第一章电子、空穴和能带概念

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电子和空穴名词解释

电子和空穴名词解释

电子和空穴名词解释
空穴和电子是物理学中常见的概念,它们在电气和电子学等诸多方面都具有重
要的意义。

空穴是在绝缘体电子能带结构中存在的已经失去电子的零基态,因此它具有正
电荷和迁移能,一般可通过电子的激发产生,在多基材(如晶体管)中形成的正电子,被称为空穴。

空穴是电子在材料中流动的基本载体,是产生光、热和电流的要素,也是元器件工作的基础。

电子是羟基原子或非羟基原子中外层电子的一种。

由于电子具有负电荷和一定
的质量,在电气环境中对电场有反应,因此能够产生电流。

电子的迁移速度比空穴慢得多,并拥有一些特殊的电子物性,可以在多基材(如晶体管)中形成的负电子,被称为电子。

电子可用来控制元器件中OMop指示灯的亮灭,影响电子计算机和其
他器件的工作状态、信号和电流传输,是电子设备中不可缺少的部分。

电子和空穴可以说是物理学和电子学中完全不同的概念,但是它们在元器件及
其发挥电子功能中发挥着十分重要的作用,是元器件中不可缺少的要素。

它们的作用能够实现电子电路的信号传输、电源的把控以及元器件的功能实现,以及元器件制程技术的发展。

总之,电子和空穴是但是重要的概念,它们不仅在物理学和电子学中各有所长,在电子元器件工程和发挥电子功能中也发挥着十分重要的作用。

§3.6-3.8 有效质量+电子和空穴导电+能带qufen

§3.6-3.8  有效质量+电子和空穴导电+能带qufen
一个也没有被电子占据的能带体绝缘体原子中的电子是满壳层分布的价电子刚好填满了许可的能带形成满带导带和价带之间存在一个很宽的禁带在一般情况下价带之上的能带没有电子导体原子中的电子是满壳层分布的价电子刚好填满了许可的能带形成满带导带和价带之间存在一个很宽的禁带在一般情况下价带之上的能带没有电子导体在一系列能带中除了电子填充满的能带以外还有部分被电子填充的能带在一系列能带中除了电子填充满的能带以外还有部分被电子填充的能带导带后者起着导电作用n个原胞构成的晶体每一条能带能容纳的电子数为2n为原胞数目的二倍在电场的作用下没有电流产生原胞中只有一个价电子的固体li3na11k19cu29ag47带它们只填充半条能带导体原胞中含有偶数个价电子可以填满一个能带绝缘体二价金属
§3.6 晶体中电子的运动速度和加速度 有效 质量
• 波包的速度即为群速度含义: 而是以某k0为中心在 k 范围内取值,即形成 一个波包。
v(k 0 ) ( d dk )0 1 dE ( )0 dk
自由电子在一维运动情况下的 运动速度
k 2m
vx 1 dE dk
x
2
E
i
v(k )
2 J 1a
sin ka
有效质量
m * (k ) / 2 J1a cos ka
2 2
简约布里渊区能带、电子的速度和有效质量 能带底部
v(k ) 2 J 1a
2
sin ka
2
m * (k ) / 2 J1a cos ka
能带顶部
能量、速度、有效质量与波失k的函数关系
半导体(Si:14、Ge:32):禁带宽度较窄,约~2 eV以下 —— 依靠热激发即可以将满带中的电子激发到导带中,因而 具有导电能力 —— 热激发到导带中的电子数目随温度按指数规律变化,半 导体的电导率随温度的升高按指数形式增大 半金属 V族元素Bi、Sb、As: 三角晶格结构,原胞有偶数个电子 —— 金属的导电性,能带的交叠 —— 导电能力远小于金属,能带交叠较小,对导电有贡献的 载流子数远远小于普通的金属

半导体物理基础第一章课件

半导体物理基础第一章课件
42
1.7.5只有一种杂质的半导体
• 2、P型半导体
• 在杂质饱和电离的温度范围内有:p N a • 导带电子浓度为: n ni2 ni2
p Na
• 费米能级为
EF

EV
KT ln
NV Na
EF

Ei
KT
ln
Na ni
43
1.7.5只有一种杂质的半导体
• 结论:对于P型半导体,在杂质饱和电离 温度范围之内,费米能级位于价带顶之上, 本征费米能级之下。随着掺杂浓度提高, 费米能级接近价带顶;随着温度升高,费 米能级远离价带顶。
成共价键时,将因缺少一个价电子而形 成一个空穴,于是半导体中的空穴数目 大量增加。
22
1.6杂质能级
• Acceptor,掺入半导体的杂质原子向半导 体中提供导电的空穴,并成为带负电的 离子。
• 掺入受主杂质的半导体为P(Positive)型 半导体。施主杂质的浓度记为NA。
23
1.6杂质能级
• 受主接受电子称为受主杂 志,提供了一个局域化的 电子态,相应的能级称为 受主能级—Ea。
NV

2 2mdp KT
h3
3 2
• 称为价带有效状态密度
34
1.7.3能带中电子和空穴的浓度
• 导带电子浓度和价带空穴浓度之积
Eg
np Nc NV e KT • 式 把中它E写g为成禁经带验宽关度系。式与E温g 度有E关g0 , 可T以
• 其 时中的Eg值为。禁带宽度温度系数,Eg0为0K
Chap1 半导体物理基础
1
1.2 能带
一、能带的形成 • 能级:电子所处的能量状态。 • 当原子结合成晶体时,原子最外层的价

