四输出与非门版图
74系列芯片引脚图
74系列芯片引脚图、功能、名称、资料大全（含74LS、74HC等），特别推荐为了方便大家，我收集了下列74系列芯片的引脚图资料。
说明：本资料分3部分：（一）、TXT文档，（二）、图片，（三）、功能、名称、资料。
（一）、TXT文档反相器驱动器LS04 LS05 LS06 LS07 LS125 LS240 LS244 LS245与门与非门LS00 LS08 LS10 LS11 LS20 LS21 LS27 LS30 LS38或门或非门与或非门 LS02 LS32 LS51 LS64 LS65异或门比较器LS86译码器LS138 LS139寄存器LS74 LS175 LS373反相器:Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y 六非门 74LS04┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐六非门(OC门) 74LS05_ │14 13 12 11 10 9 8│六非门(OC高压输出) 74LS06Y = A ）││ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND驱动器:Vcc 6A 6Y 5A 5Y 4A 4Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐│14 13 12 11 10 9 8│Y = A ）│六驱动器(OC高压输出) 74LS07│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GNDVcc -4C 4A 4Y -3C 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐_ │14 13 12 11 10 9 8│Y =A+C ）│四总线三态门 74LS125│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘-1C 1A 1Y -2C 2A 2Y GNDVcc -G B1 B2 B3 B4 B8 B6 B7 B8┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 8位总线驱动器 74LS245 │20 19 18 17 16 15 14 13 12 11│）│ DIR=1 A=>B│ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10│ DIR=0 B=>A└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘DIR A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 GND页首非门,驱动器与门,与非门或门,或非门异或门,比较器译码器寄存器正逻辑与门,与非门:Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐│14 13 12 11 10 9 8│Y = AB ）│ 2输入四正与门 74LS08│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GNDVcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐__ │14 13 12 11 10 9 8│Y = AB ）│ 2输入四正与非门 74LS00│ 1 2 3 4 5 6 7│1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GNDVcc 1C 1Y 3C 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐___ │14 13 12 11 10 9 8│Y = ABC ）│ 3输入三正与非门 74LS10│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 2A 2B 2C 2Y GNDVcc H G Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐│14 13 12 11 10 9 8│）│ 8输入与非门 74LS30│ 1 2 3 4 5 6 7│ ________└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ Y = ABCDEFGHA B C D E F GND页首非门,驱动器与门,与非门或门,或非门异或门,比较器译码器寄存器正逻辑或门,或非门:Vcc 4B 4A 4Y 3B 3A 3Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 2输入四或门 74LS32│14 13 12 11 10 9 8│）│ Y = A+B│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GNDVcc 4Y 4B 4A 3Y 3B 3A┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 2输入四或非门 74LS02│14 13 12 11 10 9 8│ ___）│ Y = A+B│ 1 2 3 4 5 6 7│1Y1A 1B 2Y 2A 2B GNDVcc 2Y 2B 2A 2D 2E 1F┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐双与或非门 74S51│14 13 12 11 10 9 8│ _____）│ 2Y = AB+DE│ 1 2 3 4 5 6 7│ _______└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘ 1Y = ABC+DEF1Y 1A 1B 1C 1D 1E GNDVcc D C B K J Y┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 4-2-3-2与或非门 74S64 74S65(OC门) │14 13 12 11 10 9 8│ ______________）│ Y = ABCD+EF+GHI+JK│ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘A E F G H I GND页首非门,驱动器与门,与非门或门,或非门异或门,比较器译码器寄存器2输入四异或门 74LS86Vcc 4B 4A 4Y 3Y 3B 3A┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐│14 13 12 11 10 9 8│）│ _ _│ 1 2 3 4 5 6 7│ Y=AB+AB└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1A 1B 1Y 2Y 2A 2B GND8*2输入比较器 74LS688_Vcc Y B8 A8 B7 A7 B6 A6 B5 A5┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 8*2输入比较器 74LS688 │20 19 18 17 16 15 14 13 12 11│）││ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘CE A1 B1 A2 B2 A3 B3 A4 B4 GND_Y=A1⊙B1+A2⊙B2+A3⊙B3+A4⊙B4+A5⊙B5+A6⊙B6+A7⊙B7+A8⊙B8页首非门,驱动器与门,与非门或门,或非门异或门,比较器译码器寄存器3-8译码器 74LS138Vcc -Y0 -Y1 -Y2 -Y3 -Y4 -Y5 -Y6 __ _ _ _ __ _ _ __ _ _ __ _┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ Y0=A B C Y1=A B B Y2=A B C Y3=A B C │16 15 14 13 12 11 10 9 │）│ __ _ _ __ _ __ _ __│ 1 2 3 4 5 6 7 8│ Y4=A B C Y5=A B C Y6=A B C Y7=A B C└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘A B C -CS0 -CS1 CS2 -Y7 GND双2-4译码器 74LS139Vcc -2G 2A 2B -Y0 -Y1 -Y2 -Y3 __ __ __ __ __ __ __ __┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ Y0=2A 2B Y1=2A 2B Y2=2A 2B Y3=2A 2B │16 15 14 13 12 11 10 9 │）│ __ __ __ __ __ __ __ __│ 1 2 3 4 5 6 7 8│ Y0=1A 1B Y1=1A 1B Y2=1A 1B Y3=1A 1B└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘-1G 1A 1B -Y0 -Y1 -Y2 -Y3 GND8*2输入比较器 74LS688_Vcc Y B8 A8 B7 A7 B6 A6 B5 A5┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 8*2输入比较器 74LS688│20 19 18 17 16 15 14 13 12 11│）││ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘CE A1 B1 A2 B2 A3 B3 A4 B4 GND_Y=A1⊙B1+A2⊙B2+A3⊙B3+A4⊙B4+A5⊙B5+A6⊙B6+A7⊙B7+A8⊙B8寄存器:Vcc 2CR 2D 2Ck 2St 2Q -2Q┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐双D触发器74LS74│14 13 12 11 10 9 8 │）││ 1 2 3 4 5 6 7│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘1Cr 1D 1Ck 1St 1Q -1Q GNDVcc 8Q 8D 7D 7Q 6Q 6D 5D 5Q ALE┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐ 8位锁存器 74LS373 │20 19 18 17 16 15 14 13 12 11│）││ 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10│└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘-OE 1Q 1D 2D 2Q 3Q 3D 4D 4Q GND等.