破坏周期性势场,导致禁带产生能级,打破了原有的Eg大小●电子共有化:能量相近的电子由于壳层交叠不再局限于单个原子●简并度:拥有相同能量的状态个数●肖特基缺陷特点:晶体体积增大晶格常数变化,克尔缺陷仅错位体积晶格常数不变●●←计算必考●这种↓题型必考计算●●(计算题必考,代入计算一步出答案)●;(简答必考)●电流密度方程●[了解]负微分电导现象是由非等效能谷间的电子转移引起的;n型GaAs中的强电场输运与硅不同,其漂移速度达到一最大值后,随着电场的进一步增加反而会减小●[了解]碰撞离化:当半导体中的电场增加到某个阈值以上时,载流子将得到足够的动能,可以通过雪崩过程(avalanche process)产生电子-空穴对●位于禁带中央附近的深能级是最有效的复合中心。
●载流子从高能级向低能级跃迁,发生电子-空穴复合时,把多余的能量传给另一个载流子,使这个载流子被激发到能量更高的能级上去,当它重新跃迁回低能级时,多余的能量常以声子形式放出,这种复合称为俄歇复合。
●(深能级)积累非平衡载流子的作用称为陷阱效应,在费米能级附近时,最有利于陷阱效应●(必考简答题,p改成n就是电子对应的方程)●金半接触的能带弯曲图会画,并能理解;很重要●PN结中得势垒宽度高度:势垒高度V D=kTμln(N Dn i);势垒宽度X D=√kTq (1n A+1n D)V D;。
复习题半导体物理学
复习题:半导体物理学引言:半导体物理学是研究半导体材料的电学和光学性质的科学学科。
半导体材料由于其特殊的能带结构,介于导体和绝缘体之间。
在半导体物理学中,我们研究电子行为、能带理论、掺杂效应和半导体器件等方面的内容。
本文将通过一系列复习题来回顾半导体物理学的相关知识。
一、电子行为:1. 什么是载流子?在半导体中有哪两种类型的载流子?在半导体中,带有电荷的粒子称为载流子。
一种是带负电荷的电子,另一种是带正电荷的空穴。
2. 什么是能带?能带理论是用来描述什么的?能带是指具有一定能量范围的电子能级分布。
能带理论用于描述电子在半导体中的分布和运动行为。
3. 什么是禁带宽度?它对半导体的导电性质有什么影响?禁带宽度是指能带中能量差最小的范围,该范围内的能级没有允许态。
禁带宽度决定了半导体的导电性能。
能带中存在禁带宽度时,半导体表现出绝缘体的性质;当禁带宽度足够小的时候,允许电子状态穿越禁带,半导体表现出导体的性质。
二、掺杂效应:1. 什么是掺杂?常见的掺杂元素有哪些?掺杂是指向纯净的半导体中引入少量杂质元素,以改变半导体的导电性质。
常见的掺杂元素有磷、锑、硼等。
2. 控制掺杂浓度的方法有哪些?掺杂浓度可以通过掺杂杂质元素的量来控制。
掺杂浓度越高,半导体的导电性越强。
3. P型和N型半导体有什么区别?P型半导体是指通过掺杂三价元素使半导体中存在过剩的空穴,空穴是主要的载流子。
N型半导体是指通过掺杂五价元素使半导体中存在过剩的电子,电子是主要的载流子。
三、半导体器件:1. 什么是PN结?它的主要作用是什么?PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结构。
PN结的主要作用是将半导体材料的导电性质从P型区域传导到N型区域,形成电子流和空穴流。
2. 什么是二极管?它的特点是什么?二极管是PN结的一种常见应用。
它具有单向导电性,允许电流从P区域流向N区域,而阻止电流从N区域流向P区域。
3. 什么是晶体管?它的工作原理是怎样的?晶体管是由三个掺杂不同类型的半导体构成的器件。
半导体物理学期末总复习
半导体物理器件在传感与检测领域中的应用
发展趋势
了解半导体物理器件的发展趋势,包括更高性能、更低功耗、更小体积等。
面临的挑战
分析半导体物理器件在发展中面临的挑战,包括工艺复杂度、成本、可靠性等。ຫໍສະໝຸດ 半导体物理器件的发展趋势与挑战
THANK YOU.