高二物理竞赛本征半导体的导电机构电子、空穴课件

高二物理竞赛本征半导体的导电机构电子、空穴课件

等闭价面能带,面顶在:附这当近个E:(E面k)(为k上)某的E一能(0定值) 值均h2时2m相k*p2 ,等(,kxk这,2 个ky,面kxk2称z)构为k成y等2 一能k个面z2 封。
设导带底位于k=0,其能值为Ec(0),则导带底附近
2
理想情况下:
E(k) E(0) 2mn*
k
2 x
k
2 y
qB
c
mn*
在垂直B的平面内加上一个高频电场,当频率等于
回旋频率时,高频电场的能量将被电子共振吸收,
这称为回旋共振。通过上式求出有效质量。
磁场作用下电子运动轨迹
实际实验中,比较方便是改变B的大小
(即 c ),当回旋频率与外电场频率相
等时,发生强烈的共振吸收,由吸收峰
对应的B值和高频电场的频率 就可得到
重点:SiC ,GaN及III族氮化合物
2.砷化镓能带结构(研究和应用较多)
(1) 导带
极小值k=0处,等能面为球面
mn* = 0.067m0
(2) 价带
重空穴带V1,轻空穴带V2
价带中心简并 自旋轨道耦合
Si是间接带隙半导体, GaAs是直接带隙半导体
砷化镓的能带结构
能带中最关键的是导带底和价带顶
有效质量。
为了得到清晰的共振吸收峰,必须减少 散射,使得两次散射间的自由时间内能
够多回旋几圈( ct 远大于1),要求
高纯样品且温度低(液氮),使得自由
时间 t 足够大。
回旋共振吸收示意图
1.锗和硅的能带结构
(1) 导带
Ge:导带最低能值位于[111]方向布里渊区边界上,共有8个 等价点每一个等价点在简约布里渊区只有半个能谷,共有4 个等价谷,在k=0和 <100>方向还有较高的能谷。

电子与空穴优质课件PPT

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距Ec越远,也就是越趋向Ei。
6 强电离后,如果温度继续升高,本征激发 也进一步增强,当ni可以与ND比拟时,本征 载流子浓度就不能忽略了,这样的温度区间 称为过渡区。
能带理论
杂质浓度一定时,如果强电离后继续升高温度,施主对载流子 的贡献就基本不变了,但本征激发产生的ni随温度的升高逐渐变得 不可忽视,甚至起主导作用,而EF则随温度升高逐渐趋近Ei。
Thank You
电子与空穴
目录
A 电子和空穴/施主和受主 C 电子占据施主能级的几率
载流子
B
电子和空穴
半导体中有两种载流子:自由电子和空穴,价电子受共价键的束缚, 晶体中不存在自由运动的电子,半导体是不能导电的,某些共价键中的 价电子获得了足够的能量,足以挣脱共价键的束缚,跃迁到导带,成为 自由电子,同时在共价键中留下相同数量的空穴。空穴是半导体中特有 的一种粒子。它带正电,与电子的电荷量相同。把热激发产生的这种跃 迁过程称为本征激发。本征激发所产生的自由电子和空穴数目是相同的。
杂半导体中,施主和受主要么处于未离化的中性态, 要么电离成为离化态。以施主为例,电子占据施主能级时 是中性态,离化后成为正电中心。因为费米分布函数中一 个能级可以容纳自旋方向相反的两个电子,而施主能级上 要么被一个任意自旋方向的电子占据(中性态),要么没有被 电子占据(离化态)。
电子占据施主能级的几率
施主的离化情况与能级ED和费米能级EF的相对位置有 关:如果ED-EF>>k0T,则未电离施主浓度nD≈0,而电离 施主浓度nD+ ≈ ND,几乎全部电离。如果费米能级EF与 施主能级ED重合时,施主有程 小结
01 电子和空穴 02 半导体载流子 03 电子占据施主能级的几率

半导体物理第一章习题答案

半导体物理第一章习题答案

半导体物理第一章习题答案半导体物理第一章习题答案在半导体物理学的学习中,习题是非常重要的一部分。

通过解答习题,我们可以加深对理论知识的理解,巩固所学内容,并培养解决问题的能力。

下面是一些关于半导体物理第一章的习题及其答案,希望对大家的学习有所帮助。

1. 什么是半导体?答:半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。

它的导电性介于导体和绝缘体之间,可以通过施加外界电场或温度的变化来改变其电导率。

2. 半导体的能带结构有哪些特点?答:半导体的能带结构具有以下特点:- 价带和导带之间存在禁带,禁带宽度决定了材料的导电性能。

- 价带和导带中的能级数目与电子数目之间存在关联,即保持电中性。

- 价带和导带中的电子分布符合费米-狄拉克分布。

3. 什么是载流子?答:载流子是指在半导体中参与电流传输的带电粒子。

在半导体中,载流子主要有电子和空穴两种类型。

4. 什么是固有载流子浓度?答:固有载流子浓度是指在材料中由于温度引起的自发激发和热激发所产生的载流子浓度。

它与材料的能带结构和温度有关。

5. 什么是掺杂?答:掺杂是指向纯净的半导体中加入少量杂质,通过改变杂质的电子结构来改变半导体的电导性能。

掺杂分为n型和p型两种。

6. 什么是pn结?答:pn结是由n型和p型半导体通过扩散或外加电场形成的结构。

在pn结中,n型半导体中的自由电子会扩散到p型半导体中,而p型半导体中的空穴会扩散到n型半导体中,形成电子-空穴复合区域。

7. 什么是势垒?答:势垒是指pn结两侧带电粒子所形成的电场引起的电位差。

势垒的存在导致了电子和空穴的扩散和漂移,从而产生电流。

8. 什么是正向偏置和反向偏置?答:正向偏置是指在pn结上施加外加电压,使得p区的正电荷和n区的负电荷相吸引,势垒减小,电流得以流动。

反向偏置是指在pn结上施加外加电压,使得p区的负电荷和n区的正电荷相吸引,势垒增大,电流被阻断。

9. 什么是击穿?答:击穿是指在反向偏置下,当外加电压达到一定值时,pn结中的电场强度足够大,使得势垒被完全破坏,电流急剧增大的现象。

半导体物理复习资料

半导体物理复习资料

第一章 半导体中的电子状态1.导体、半导体、绝缘体的划分:Ⅰ导体内部存在部分充满的能带,在电场作用下形成电流;Ⅱ绝缘体内部不存在部分充满的能带,在电场作用下无电流产生; Ⅲ半导体的价带是完全充满的,但与之上面靠近的能带间的能隙很小,电子易被激发到上面的能带,使这两个能带都变成部分充满,使固体导电。

2.电子的有效质量是*n m ,空穴的有效质量是*p m ;**np m m -=,电量等值反号,波矢k 与电子相同 能带底电子的有效质量是正值,能带顶电子的有效质量是负值。