（二）、图片（可点击放大，或下载后放大）（三）、功能、名称、资料74ls00 2输入四与非门74ls01 2输入四与非门 (oc)74ls02 2输入四或非门74ls03 2输入四与非门 (oc)74ls04 六倒相器74ls05 六倒相器(oc)74ls06 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,30v) 74ls07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v)74ls08 2输入四与门74ls09 2输入四与门(oc)74ls10 3输入三与非门74ls11 3输入三与门74ls12 3输入三与非门 (oc)74ls13 4输入双与非门 (斯密特触发)74ls14 六倒相器(斯密特触发)74ls15 3输入三与门 (oc)74ls16 六高压输出反相缓冲器/驱动器(oc,15v) 74ls17 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,15v)74ls18 4输入双与非门 (斯密特触发)74ls19 六倒相器(斯密特触发)74ls20 4输入双与非门74ls21 4输入双与门74ls22 4输入双与非门(oc)74ls23 双可扩展的输入或非门74ls24 2输入四与非门(斯密特触发)74ls25 4输入双或非门(有选通)74ls26 2输入四高电平接口与非缓冲器(oc,15v) 74ls27 3输入三或非门74ls28 2输入四或非缓冲器74ls30 8输入与非门74ls31 延迟电路74ls32 2输入四或门74ls33 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出) 74ls34 六缓冲器74ls35 六缓冲器(oc)74ls36 2输入四或非门(有选通)74ls37 2输入四与非缓冲器74ls38 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出)74ls39 2输入四或非缓冲器(集电极开路输出)74ls40 4输入双与非缓冲器74ls41 bcd-十进制计数器74ls42 4线-10线译码器(bcd输入)74ls43 4线-10线译码器(余3码输入)74ls44 4线-10线译码器(余3葛莱码输入)74ls45 bcd-十进制译码器/驱动器74ls46 bcd-七段译码器/驱动器74ls47 bcd-七段译码器/驱动器74ls48 bcd-七段译码器/驱动器74ls49 bcd-七段译码器/驱动器(oc)74ls50 双二路2-2输入与或非门(一门可扩展)74ls51 双二路2-2输入与或非门74ls51 二路3-3输入,二路2-2输入与或非门74ls52 四路2-3-2-2输入与或门(可扩展)74ls53 四路2-2-2-2输入与或非门(可扩展)74ls53 四路2-2-3-2输入与或非门(可扩展)74ls54 四路2-2-2-2输入与或非门74ls54 四路2-3-3-2输入与或非门74ls54 四路2-2-3-2输入与或非门74ls55 二路4-4输入与或非门(可扩展)74ls60 双四输入与扩展74ls61 三3输入与扩展74ls62 四路2-3-3-2输入与或扩展器74ls63 六电流读出接口门74ls64 四路4-2-3-2输入与或非门74ls65 四路4-2-3-2输入与或非门(oc)74ls70 与门输入上升沿jk触发器74ls71 与输入r-s主从触发器74ls72 与门输入主从jk触发器74ls73 双j-k触发器(带清除端)74ls74 正沿触发双d型触发器(带预置端和清除端)74ls75 4位双稳锁存器74ls76 双j-k触发器(带预置端和清除端)74ls77 4位双稳态锁存器74ls78 双j-k触发器(带预置端,公共清除端和公共时钟端) 74ls80 门控全加器74ls81 16位随机存取存储器74ls82 2位二进制全加器(快速进位)74ls83 4位二进制全加器(快速进位)74ls84 16位随机存取存储器74ls85 4位数字比较器74ls86 2输入四异或门74ls87 四位二进制原码/反码/oi单元74ls89 64位读/写存储器74ls90 十进制计数器74ls91 八位移位寄存器74ls92 12分频计数器(2分频和6分频)74ls93 4位二进制计数器74ls94 4位移位寄存器(异步)74ls95 4位移位寄存器(并行io)74ls96 5位移位寄存器74ls97 六位同步二进制比率乘法器74ls100 八位双稳锁存器74ls103 负沿触发双j-k主从触发器(带清除端)74ls106 负沿触发双j-k主从触发器(带预置,清除,时钟) 74ls107 双j-k主从触发器(带清除端)74ls108 双j-k主从触发器(带预置,清除,时钟)74ls109 双j-k触发器(带置位,清除,正触发)74ls110 与门输入j-k主从触发器(带锁定)74ls111 双j-k主从触发器(带数据锁定)74ls112 负沿触发双j-k触发器(带预置端和清除端)74ls113 负沿触发双j-k触发器(带预置端)74ls114 双j-k触发器(带预置端,共清除端和时钟端)74ls116 双四位锁存器74ls120 双脉冲同步器/驱动器74ls121 单稳态触发器(施密特触发)74ls122 可再触发单稳态多谐振荡器(带清除端)74ls123 可再触发双单稳多谐振荡器74ls125 四总线缓冲门(三态输出)74ls126 四总线缓冲门(三态输出)74ls128 2输入四或非线驱动器74ls131 3-8译码器74ls132 2输入四与非门(斯密特触发)74ls133 13输入端与非门74ls134 12输入端与门(三态输出)74ls135 四异或/异或非门74ls136 2输入四异或门(oc)74ls137 八选1锁存译码器/多路转换器74ls138 3-8线译码器/多路转换器74ls139 双2-4线译码器/多路转换器74ls140 双4输入与非线驱动器74ls141 bcd-十进制译码器/驱动器74ls142 计数器/锁存器/译码器/驱动器74ls145 4-10译码器/驱动器74ls147 10线-4线优先编码器74ls148 8线-3线八进制优先编码器74ls150 16选1数据选择器(反补输出)74ls151 8选1数据选择器(互补输出)74ls152 8选1数据选择器多路开关74ls153 双4选1数据选择器/多路选择器74ls154 4线-16线译码器74ls155 双2-4译码器/分配器(图腾柱输出)74ls156 双2-4译码器/分配器(集电极开路输出) 74ls157 四2选1数据选择器/多路选择器74ls158 四2选1数据选择器(反相输出)74ls160 可预置bcd计数器(异步清除)74ls161 可预置四位二进制计数器(并清除异步) 74ls162 可预置bcd计数器(异步清除)74ls163 可预置四位二进制计数器(并清除异步) 74ls164 8位并行输出串行移位寄存器74ls165 并行输入8位移位寄存器(补码输出)74ls166 8位移位寄存器74ls167 同步十进制比率乘法器74ls168 4位加/减同步计数器(十进制)74ls169 同步二进制可逆计数器74ls170 4*4寄存器堆74ls171 四d触发器(带清除端)74ls172 16位寄存器堆74ls173 4位d型寄存器(带清除端)74ls174 六d触发器74ls175 四d触发器74ls176 十进制可预置计数器74ls177 2-8-16进制可预置计数器74ls178 四位通用移位寄存器74ls179 四位通用移位寄存器74ls180 九位奇偶产生/校验器74ls181 算术逻辑单元/功能发生器74ls182 先行进位发生器74ls183 双保留进位全加器74ls184 bcd-二进制转换器74ls185 二进制-bcd转换器74ls190 同步可逆计数器(bcd,二进制)74ls191 同步可逆计数器(bcd,二进制)74ls192 同步可逆计数器(bcd,二进制)74ls193 同步可逆计数器(bcd,二进制)74ls194 四位双向通用移位寄存器74ls195 四位通用移位寄存器74ls196 可预置计数器/锁存器74ls197 可预置计数器/锁存器(二进制)74ls198 八位双向移位寄存器74ls199 八位移位寄存器74ls210 2-5-10进制计数器74ls213 2-n-10可变进制计数器74ls221 双单稳触发器74ls230 八3态总线驱动器74ls231 八3态总线反向驱动器74ls240 八缓冲器/线驱动器/线接收器(反码三态输出) 74ls241 