谢谢您的观看
半导体激光器
介绍半导体激光器的原理、结构、制造工艺和应用,包括分布反馈式激光器、布拉格光栅激光器等。
半导体物理器件在光电子中的应用
介绍半导体传感器的基本原理、分类、应用和制造工艺,重点了解气体传感器和生物传感器。
半导体传感器
介绍半导体检测器的基本原理、分类、应用和制造工艺,包括光电检测器、热电检测器等。
半导体二极管及其特性
半导体二极管伏安特性
半导体二极管的伏安特性曲线反映了二极管在不同电压下的电流密度和电阻率,从而表现出单向导电性。
半导体二极管温度特性
半导体二极管的温度系数表示温度对二极管电压的影响,温度升高会使二极管正向电压降低。
双极型晶体管结构
01
双极型晶体管由三个半导体材料区域组成,两个P型区域和一个N型区域,通过三个区域的组合和连接形成NPN或PNP结构。
双极型晶体管及其特性
双极型晶体管的电流放大效应
02
双极型晶体管的基极电流对集电极电流的控制作用称为电流放大效应,这种效应是双极型晶体管的核心特性。
双极型晶体管的击穿特性
03
双极型晶体管在特定电压和电流条件下会发生击穿,导致电流突然增加,失去单向导电性。
场效应晶体管结构
场效应晶体管的电压控制特性
场效应晶体管的频率特性
双极型晶体管的模型与仿真
场效应晶体管的模型与仿真
半导体物理学期末总复习
态密度
导带底附近状态密度(理想情况)
V 2 dz 3 4 k dk 4
2 2
k E (k ) EC * 2mn
kdk
mn dE
2 1/ 2
*
V (2mn ) dz 2 3 2
* 3/ 2
( E EC ) dE
态密度
dz V (2mn* )3/ 2 1/ 2 gc ( E ) 2 ( E E ) C 3 dE 2
k u * mn
自由电子的速度
微观粒子具有波粒二象性
p m0u
p E 2m0
i ( K r t )
2
p K E hv
k u m0
(r, t ) Ae
半导体中电子的加速度
半导体中电子在一强度为 E的外加电场作用 下,外力对电子做功为电子能量的变化
u
dE fds fudt
的体积 前两者相乘得状态数 dz 根据定义公式求得态密度 g ( E )
k 空间中的量子态
/ 8 ) 在 k 空间中,电子的允许能量状态密度为V ( , 考虑电子的自旋情况,电子的允许量子态密度 3 / 4 ) 为V ( ,每个量子态最多只能容纳一个电子。
3
nx k x 2 (nx 0, 1, 2, ) L ny k y 2 (ny 0, 1, 2, ) L nz k z 2 (nz 0, 1, 2, ) L
K空间等能面
在k=0处为能带极值
k E (k ) E (0) * 2mn
2 2
导带底附近
k E(k ) E(0) * 2mp
2 2
价带顶附近
K空间等能面
kz 为坐标轴构成 k 空间, 以 kx 、k y 、 k 空间 任一矢量代表波矢 k
半导体物理学期末复习试题及答案一
一、选择题1.与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量( B )。
A. 比绝缘体的大B.比绝缘体的小C. 和绝缘体的相同2.受主杂质电离后向半导体提供( B ),施主杂质电离后向半导体提供( C ),本征激发向半导体提供( A )。
A. 电子和空穴B.空穴C. 电子3.对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会( B )。
A.上移B.下移C.不变4.在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和( B )有关A.杂质浓度和温度B.温度和禁带宽度C.杂质浓度和禁带宽度D.杂质类型和温度5.MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型( B )。
A.相同B.不同C.无关6.空穴是( B )。
A.带正电的质量为正的粒子B.带正电的质量为正的准粒子C.带正电的质量为负的准粒子D.带负电的质量为负的准粒子7.砷化稼的能带结构是( A )能隙结构。
A. 直接B.间接8. 将Si 掺杂入GaAs 中,若Si 取代Ga 则起( A )杂质作用,若Si 取代As 则起( B )杂质作用。