能带底空穴的有效质量是负值,能带顶空穴的有效质量是正值。

3.半导体中电子所受的外力dtdkh f ⋅=的计算。

4.引进有效质量的意义:概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。

第二章 半导体中杂质和缺陷能级1.施主能级:被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级E D ;施主能级很接近于导带底;受主能级:被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能级E A ;受主能级很接近于价带顶。

施主能级图 受主能级图2.浅能级杂质:杂质的电离能远小于本征半导体禁带宽度的杂质,电离后向相应的能带提供电子或空穴。

深能级杂质:能级位于禁带中央位置附近,距离相应允带差值较大。

深能级杂质起复合中心、陷阱作用;浅能级杂质起施主、受主作用。

3.杂质的补偿作用:半导体中同时含有施主和受主杂质,施主和受主先相互抵消,剩余的杂质发生电离。

在Ⅲ-Ⅴ族半导体中(Ga-As )掺入Ⅳ族杂质原子(Si ),Si 为两性杂质,既可作施主,亦可作受主。

设315100.1-⨯=cm N A ,316101.1-⨯=cm N D ;则316100.1-⨯=-=cm N N n A D 由p n n i ⋅=2,可得p 值;①p n ≈时,近似认为本征半导体,i F E E =;②p n μμ=时,本征电导p n σσ=; p n >>时,杂质能级靠近导带底;第三章 半导体中载流子的统计分布1.费米分布函数(简并半导体)⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=Tk E E E f F 0exp 11)((本征);⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-+=T k E E E f F 0exp 2111)((杂质);玻尔兹曼分布函数(非简并半导体) ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛⋅-=T k E A E f B0exp )(;2.费米能级:TF N F E ⎪⎭⎫⎝⎛∂∂==μ;系统处于热平衡状态,也不对外界做功的情况下,系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化,等于系统的化学势,也就是等于系统的费米能级。

半导体物理学 第一章__半导体中的电子状态

半导体物理学 第一章__半导体中的电子状态

The End of Preface
第一章 半导体中的电子状态
主要内容:
1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2半导体中电子状态和能带 1.3半导体中电子运动--有效质量 1.4 本征半导体的导电机构--空穴 1.5 常见半导体的能带结构 (共计八学时)
本章重点:
*重 点 之 一:Ge、Si 和GaAs的晶体结构
晶体结构周期性的函数 uk (x) 的乘积。
分布几率是晶格的周期函数,但对每个原胞的
相应位置,电子的分布几率一样的。 波矢k描述晶体中电子的共有化运动状态。
它是按照晶格的周期 a 调幅的行波。
这在物理上反映了晶体中的电子既有共有化的 倾向,又有受到周期地排列的离子的束缚的特点。
只有在 uk (x) 等于常数时,在周期场中运动的 电子的波函数才完全变为自由电子的波函数。
硅基应变异质结构材料一维量子线零维量子点基于量子尺寸效应量子干涉效应量子隧穿效应以及非线性光学效应等的低维半导体材料是一种人工构造通过能带工程实施的新型半导体材料是新一代量子器件的基宽带隙半导体材料宽带隙半导体材料主要指的是金刚石iii族氮化物碳化硅立方氮化硼以及iivi族硫锡碲化物氧化物zno等及固溶体等特别是sicgan和金刚石薄膜等材料因具有高热导率高电子饱和漂移速度和大临界击穿电压等特点成为研制高频大功率耐高温抗辐射半导体微电子器件和电路的理想材料在通信汽车航空航天石油开采以及国防等方面有着广泛的应用前景
(1)元素半导体晶体
Si、Ge、Se 等元素
(2)化合物半导体及固溶体半导体
SiC
AsSe3、AsTe3、 AsS3、SbS3
Ⅳ-Ⅳ族
Ⅴ-Ⅵ族
化合物 半导体
InP、GaN、 GaAs、InSb、

半导体物理课件:第一章 半导体中的电子状态

半导体物理课件:第一章  半导体中的电子状态

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1.1 半导体的晶格结构和结合性质
4. 闪锌矿结构和混合键
与金刚石结构的区别
▪ 共价键具有一定的极性 (两类原子的电负性不 同),因此晶体不同晶面 的性质不同。
▪ 不同双原子复式晶格。
常见闪锌矿结构半导体材料 ▪ Ⅲ-Ⅴ族化合物 ▪ 部分Ⅱ-Ⅵ族化合物,如硒化汞,碲化汞等半金属材料。
2024/1/4
量子力学认为微观粒子(如电子)的运动须用波 函数来描述,经典意义上的轨道实质上是电子出 现几率最大的地方。电子的状态可用四个量子数 表示。 (主量子数、角量子数、磁量子数、自旋量子数)
▪ 能级存在简并
2024/1/4
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1.2 半导体中的电子状态和能带
▪ 电子共有化运动
原子中的电子在原子核的势场和其它电子的作用 下,分列在不同的能级上,形成所谓电子壳层 不同支壳层的电子分别用 1s;2s,2p;3s,3p,3d;4s…等符号表示,每一壳层对 应于确定的能量。
29
1.2 半导体中的电子状态和能带
▪ 金刚石结构的第一布里渊区是一个十四面体。
2024/1/4
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1.2 半导体中的电子状态和能带
3. 导体、半导体、绝缘体的能带
能带产生的原因:
▪ 定性理论(物理概念):晶体中原子之间的相 互作用,使能级分裂形成能带。
▪ 定量理论(量子力学计算):电子在周期场中 运动,其能量不连续形成能带。
•结果每个二度简并的能级都分裂为二个彼此相距 很近的能级;两个原子靠得越近,分裂得越厉害。
2024/1/4
22
1.2 半导体中的电子状态和能带
▪ 内壳层的电子,轨道交叠少,共有化运动弱,可忽略 ▪ 外层的价电子,轨道交叠多,共有化运动强,能级分