八缓冲器/线驱动器/线接收器(原码三态输出) 74ls242 八缓冲器/线驱动器/线接收器74ls243 4同相三态总线收发器74ls244 八缓冲器/线驱动器/线接收器74ls245 八双向总线收发器74ls246 4线-七段译码/驱动器(30v)74ls247 4线-七段译码/驱动器(15v)74ls248 4线-七段译码/驱动器74ls249 4线-七段译码/驱动器74ls251 8选1数据选择器(三态输出)74ls253 双四选1数据选择器(三态输出)74ls256 双四位可寻址锁存器74ls257 四2选1数据选择器(三态输出)74ls258 四2选1数据选择器(反码三态输出)74ls259 8为可寻址锁存器74ls260 双5输入或非门74ls261 4*2并行二进制乘法器74ls265 四互补输出元件74ls266 2输入四异或非门(oc)74ls270 2048位rom (512位四字节,oc)74ls271 2048位rom (256位八字节,oc)74ls273 八d触发器74ls274 4*4并行二进制乘法器74ls275 七位片式华莱士树乘法器74ls276 四jk触发器74ls278 四位可级联优先寄存器74ls279 四s-r锁存器74ls280 9位奇数/偶数奇偶发生器/较验器74ls28174ls283 4位二进制全加器74ls290 十进制计数器74ls291 32位可编程模74ls293 4位二进制计数器74ls294 16位可编程模74ls295 四位双向通用移位寄存器74ls298 四-2输入多路转换器(带选通)74ls299 八位通用移位寄存器(三态输出)74ls348 8-3线优先编码器(三态输出)74ls352 双四选1数据选择器/多路转换器74ls353 双4-1线数据选择器(三态输出)74ls354 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls355 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls356 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls357 8输入端多路转换器/数据选择器/寄存器,三态补码输出74ls365 6总线驱动器74ls366 六反向三态缓冲器/线驱动器74ls367 六同向三态缓冲器/线驱动器74ls368 六反向三态缓冲器/线驱动器74ls373 八d锁存器74ls374 八d触发器(三态同相)74ls375 4位双稳态锁存器74ls377 带使能的八d触发器74ls378 六d触发器74ls379 四d触发器74ls381 算术逻辑单元/函数发生器74ls382 算术逻辑单元/函数发生器74ls384 8位*1位补码乘法器74ls385 四串行加法器/乘法器74ls386 2输入四异或门74ls390 双十进制计数器74ls391 双四位二进制计数器74ls395 4位通用移位寄存器74ls396 八位存储寄存器74ls398 四2输入端多路开关(双路输出)74ls399 四-2输入多路转换器(带选通)74ls422 单稳态触发器74ls423 双单稳态触发器74ls440 四3方向总线收发器,集电极开路74ls441 四3方向总线收发器,集电极开路74ls442 四3方向总线收发器,三态输出74ls443 四3方向总线收发器,三态输出74ls444 四3方向总线收发器,三态输出74ls445 bcd-十进制译码器/驱动器,三态输出74ls446 有方向控制的双总线收发器74ls448 四3方向总线收发器,三态输出74ls449 有方向控制的双总线收发器74ls465 八三态线缓冲器74ls466 八三态线反向缓冲器74ls467 八三态线缓冲器74ls468 八三态线反向缓冲器74ls490 双十进制计数器74ls540 八位三态总线缓冲器(反向)74ls541 八位三态总线缓冲器74ls589 有输入锁存的并入串出移位寄存器74ls590 带输出寄存器的8位二进制计数器74ls591 带输出寄存器的8位二进制计数器74ls592 带输出寄存器的8位二进制计数器74ls593 带输出寄存器的8位二进制计数器74ls594 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls595 8位输出锁存移位寄存器74ls596 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls597 8位输出锁存移位寄存器74ls598 带输入锁存的并入串出移位寄存器74ls599 带输出锁存的8位串入并出移位寄存器74ls604 双8位锁存器74ls605 双8位锁存器74ls606 双8位锁存器74ls607 双8位锁存器74ls620 8位三态总线发送接收器(反相)74ls621 8位总线收发器74ls622 8位总线收发器74ls623 8位总线收发器74ls640 反相总线收发器(三态输出)74ls641 同相8总线收发器,集电极开路74ls642 同相8总线收发器,集电极开路74ls643 8位三态总线发送接收器74ls644 真值反相8总线收发器,集电极开路74ls645 三态同相8总线收发器74ls646 八位总线收发器,寄存器74ls647 八位总线收发器,寄存器74ls648 八位总线收发器,寄存器74ls649 八位总线收发器,寄存器74ls651 三态反相8总线收发器74ls652 三态反相8总线收发器74ls653 反相8总线收发器,集电极开路74ls654 同相8总线收发器,集电极开路74ls668 4位同步加/减十进制计数器74ls669 带先行进位的4位同步二进制可逆计数器74ls670 4*4寄存器堆(三态)74ls671 带输出寄存的四位并入并出移位寄存器74ls672 带输出寄存的四位并入并出移位寄存器74ls673 16位并行输出存储器,16位串入串出移位寄存器74ls674 16位并行输入串行输出移位寄存器74ls681 4位并行二进制累加器74ls682 8位数值比较器(图腾柱输出)74ls683 8位数值比较器(集电极开路)74ls684 8位数值比较器(图腾柱输出)74ls685 8位数值比较器(集电极开路)74ls686 8位数值比较器(图腾柱输出)74ls687 8位数值比较器(集电极开路)74ls688 8位数字比较器(oc输出)74ls689 8位数字比较器74ls690 同步十进制计数器/寄存器(带数选,三态输出,直接清除)74ls691 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)74ls692 同步十进制计数器(带预置输入,同步清除)74ls693 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)74ls696 同步加/减十进制计数器/寄存器(带数选,三态输出,直接清除) 74ls697 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)74ls698 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)74ls699 计数器/寄存器(带多转换,三态输出)74ls716 可编程模n十进制计数器74ls718 可编程模n十进制计数器（注：可编辑下载，若有不当之处，请指正，谢谢!）。
10-4编码器(74HC147)的芯片设计
图4.4.1四输入与非门的原理图
建立symbol
图4.4.2四输入与非门的symbol
4.5五输入与非门
建立schematic view
图4.5.1五输入与非门的原理图
建立symbol
图4.5.2五输入与非门symbol
4.6输入反相器
建立schematic view
同理可算得NMOS管 (n)=3.24取W=3um L=1um
3.2.3与非门电路
内部逻辑门的设计采用与非门的等效反相器设计，也就是根据晶体管的串并联关系，再根据等效反相器中相应晶体管的尺寸，直接获得与非门的各晶体管的尺寸的方法。
以两输入与非门为例：
•P管的W/L的计算
将两输入与非门的两个并联P管等效为内部反相器的P管，为保证在只有一个PMOS管导通的情况下，仍能获得所需要的上升时间，要求各PMOS管的宽长比与反相器中的PMOS管相同，即Wp=6um
•N管的W/L的计算
二输入与非门 （n）=6 取W=6um L=1um
三输入与非门 （n）=9 取W=9um L=1um
四输入与非门 （n）=12 取W=12um L=1um
五输入与非门 （n）=15 取W=15um L=1um
3.2.4输入级电路
•提拉管PM1的(W/L)的计算
为了节省面积，同时又能使较快上升，取(W/L)=3，此处的L=1um，即W=3um。
数字集成电路课程设计
题目：10-4编码器（74HC147）的芯片设计
姓名：周宜斌
学号：111000843
学院：物理与信息工程学院
专业：微电子学
年级：2010级
指导教师：陈群超（签名）
2014年1月5日
74LS系列集成块管脚图大全之一
74LS42 4线-10线译码器(BCD输入)
74LS43 4线-10线译码器(余3码输入)
74LS44 4线-10线译码器(余3葛莱码输入)
74LS45/46/47 BCD-七段译码器/驱动器(共阳极)
74LS45/46/47 BCD-七段译码器/驱动器(共阳极)
74LS45/46/47 BCD-七段译码器/驱动器(共阳极)
YA
74LS04、74LS05（oc） 、74LS06（oc，30V）
74LS07 六高压输出缓冲器/驱动器(oc,30v)
74LS08 2输入四与门、74LS09（oc）
74LS10 3输入三与非门
74LS10 3输入三与非门
74LS11 四-3输入与门
74LS12 3输入三与非门 (oc)
外引脚排列图
逻辑符号图
74LS148 优先编码器
74LS148 优先编码器
74LS148 优先编码器