A. 施主B. 受主C. 陷阱D. 复合中心9. 在热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为( D ),当温度大于热力学温度零度时,能量比F E 小的量子态被电子占据的概率为( A )。
A. 大于1/2B. 小于1/2C. 等于1/2D. 等于1E. 等于010. 如图所示的P 型半导体MIS 结构的C-V 特性图中,AB 段代表( A ),CD 段代表(B )。
A. 多子积累B. 多子耗尽C. 少子反型D. 平带状态11. P 型半导体发生强反型的条件( B )。
A. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i A S n N q T k V ln 0B. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i A S n N q T k V ln 20 C. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛=i D S n N q T k V ln 0 D. ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛≥i D S n N q T k V ln 2012. 金属和半导体接触分为:( B )。
半导体物理考试复习资料
半导体物理考试复习资料半导体物理考试复习资料概念题:1、半导体硅、锗的晶体结构(⾦刚⽯型结构)及其特点;三五族化合物半导体的闪锌矿型结构及其特点。
2、熟悉晶体中电⼦、孤⽴原⼦的电⼦、⾃由电⼦的运动有何不同:孤⽴原⼦中的电⼦是在该原⼦的核和其它电⼦的势场中运动,⾃由电⼦是在恒定为零的势场中运动,⽽晶体中的电⼦是在严格周期性重复排列的原⼦间运动(共有化运动),单电⼦近似认为,晶体中的某⼀个电⼦是在周期性排列且固定不动的原⼦核的势场以及其它⼤量电⼦的平均势场中运动,这个势场也是周期性变化的,⽽且它的周期与晶格周期相同。
3、晶体中电⼦的共有化运动导致分⽴的能级发⽣劈裂,是形成半导体能带的原因,半导体能带的特点:①存在轨道杂化,失去能级与能带的对应关系。
杂化后能带重新分开为上能带和下能带,上能带称为导带,下能带称为价带②低温下,价带填满电⼦,导带全空,⾼温下价带中的⼀部分电⼦跃迁到导带,使晶体呈现弱导电性。
③导带与价带间的能隙(Energy gap )称为禁带(forbidden band ).禁带宽度取决于晶体种类、晶体结构及温度。
④当原⼦数很⼤时,导带、价带内能级密度很⼤,可以认为能级准连续。
4、晶体中电⼦运动状态的数学描述:⾃由电⼦的运动状态:对于波⽮为k 的运动状态,⾃由电⼦的能量E ,动量p ,速度v 均有确定的数值。
因此,波⽮k 可⽤以描述⾃由电⼦的运动状态,不同的k 值标志⾃由电⼦的不同状态,⾃由电⼦的E 和k 的关系曲线呈抛物线形状,是连续能谱,从零到⽆限⼤的所有能量值都是允许的。
晶体中的电⼦运动:服从布洛赫定理:晶体中的电⼦是以调幅平⾯波在晶体中传播。
这个波函数称为布洛赫波函数。
求解薛定谔⽅程,得到电⼦在周期场中运动时其能量不连续,形成⼀系列允带和禁带。
⼀个允带对应的K 值范围称为布⾥渊区。
5、⽤能带理论解释导带、半导体、绝缘体的导电性。
6、理解半导体中求E (k )与k 的关系的⽅法:晶体中电⼦的运动状态要⽐⾃由电⼦复杂得多,要得到它的E (k )表达式很困难。
半导体物理导论复习资料
半导体物理导论复习资料半导体物理导论复习资料半导体物理是现代电子学的基础,理解半导体物理的原理对于电子工程师和科学家来说至关重要。
本文将回顾半导体物理的一些重要概念和原理,帮助读者复习和加深对这一领域的理解。
1. 半导体的基本特性半导体是介于导体和绝缘体之间的材料,具有一些独特的物理特性。
首先,半导体的电导率介于导体和绝缘体之间,这意味着它既可以传导电流,又可以阻止电流的流动。
其次,半导体的电导率可以通过控制外界条件(如温度、施加电场等)来调节,这使得半导体具有可调控性和可变性。
2. 禁带和载流子半导体中的电子和空穴是半导体中的两种载流子。
禁带是指半导体中的能带结构,它将电子的能级分成导带和价带。
导带是电子能量较高的能级,而价带是电子能量较低的能级。
禁带宽度是导带和价带之间的能量差,决定了半导体的导电性能。
