模拟电子技术课程习题第五章放大电路的频率响应
电子技术精品课程模拟电第5章 放大电路的频率响应 40页-PPT课件
1 (
f
)2
1 L fL 2 2 RC
fL arctg( ) f
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5.1.3 RC低通电路 1. 频率响应表达式:
第5章 放大电路的频率响应
R
1
. Av =
Vo
Vi
.
1 1 j RC
1 j
H
+ . Vi -
C
RC低通电路
+ . Vo -
1 式中 H RC
(Cπ)
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用
g m代替 V b' e
.
.
Ib
.
.
第5章 放大电路的频率响应
用 g m V代替 b' e 无关。
I b0 β 与频率有关,而g 与频率 ,因为 m
可画出混合π型高频小信号模型:
Cμ
(Cμ )
(Cπ)
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2. 简化的混合π模型
Cμ
第5章 放大电路的频率响应
rb’c很大,可以忽略。 rce很大,也可以忽略。
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第5章 放大电路的频率响应
将Cμ 折合到输入和输出回路,条件是流过电容器Cμ 的电流不变。
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第5章 放大电路的频率响应
合并电容
很小去 掉!
简化的混合π模型
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3. 混合π参数gm 的估算
低频时, 混合π模型与H参数模型等效
第5章 放大电路的频率响应
r r r be b b b e
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5.2 三极管的高频等效模型
5.2.1 三极管的混合π型模型 1.物理模型(完整模型)
rbb' ---基区的体电阻,b'是假想的 基区内的一个点。 re --- 发射结电阻
模拟电子技术第5章放大电路的频率响应
(式中f 的单位为Hz )放大电路的频率响应一、选择题(6小题,共12.0分)(02分)1.从括号中选择正确答案,用 A 、B 、C 填空。
在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是 ___________,最差的是A •共射接法,B •共集接法,C •共基接法 (02分)2.已知图(a )所示电路的幅频响应特性如图( b )所示。
从括号中选择正确答案,用A 、B 、C 填空。
影响f L 大小的因素是 _____ ,影响f H 大小的因素是 _____ 。
(02分)3•选择正确答案,用 A 、B 、C 填空。
由两个频率特性相同的单级阻容耦合放大电路组成的两级放大电路的上限截止 频率 ,下限截止频率 __________________ 。
A .变高,B .变低,C .基本不变(02分)4•选择正确答案,用 A 、B 、C 填空。
由两个频率特性相同的单级直接耦合放大电路组成的两级放大电路的上限截止频率 ____ ,下限截止频率 ____ 。
(A .变高, B .变低, C .不变)(02分)5•从括号中选择正确答案,用 A 、B 、C 填空。
上限截止频率为1.5MHz ,下限截止频率为100Hz ,的两个相同的单级放大电路组成-个两级放大电路,这个两级放大电路的上限截止频率约为 ________________________________ 。
(A . 1MHz , B . 1.5MHz , C . 2MHz ), 下限截止频率约为 ___________________________(A . 70Hz , B . 100Hz , C . 150Hz )。
(02分)6.从括号中选择正确答案,用 A 、B 、C 填空。
上限截止频率为15kHz ,下限截止频率为20Hz ,的两个相同的单级放大电路组成一个两级放大电路,这个两级放大电路的上限截止频率约为 ____________________________________ 。
(完整版)模拟电子技术5章习题答案.docx
5 放大电路的频率响应自我检测题一.选择和填空1. 放大电路对高频信号的放大倍数下降,主要是因为C 的影响;低频时放大倍数下降, 主要是因为A的影响。
(A. 耦合电容和旁路电容; B. 晶体管的非线性;C. 晶体管的极间电容和分布电容 )2.共射放大电路中当输入信号频率为f L 、f H 时,电路放大倍数的幅值约下降为中频时的A;或者说是下降了DdB ;此时与中频相比, 放大倍数的附加相移约为 G度。
(A. 0.7 ,B. 0.5 ,C. 0.9) ; (D. 3dB ,E. 5dB ,F. 7dB); (G. -45°, H. -90 °, I. -180 ° )3. 某放大电路 &3 所示。
由图可见,该电路的中频电 | A v |的对数幅频响应如图选择题& ; 上限频率 f H = 10 8 Hz ; 下限频率 f L = 102Hz ; 压增益 | A vM | =1000当 ff H 时电路的实际增益 =57dB ;当 ff L 时电路的实际增益 =57dB 。
20lg A v / dB80 +20dB/ 十倍频程-20dB/ 十倍频程60 40 2011021041061081010 f / Hz图选择题 34. 若放大电路存在频率失真,则当v i 为正弦波时, v o D。