74LS148 的扩展
74LS85数据比较器
74LS85数据比较器
74LS85 4位幅度比较器
74LS85
8
组 成 的 位 二 进 制 数 比 较 电 路
74LS86
74LS86 四-2输入异或门
74LS86 四-2输入异或门
74LS89 64位读/写存储器
74LS90二/五分频中规模异步加法计数器
74LS91 八位移位寄存器
74LS75双上升沿D触发器4位D型锁存器
74LS76 双J－K触发器（带预置端和清除端）
GND
16 15 14 13 12 11 10 9
QQ RD K CPJ SD
QQ RD K CPJ SD
12 3 4 56 7 8
74ls02
tPLH 传输延迟 tPHL 传输延迟
A或B A或B
Y CL=15pF RL=2kΩ
Y
最小
参数值 典型 10 10
最大 15 15
单位
ns ns
天水天光半导体有限责任公司（八七一厂） 2005.1 版
电 性 能：（除特别说明外，均为全温度范围）
74Ⅱ
符号 参数名称
测试条件
参数值
最小 典型 最大
VIK 输入钳位电压
Vcc=最小 II=-18mA
VOH 输出高电平电压
Vcc=最小 VIL=最大 2.7 IOH=最大
VOL 输出低电平电压
Vcc=最小 VIH=2V IOL=最大
输入电流 II (最大输入电压时) Vcc=最大 VI=7V
工作环境温度
74Ⅱ
参数值
最小 典型 最大
4.75 5 5.25
0.8
-400
8
-40
85
54
参数值
单位
最小 典型 最大
4.5 5 5.5 V
2
V
0.7 V
-400 μA
4 mA
-55
125 ℃
天水天光半导体有限责任公司（八七一厂） 2005.1 版
54LS02/74LS02 LSTTL 型四 2 输入或非门
典型参数：
tpd=10ns Pd=2.75mW/每门 逻辑符号：
54LS02/74LS02 LSTTL 型四 2 输入或非门
线路图（1/4）
逻辑式： Y=A+B
逻辑表：
输入
输出
A
B
Y
H
H
L
L
H
L
IC课程设计 四位与非门电路设计
兰州交通大学电子与信息工程学院I C 课程设计报告课题一：四位与非门电路设计课题二：三输入加法器电路专业电子科学与技术班级电子1001学号 201010024学生姓名牛昕炜设计时间 2012—2013学年第二学期目录目录------------------------------------------------------------- 2课程一四位与非门的电路设计------------------------------------ 4一概要--------------------------------------------------- 4二设计的原理---------------------------------------------- 41 两输入与非门--------------------------------------- 42 四输入与非门符号图及原理--------------------------- 43 电路图--------------------------------------------- 6三、课程设计的过程----------------------------------------- 61 网表文件-------------------------------------------- 62 打开网表文件仿真----------------------------------- 73 延时分析：------------------------------------------ 8课程二组合逻辑加法器------------------------------------------- 8一设计目的------------------------------------------------ 8二设计原理------------------------------------------------ 81 加法器真值表：-------------------------------------- 92 逻辑图---------------------------------------------- 93 电路图--------------------------------------------- 10三课程设计的过程---------------------------------------- 101 网表文件------------------------------------------ 102 打开网表文件仿真----------------------------------- 113 仿真分析（延时分析）------------------------------- 12四课程设计总结------------------------------------------- 13课程一四位与非门的电路设计一概要随着微电子技术的快速发展，人们生活水平不断提高，使得科学技术已融入到社会生活中每一个方面。
数字集成电路课程设计74hc138
目录1．目的与任务 (1)2.教学内容基要求 (1)3.设计的方法与计算分析 (1)3.1 74H C138芯片简介 (1)3.2 电路设计 (3)3.3功耗与延时计算 (6)4.电路模拟 (14)4.1直流分析 (15)4.2 瞬态分析 (17)4.3功耗分析 (19)5.版图设计 (19)5.1 输入级的设计 (19)5.2 内部反相器的设计 (19)5.3输入和输出缓冲门的设计 (22)5.4内部逻辑门的设计 (23)5.5输出级的设计 (24)5.6连接成总电路图 (24)5.3版图检查 (24)6.总图的整理 (26)7.经验与体会 (26)8.参考文献 (26)附录 A 电路原理图总图 (28)附录B总电路版图 (29)集成1. 目的与任务本课程设计是《集成电路分析与设计基础》的实践课程，其主要目的是使学生在熟悉集成电路制造技术、半导体器件原理和集成电路分析与设计基础上，训练综合运用已掌握的知识，利用相关软件，初步熟悉和掌握集成电路芯片系统设计→电路设计及模拟→版图设计→版图验证等正向设计方法。
2. 教学内容基本要求2.1课程设计题目及要求器件名称：3-8译码器的74HC138芯片 要求电路性能指标：⑴可驱动10个LSTTL 电路（相当于15pF 电容负载）； ⑵输出高电平时，OH I ≤20uA,min,OH V =4.4V; ⑶输出低电平时，OLI ≤4mA ，manOL V , =0.4V⑷输出级充放电时间r t =ft ，pdt ＜25ns ；⑸工作电源5V ，常温工作，工作频率workf =30MHZ ，总功耗maxP =15mW 。
2.2课程设计的内容 1. 功能分析及逻辑设计； 2. 电路设计及器件参数计算；3. 估算功耗与延时；4. 电路模拟与仿真；5. 版图设计；6. 版图检查：DRC 与LVS ；7. 后仿真(选做)；8. 版图数据提交。
2.3课程设计的要求与数据1. 独立完成设计74HC138芯片的全过程；2. 设计时使用的工艺及设计规则： MOSIS:mhp_ns5；3. 根据所用的工艺，选取合理的模型库；4. 选用以lambda(λ)为单位的设计规则；3. 设计的方法与计算分析3.1 74HC138芯片简介74HC138是一款高速CMOS器件，74HC138引脚兼容低功耗肖特基TTL 系列图3-1 74HC138管脚图表3-1 74HC138真值表由于74HC138芯片是由两个2-4译码器组成，两个译码器是独立的，所以，这里只分析其中一个译码器。
数字集成电路课程设计报告-4bits超前进位加法器全定制设计
第1章概述1.1 课程设计目的•综合应用已掌握的知识•熟悉集成电路设计流程•熟悉集成电路设计主流工具•强化学生的实际动手能力•培养学生的工程意识和系统观念•培养学生的团队协作能力1.2 课程设计的主要内容1.2.1 设计题目4bits超前进位加法器全定制设计1.2.2 设计要求整个电路的延时小于2ns整个电路的总功耗小于20pw总电路的版图面积小于60*60um1.2.3 设计内容功能分析及逻辑分析估算功耗与延时电路模拟与仿真版图设计版图数据提交及考核，课程设计总结第2章功能分析及逻辑分析2.1 功能分析74283为4位超前进位加法器，不同于普通串行进位加法器由低到高逐级进位，超前进位加法器所有位数的进位大多数情况下同时产生，运算速度快，电路结构复杂。
其管脚如图2-1所示：图2-1 74283管脚图2.2推荐工作条件（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-1 SMIC 0.18工艺的工作条件2.3直流特性（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-2 SMIC 0.18直流特性2.4交流（开关）特性（根据SMIC 0.18工艺进行修改）表2-3SMIC 0.18工艺交流（开关）特性2.5真值表表2-4 4位超前进位加法器真值表2.6表达式定义两个中间变量Gi和Pi：所以：进而可得各位进位信号的罗辑表达如下2.7电路原理图超前进位加法器原理：对于一个N位的超前进位组，它的晶体管实现具有N+1个并行分支且最多有N+1个晶体管堆叠在一起。
由于门的分支和晶体管的堆叠较多使性能较差，所以超前进位计算在实际中至多智能限制于2或4位。
为了建立非常快速的加法器，需要把进位传播和进位产生组织成递推的树形结构，如图2-2所示。
一个比较有效的实现方法是把进位传播层次化地分解成N位的子组合：Co,0=GO+POCi,0Co,1=G1+P1G0+P1P0 Ci,0=( G1+P1G0)+(P1P0) Ci,0=G1:0+P1:0 Ci,0Co,2=G2+P2G1+P2P1G0+P2P1P0Ci,0=G2+P2Co,1 2-1 Co,3=G3+P3 G2+P3P2G1+P3P2P1G0+P3P2P1P0Ci,0=(G3+P3G2)+(P3P2)Co,1=G3:2+P3:2Co,1 在公式2-1中，进位传播过程被分解成两位的子组合。