3. pn结和二极管pn结是由n型半导体和p型半导体结合而成的。
n型半导体中的电子浓度较高,p型半导体中的空穴浓度较高。
当两者结合时,电子和空穴会发生复合,形成一个耗尽层。
耗尽层中没有可自由移动的载流子,因此形成了一个电势垒。
这个电势垒可以阻止电流的流动,从而实现了二极管的整流功能。
4. 势垒高度和反向击穿势垒高度是指pn结中电势垒的高度,它决定了二极管的导电性能。
当外加电压使势垒高度增加时,二极管的导电性能会减弱。
反向击穿是指当外加电压超过一定值时,势垒高度会被突破,电流会快速增加。
这种现象可以用来制作稳压二极管和击穿二极管等电子元件。
5. MOSFET和CMOS技术MOSFET是金属-氧化物-半导体场效应晶体管的缩写,是现代集成电路中最常用的晶体管结构。
MOSFET的导电性能可以通过调节栅极电压来控制,因此具有高度可调控性和低功耗特性。
CMOS技术是一种基于MOSFET的集成电路制造技术,被广泛应用于数字电路和微处理器的制造。
6. 光电效应和光电器件光电效应是指当光照射到半导体材料上时,会激发出电子和空穴,产生电流。
半导体物理期末试题及答案
半导体物理期末试题及答案第一题:1. 请简述什么是半导体材料?并举例说明。
半导体材料是介于导体和绝缘体之间的材料,具有介于宽禁带和窄禁带之间的带隙能量。
在常温下,半导体材料既可以导电又可以绝缘。
它的导电性质可以通过控制掺杂来改变。
例如,纯净的硅元素是绝缘体,而掺杂的硅元素可以成为半导体材料。
第二题:2. 请解释什么是PN结?并简述其工作原理。
PN结是由P型半导体和N型半导体之间形成的结。
P型半导体中的杂质具有正电荷,被称为施主杂质;N型半导体中的杂质具有负电荷,被称为受主杂质。
PN结的形成是通过将P型半导体和N型半导体紧密接触,使得施主和受主杂质间发生电荷转移。
工作原理:在PN结中,由于施主杂质和受主杂质之间的电荷转移,使得PN结两侧形成了电场。
这个电场导致了电子从N区向P区漂移,同时空穴从P区向N区漂移。
这种漂移现象产生了空间电荷区,称为耗尽层。
在没有外加电压时,由于耗尽层的存在,PN结处于平衡状态。
当施加外加电压时,可以改变耗尽层的宽度。
正偏压(P极接正电,N极接负电)会使得耗尽层变窄,增加电流流过的机会,从而形成导通。
而负偏压(P极接负电,N极接正电)则会使得耗尽层变宽,阻止电流流过,从而形成截止。
第三题:3. 请解释什么是PN结的击穿电压?并说明几种常见的击穿方式。
PN结的击穿电压是指当施加外加电压达到某一临界值时,PN结内的电场强度足以克服材料的绝缘性,导致电流剧增的电压。
击穿电压是PN结失去绝缘特性的临界电压。
常见的击穿方式包括:- 穿越击穿:在高反向电压下,电子从PN结中的价带直接穿越到导带。
这种击穿一般发生在高纯度的材料中。
- 雪崩击穿:在高反向电压下,少数载流子加速并与相邻的原子碰撞,释放更多的载流子。
这种击穿一般发生在掺杂较多的材料中。
- 隧道击穿:在高反向电压下,载流子通过突破禁带形成隧道效应而穿越PN结。
这种击穿一般发生在材料的禁带很窄的情况下。
第四题:4. 请介绍几种常见的半导体器件,并简要说明其原理和应用。
半导体物理学[第四章半导体的导电性]课程复习
第四章半导体的导电性
4.1 理论概要与重点分析
由于半导体的电阻率能用四探针法很方便地测量,所以常用它作为半导体的重要性能参量。
(3)由上可见,分析半导体的导电性,应从载流子浓度和迁移率两方面入手。
而载流子浓度问题在第3章中做了系统的讨论,在这里应用时,应全面考虑。
而迁移率的问题是本章的重点。
迁移率是载流子在晶体中运动时不断遭受到各种散射因素的作用决定的。
半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。
而晶格振动散射又以长纵声学波和光学波的散射为主。
散射作用的强弱用散射概率p(或平均自由时间τ=1/p)来衡量,它表示单位时间内一个载流子遭受到散射的次数。
经分析,几
种主要的散射机构单独决定的散射概率与杂质浓度N
和温度T有如下的关系:
i
(5)半导体在外加电磁场的作用下,电子的分布函数要发生变化,稳态时分布函数的变化满足玻尔兹曼方程。
(6)在强电场作用下,载流子的平均漂移速度不再与电场强度成正比。
随着电场强度的增加,漂移速度的增加比线性变得缓慢,最后达到一个饱和值。