( A. 会产生线性失真B. 为非正弦波C.会产生非线性失真D. 为正弦波)D。
( A. 输5. 放大电路如图选择题 5 所示,其中电容C1增大,则导致入电阻增大B. 输出电阻增大C.工作点升高D.下限频率降低)?+V CCR 1R 2C 1???RLv s _R 3v o? _?图选择题 5二.判断题(正确的在括号内画√,错误的画×)1.改用特征频率 f T 高的晶体管, 可以改善阻容耦合放大电路的高频响应特性。
( √ )2.增大分布电容的容量,可以改善阻容耦合放大电路的低频响应特性。
《模拟电子技术》课件第5章放大电路的频率响应
中频增益或通 带源电压增益
f
H
1 2πRC
上限频率
②高频响应和上限频率
共射放大电路
A VSH A VSM 1
1 j( f
/
fH )
RC低通电路
A VH
1
1 j( f
/
fH )
频率响应曲线变化趋势相同
幅频响应
20l g|A VSH | 20l g|A VSM |
20lg
1
1 ( f / fH )2
最大误差 -3dB
1 fH 2 πRC
fH称转折频率,上限截止 频率(上限频率),AVH(s) 的极点频率。
10
2. 低频特性
---- RC高通电路
RC高通电路
RC电路的电压增益:
AVH
Vo Vi
R
R
1
j ωC
1
1 1
j 2 πfR C
令
fL
1 2 πR
C
AVH
Vo Vi
1
1 j(fL /
f)
gmV b'e rce—c-e间的动态电阻(约100kΩ)
Cbe --发射结电容
互导
gm
iC vBE
VCE
iC vBE
VCE
2.混合等效电路中各元件的讨论: 简化模型 rce RL 略去rce
rbc
1 jω Cbc
略 去rbc
混合型高频小信号模型
晶体管的混合Π型等效电路
3.混合型等效电路的获得 低频时,混合模型与H参数模型等价
β0
1 ( f / fβ )2
的相频响应 arctg f
fβ fβ ——共发射极截止频率
模电第5章放大电路的频率响应
《模拟电子技术基础》
5.2 晶体管的高频等效模型
5.2.1 晶体管的混合 模 型
一、完整的混合模型
U be
(a)晶体管的结构示意图
(b)混合模型
图 5.2.1晶体管结构示意图及混合 模型
《模拟电子技术基础》
二、简化的混合模型 通常情况下,rce远大于c--e间所接的负载 电阻,而rb/c也远大于Cμ 的容抗,因而可 认为rce和rb/c开路。
相角 : 90arct(af n)
f L
误差
90º
5.71º
f fL 时, 0; f fL 时, 90; f fL 时, 45
45º/十倍频 45º
5.71º
0 0.1 fL fL 10 fL
f
图 5.1.3(a) 相频特性
在低频段,高通电路产生 0 ~ 90° 的超前相移。
而且,构成 RC 低通电路。
《模拟电子技术基础》
一、中频电压放大倍数
耦合电容 可认为交流短路;极间电容可视为交流断路。
1. 中频段等效电路
b rb b b
c
+
+
+
Rs
U
+ s~
U
i
Rb U be rb e
Rc
gmU be
U o
e
由图可得
Ube
Ri Rs Ri
rrbbeeUs
《模拟电子技术基础》
二、 RC 低通电路的波特图
R
1
+
+
Au
jC
R 1
1
1 jRC
jC
令 : fH21H21RC
5章 模电习题解 放大电路的频率响应题解
第五章 放大电路的频率响应自 测 题☆一、(四版一)选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。
A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 。
A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是 。
A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C★二、(四版二)电路如图T5.2所示。
已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,'bb r =100Ω, β0=80。
试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'πC ; (3)f H 和f L ;(4)画出波特图。
图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ(2)估算'πC :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子技术第五章 放大电路的频率特性练习题及解答
第五章 放大电路的频率特性练习题及解答5.1 已知某级联放大电路的电压增益函数为:)10)(10(10100)(6713++⨯-=s s s A u试画出它的幅频波特图和相频波特图;?))(0(=dB A u解:由题可知 0)(lim =∞→s A u s (即m n >,极点数目大于零点数目),且极点数值较大。
该增益函数为高频增益函数。
故中频增益为100)(lim )0(0-===→s A A A u s u o即 dB dB A u 40100lg 20))(0(=-= 中频段相移 o o 180-=ϕ由频率响应函数)101)(101(100)10)(10(10100)(767613ωωωωωjjj j j A u ++-=++⨯-=可得幅频特性 2726)10(1lg 20)10(1lg 20100lg 20))((ωωω+-+--=dB A u 2726)10(1lg 20)10(1lg 2040ωω+-+-=dB 相频特性 761010180)(ωωωϕarctgarctgo---=画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.1解图(a)和(b)所示。