2、3、4输入或非门版图设计
《集成电路工艺与版图设计》课堂作业班级：电子科学与技术01班姓名：曾海学号：201031722、3、4输入异或门版图设计如下：一、二输入异或门：（1）原理图：<2>L-edit中进行设计的如下二输入或非门版图<3>提取后在T-SPICE中进行参数及输入输出设置如下:VA A GND BIT ({1011} pw=20N lt=10N ht=10N on=5 off=0)VB B GND BIT ({0010} pw=20N lt=10N ht=10N on=5 off=0)Vdd Vdd GND 5.tran 10N 100N.print tran v(OUT) v(A) v(B)<4>在W-EDIT中得到仿真波形图：二、三输入或非门<1>三输入异或门版图<3>参数及输入输出设置VA A GND BIT ({1011} pw=20N lt=10N ht=10N on=5 off=0) VB B GND BIT ({0010} pw=20N lt=10N ht=10N on=5 off=0)Vdd Vdd GND 5.tran 10N 100N.print tran v(OUT) v(A) v(B)<3>仿真图三、四输入或非门<1>版图设计<2>参数及输入输设置Vdd Vdd GND 5VA A GND BIT ({1001} pw=20N lt=10N ht=10N o n=5 off=0)VB B GND BIT ({1010} pw=20N lt=10N ht=10N o n=5 off=0)VC C GND BIT ({1011} pw=20N lt=10N ht=10N o n=5 off=0)VD D GND BIT ({1011} pw=20N lt=10N ht=10N o n=5 off=0).tran 20N 100N.print tran v(OUT) v(A) v(B) v(C) v(D)<3>仿真图4、版图设计总结（1）本次设计中，由仿真图可以看出，仿真波形不是标准的方波图形，而是有相应的误差，可能是由于版图的设计中，布线或器件的放置不合理导致的。
输入与非门、或非门版图设计
二输入与非门、或非门版图设计(总9页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--课程名称Course 集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计与非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit / Extract ;* TDB File: E:\cmos\yufeimen, Cell: Cell0* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\ * Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:03.include H:\VPower VDD GND 5va A GND PULSE (0 5 0 5n 5n 100n 200n)vb B GND PULSE (0 5 0 5n 5n 50n 100n).tran 1n 400n.print tran v(A) v(B) v(F)* WARNING: Layers with Unassigned AREA Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* WARNING: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.* <Pad Comment>* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* WARNING: Layers with Zero Resistance.* <Pad Comment>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* <NMOS Capacitor>* <PMOS Capacitor>* NODE NAME ALIASES* 1 = VDD (34,37)* 2 = A ,* 3 = B ,* 4 = F ,* 6 = GND (25,-22)M1 VDD B F VDD PMOS L=2u W=9u AD=99p PD=58u AS=54p PS=30u * M1 DRAIN GATE SOURCE BULKM2 F A VDD VDD PMOS L=2u W=9u AD=54p PD=30u AS=99p PS=58u * M2 DRAIN GATE SOURCE BULKM3 F B 5 GND NMOS L=2u W= AD= PD=30u AS=57p PS=31u* M3 DRAIN GATE SOURCE BULK -18M4 5 A GND GND NMOS L=2u W= AD=57p PD=31u AS= PS=30u* M4 DRAIN GATE SOURCE BULK -18* Total Nodes: 6* Total Elements: 4* Extract Elapsed Time: 0 seconds.END与非门电路仿真波形图（瞬时分析）：.spc文件（直流分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit / Extract ;* TDB File: E:\cmos\yufeimen, Cell: Cell0* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\ * Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:03.include H:\VPower VDD GND 5va A GND 5vb B GND 5.dc va 0 5 vb 0 5.print dc v(F)* WARNING: Layers with Unassigned AREA Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* WARNING: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.* <Pad Comment>* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* WARNING: Layers with Zero Resistance.* <Pad Comment>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* <NMOS Capacitor>* <PMOS Capacitor>* NODE NAME ALIASES* 1 = VDD (34,37)* 2 = A ,* 3 = B ,* 4 = F ,* 6 = GND (25,-22)M1 VDD B F VDD PMOS L=2u W=9u AD=99p PD=58u AS=54p PS=30u * M1 DRAIN GATE SOURCE BULKM2 F A VDD VDD PMOS L=2u W=9u AD=54p PD=30u AS=99p PS=58u * M2 DRAIN GATE SOURCE BULKM3 F B 5 GND NMOS L=2u W= AD= PD=30u AS=57p PS=31u* M3 DRAIN GATE SOURCE BULK -18M4 5 A GND GND NMOS L=2u W= AD=57p PD=31u AS= PS=30u* M4 DRAIN GATE SOURCE BULK -18* Total Nodes: 6* Total Elements: 4* Extract Elapsed Time: 0 seconds.END与非门电路仿真波形图（直流分析）：或非门电路的版图：.spc文件（瞬时分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit / Extract ;* TDB File: E:\cmos\huofeimen, Cell: Cell0* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\ * Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:04.include H:\CMOS\VPower VDD GND 5va A GND PULSE (0 5 0 5n 5n 100n 200n)vb B GND PULSE (0 5 0 5n 5n 50n 100n).tran 1n 400n.print tran v(A) v(B) v(F)* WARNING: Layers with Unassigned AREA Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* WARNING: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <Pad Comment>* <P Base Resistor>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* WARNING: Layers with Zero Resistance.