很显然,这时的迁移率变得与电场有关,这一物理现象可用热载流子与光学波的晶格散射概念予以解释。
(7)由于GaAs的导带具有多能谷结构,而最低能谷和次低能谷间的能量间隔较小,当电场强度达到一定程度时,最低能谷中电子从电场中获得能量后,使其与次低能谷的能量相当。
即会发生谷间散射,低能谷中的电子向高能谷中转移,且随电场强度的进一步增加,转移的电子越多,高能谷中电子的有效质量远大于
低能谷的有效质量,因而在这个区域内会出现微分负电导现象。
(完整word版)半导体物理器件期末考试试题(全)
半导体物理器件原理(期末试题大纲)指导老师:陈建萍一、简答题(共6题,每题4分)。
代表试卷已出的题目1、耗尽区:半导体内部净正电荷与净负电荷区域,因为它不存在任何可动的电荷,为耗尽区(空间电荷区的另一种称呼)。
2、势垒电容:由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应,即反偏Fpn结的电容。
3、Pn结击穿:在特定的反偏电压下,反偏电流迅速增大的现象。
、欧姆接触:金属半导体接触电阻很低,且在结两边都能形成电流的接触.5、饱和电压:栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。
、阈值电压:达到阈值反型点所需的栅压。
、基区宽度调制效应:随C-E结电压或C-B结电压的变化,中性基区宽度的变化。
8、截止频率:共发射极电流增益的幅值为1时的频率。
9、厄利效应:基带宽度调制的另一种称呼(晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压的变化而变化的一种现象)10、隧道效应:粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。
11、爱因斯坦关系:扩散系数和迁移率的关系:12、扩散电容:正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容.、空间电荷区:冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正电荷与净负电荷的区域.14、单边突变结:冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。
15、界面态:氧化层—-半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。
16、平带电压:平带条件发生时所加的栅压,此时在氧化层下面的半导体中没有空间电荷区。
17、阈值反型点:反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形.18、表面散射:当载流子在源极和源漏极漂移时,氧化层--半导体界面处载流子的电场吸引作用和库伦排斥作用.19、雪崩击穿:由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大,称为雪崩击穿.20、内建电场:n区和p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建电场,方向由正电荷区指向负电荷区,就是由n区指向p区。
21、齐纳击穿:在重掺杂pn结内,反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近,以至于电子可以由p区的价带直接隧穿到n区的导带的现象。
半导体物理总复习
f外 m a
* n
(3)电子的有效质量与晶体的能带结构有关
h2 m 2 d E dk 2
* n
利用有效质量可以对半导体的能带结构进 行研究 (4)有效质量可以通过回旋共振实验测得,并 椐此推出半导体的能带结构
4.空穴:空穴是几乎被电子填满的能带中未被电子占据的
少数空量子态,这少量的空穴总是处于能带顶附近。是价
高温本征激发区
n0= p0=ni
EF=Ei
费米能级仍用前面的公式得到EF=Ei
例题1 (同类型题103页1题)
导出能量在Ec和Ec+kT之间时,导带上的有效状 态总数(状态数/cm3)的表达式, 是任意常数。
例题2
(a)在热平衡条件下,温度T大于0K,电子能量位于费米 能级时,电子态的占有几率是多少?