第一章电子、空穴和能带概念

第一章电子、空穴和能带概念

第一章电子、空穴和能带概念第一章电子、空穴和能带概念1§1.1 量子力学基本概念2一、经典物理的缺陷以及量子力学的引入31.黑体辐射问题32.光电效应53.普朗克假设、爱因斯坦的波粒二象性54.德布罗衣假说11二、薛定颚方程13三、波函数的统计解释20§1.2 利用薛定颚方程求解氢原子21§1.3 能带模型24一、晶格24二、能代理论251.单电子近似252.布劳赫定律(Bloch)263.共有化运动和准自由电子264. 布里渊区与能带285、导体、半导体、绝缘体的能带30§1.4半导体中电子的运动有效重量32一、半导体中E(k)与k的关系32二、晶体中电子的平均速度加速度341.晶体中电子运动的平均速度342.半导体中电子运动的加速度353.有效质量的物理意义364. 空穴的有效质量37习题401 / 402 / 40§1.1 量子力学基本概念经典物理的两个独立理论体系:波动学说、粒子学说。

当时绝大多数的现象可以用经典理论物理学解释:● 应用Newton 方程成功讨论了从天体到地上各种尺度的力学客体的运动,将这个理论用到分子运动上,在气体分子运动论上也获得有益的结果。

● 1897年J.J.汤姆森发现了电子,这个发现表明电子的行为类似于一个Newton 粒子。

● 光的波动本性已在1803年由杨的衍射试验证实220004cos (sin ), d I I I E πθλ==光的强度● Maxwell 在1864年所发现的光和电磁现象之间的联系将光的波动性置于更加坚实的基础之上。

一、经典物理的缺陷以及量子力学的引入到上世纪初,在解释某些试验结果上还遗留一些困难:●主要是关于发展一个合适的原子模型以及稍后发现的X射线和放射性等。

●也有一些困难属于那些应该得到解释而实际上未能解释的现象:诸如黑体辐射的谱分布,固体的低温比热等。

●虽然光的波动性有大量的实验事实和光的电磁理论支持,但上世纪初发现的黑体辐射、光电效应等现象却揭示把光仅看作波的局限性。

电工电子学导体、绝缘体和半导体的能带论解释

电工电子学导体、绝缘体和半导体的能带论解释
半导体:其禁带宽度一般较窄:Eg介于0.2 ~ 3.5 eV之间 常规半导体:如 Si:Eg ~ 1.1eV; Ge: Eg ~ 0.7 eV;GaAs: Eg ~ 1.5 eV 宽带隙半导体:如-SiC: Eg ~ 2.3 eV; 4H-SiC: Eg~ 3 eV
绝缘体:禁带宽度一般都较宽, Eg >几个eV。 如-Al2O3: Eg~ 8 eV;NaCl: Eg~ 6 eV。
因此几乎所有杂质原子都处于基态。如果电子在与杂质的 散射中把能量交给杂质原子,电子能量将失去过多,以致 费米球内没有空态可以接纳它。因此,杂质散射所产生的 电阻与温度无关,它是T0时的电阻值,称为剩余电阻。
通常,可用室温电阻率与
(0)之比R来表征样品的纯度。 如: (0)=1.710-9(cm)的Cu
+ ev k B
e + ev k B 为正电荷e在电磁场中所受的力。
所以,在有电磁场存在时,近满带的电流变化就如同 一个带正电荷e,具有正有效质量m*的粒子一样。
结论:当满带顶附近有空状态k时,整个能带中的电流 以及电流在外电磁场作用下的变化,完全如同一个带正 电荷e,具有正有效质量m*和速度v(k)的粒子的情况一 样。我们将这种假想的粒子称为空穴。
禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半 导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关。
半导体价带中的大量电子都是价键上的电子(称为价电子), 不能够导电,即不是载流子。只有当价电子跃迁到导带(即本 征激发)而产生出自由电子和自由空穴后,才能够导电。空穴 实际上也就是价电子跃迁到导带以后所留下的价键空位(一个 空穴的运动就等效于一大群价电子的运动)。因此,禁带宽度 的大小实际上是反映了价电子被束缚强弱程度的一个物理量, 也就是产生本征激发所需要的最小能量。

半导体物理知识要点总结

半导体物理知识要点总结

第一章 半导体的能带理论1. 基本概念✧ 共有化运动:原子组成晶体后,由于电子壳层的交叠,电子不在局限在某一个原子上,可以由一个原子转移到相邻的原子上去,因而电子可以在整个晶体中运动,这种运动称为电子的共有化运动。

✧ 单电子近似:假设每个电子是在大量周期性排列且固定不动的原子核势场及其他电子的平均势场中运动。

该势场也是周期性变化的。

✧ 能带的形成:原子相互接近,形成壳层交替→电子共有化运动→能级分裂(分成允带、禁带)→形成能带✧ 能带:晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。

这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。

✧ 价带:P6✧ 导带:P6✧ 禁带:P5✧ 导体✧ 半导体✧ 绝缘体的能带✧ 本征激发:价带上的电子激发成为准自由电子,即价带电子激发成为导带电子的过程,称为本征激发。

✧ 空穴:具有正电荷q 和正有效质量的粒子✧ 电子空穴对✧ 有效质量:有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。

它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。

其大小由晶体自身的E-k 关系决定。

✧ 载流子及载流子浓度2. 基本理论✧ 晶体中的电子共有化运动✧ 载流子有效质量的物理意义 :当电子在外力作用下运动时,它一方面受到外电场力f的作用,同时还和半导体内部原子、电子相互作用着,电子的加速度应该是半导体内部势场和外电场作用的综合效果。

但是,要找出内部势场的具体形式并且求得加速度遇到一定的困难,引进有效质量后可使问题变得简单,直接把外力f 和电子的加速度联系起来,而内部势场的作用则由有效质量加以概括,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及半导体内部势场的作用。

第二章 半导体中的杂质与缺陷能级1. 基本概念✧ 杂质存在的两种形式:间隙式杂质:杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。