4020题5.1解图 (b)-180o - -270o -360o5.3某放大器增益函数为:)10)(10()10(10)(322+++-=s s s s s A u ,试画出它的幅频波特图和相频波特图。
解:由题可知该放大器增益函数存在两个一阶极点:101=p ,3210=p ;两个一阶零点:01=z ,2210=z 。
根据一阶零、极点波特图的特点,画出其幅频波特图和相频波特图分别如题5.3解图(a)和(b)所示。
5.6单级共射放大电路如题5.6图所示。
已知Ω=K R c 2,Ω===K R R R L e s 1,Ω=K R R b b 10//21,F C μ51=,F C μ102=,F C e μ100=,BJT 参数44=β,Ω=K r be 4.1,试估算出该放大器源电压增益的低频截止频率L f 。
模电(第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电路5.习题解答
A u
第五章 放大电路的频率响应
5.4
已知某放大电路的幅频特性如图P5.4所示。试问:
(1)该电路的耦合方式;
(2)该电路由几级放大电路组成; (3)当f=104Hz时,附加相移为多少? 当f=105Hz时,附加相移以约为多少?
解: (1)直接耦合; (2)三级; (3)当f=104Hz时, φ’=-135o; 当f=105Hz时, φ ’=-270o 。
第五章 放大电路的频率响应
第五章 放大电路的频率响应
习题解答
第五章 放大电路的频率响应
5.2已知某放大电路的波特图如图P5.2所示,试写出AU的表达式。 解:设电路为基本共射放大电路, 其频率特性表达式如下:
32 (1
10 f )(1 j 5 ) jf 10 3.2j f 或Au f f (1 j )(1 j 5 ) 10 10
1 16 Hz 2 π Rs C s 1 1 1.1MHz ' ' 2 π(Rs ∥ RG )C GS 2 πRs C GS 12 .4 ( j
' ' C GS C GS (1 g m RL )C GD 72 pF
fH
f ) 16 A us f f (1 j )(1 j ) 6 16 1.1 10
(2)波特图如右图
第五章 放大电路的频率响应
5.14 电路如图P5.14所示,已知Cgs=Cgd=5pF, C1=C2=Cs=10μ F, gm=5mS,试求fH、、fL各约为多少,并写出Aus Ri ' ' ( g m RL ) g m RL 12 .4 Rs Ri
第五章 放大电路的频率响应
第5章 放大电路的频率响应
由微变等效分析可知:
根据式(5.2.4), 将混合 П 型等效电路中c、e输出端短路, 则得图5.2.4。
第5章 放大电路的频率响应 图5.2.4 计算̇β=̇Ic/̇Ib 的等效电路
第5章 放大电路的频率响应
其幅频特性和相频特性的表达式为
式中 可见β为具有一个转折频率fβ的频率特性曲线, 如图5.2.5所示。fβ称为共射极 截止频率, 其值主要决定于管子的结构。
式中,ω 为输入信号的角频率, R1C1为回路的时间常数τ,
第5章 放大电路的频率响应 图5.1.2 用来模拟放大电路高频 特性的RC低通电路
第5章 放大电路的频率响应
令 则式(5.1.2)变为
AuH为高频电压增益, 其幅值|̇AuH|和相角φH分别为
第5章 放大电路的频率响应
1) 幅频特性 幅频响应波特图可按式(5.1.5)由下列步骤画出: 当f≪fH时,
第5章 放大电路的频率响应 图5.2.3 低频等效电路
第5章 放大电路的频率响应
晶体管放大电路的高频特性决定于混合 Π 型等效电路的参数gm、rbb'、 rb'e、 Cb'e及Cb'c。这些参数可用β、rbe、fT及Cob来表示。因此, 可用β、rbe、fT 及Cob来衡量晶体管的高频性能。
第5章 放大电路的频率响应
可求得̇A'u的表达式如下:
第5章 放大电路的频率响应
因为Cb‘c很小,β)re=(1+β)UT/IE。Cb'e为发射结电容。
3) 集电结参数rb'c和Cb'c
rb'c表示集电结的结电阻, 由于集电结工作时处于反向偏置。Cb'c为集电结电
模拟电子技术课程习题-第五章--放大电路的频率响应
模拟电⼦技术课程习题-第五章--放⼤电路的频率响应第五章放⼤电路的频率响应5.1具有相同参数的两级放⼤电路在组成它的各个单管的截⽌频率处,幅值下降[ ]A. 3dBB. 6dBC. 10dBD. 20dB5.2在出现频率失真时,若u i 为正弦波,则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三⾓波 C. 矩形波 D. ⽅波5.3 多级放⼤电路放⼤倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积C. 各级波特图中通频带最窄者D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输⼊信号频率为f L 或f H 时,放⼤倍数的幅值约为中频时的 [ ]倍。