n p 中处于准平衡分布,可以有各自的费米能级 E F 和E F
称为准费米能级,准费米能级分离的程度,即
n p 的大小,反映了与平衡态分离的程度 EF EF
4. 解释载流子的产生和复合,直接复合,间接复合,复合率
产 生:电子和空穴被形成的过程,如电子从价带跃迁到导 带,或 电子从杂质能级跃迁到导带的过程或空穴从 杂质能级跃迁到价带的过程 复 合:电子和空穴被湮灭或消失的过程
MIN
0
所以布里渊区边界为
k (2n 1)
a
(n=0,1,2……)
1.能带宽度为
E(k ) MAX E (k ) MIN
2 2 ma 2
2电子在波矢k状态的速度
1 dE 1 v (sin ka sin 2ka) dk ma 4
3、电子的有效质量 能带底部
半导体物理复习
半导体物理期末复习知识
一、半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量,它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义:1)有效质量的大小仍然是惯性大小的量度;2)有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递,因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子,代表半导体近满带(价带)中的少量空态,相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子,描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动,此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场,当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时,发生强烈的共振吸收现象,称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶,即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底(施主)或价带顶(受主),即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小,但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时,存在杂质补偿现象,即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级,实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度,即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与,跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时,载流子遵从平衡态分布,电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体物理期末考复习材料解读
第一章 半导体中的电子状态1.元素半导体 硅 和 锗 都是 金刚石 结构 。
2.结构上,金刚石结构由 两套面心立方格子 沿其立方体对角线位移 1/4 的长度套构而成的,3.在四面体结构的共价晶体中,四个共价键是 sp3杂化 。
4.第III 族元素铝、镓、铟和第V 族元素磷、砷、锑组成的 III-V 族化合物 。
也是正四面体结构,四个共价键也是sp3杂化,但具有一定程度的离子性。
是 闪锌矿 结构。
5. ZnS 、GeS 、ZnSe 和GeSe 等 Ⅱ-Ⅵ族化合物 都可以 闪锌矿型 和 纤锌矿型 两种方式结晶,也是以 正四面体结构 为基础构成的,四个混合共价键也是 sp3 杂化,也有一定程度的离子性。
6. Ge 、Si 的禁带宽度具有 负温度系数 。
禁带宽度E g 随温度增加而减小( 负温度系数特性 )7.半导体与导体的最大差别: 半导体的电子和空穴均参与导电 。
半导体与绝缘体的最大差别: 在通常温度下,半导体已具有一定的导电能力 。
8.有效质量的意义半导体中的电子在外场作用下运动时,外力并不是电子受力的总和,电子一方面受到外电场力的作用,另一方面还和内部的原子、电子相互作用着。
电子的加速度应该是 半导体内部势场 和 外电场作用 的综合效果。
为了简化问题,借助有效质量来描述电子加速时内部受到的阻力。
引入有效质量的意义在于它概括了半导体内部势场的作用。
使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及到半导体内部势场的作用。
有效质量可以通过实验直接测得。
有效质量的大小取决于 晶体内电子与电子周围环境 的作用。
电子有效质量的意义是什么?它与能带有什么关系?答:有效质量概括了晶体中电子的质量以及内部周期势场对电子的作用,引入有效质量后,晶体中电子的运动可用类似于自由电子运动来描述。
有效质量与电子所处的状态有关,与能带结构有关:(1)、有效质量反比于能谱曲线的曲率:(2)、有效质量是k 的函数,在能带底附近为正值,能带顶附近为负值。
半导体物理学期末总复习
Si原子的能级
▪ 电子的能级是量子化的
n=3 四个电子
n=2 8个电子
+14
n=1
H
2个电子
Si
原子的能级的分裂
▪ 孤立原子的能级 4个原子能级的分裂
原子的能级的分裂
▪ 原子能级分裂为能带
半导体的能带结构
导带 Eg
价带
价带:0K条件下被电子填充的能量的能带 导带:0K条件下未被电子填充的能量的能带 带隙:导带底与价带顶之间的能量差
热平衡状态
▪ 在一定温度下,载流子的产生和载流子的复 合建立起一动态平衡,这时的载流子称为热 平衡载流子。
▪ 半导体的热平衡状态受温度影响,某一特定 温度对应某一特定的热平衡状态。
▪ 半导体的导电性受温度影响剧烈。
态密度的概念
▪ 能带中能量 E 附近每单位能量间隔内的量子态