替位式杂质:杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。

第一章能带理论

第一章能带理论

孤立时, 波函数(描述 微观粒子的状态)为 A和B,不重叠.
简并度=状态/能级数 =2/1=2
孤立原子的能级
A . B 两原子相互靠近, 电子波函数应是A和B 的线形叠加: 1 = A + B →E1 2 = A - B →E2
四个原子的能级的分裂
● 当有 N 个原子时:
相互中间隔的很远时: 是N度简并的。 相互靠近组成晶体后: 它们的能级便分裂成N个彼此靠得很 近的能级--准连续能级,简并消失。 这N个能级组成一个能带,称为允带。
((kx )2
m*x
(ky )2
m*y
(kz )2 )
m*z
ax
Vx t
t
(
hk x m*x
)
1 m*x
(hkx ) t
Fx m*x
ay
Fy m*y
az
Fz m*z
称m*为电子的有效质量
F外 = m*a F外 + F内 = m0a
有效质量的意义
概括了半导体内部势场作用,使得在解 决半导体中电子在外力作用的运动规律时, 可以不涉及到半导体内部势场的作用。
本征激发 当温度一定时,价带电子受到激发而成为导
带电子的过程 。
激 发 前:
激 发 后:
导带电子
价带电子
空的量子态( 空穴)
空穴
将价带电子的导电作用等效为带正电 荷的准粒子的导电作用。
空穴的主要特征:
A、荷正电:+q; B、空穴浓度表示为p(电子浓度表示为n); C、EP=-En D、mP*=-mn*
第一布里渊区 1 k 1
2a
2a
第二布里渊区 1 k 1 , 1 k 1
a
2a 2a

半导体物理第一章

半导体物理第一章


2、闪锌矿结构和混合键

III-V族化合物半导体绝大 多数具有闪锌矿型结构。闪 锌矿结构由两类原子各自组 成的面心立方晶胞沿立方体 的空间对角线滑移了1/4空 间对角线长度套构成的。每 个原子被四个异族原子包围。 例: GaAs、GaP、ZnO

2、闪锌矿结构和混合键

两类原子间除了依靠共价键结合外,还有一定 的离子键成分,但共价键结合占优势。 以离子为结合单元,由正、负离子组成的、靠 库仑力而形成的晶体。此种结合力称为离子键。 由碱金属元素与卤族元素所组成的化合物晶体 是典型的离子晶体,如NaCl、CsCl等。II-VI族 化合物晶体也可以看成是离子晶体,如CdS、 ZnS等。

⑴ 每一个BZ 内包含了所有能带中的全部电子状态。或者说,每一个区 域所包含的波矢数(即 k 的取值个数)等于晶体所包含的原胞数( N)。 因此,电子的运动状态可以在一个 BZ内进行讨论,注意,在同一个BZ内, 电子的能量是准连续的。
布里渊区有如下若干主要特点:
布里渊区与能带:

求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程,可以得到如图所 示的晶体中电子的E(k)~k关系,虚线是自由电子 E(k)~k关 系。
1.自由电子的运动状态
(1)孤立原子中的电子是在该原子的核和其它电子的势场中 运动 (2)自由电子是在恒定势场中运动 (3)晶体中的电子是在严格周期性重复排列的原子间运动
单电子近似——晶体中的某一个电子是在周期性排列且固 定不动的原子核的势场以及其它大量电子的平均势场中运 动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周 期相同。

原子间通过共价键结合。
共价键的特点:饱和性、方向性。

⑴ 饱和性:共价键的饱和性是指,一个原子只能形成一定数目的共价 键。由于共价键是两个原子通过共用各自未配对的电子而形成的,而原 子的电子结构是确定的,某一原子在与其它原子化合时,能够形成共价 键的数目就完全取决于原子外层电子中未配对的电子数。此乃饱和性的 实质。 ⑵ 方向性:共价键的方向性是指,原子只能在某些特定的方向上形成 共价键。按量子理论,共价键实际上是由于相邻原子的电子云交叠而形 成的,电子云交叠程度的大小决定了共价键的强弱。因此,原子形成共 价键时,总是取电子云密度最大的方向。这就是方向性的根源。

精选半导体器件与物理一资料

精选半导体器件与物理一资料
被电子填充满的一系列准 连续的能量状态 满带不导电
● 空带 没有电子填充的一系列准 连续的能量状态 空带也不导电
第一章 半导体特性
图1-5 金刚石结构价电子能带图(绝对零度) 上海电子信息职业技术学院
半导体器件物理
●导带
有电子能够参与导电的能带, 但半导体材料价电子形成的高 能级能带通常称为导带。
半导体器件物理
第一章 半导体特性
晶体的各向异性
沿晶格的不同方向,原子排列的周期 性和疏密程度不尽相同,由此导致晶体在 不同方向的物理特性也不同 。
晶体的各向异性具体表现在晶体不同 方向上的弹性膜量、硬度、热膨胀系数、 导热性、电阻率、电位移矢量、电极化强 度、磁化率和折射率等都是不同的。
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半导体器件物理
●导带底EC 导带电子的最低能量
●价带顶EV 价带电子的最高能量
●禁带宽度 Eg
Eg=Ec-Ev
●本征激发 由于温度,价键上的电子 激发成为准自由电子,亦 即价带电子激发成为导带 电子的过程 。
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a半3 / 2导体器件物理
例1-1
第一章 半导体特性
假使体心结构的原子是刚性的小球,且中心原子与立方体八个角落 的原子紧密接触,试算出这些原子占此体心立方单胞的空间比率。

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半导体器件物理
练习
第一章 半导体特性
假使面心结构的原子是刚性的小球,且面中心 原子与面顶点四个角落的原子紧密接触,试算出这 些原子占此面心立方单胞的空间比率。
• 它是按晶面在坐标轴上的截距的倒数的比例取互 质数
• (111)、(100)、(110) • 相同指数的晶面和晶列互相垂直。

半导体物理(第一章04.27)

半导体物理(第一章04.27)

( 1 - 1 4 )
式中k为波矢,u k ( x是) 一个与晶格同周期的周期性函数, 即:
uk(x)uk(xna)
式中n为整数。
§1.1半导体中的电子状态和能带
§1.1.3电子在周期场中的运动——能带论
2、电子在周期场中的运动 式(1-13)具有式(1-14)形式的解,这一结论称为布 洛赫定理。具有式(1-14)形式的波函数称为布洛赫波 函数 晶体中的电子运动服从布洛赫定理:
1.自由电子的运动状态
对于波矢为k的运动状态,自由电子的能 量E,动量p,速度v均有确定的数值。
波矢k可用以描述自由电子的运动状态, 不同的k值标志自由电子的不同状态
自由电子的E和k的关系曲线,呈抛物线 形状。
由于波矢k的连续变化,自由电子的能量 是连续能谱,从零到无限大的所有能量 值都是允许的。
与氢原子一样是量子化的,电子状态取决于四个量子数 (1)量子数(n, l, ml, ms) (2)简并度(能级可能有的微观状态) (3)电子填充(泡利不相容原理和能量最低原理)
§1.1半导体中的电子状态和能带
§1.1.2 晶体中的电子状态
1、共有化运动
概念:原子组成晶体后,电子壳层将发生交叠,由于相同壳层上的电子具 有相同的能量,所以电子可以从一个原子转移到另一个原子上去,从而电 子可以在整个晶体中运动
基本方法,为从事光电子技术、半导体 器件、传感器及应用、集成电路等方面 的工作打下必备的基础。
什么是半导体?
半导体物理的研究对象:
半导体的电子运动规律和基本物理性质
导体
(cm) 10-6 ~ 10-4
半导体 10-4 ~ 1010
绝缘体 > 1010
半导体的种类