A.0.7 B.0.5 C.0.9D.0.15.5 在阻容耦合放⼤器中,下列哪种⽅法能够降低放⼤器的下限频率?[ ]A .增⼤耦合电容B .减⼩耦合电容C .选⽤极间电容⼩的晶体管D .选⽤极间电容⼤的晶体管 5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放⼤器级联后,级联放⼤器的带宽 [ ] A ⼩于BW B 等于BW C ⼤于BW D 不能确定 5.7 填空:已知某放⼤电路电压放⼤倍数的频率特性为6100010(1)(1)1010u fjA f f j j =++ (式中f 单位:Hz )表明其下限频率为,上限频率为,中频电压增益为 dB ,输出电压与输⼊电压在中频段的相位差为。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率),它属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),若u i为⾮正弦波,则u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
饱和失真、截⽌失真、交越失真都属于失真(a.线性b.⾮线性),在出现这类失真时,若u i为⾮正弦波,则u o为波(a.正弦b.⾮正弦),u o与u i的频率成分(a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
模拟电子技术 第五章 频率响应.
高频
很大
很小
二. 低频等效电路波特图
T ( j) Uo
Ui
RP
RP
RS
1
jCS
jCS RP
jCS RP RS 1
设: S CS RP RS
RP RP RS
jCS
1+jCS
RP RS RP RS
RP RP RS
fH
1
2 P
58.3MHz
fBW 58.3MHz 14.5Hz 58.3MHz
仿真结果
5.2 带有电容的晶体管放大 电路的频率响应
一. 输入耦合电容的作用 二. 输出耦合电容的作用 三. 耦合/负载电容合成作用 四. 旁路电容的作用 五. 耦合/旁路电容合成作用
一. 输入耦合电容的作用
RC
RS rbe 1 RE 1
1 jRECE
jRE RS rbe CE
RS rbe 1 RE
Au
0
RS
RC
rbe 1
REΒιβλιοθήκη Au RC
RS rbe
A RECE
B
14题仿真结果
f
S
20 lg
1+ 2 f S 2
三. 低频等效电路波特图 90 tan1 2 f S
三. 高频等效电路波特图
T ( j) Uo
Ui
RP
//
1
jCP
RS
RP
第5章放大电路的频率响应
-
-
(b) 高频段极间电容的影响
结束
第 5章
放大电路的频率响应
一、高通电路
图5.1.1 高通电路及频率响应
结束
第 5章
放大电路的频率响应
RC高通电路的电压增益: ( s) U R 1 o Au ( s ) 1 1 U i ( s) R 1 j C jRC 1 1 1 fL L 令 2RC RC
A ush
R rbe //(rbb Rs // Rb ) U U U U 0 s be 0 U U U U
s s s be
1 Ri rbe jRC ( g m R L) 1 Rs Ri rbe 1 jRC
f fL f 2 1 ( ) fL
f 180 (90 arctg ) fL f 90 arctg fL
结束
第 5章
放大电路的频率响应
三、高频电压放大倍数
图5.4.4 单管共射放大电路的高频等效电路
结束
第 5章
放大电路的频率响应
rbe rbe Ri Us Ui U s rbe rbe Rs Ri
'
U b'e (1
U ce U b 'e
(c)
)
1 j C m
令
U ce U b'e
K ,则
U b'e (1 K ) U b 'e I 1 1 j C m j (1 K )C m
'
结束
第 5章
放大电路的频率响应
模拟电子技术基础-作业答案
模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。
(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。
(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。
(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O 的波形。
20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O 的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。
u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通,D 2截止t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。
++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路,已知晶体管β=60,U BE .V =07,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B 应取( a )。
(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。
第5章放大电路的频率响应
f L(H)
1 = 2 πτ
4、频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。 、频率响应有幅频特性和相频特性两条曲线。
5.2、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ大电路的频率参数 5.2、放大电路的频率参数
高通 电路 低通 电路 下限频率
f bw = f H f L
上限频率
