模拟电子技术 课后习题答案 康华光等编

模拟电子技术习题答案

第二章

2.4.1D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。

解（1）求二极管的电流和电压

（2）求v o 的变化范围

当r d1=r d2=r d 时，则

O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。

2.4.3AO 。设二极管是理想的。

解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。

图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。 图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。

图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。

2.4.4

解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有

D被反偏而截止。

图b：将D断开，以“地”为参考点，有

D被反偏而截止。

图c：将D断开，以“地”为参考点，有

D被正偏而导通。

2.4.71，D2为硅二极管，当v i＝6 sinωtV时，试用恒压降模型和

折线模型（V th＝0.5 V，r D＝200Ω）分析输出电压v o的波形。

解（1）恒压降等效电路法

当0＜|V i|＜0.7V时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥0.7V时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤0.7V时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。v i与v o

＝0．5V，r D＝200Ω。当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i；v i≥0．5V时，th

D1导通，D2截止。v i≤－0.5 V时，D2导通，D1 截止。因此，当v i≥0．5V时有

同理，v i≤－0.5V时，可求出类似结果。

v i与v o波形如图解2．4．7c所示。

2.4.8二极管电路如图题2．4．8a所示，设输入电压v I（t）波形如图b所示，在0＜t ＜5ms的时间间隔内，试绘出v o（t）的波形，设二极管是理想的。

解v I（t）＜6V时，D截止，v o（t）＝6V；v I（t）≥6V时，D导通

电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。（a）画出它的传输特性；（b）若输入电压v I =v i=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o的波形。

解（a）画传输特性

0＜v I＜12 V时，D1，D2均截止，v o＝v I；

v I≥12 V时，D1导通，D2截止

－10V＜v I＜0时，D1，D2均截止，v o＝v I；

v I≤－10 V时，D2导通，D1截止

传输特性如图解2．4 13中a所示。

（b）当v o＝v I=20 sinωt V时，v o波形如图解2．4．13b所示。

2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V2和正向特性的V th、r D为已知。试绘出它的传输特性。

解当| v I |＜（Vz＋V th）时，D zl、D Z2均截止，v o＝v I；

| v I |≥（Vz＋V th）时，D zl、D Z2均导通

传输特性如图解2．5．2所示。

第三章

3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A＝－9 V，V B＝一6 V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

解由于锗BJT的|V BE|≈0.2V，硅BJT的|V BE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的V B＝一6 V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的V A＝－9 V，故电极A是集电极。又根据BJT 工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C 是基极，且此BJT为PNP管。

3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。（设各电容的容抗可忽略）

解图题3．2．la无放大作用。因R b=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号v i被短路。

图题3．2．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。

图题3．2．lc无交流放大作用，因电容C bl隔断了基极的直流通路。

图题3．2．id无交流放大作用，因电源V cc的极性接反。

3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。

（a）V C＝6 V V B＝0.7 V V E＝0 V

（b ）V C ＝6 V V B ＝2 V V E ＝1.3 V

（c ）V C ＝6 V V B ＝6V V E ＝5.4 V

（d ）V C ＝6 V V B ＝4V V E ＝3.6 V

（。）V C ＝3.6 V V B ＝4 V V E ＝3. 4 V

解（a ）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。

（b ）放大区，V BE ＝（2—l ．3）V ＝0．7 V ，V CB ＝（6－2）V ＝4 V ，发射结正偏，集电结反偏。

（C ）饱和区。

（d ）截止区。

（e ）饱和区。

3.3.5 设输出特性如图题 3．3．1所示的 BJT 接成图题 3．3.3所示的电路，具基极端上接V BB ＝3．2 V 与电阻R b ＝20 k Ω相串联，而 Vcc ＝6 V ，R C ＝200Ω，求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值，设 V BE ＝0．7 V 。

解 mA R V V I b

BE BB B 125.0=-== 由题3．3．1已求得β＝200，故

3.3.6 图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：