数。 ▪ 能带中能量为 E (E dE)无限小的能量间隔内
半导体物理学
一.半导体中的电子状态 二.半导体中杂质和缺陷能级 三.半导体中载流子的统计分布 四.半导体的导电性 五.非平衡载流子 六.pn结 七.金属和半导体的接触 八.半导体表面与MIS结构 九.半导体的光学性质和光电与发光现象
晶体结构
▪ 半导体的晶格结构和结合性质 ▪ 半导体中的电子状态和能带 ▪ 半导体中的电子运动和有效质量 ▪ 本征半导体的导电机构 ▪ 空穴 ▪ 回旋共振 ▪ 硅和锗的能带结构 ▪ III-V族化合物半导体的能带结构 ▪ II-VI族化合物半导体的能带结构
k0T
k0T
k0T
k0T
玻尔兹曼分布函数
▪ 导带中电子分布可用电子的玻尔兹曼分布函数 描写(绝大多数电子分布在导带底);价带中 的空穴分布可用空穴的玻尔兹曼分布函数描写 (绝大多数空穴分布在价带顶)
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 非平衡载流子-半导体处于非平衡态时,比平衡态时多 出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。Δp=Δn • 非平衡载流子的注入与复合-----非平衡载流子的产生过 程称为注入,非平衡载流子湮灭的过程称为复合。
• 准费米能级-----半导体处于非平衡态时,导带电子和价 带空穴不再有统一的费米能级,但可以认为它们各自达 到平衡,相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。 • 少子寿命----非平衡少数载流子在半导体中存在的平均 时间。即产生非平衡载流子的因素去除后,非平衡载流 子浓度衰减至初始时浓度的1/e倍所需的时间。
• n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
• p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价 带顶,即杂质电离能很低的杂质。浅能级杂质对半导体的导 电性质有较大的影响。 • 深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底(施 主)或价带顶(受主),即杂质电离能很大的杂质。深能级 杂质对半导体导电性质影响较小,但对半导体中非平衡载流 子的复合过程有重要作用。位于半导体禁带中央能级附近的 深能级杂质是有效的复合中心。 • 杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时,存在杂 质补偿现象,即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级,实 际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度,即两者之差。
ml
1 3
能态密度有效质量
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
例2. 某晶体价电子具有球形等能面,电子能谱为:
E k 2m
2 2
试求其能态密度。
解:
dZ g E dE 2 g k dk
2
V
2
3
V 2mE 2m 4k dk 2 2
半导体物理学 基本概念
• 有效质量-----载流子在晶体中的表观质量,它体现了 周期场对电子运动的影响。其物理意义:1)有效质 量的大小仍然是惯性大小的量度;2)有效质量反映 了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递,因此可 正可负。 • 空穴-----是一种准粒子,代表半导体近满带(价带) 中的少量空态,相当于具有正的电子电荷和正的有效 质量的粒子,描述了近满带中大量电子的运动行为。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
半导体物理学 计算问题
• 能态密度
• 费米分布
• 杂质电离能 • 载流子浓度 • 费米能级与准费米能级 • 电阻率 • 电导率
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
例1. 已知Si导带底在<100>方向,等能面为旋转椭球面,等 能面附近能谱:
2 2 2 2 k3 k1 k 2 E 2 mt ml
3 2
4
1 2
mtml
3
1 2
E
3 2
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 两等能面之间的体积:
1 2 2 mtml 3 1 2 4 * dk dV E dE 3 3 2 3 2
2 2
3 2
mtml
1 2
3
E
1 2
dE
dZ i gi E dE 2 g k dk
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 俄歇复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时, 释放的能量用于其它载流子由较低能态跃迁至较高能态。
• 复合中心-----对间接复合起促进作用的深能级杂质。相 应的杂质能级称为复合中心能级,通常位于半导体禁带 中央能级附近。 • 载流子陷阱------对间接复合起阻碍作用的深能级杂质。 相应的杂质能级称为陷阱能级。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 电中性条件-----半导体在任何情况下都维持体内电中性, 即单位体积内正电荷数与负电荷数相等。 • 非简并半导体----半导体中载流子分布可由经典的玻尔 兹曼分布代替费米分布描述时,称之为非简并半导体。 • 简并半导体-----半导体重掺杂时,其费米能级有可能进 入到导带或价带中,此时载流子分布必须用费米分布 描述,称之为简并半导体。简并半导体有如下性质:1) 杂质不能充分电离;2)杂质能级扩展为杂质能带。如 果杂质能带与导带或价带相连,则禁带宽度将减小。