在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、 在低频段,随着信号频率逐渐降低,耦合电容、旁路电 容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 容等的容抗增大,使动态信号损失,放大能力下降。 在高频段,随着信号频率逐渐升高, 在高频段,随着信号频率逐渐升高,晶体管极间电容和 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小, 分布电容、寄生电容等杂散电容的容抗减小,使动态信号 损失,放大能力下降。 损失,放大能力下降。
f << fβ 时,& ≈ β0; β
& β βo
β f = fβ 时 β = 0 ≈ 0.707β0 , = -45°; ,& 2 & ≈ fβ β ;f →∞时 β →0, →-90° f >> fβ 时 β , ,& 0 f
电流放大倍数的波特图: 电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系
折线化近似画法
晶体管的高频等效电路
1、混合π模型:形状像Π,参数量纲各不相同 混合π模型:形状像Π
结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。 结构:由体电阻、结电阻、结电容组成。 因面积大而 阻值小
因多子浓度 高而阻值小
rbb’:基区体电阻 rb’e’:发射结电阻 Cπ:发射结电容 re:发射区体电阻 rb’c’:集电结电阻 C:集电结电容 rc:集电区体电阻
C连接了输入回路 和输出回路, 和输出回路,引入 了反馈, 了反馈,信号传递 有两个方向, 有两个方向,使电 路的分析复杂化。 路的分析复杂化。
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模拟电子技术课程习题第五章放大电路的频率响应
-标准化文件发布号:(9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII
第五章 放大电路的频率响应
5.1具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截止频率处,幅值下降
[ ]
A. 3dB
B. 6dB
C. 10dB
D. 20dB
5.2在出现频率失真时,若u i 为正弦波,则u o 为 [ ] A. 正弦波 B. 三角波 C. 矩形波 D. 方波 5.3 多级放大电路放大倍数的波特图是 [ ] A. 各级波特图的叠加 B. 各级波特图的乘积
C. 各级波特图中通频带最窄者
D. 各级波特图中通频带最宽者 5.4 当输入信号频率为f L 或f H 时,放大倍数的幅值约为中频时的 [ ]
倍。
A.0.7
B.0.5
C.0.9
D.0.1
5.5 在阻容耦合放大器中,下列哪种方法能够降低放大器的下限频率?[ ]
A .增大耦合电容
B .减小耦合电容
C .选用极间电容小的晶体管
D .选用极间电容大的晶体管
5.6 当我们将两个带宽均为BW 的放大器级联后,级联放大器的带宽 [ ] A 小于BW B 等于BW C 大于BW D 不能确定 5.7 填空:
已知某放大电路电压放大倍数的频率特性为
6100010
(1)(1)
1010
u f
j
A f f j j =
++ (式中f 单位:Hz )
表明其下限频率为 ,上限频率为 ,中频电压增益为 dB ,输出电压与输入电压在中频段的相位差为 。
5.8 选择正确的答案填空。
幅度失真和相位失真统称为失真(a.交越b.频率),它属于失真(a.线性b.非线性),在出现这类失真时,若u i为正弦波,则u o为波(a.正弦b.非正弦),若u i为非正弦波,则u o与u i的频率成分 (a.相同b.不同)。
饱和失真、截止失真、交越失真都属于失真(a.线性b.非线性),在出现这类失真时,若u i为非正弦波,则u o为波(a.正弦b.非正弦),u o与u i的频率成分 (a.相同b.不同)。
5.9 选择正确的答案填空。
晶体管主要频率参数之间的关系是。
a.f a<f
f T b.f T<fβ<f a c.f a<f T <fβ
β<
d.f
f T <f a e.fβ<f a <f T
β<
5.10 选择正确的答案填空。
1、多级放大电路放大倍数的波特图是。
a.各级波特图的叠加
b.各级波特图的乘积
c.各级波特图中通频带最窄者
2、具有相同参数的两级放大电路在组成它的各个单管的截止频率处,幅值下降。
a.3dB,
b.6dB,
c.20dB,
3、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应。
a.差,
b.好,
c.差不多,
5.11 填空。
1、已知某晶体管的f
在2MHz左右,出厂时在f=15MHz条件下测得|β
|=10,则可知f T值为,低频β值估计为左右。
2、已知某晶体管的f T=200MHz,在I c=2mA、U CE=3V,f=1kHz时测得β值为
80,则可知f
β= 。
5.12 有一块阻容耦合放大电路的实验电路板,需要测出频率特性。
1、若实测结果如表5.12所示,试正确画出电路的幅频特性曲线。
表5.12
2、指出该电路的上限频率f H和下限频率f L各为多少。
5.13 判别下列说法是否正确(在括号内画√或×):
1、多级放大电路的通频带比组成它的各个单管放大电路的通频带宽。
()
2、多级放大电路在高频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移大。
()
3、阻容耦合的多数放大电路在低频时产生的附加相移比组成它的各个单管放大电路在相同频率下产生的附加相移小。
()
5.14 有人测试一个单管放大电路的频率特性,当f =5、10、20、30、40kHz
时,电压放大倍数均为100,而当f =500kHz 时,电压放大倍数降为10。
试问上限频率f H 为多大?