* <Pad Comment>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* <NMOS Capacitor>* <PMOS Capacitor>* NODE NAME ALIASES* 1 = VDD (34,37)* 2 = A ,* 3 = B ,6)* 4 = F ,* 5 = GND (25,-22)M1 6 A VDD VDD PMOS L=2u W=9u AD=54p PD=30u AS= PS=29u * M1 DRAIN GATE SOURCE BULKM2 F B 6 VDD PMOS L=2u W=9u AD= PD=29u AS=54p PS=30u* M2 DRAIN GATE SOURCE BULKM3 F A GND GND NMOS L=2u W= AD=57p PD=31u AS= PS=60u * M3 DRAIN GATE SOURCE BULK -18M4 GND B F GND NMOS L=2u W= AD= PD=60u AS=57p PS=31u * M4 DRAIN GATE SOURCE BULK -18* Total Nodes: 6* Total Elements: 4* Extract Elapsed Time: 0 seconds.END或非门电路仿真波形图（瞬时分析）：.spc文件（直流分析）：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit / Extract ;* TDB File: E:\cmos\huofeimen, Cell: Cell0* Extract Definition File: C:\Program Files\Tanner EDA\L-Edit\spr\ * Extract Date and Time: 05/25/2011 - 10:04.include H:\CMOS\VPower VDD GND 5va A GND 5vb B GND 5.dc va 0 5 vb 0 5.print dc v(F)* WARNING: Layers with Unassigned AREA Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <P Base Resistor>* WARNING: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.* <Poly Resistor>* <Poly2 Resistor>* <N Diff Resistor>* <P Diff Resistor>* <N Well Resistor>* <Pad Comment>* <P Base Resistor>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* WARNING: Layers with Zero Resistance.* <Pad Comment>* <Poly1-Poly2 Capacitor>* <NMOS Capacitor>* <PMOS Capacitor>* NODE NAME ALIASES* 1 = VDD (34,37)* 2 = A ,* 3 = B ,6)* 4 = F ,* 5 = GND (25,-22)M1 6 A VDD VDD PMOS L=2u W=9u AD=54p PD=30u AS= PS=29u * M1 DRAIN GATE SOURCE BULKM2 F B 6 VDD PMOS L=2u W=9u AD= PD=29u AS=54p PS=30u* M2 DRAIN GATE SOURCE BULKM3 F A GND GND NMOS L=2u W= AD=57p PD=31u AS= PS=60u * M3 DRAIN GATE SOURCE BULK -18M4 GND B F GND NMOS L=2u W= AD= PD=60u AS=57p PS=31u * M4 DRAIN GATE SOURCE BULK -18* Total Nodes: 6* Total Elements: 4* Extract Elapsed Time: 0 seconds.END或非门电路仿真波形图（直流分析）：课程名称Course集成电路设计技术项目名称Item二输入与非门、或非门版图设计目的Objective 1. 掌握利用E-EDIT进行IC设计方法，设计二输入与非门版图并仿真2. 掌握利用L-EDIT进行IC设计方法，设计二输入或非门版图并仿真3. 领会并掌握版图设计最优化实现方法。
三八译码器的结构、原理与设计_毕业论文
题目：三八译码器的结构、原理与设计学院：物理学院专业：电子科学与技术姓名：董少雨指导教师：赵宏亮完成日期：2014年5月20日毕业论文任务书毕业论文题目：三八译码器的结构、原理与设计选题意义、创新性、科学性和可行性论证：如今全球信息化的步伐正在不断加快，数字信号的产生、变换等方面应用的更加广泛。
三八译码器在信号处理方面起着十分重要的作用。
本文主要阐述三八译码器的基本结构和工作原理，并通过对时序逻辑电路设计方法的研究，完成三八译码器的设计。
主要内容：译码器的种类与特点，三八译码器的结构和工作原理，最后完成了三八译码器的设计。
目的要求：1、熟悉三八译码器的发展背景和趋势。
2、掌握各类译码器的工作性能。
3、了解三八译码器的基本结构和工作原理。
4、学会时序逻辑电路的设计方法。
计划进度：2013年12月21日~2014年2月25日，确定毕业论文选题，并搜集资料，查阅相关文献；2014年2月26日~4月10日，写出论文总体大纲，运用软件得到仿真数据；2014年4月11日~4月25日，论文撰写；提交初稿；2014年4月26日~5月19日，修改论文，论文定稿，准备答辩。
指导教师签字：主管院长（系主任）签字：2013年12 月25 日辽宁大学本科毕业论文（设计）指导记录表论文题目三八译码器的结构、原理与设计学生姓名董少雨学号101002103 年级、专业10级电子科学与技术指导教师姓名赵宏亮指导教师职称讲师所在院系物理学院第一次指导（对确定题目、毕业论文（设计）任务书的指导意见）：由于以前对三八译码器有所了解，《三八译码器的结构、原理与设计》题目符合毕业论文设计的要求。
研究三八译码器可以加强对数字集成电路的了解，毕业论文进度安排合理，接下来按照进度写出论文总体大纲。
指导方式：（请选择）面谈√电话电子邮件指导教师签字：2013年12月24日第二次指导（对论文提纲的指导意见）：查阅相关资料，进一步地掌握三八译码器的基本结构和工作原理，三八译码器的设计方法十分合理，要熟悉掌握相关软件的使用并从中得到相关数据。
与非门、或非门和异或门的版图设计
实验四：与非门和或非门的版图设计、异或门的后仿真一、实验目的1、使用virtuoso layout XL工具创建或非门（NOR）和与非门（NAND）的电路原理图和版图；2、利用已创建好的或非门、与非门和反相器设计异或门（XOR）的电路原理图；3、对异或门提取的参数进行模拟仿真。
二、实验要求1、打印出由或非门、与非门和反相器设计成的异或门的仿真结果；2、打印出异或门的电路原理图和版图。
三、实验工具Virtuoso四、实验内容1、或非门的设计；2、与非门的设计；3、异或门的设计；4、异或门的仿真。
1、或非门的设计step1:创建或非门的电路原理图，其中，NMOS的宽度120nm为PMOS的宽度为480nm.图1 或非门的电路原理图step2:验证或非门是否可以正常工作，即创建SPICE netlist.图2 验证或非门图3验证成功产生的报告step3：创建一个layout view，并选择菜单栏上Tools->Lyaout XL，此时刚刚保存的电路原理图会自动弹出来，接着选择菜单栏上的Connectivity->Updata->Components and Nets,在弹出得对话框中修改参数，修改完成后点击OK，将会出现如下图所示布局。
图4 利用virtuoso XL工具生成的布局step4:参照前面的实验，在矩形边框内画上电源轨道和NWELL，并创建M1_PSUB 和MI_NWELL，将vdd!、gnd!移至电源轨道上，再将其他原件也移至矩形边框内。
对照电路原理图将NMOS、PMOS、电源、地、以及输入输出端口连接起来，在连线时，注意观察电路原理图，确保不会出现短路情况，连接好的版图如下图所示。
图5 连接好的或非门版图step5：对画好的版图进行DRC，成功后验证提取参数并做LVS验证，再生成网表文件。
图6 或非门版图的DRC验证图7 或非门的参数提取视图图8 或非门的LVS验证图9 或非门的网表文件2、与非门的设计与或非门的设计类似，在此不再赘述，直接给出与非门的电路原理图、版图以及DRC、LVS验证。
四输入或非门版图设计
四输入或非门课程设计学生姓名：专业班级：指导教师：工作单位：题目: 四输入或非门的设计初始条件：计算机、ORCAD软件，L-EDIT软件要求完成的主要任务:（包括集成电路专项实践工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求）1、集成电路专项实践工作量：1周2、技术要求：（1）学习ORCAD软件，L-EDIT软件。
（2）设计一个四输入或非门电路。
（3）利用ORCAD软件，L-EDIT软件对该电路进行系统设计、电路设计和版图设计，并进行相应的设计、模拟和仿真工作。
3、查阅至少5篇参考文献。
按《武汉理工大学课程设计工作规范》要求撰写设计报告书。
全文用A4纸打印，图纸应符合绘图规范。
时间安排：2015.6.19布置集成电路专项实践任务、选题；讲解集成电路专项实践具体实施计划与课程设计报告格式的要求；集成电路专项实践答疑事项。
2015.6.19-6.20学习ORCAD软件，L-EDIT软件，查阅相关资料，复习所设计内容的基本理论知识。
2015.6.21-6.25用ORCAD软件设计四输入或非门电路并进行仿真工作，再利用L-EDIT软件绘制其版图，完成集成电路专项实践报告的撰写。
2015.6.26 提交集成电路专项实践报告，进行答辩。