半导体物理知识点及重点习题总结

半导体物理知识点及重点习题总结

基本概念题:第一章半导体电子状态1.1 半导体通常是指导电能力介于导体和绝缘体之间的材料,其导带在绝对零度时全空,价带全满,禁带宽度较绝缘体的小许多。

1.2能带晶体中,电子的能量是不连续的,在某些能量区间能级分布是准连续的,在某些区间没有能及分布。

这些区间在能级图中表现为带状,称之为能带。

1.2能带论是半导体物理的理论基础,试简要说明能带论所采用的理论方法。

答:能带论在以下两个重要近似基础上,给出晶体的势场分布,进而给出电子的薛定鄂方程。

通过该方程和周期性边界条件最终给出E-k关系,从而系统地建立起该理论。

单电子近似:将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑,这样就可把求解晶体中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题。

绝热近似:近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换,而将实际存在的这种交换当作微扰来处理。

1.2克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法答案:克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和E-k关系而提出的一维晶体的势场分布模型,如下图所示利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式,进而确定波函数并给出E-k关系。

由此得到的能量分布在k空间上是周期函数,而且某些能量区间能级是准连续的(被称为允带),另一些区间没有电子能级(被称为禁带)。

从而利用量子力学的方法解释了能带现象,因此该模型具有重要的物理意义。

1.2导带与价带1.3有效质量有效质量是在描述晶体中载流子运动时引进的物理量。

它概括了周期性势场对载流子运动的影响,从而使外场力与加速度的关系具有牛顿定律的形式。

其大小由晶体自身的E-k关系决定。

1.4本征半导体既无杂质有无缺陷的理想半导体材料。

1.4空穴空穴是为处理价带电子导电问题而引进的概念。

设想价带中的每个空电子状态带有一个正的基本电荷,并赋予其与电子符号相反、大小相等的有效质量,这样就引进了一个假想的粒子,称其为空穴。

它引起的假想电流正好等于价带中的电子电流。

半导体物理前五章复习

半导体物理前五章复习

3。简并半导体和非简并半导体
简并半导体:掺杂浓度高,对于n型半导体,其费米能级EF
接近导带或进入导带中;对于 p型半导体,其费米能级EF
接近价带或进入价带中的半导体
非简并半导体:掺杂浓度较低,其费米能级EF在禁带中的
半导体 非简并 弱简并 简 并
n型半导体
E C E F 2k 0T 0 E C E F 2k 0T EC E F 0
所以:N A N C exp(
在弱电离范围内,上式 右端分母中的 1可以忽略不计,则 E EF E ED N A N C exp( C ) N D exp( F ) k0T k0T 在极弱电离的情况下, 激发到导带的电子数远 小于受主N A, 故可忽略上式左端的第 二项 这样,由上式得到费米 能级 ND EF ED k0T ln NA n0 NC N D E ED exp( C ) NA k0T
1
2.费米分布函数
f (E)
1 1 e
E EF k 0T
当E-EF>>kT时
E EF k0T
波尔兹曼函数
f (E) e
3.载流子的浓度
n0 Nc exp( EC E f k0T )
n 0 ni e
E F Ei k 0T
E F EV p0 N v exp( ) k 0T
导电作用来描写。
5。直接带隙半导体和间接带隙半导体
直接带隙半导体:导带低和价带顶对应的电子波矢相同
间接带隙半导体:导带低和价带顶对应的电子波矢不相同
二. 基本公式
有效质量
2 h m* 2 d E dk 2
速度:
1 dE h dk

电子、空穴和能带概念

电子、空穴和能带概念

第一章电子、空穴和能带概念第一章电子、空穴和能带概念错误!未定义书签。

§ 量子力学基本概念错误!未定义书签。

一、经典物理的缺陷以及量子力学的引入错误!未定义书签。

1. 黑体辐射问题错误!未定义书签。

2. 光电效应错误!未定义书签。

3. 普朗克假设、爱因斯坦的波粒二象性错误!未定义书签。

4. 德布罗衣假说错误!未定义书签。

二、薛定颚方程错误!未定义书签。

三、波函数的统计解释错误!未定义书签。

§ 利用薛定颚方程求解氢原子错误!未定义书签。

§ 能带模型错误!未定义书签。

一、晶格错误!未定义书签。

二、能代理论错误!未定义书签。

1.单电子近似错误!未定义书签。

2.布劳赫定律(Bloch)............................................................................................ 错误!未定义书签。

3.共有化运动和准自由电子......................................................................................... 错误!未定义书签。

4. 布里渊区与能带................................................................................................. 错误!未定义书签。

5、导体、半导体、绝缘体的能带..................................................................................... 错误!未定义书签。

§半导体中电子的运动有效重量错误!未定义书签。

一、半导体中E(k)与k的关系错误!未定义书签。

二、晶体中电子的平均速度加速度错误!未定义书签。

半导体物理学(第一章)