5.15 某放大电路的对数幅频特性如图5.15所示,求中频放大倍数|A um |,并求
下限截止频率f L 和上限截止频率f H 的近似值。
5.16 已知一放大电路的对数幅频特性如图5.16所示。
试回答:
1、该电路由几级阻容耦合电路组成?
2、每级的下限和上限截止频率各是多少?
3、总的电压放大倍数|A um |、下限和上限截止频率f L 与f H 有多大?
5.17 某三级放大电路的各级低频增益表达式为
图5.15
图
5.16
12330205
,,;510500111uL uL uL A A A j
j j
f
f f
=
=
=--- 各级高频增益表达式为123
6
3020,,1110010210uH uH A A f
f
j
j
=
=
++⨯⨯
37
51610uH A f
j
=
+⨯。
求总中频电压增益|A um |,并估计频带宽f bw 的大致数
值。
5.18 一个单级阻容耦合共射放大电路的中频电压增益为40dB ,通频带是
20Hz~20kHz ,最大不失真输出电压(交流)的范围为-3~+3V 。
1、画出电路的对数幅频特性(假设只有两个转折频率);
2、若输入电压信号为ui=20sin(2π×103t ),输出电压的峰值是多少输出波形是否会失真如不失真,它与输入电压有何种相位关系(如是特殊角度要指导出具体数值)
3、若ui=50sin(2π×20t )mV ,重复题2的问题;
4、若ui=sin(2π×400×103t )mV ,重复题2的问题。
5.19 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为
322510()
10(1)(1)
1010
u f A f f j j =-
++,f 的单位为Hz 。
1、求中频电压放大倍数A um ;
2、求下限截止频率f L 和上限截止频率f H ;
3、画出A u 的波特图。
5.20 某放大电路的电压放大倍数复数表达式为
2
50.5(1)(1)(1)
210010
u f A f f f j j j =+++,f 的单位为Hz 。
1、求中频电压放大倍数A um ;
2、画出A u 幅频特性波特图;
3、求下限截止频率f L 和上限截止频率f H 。
5.21 已知某放大电路的2
267
(1)(1)(1)210210
u f A f f f j j j =+++⨯,f 的单位为Hz 。
试画出其波特图。
5.22 某放大电路的频率特性表示式如下:
3
2310(1)(1)
1010
u A f f j j -=++ (f 的单位为Hz )
试用波特图画出其幅频特性。
5.23 设放大电路的频率特性表示式为1
2
11j
A j
ω
ωωω+=+,且ω2=10ω1。
试用波特图画
出其幅频特性。
5.24 已知放大电路的频率响应为
4
123
(1)(1)(1)(1)
um f A j
f A f f f j j j f f f +=
+++
试画出以下几种情况下的数幅频特性示意图: 1.f 1<f 2<f 3,f 4→∞ 2. f 1<f 4<f 2<f 3
3. f 1<f 2<f 4<f 3
4. f 1<f 2<f 3,f 2=f 4
设各转折频率相隔均五培以上。
5.25 已知某放大电路的增益函数为
99237810(10)(10)
()(10)(10)(10)(10)
s s s A s s s s s ++=++++
1、分别写出低频段和高频段的增益数式,并求出中频增益;
2、画出对数幅频特性(波特图);
3、估算下限和上限截止频率。