指导教师签名：年月日系主任（或责任教师）签名：年月日目录摘要 .............................................................................................................................................. Abstract . (I)1 绪论 02 四输入或非门 (1)2.1 四输入或非门的电路结构 (1)2.2 四输入或非门的电路设计与仿真 (2)2.2.1 ORCAD软件介绍 (2)2.2.2 绘制电路图 (2)2.2.3 电路仿真 (3)2.4 四输入或非门的版图绘制 (5)2.4.1 L-EDIT软件介绍 (5)2.4.2 版图绘制 (5)3 总结 (9)参考文献 (10)摘要性能优越的四输入或非门是数字电路中很常见的一种逻辑电路，可广泛应用于算术逻辑单元等电路中。
74LS00引脚图
空间空间开发天有眼同一天它由有人有人人人瑞特二人而0 是常用的2输入四与非门集成电路，他的作用很简单顾名思义就是实现一个与非门。
Vcc 4B4A4Y 3B3A3Y
┌┴—┴—┴—┴—┴—┴—┴┐
__│14 13 12 11 10 9 8│
Y = AB ）│2输入四正与非门 74LS00
│1 2 3 4 5 6 7│
└┬—┬—┬—┬—┬—┬—┬┘
1A1B 1Y2A2B 2Y GND
74LS00真值表：
A＝1 B=1 Y=0
A＝0 B=1 Y=1
A＝1 B=0 Y=1
A＝0 B=0 Y=1
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74ls00
测试条件
tPLH 传输延迟 tPHL 传输延迟
A或B A或B
Y Y
CL=15pF RL=2kΩ
最小
参数值 典型
9 10
最大 15 15
单位
ns ns
天水天光半导体有限责任公司（八七一厂） 2005.1 版
电 性 能：（除特别说明外，均为全温度范围）
74Ⅱ
符号 参数名称
测试条件
参数值
最小 典型 最大
VIK 输入钳位电压
Vcc=最小 II=-18mA
VOH 输出高电平电压
Vcc=最小 VIL=最大 2.7 IOH=最大
VOL 输出低电平电压
Vcc=最小 VIH=2V IOL=最大
输入电流 II (最大输入电压时) Vcc=最大 VI=7V
典型参数：
tpd=9.5ns Pd=2mW/每门 逻辑符号：
54LS00/74LS00 LSTTL 型四 2 输入与非门 线路图（1/4）
逻辑式： 外引线排列图：
逻辑表：
输入
A
B
H
H
L
×
×
L
输出 Y L H H
推荐工作条件
符号
参数名称
Vcc
电源电压
VIH
输入高电平电压
VIL
输入低电平电压
IOH
输出高电平电流
-1.5
0.5 0.1
IIH 输入高电平电流 Vcc=最大 VI=2.7V
IIL 输入低电平电流 Vcc=最大 VI=0.4V
IOS 输出短路电流
Vcc=最大 VO=0V -20
ICCH 高电平电源电流 Vcc=最大 VI=0V
ICCL 低电平电源电流 Vcc=最大 输入开路
4位与非门电路设计
（3）说明要进行的分析（4）说明所要求的输出输入网表文件和库文件可以由原理图的网表生成器或文本编辑器产生。
输入网表文件中的第一行必须是标题行，并且.ALTER辅助模型只能出现在文件最后的.END语句之前，除此之外，其它语句可以按任意顺序排列。
三．设计步骤1、写网表文件首先在orcad中将上述原理图绘制出，仿真后确保电路图正确且能够实现与非功能，然后生成网表文件。
在文本文档中写出Hspice软件所要求的网表文件，并另存为*.sp文件。
网表文件如下所示：NANDMOS Circuit.OPTIONS LIST NODE POST.TRAN 200P 60NM1 OUT 4 VCC VCC PCH L=1U W=20UM2 OUT 5 VCC VCC PCH L=1U W=20UM3 OUT 6 VCC VCC PCH L=1U W=20UM4 OUT 7 VCC VCC PCH L=1U W=20UM5 1 4 0 0 NCH L=1U W=20UM6 2 5 1 1 NCH L=1U W=20UM7 3 6 2 2 NCH L=1U W=20UM8 OUT 7 3 3 NCH L=1U W=20UVCC VCC 0 5V1 4 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20NV2 5 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20NV3 6 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20NV4 7 0 PULSE .2 4.8 2N 1N 1N 5N 20NC OUT 0 .01p.MODEL PCH PMOS LEVEL=1.MODEL NCH NMOS LEVEL=1.END注释：第三行.TRAN 200P 60N表示瞬态分析步长为200ps，时间为60ns 第四～十二行为电路连接关系描述语句。
第十三行VCC VCC0 5表示在节点VCC，0之间加5v直流电压。
四输入或非门电路和版图设计讲解学习
四输入或非门电路和版图设计成绩评定表课程设计任务书目录目录 ......................................................................................................................................... I II 1.绪论 . (1)1.1 设计背景 (1)1.2 设计目标 (1)2.四输入或非门 (1)2.1 四输入或非门电路结构 (1)2.2 四输入或非门电路仿真 (2)2.3 四输入或非门的版图绘制 (3)2.4 四输入或非门的版图电路仿真 (4)2.5 LVS检查匹配 (5)总结 (6)附录一：原理图网表 (9)附录二：版图网表 (9)1.绪论1.1 设计背景Tanner集成电路设计软件是由Tanner Research 公司开发的基于Windows平台的用于集成电路设计的工具软件。
该软件功能十分强大，易学易用，包括S-Edit，T-Spice，W-Edit，L-Edit与LVS，从电路设计、分析模拟到电路布局一应俱全。
其中的L-Edit 版图编辑器在国内应用广泛，具有很高知名度。
L-Edit Pro是Tanner EDA软件公司所出品的一个IC设计和验证的高性能软件系统模块，具有高效率，交互式等特点，强大而且完善的功能包括从IC设计到输出，以及最后的加工服务，完全可以媲美百万美元级的IC设计软件。
L-Edit Pro包含IC设计编辑器(Layout Editor)、自动布线系统(Standard Cell Place & Route)、线上设计规则检查器（DRC）、组件特性提取器（Device Extractor）、设计布局与电路netlist的比较器(LVS)、CMOS Library、Marco Library，这些模块组成了一个完整的IC设计与验证解决方案。
电气电子毕业设计158十线——四线优先编码器版图设计
引言随着科学技术的发展和高新技术的广泛应用，电子技术在国民经济的各个领域所起的作用越来越大，并深深地渗透到人们的生活、工作、学习的各个方面。
新的世纪已经跨入以电子技术为基础的信息化社会，层出不穷的电子新业务、电子新设施几乎无处不在、举目可见。
作为一名微电子学专业的大学生，尽快地学习和掌握电子技术基础知识和技能是一项基本的任务。
为了更好地将理论和实际相结合，也为了增强动手能力，同时加深对理论知识的理解，笔者进行了十线－四线优先编码器的设计。
1设计原理分析1.1 编码器介绍用数字或文字对一组事件进行编号排队的过程称为编码。
如邮政编码、宿舍房间编码、计算机键盘上键的编码等等。
编码器是以数字化信息将角度、长度、速度等物理量的信息以数字量0、1编码的方式输出的传感器，由于其具有高精度,大量程测量,反应快,数字化输出特点;体积小,重量轻,机构紧凑,安装方便,维护简单,工作可靠等优良特点，故成为当今工业控制系统备受青睐及不可或缺的一部分。
编码器是由若干个与非门组合而成的，输入端是各事件代号，如n个事件用Y0～Yn-1表示，输出端是相应的二进制各位值N0～Nk-1，2k-1=Yn-1。
编码器分二进制编码器和十进制编码器，各种译码器的工作原理类似，设计方法也相同。
集成二进制编码器和集成十进制编码器均采用优先编码方案。
下面介绍一些编码器的相关概念：二进制编码器：实现以二进制数进行编码的电子电路称二进制编码器。
n位二进制数可对2n个事件进行编码，如8位计算机中地址寄存器是8位，可对28＝256个指令进行编码。
二—十进制编码器：用4位二进制对十进制的10个数字0～9进行编码的电路称二－十进制编码器，常用的是8421加权码，简称BCD码。
输入是10个有效数字0～9，输出是10个4位二进制代码0000～1001。
本次设计所做的10线-4线编码器就是其中一种。
优先编码器：在使用二进制编码器和二－十进制编码器中，当两个以上信号同时输入编码器时将产生错误码输出，而优先编码器则对输入信号依照规定的先后顺序进行编码。
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作业报告作业题目：画一个4输入与非门的版图，w=5~20. L =2~10.作业要求：（1）画出版图并进行设计规则检查，提取T-spice 网表文件（2）根据从版图中提取的参数，用T-space软件进行仿真，观测器输出波形。
（3）采用CMOS 2 um工艺。
（4）撰写设计报告，设计报告如有雷同均视为不及格，请各位妥善保管好自己的设计文档。
（5）提交报告的最后截止日期位6月10号。
一四输入与非门电路图如下图所示：四输入与非门的工作原理为：四输入端CMOS与非门电路，其中包括四个串联的N沟道增强型MOS管和四个并联的P沟道增强型MOS管。
每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。