半导体物理学(第一章)

n=1 2个电子
15
Si 半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
原子的能级的分裂 4个原子能级的分裂 个原子能级的分裂
孤立原子的能级
16
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
大量原子的能级分裂为能带
17
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
Si的能带(价带、导带和带隙) 的能带(价带、导带和带隙)
37
k = kx + k y + kz
2 2 2
2
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
具有确定能量E的全部 点 具有确定能量 的全部k点 的全部
r r r r k = kx + k y + kz
构成一个封闭的曲面, 构成一个封闭的曲面,称为等能面 理想的等能面为k空间的一个球面 理想的等能面为 空间的一个球面
4、无论是自由电子还是晶体材料中的电子,他们 、无论是自由电子还是晶体材料中的电子, 在某处出现的几率是恒定不变的。 在某处出现的几率是恒定不变的。 ( ) 5、分别叙述半导体与金属和绝缘体在导电过程中 、 的差别。 的差别。
30
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
与波矢k的关系 三、半导体中能量E与波矢 的关系 半导体中能量 与波矢
gap gap
3
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
硼 铝 锌 镓 镉 铟
碳 硅 锗 锡
氮 氧 磷 硫 砷 硒 锑 碲
4
半导体物理学 黄整
第一章 半导体中的电子状态
运动的描述
Minkowski空间:
x,y,z,ict px,py,pz,iE/c
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第一章电子、空穴和能带概念第一章电子、空穴和能带概念 1§1.1 量子力学基本概念 2一、经典物理的缺陷以及量子力学的引入 31. 黑体辐射问题 32. 光电效应 53. 普朗克假设、爱因斯坦的波粒二象性 54. 德布罗衣假说11二、薛定颚方程13三、波函数的统计解释20§1.2 利用薛定颚方程求解氢原子21 §1.3 能带模型24一、晶格24二、能代理论25 1.单电子近似252.布劳赫定律(Bloch) (26)3.共有化运动和准自由电子 (26)4. 布里渊区与能带 (28)5、导体、半导体、绝缘体的能带 (30)§1.4 半导体中电子的运动有效重量32一、半导体中E(k)与k的关系32二、晶体中电子的平均速度加速度34 1.晶体中电子运动的平均速度 (34)2.半导体中电子运动的加速度 (34)3.有效质量的物理意义 (36)4. 空穴的有效质量 (36)习题4012 §1.1 量子力学基本概念经典物理的两个独立理论体系:波动学说、粒子学说。

当时绝大多数的现象可以用经典理论物理学解释:● 应用Newton 方程成功讨论了从天体到地上各种尺度的力学客体的运动,将这个理论用到分子运动上,在气体分子运动论上也获得有益的结果。

● 1897年J.J.汤姆森发现了电子,这个发现表明电子的行为类似于一个Newton 粒子。

● 光的波动本性已在1803年由杨的衍射试验证实220004cos (sin ), dI I I E πθλ==光的强度● Maxwell 在1864年所发现的光和电磁现象之间的联系将光的波动性置于更加坚实的基础之上。

一、经典物理的缺陷以及量子力学的引入到上世纪初,在解释某些试验结果上还遗留一些困难:●主要是关于发展一个合适的原子模型以及稍后发现的X射线和放射性等。

●也有一些困难属于那些应该得到解释而实际上未能解释的现象:诸如黑体辐射的谱分布,固体的低温比热等。

●虽然光的波动性有大量的实验事实和光的电磁理论支持,但上世纪初发现的黑体辐射、光电效应等现象却揭示把光仅看作波的局限性。

1. 黑体辐射问题我们知道,所有物体都发射出热辐射,这种辐射是一定波长范围内的电磁波。

对于外来的辐射,物体有反射或吸收的作用。

如果一个物体能全部吸收投射在它上面的辐射而无反射,这种物体就称为绝对黑体,简称黑体。

黑体辐射问题研究的是辐射与周围物体处于平衡状态时能量按波长/频率的分布。

一个空腔就可以看成黑体,当空腔与内部的辐射处于平衡时,腔壁单位面积所发射的能量和它所吸收的辐射能量34 相等。

实验得出的平衡时辐射能量密度按波长分布曲线,其形状和位置只与黑体的绝对温度有关,而与空腔的形状及组成的物质无关。

许多人用经典物理理论来说明这种能量分布都未获得成功:(1) 维恩(Wien ):由经典热力学理论出发进行讨论,并加上一些特殊假设得出的分布公式——维恩公式。

这个公式在短波部分与实验结果还符合,在长波部分显著不同;(2) 瑞利-金斯曲线,根据经典电动力学和统计物理学得出的黑体辐射能量公式分布。

他们的结果在长波部分与实验结果较吻合,而在短波部分完全不同。

波长(厘米×104) 能量密度52. 光电效应当光照射到金属表面时,有电子从金属中逸出,这种电子称为光电子。

实验证明,只有当光的频率大于一定值时,才有光电子发射出来;如果光的频率低于这个值,则不论光的强度多大,照射时间多长,都没有光电子产生,光电子能量只与光的频率有关。

光电效应以及黑体辐射实验的这些规律、现象是经典物理理论无法解释的。

因为按照光的电磁理论,光的能量只决定于光的强度,而与光的频率无关。

3. 普朗克假设、爱因斯坦的波粒二象性黑体辐射问题是Planck 普朗克在1900年引进量子概念后才得到解决。

普朗克依据如下假设解释黑体辐射谱的:黑体以h γ 为单位不连续地发射和吸收频率为γ 的电磁辐射,而不是象经典理论所要求的那样可以连续地吸收和发射辐射能量。

能量单位h γ 称为能量子h(普朗克常数)。

h =6.62559×10-34焦耳.秒。

基于这个假定,普朗克得到与实验结果符合很好的黑体辐射公式:γγπγργνd e c h d kT h 118/33-=普朗克的理论开始突破经典物理学在微观领域内的束缚,打开了认识光的微粒性的途径。

按照光的电磁理论,光的能量只决定于光的强度,而与光的频率无关。

但是,光电试验证明:●只有当光的频率大于一定值时,才有光电子发射出来;●如果光的频率低于这个值,则不论光的强度多大,照射时间多长,都没有光电子产生;●光电子能量只与光的频率有关,而与光的强度无关,光的频率越高,光电子的能量就越大。

●光的强度只影响光电子数目,按照光的电磁理论,光的能量只决定于光的强度,而与光的频率无关。

爱因斯坦认为电磁辐射不仅在被发射和吸收时以能量hγ的微粒形式出现,而且以这种形式以光速在空间运动,也就是说光照射到金属表面时,能量为hγ的光子被电子吸收。

电子把这能量的一部分用来克服金属表面对它的束缚力,另一部分就是电子离开金属表面后的动能。

如果电子所吸收的光子能量小于金属的逸出功,则电子不能脱出金属表面,因而没有光电子产生。

光的频率决定光子的能量,光的强度只决定光子的数目,光子多,产生的光电子就多。

这样,经典理论不能解释的光电效应就得到了解释。

6(1)康普顿效应(Compton effect)1923年,美国物理学家康普顿在研究x射线通过实物物质发生散射的实验时,发现了一个新的现象,即散射光中除了有原波长l0的x光外,还产生了波长l> l0的x光,其波长的增量随散射角的不同而变化。