式中 由
g k
V
2
3
,
d k 为k空间体积元。
2 2 2 2 2 2 2 k3 k3 k1 k 2 k1 k 2 E 1 2mt E 2ml E 2 mt ml 2 2
等能面为椭球面,此等能面所围的体积为:
V
*
4 2mt E 2ml E abc 2 2 3 3 4 2 3
式中mt和ml分别为横向和纵向有效质量。试求Si导带的能 态密度。 解:由能态密度定义:
g E
dZ dE
式中dZ为E-E+dE之间的能量状态数,也可以视为k空间 中两等能面之间的状态数,对一支能带:
dZ i gi E dE 2 g k dk
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 热载流子-----半导体处于强场中时,电子的平均能量高于 晶格平均能量,以温度度量,则电子平均温度高于晶格 平均温度,因此称强场中电子为热载流子。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 多能谷散射-----半导体中有多个能量值接近的导带底时, 电子被散射到不同能谷的现象。 • 负微分电导(电阻)------定义dJ/dE为微分电导,当半 导体中电流密度随电场增加而减小时,微分电导小于 零,称为负微分电导。 • 耿氏振荡-----存在负微分电导的半导体在强场中电流出 现振荡的现象。由于载流子分布不均匀,在高阻区形 成偶极畴,偶极畴不断产生、长大、漂移和吸收的过 程便产生微波振荡。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 本征半导体-----本征半导体即纯净半导体,其载流子浓度 随温度增加呈指数规律增加。 • 杂质半导体----在半导体中人为地,有控制地掺入少量的 浅能级杂质的半导体,可在较大温度范围内保持半导体 内载流子浓度不随温度改变。即掺杂的主要作用是在较 大温度范围维持半导体中载流浓度不变。 • 多数载流子与少数载流子------多数载流子是在半导体输 运过程中起主要作用的载流子,如n-型半导体中的电子。 而少数载流子在是在半导体输运过程中起次要作用的载 流子,如n-型半导体中的空穴。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位 置时称为直接带隙。直接带隙材料中载流子跃迁几率较 大。 • 间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位 置时称为间接带隙。间接带隙材料中载流子跃迁时需有 声子参与,跃迁几率较小。 • 平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时,载 流子遵从平衡态分布,电子和空穴具有统一的费米能级。 半导体处于外场中时为非平衡态,载流子分布函数偏离 平衡态分布,电子和空穴不具有统一的费米能级,载流 子浓度也比平衡时多出一部分,但可认为它们各自达到 平衡,可引入准费米能级表示。
3
2
V
2 2
3
3 2
mtml
1 2
2
3 2
E
1 2
dE
2 2 2 2 V
mtml E
1 2
1 2
dE
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• Si导带底在<100>方向,包括六个旋转椭球等能面,故能态 密度:
g E
i
gi E
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 电导率-----描述材料导电性质的物理量。半导体中载流子 遵从欧姆定律时,电流密度正比于电场强度,其比例系数 即为电导率。电导率大小与载流子浓度,载流子的迁移率 有关。从微观机制看,电导率与载流子的散射过程有关。
• 电阻率-----电导率的倒数。本征半导体电阻率随温度上升 而单调下降。同样,电阻率与载流子的散射过程有关。
例4. 已知处于平衡态的非简并半导体中施主浓度为ND,当半 导体处于饱和区时,求其费米能级和载流子浓度。 解:只含一种施主杂质的半导体的电中性条件:
n0 p0 n D
or :
n0 p0 ( N D n D )
2 3 2
1 2
1 2
E
1 2
dE
2m 2 2 2 V
E
1 2
dE
g E
2m 2 2 2 V
3 2
E
1 2
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
例3. 求本征半导体的费米能级和载流子浓度。
解:本征半导体的电中性条件: n 0 p 0
• 金属电阻率-----随温度上升而上升。(晶格振动散射)
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 散射几率-----载流子在单位时间内被散射的次数。 • 平均自由时间-----载流子在两次散射之间自由运动的平均 时间。 • 强场效应-----电场强度较高时载流子的平均漂移速度与电 场强度间的关系偏离线性关系的现象,此时迁移率不再 是常数。电场强度继续增加时,漂移速度不再随外场增 加而变化,达到饱和。
贵州大学新型光电子材料与技术研究所
• 直接复合-----电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而 复合。 • 间接复合-----电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空 穴相遇而复合。 • 表面复合----发生在半导体表面处的复合。 • 体内复合----发生在半导体内部的复合。 • 辐射复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时, 多余的能量以辐射光子的形式释放。 • 无辐射复合-----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合 时,多余的能量以辐射声子的形式释放。