当输入端A、B、C、D中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B、C、D全为高电平时，才会使四个串联的NMOS管都导通，使四个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。
真值表如下所示：二版图的绘制这次作业要求四输入与非门的宽和长的范围是w=5~20. L =2~10。
我绘制的版图选取W=16 um L=2um ，绘制的过程为：（1）绘制接合端口Abut（2）绘制电源Vdd和Gnd，以及相应端口（3）绘制Nwell层（4）绘制N阱节点（5）绘制衬底节点（6）绘制Nselect区和Pselect区（7）绘制NMOS有源区和PMOS有源区（8）绘制多晶硅层（9）绘制NAND 4 的输入口（10）绘制NAND 4 的输出口（11）绘制NMOS有源区和PMOS的源极三T-spice仿真在绘制完版图之后，经过设计规则检查无误后就可以提取网表进行仿真了。
（1）版图的网表提取结果为：* Circuit Extracted by Tanner Research's L-Edit Version 13.00 / Extract Version 13.00 ; * TDB File: D:\20113250\youwenhao-NAND4.tdb* Cell: Cell0Version 1.03* Extract Definition File: D:\Tanner EDA\Tanner Tools v13.0\ExampleSetup\lights.ext* Extract Date and Time: 06/10/2014 - 01:20.include "C:\Users\Administrator\Desktop\ml5_20.md"V1 Vdd Gnd 5va A Gnd PULSE (0 2.5 100n 2.5n 2.5n 100n 200n)vb B Gnd PULSE (0 2.5 50n 2.5n 2.5n 50n 100n)vc C Gnd PULSE (0 2.5 25n 2.5n 2.5n 25n 50n)vd D Gnd PULSE (0 2.5 12.5n 2.5n 2.5n 12.5n 25n).tran 1n 400n.print tran v(A) v(B) v(C) v(D) v(Out)* Warning: Layers with Unassigned FRINGE Capacitance.* <Pad Comment>* <Poly1-Poly2 Capacitor ID>* NODE NAME ALIASES* 1 = GND (34.5 , -41.5)* 2 = vdd (32, 15)* 3 = OUT (47.5 , 9)* 4 = D (84 , -6)* 5 = C (70.5 , -5.5)* 6 = B (59.5 , -6)* 7 = A (38 , -5)V1 Vdd Gnd 5va A Gnd PULSE (0 12.5 500n 12.5n 12.5n 5100n 1000n)vb B Gnd PULSE (0 12.5 250n 12.5n 12.5n 250n 500n)vc C Gnd PULSE (0 12.5 125n 12.5n 12.5n 125n 250n)vd D Gnd PULSE (0 12.5 62.5n 12.5n 12.5n 62.5n 125n).tran 1n 1000n.print tran v(D) v(C) v(B) v(A) v(Out)M1 Vdd 4 Out Vdd PMOS L=2u W=16u AD=88p PD=47u AS=60p PS=23.5u $ (44 37 46 53)M2 Out 5 Vdd Vdd PMOS L=2u W=16u AD=60p PD=23.5u AS=56p PS=23u $ (34.5 37 36.5 53)M3 Vdd 6 Out Vdd PMOS L=2u W=16u AD=56p PD=23u AS=112p PS=30u $ (25.5 37 27.5 53)M4 Out 7 Vdd Vdd PMOS L=2u W=16u AD=112p PD=30u AS=88p PS=47u $ (9.5 37 11.5 53)M5 Out 4 Out Gnd NMOS L=2u W=16u AD=120p PD=47u AS=60p PS=23.5u $ (44 0 46 16) M6 Out 5 Out Gnd NMOS L=2u W=16u AD=60p PD=23.5u AS=56p PS=23u $ (34.5 0 36.5 16)M7 Out 6 Out Gnd NMOS L=2u W=16u AD=56p PD=23u AS=112p PS=30u $ (25.5 0 27.5 16)M8 Out 7 Gnd Gnd NMOS L=2u W=16u AD=112p PD=30u AS=92p PS=47u $ (9.5 0 11.5 16)* Pins of element D1 are shorted:* D1 vdd vdd D_lateral $ (88 18.5 91 26.5)* Pins of element D2 are shorted:* D2 vdd vdd D_lateral $ (36 18.5 39.5 26.5)* Total Nodes: 11* Total Elements: 10* Total Number of Shorted Elements not written to the SPICE file: 0* Output Generation Elapsed Time: 0.001 sec* Total Extract Elapsed Time: 0.746 sec.END（2）提取的网表经过T-spice运行后的文件为：T-Spice - Tanner SPICET-Spice - Tanner SPICEVersion 13.00Standalone hardware lockProduct Release ID: T-Spice Win32 13.00.20080321.01:01:33Copyright ?1993-2008 Tanner EDAOpening output file "C:\Users\Administrator\Desktop\游文浩20113250\youwenhao-NAND4.out"Parsing "C:\Users\Administrator\Desktop\游文浩20113250\youwenhao-NAND4.spc"Initializing parser from header file "C:\Users\Administrator\Desktop\游文浩20113250\header.sp"Including "C:\Users\Administrator\Desktop\ml5_20.md"Loaded MOSLevel2 model library, SPICE Level 2 MOSFET revision 1.0Warning : Pulse period is too small, reset to rt + ft + pw = 5.125e-006Accuracy and Convergence options:numndset|dchold = 100Timestep and Integration options:relq|relchgtol = 0.0005Model Evaluation options:dcap = 2 defnrb = 0 [sq] defnrd = 0 [sq]defnrs = 0 [sq] tnom = 25 [deg C]General options:search = C:\Users\Administrator\Desktop temp = 25 [deg C]threads = 4Output options:acout = 1 ingold = 0Device and node counts:MOSFETs - 8 MOSFET geometries - 8BJTs - 0 JFETs - 0MESFETs - 0 Diodes - 0Capacitors - 0 Resistors - 0Inductors - 0 Mutual inductors - 0Transmission lines - 0 Coupled transmission lines - 0Voltage sources - 5 Current sources - 0VCVS - 0 VCCS - 0CCVS - 0 CCCS - 0 V-control switch - 0 I-control switch - 0Macro devices - 0 External C model instances - 0HDL devices - 0Subcircuits - 0 Subcircuit instances - 0Independent nodes - 5 Boundary nodes - 6Total nodes - 11*** 1 WARNING MESSAGE GENERATED DURING SETUPParsing 0.00 secondsSetup 0.01 secondsDC operating point 0.00 secondsTransient Analysis 0.11 secondsOverhead 1.50 seconds-----------------------------------------Total 1.62 secondsSimulation completed with 1 Warning（3）仿真结果为：四作业总结：完成这次作业之后，我对于集成电路版图的绘制有了一个全新的认识，初步掌握了Tunner软件的使用以及T-spice仿真软件的使用。