这种现象称为康普顿效应(Compton effect)。

用经典电磁理论来解释康普顿效应遇到了困难。

康普顿借助于爱因斯坦的光子理论,从光子与电子碰撞的角度对此实验现象进行了圆满地解释。

康普顿效应第一次从实验上证实了爱因斯坦提出的关于光子具有动量的假设。

光子在介质中和物质微粒相互作用时,可能使得光向任何方向传播,这种现象叫光的散射。

他认为:●康普顿假设光子和电子、质子这样的实物粒子一样,不仅具有能量,也具有动量,碰撞过程中能量守恒,动量也守恒。

光子和电子碰撞时,光子的一些能量转移给了电子。

●按照这个思想列出方程后求出了散射前后的波长差,结果跟实验数据完全符合,这样就证实了他的假设。

这种现象叫康普顿效应。

康普顿效应的发现,进一步证实光具有粒子性。

实验证明,高频X射线被电子散射后,波长随散射角增加而增大。

而按照经典电动力学,电磁波被散射后波长不应改变。

78(2)旧量子论所谓的旧量子论发端于普朗克关于黑体辐射的工作,以后由爱因斯坦和德拜加以发展。

然而,只有到1911年,卢瑟福发现原子是由小的、重的、带正电的核以及围绕着它的一些电子构成之后,这个理论才能定量描述原子。

旧量子论(波尔-索末非量子化定则的两个假设):●一个原子体系能够存在于一些特定的稳定的或量子化的状态,每一个状态同体系的一个确定能量相对应;●从一个定态向另一个定态的跃迁,伴随着能量的获得或损失,其值等于两个态之间的能量差;●辐射量子的频率等于它的能量除于普朗克常数。

旧量子论使得人们获得了对氢原子结构的解释,但在若干不同的方面,它遇到了困难:它不适用于非周期系统;对谱线强度只能给出定性的不完整的处理;对光的色散也不能给出满意的说明等等。

衍射试验可以说明旧量子论的困难:9用物质代替辐射也可以作出类似试验。

电子被晶体散射所形成的衍射花样,可以从威尔逊云室中电子径中看出。

所以,物质的波动性和粒子性可以出现在同一试验中。

●起初我们或许可以假定衍射花样是通过两条狭缝的不同光子之间的干涉引起的,若这样就完全可以用粒子图像解释观测结果。

然而,可以证明这并不是一个满意的解释。

当我们减弱光强直到每次只有一个光子在光源和光屏之间通过,仍然可以得到相同的衍射图案。

因此,我们只能得到这样的结论,衍射是单个光子的统计结果,并不涉及到光子之间的相互作用。

●由粒子图像观点来看,我们就可以问:一束由独立的光子构成的流束(可以假定其中每个光子只能通过一条狭缝)怎么会产生仅当两条狭缝都开着时才会出现的衍射花样?或者这样问:若当一条狭缝关闭时,光子会到达屏上某一位置,然而当这条狭缝敞开时,它怎么会阻止不通过这条狭1011缝的光子到达屏上的上述位置?在这个问题上隐含这样一条假定:光子的确是穿过这两条狭缝中的特定一条,从经典理论或旧量子论的观点来看,这个假定是自然的:因为这些理论认为,光子或其它粒子在每一瞬时都具有确定的可测定的位置。

然而,量子力学却放弃这个假定,它主张只有当实验中包含位置测量时,光子的位置才有意义。

此外,实验的这一部分将会影响其余部分,不能把它们分开考虑。

因此,从新量子观来看,上一段所提出的问题本身就没有意义,因为它假定光子通过两条狭缝中特定的一条(从而使得另一条狭缝关闭),而在试验中并没有用来确定光子实际上是穿过哪一条狭缝的设备。

4. 德布罗衣假说在光有波粒二象性的启示下,德布罗衣1924年提出了微观粒子也具有波粒二象性的假说。

他把粒子和波通过粒子的能量E 、动量P 与波的频率f 、波长之间的关系联系起来:k n h P h E====λωυ上式称为德布罗衣公式,或德布罗衣关系。

自由粒子的能量和动量都是常量,所以,由德布罗衣关12系可知,与自由粒子联系的波,它的频率、传输方向都不变,因而其为平面波。

德布罗衣假设在1927年为戴维森—盖么的电子衍射实验所证实。

测不准原理:≥∆⋅∆≥∆⋅∆≥∆⋅∆E t Jp x zx φ为了用更专门的物理语言来阐明测不准原理,玻尔在1928年引进并协原理。

这个原理说,对原子现象的描述不可能象经典力学所要求得那种完全性;在构成一个完全经典描述中相互并协的各个量,实际上却是相互排斥的,而为了描述现象的各个方面,这些互相并协的量又都是必不可少的。

不应当把这一点看成是因为实验技术或精度的欠缺。

更恰当地说,这是一条自然规律:每当企图精确的测量一对正则变量中的一个,另一个就会发生变化,这个变化值在不干扰到原来目的的情况下是不能被严格地计算出来。

旧量子论与量子论的区别:旧量子论:认为微观粒子有着固定的轨道,可以用确定的运动学参数进行描述(在这一点上,13实际上把微观粒子看作为经典力学中的质点,然后,利用经典力学分析微观粒子),粒子在不同能级间跃迁通过吸收或释放电磁辐射量子实现;量子论:微观粒子具有波粒二象性,微观粒子服从测不准原理。

二、薛定颚方程1. 薛定颚方程的导出由德布罗衣关系h E h P n kυωλ====;及测不准原理应当可以预料到,代表着位置完全不能确定、已知精确动量P 和能量E 、沿着正X 方向行进的粒子的波函数 ψ(x, t),将有下列形式之一:cos(), sin(), exp[()], exp[-()]kx t kx t i kx t i kx t ωωωω----这也是从戴维森及盖哥实验推知的。

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