三极管工作状态习题
3三极管工作状态
三极管工作状态判断班级： 姓名：基础题一、填空题1.晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。
2.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V,U 2=7.2V,U 3=15V ，则该管是 类型管子，其中_____极为集电极。
3．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是 和 。
4.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
5.若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
6.晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。
二、选择题1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A.放大B.截止C.饱和D.损坏2.NPN 型三极管工作在放大状态时，其两个结的偏压为（ ）。
A.V BE >0，V BE <V CE B.V BE <0，V BE <V CE C.V BE >0，V BE >V CE D.V BE <0，V BE >V CE3.一NPN 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）。
A ．饱和区 B ．截止区 C ．放大区 D ．击穿区5.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（ ）。
A ．均为正偏 B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A.放大B.截止C.饱和D.损坏7.工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（ ）。
A ．ＵC > UB > UE B.ＵC< UB < UE C.UB >ＵC > UE D.ＵC > UE > UB 8．某NPN 型管电路中，测得U BE =0V ，U BC = -5V ，则可知管子工作于( )状态。
放大电路练习题及答案
一、填空题1．射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于1， 输入电阻高 、 输出电阻低 。
2．三极管的偏置情况为 发射结正向偏置，集电结反向偏置 时，三极管处于饱和状态。
3．射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为射极输出器的 输入电阻高 。
4．射极输出器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的 输出电阻低 。
5．常用的静态工作点稳定的电路为 分压式偏置放大 电路。
6．为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的 静态工作点 。
7．三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算 I B 、 I C 、 U CE 三个值。
8．共集放大电路（射极输出器）的 集电极 极是输入、输出回路公共端。
9．共集放大电路（射极输出器）是因为信号从 发射极 极输出而得名。
（）10．射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数 电压放大倍数接近于1 。
11．画放大电路的直流通路时，电路中的电容应 断开 。
12．画放大电路的交流通路时，电路中的电容应 短路 。
13．若静态工作点选得过高，容易产生 饱和 失真。
14．若静态工作点选得过低，容易产生 截止 失真。
15．放大电路有交流信号时的状态称为 动态 。
16．当 输入信号为零 时，放大电路的工作状态称为静态。
17．当 输入信号不为零 时，放大电路的工作状态称为动态。
18．放大电路的静态分析方法有 估算法 、 图解法 。
19．放大电路的动态分析方法有 微变等效电路法 、 图解法 。
20．放大电路输出信号的能量来自 直流电源 。
二、选择题1、在图示电路中，已知U C C ＝12V ，晶体管的＝100，'b R ＝100k Ω。
当i U ＝0V 时，测得U B E ＝0.7V ，若要基极电流I B ＝20μA ，则R W 为 k Ω。
AA. 465B. 565C.400D.3002.在图示电路中，已知U C C ＝12V ，晶体管的＝100，若测得I B ＝20μA ，U C E ＝6V ，则R c ＝ k Ω。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 开关电路C. 电压稳定D. 电流放大2. 二极管的PN结在正向偏置时，其特性是：A. 电阻增大B. 电阻减小C. 电流增大D. 电流减小A. 半导体器件B. 电子元件C. 电阻元件D. 电容元件4. 三极管中的基极、发射极和集电极分别对应：A. 输入端、输出端、控制端B. 控制端、输出端、输入端C. 输入端、控制端、输出端D. 输出端、输入端、控制端5. 三极管工作在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是：A. 集电极电流等于基极电流B. 集电极电流小于基极电流C. 集电极电流大于基极电流D. 集电极电流与基极电流无关二、填空题1. 二极管正向导通的条件是______。
2. 三极管放大电路中，基极电压比发射极电压______。
3. 三极管在放大状态时，______电流控制______电流。
4. 二极管的伏安特性曲线在______区域内表示正向导通。
三、判断题1. 二极管在反向偏置时，电流会迅速增大。
（）2. 三极管工作在饱和状态时，基极电压高于发射极电压。
（）3. 二极管具有单向导电性，可以用来实现整流功能。
（）4. 三极管放大电路中，集电极电流与基极电流成反比关系。
（）四、简答题1. 简述二极管的主要特性。
2. 简述三极管的三种工作状态及其特点。
3. 解释什么是三极管的放大作用。
4. 简述二极管整流电路的工作原理。
五、计算题1. 已知二极管正向压降为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。
2. 一个三极管放大电路中，基极电流为1mA，集电极电流为10mA，求电流放大倍数。
3. 在一个简单的放大电路中，输入信号电压为1V，输出信号电压为10V，求电压放大倍数。
六、分析题1. 分析二极管在电路中的作用，并举例说明其在实际应用中的几个典型应用。
2. 分析三极管在不同工作状态下的电流和电压关系，并解释为什么三极管能够实现信号放大。
三极管例题
IB = VCC − VBE 12V ≈ = 40uA Rb 300k
共射极放大电路
I C = β ⋅ I B = 80 × 40uA = 3.2mA
VCE = VCC − Rc ⋅ I C = 12V - 2k × 3.2mA = 5.6V
静态工作点为Q（ ），BJT工作在放大区。 工作在放大区。 静态工作点为 （40uA，3.2mA，5.6V）， ， ， ）， 工作在放大区 V 12V I B = CC ≈ = 120uA I C = β ⋅ I B = 80 × 120 uA = 9.6 mA （2）当Rb=100k时， ） 时 Rb 100k
共射极放大电路
• Rb支路可能开路，IB=0， IC=0， VCE= VCC - IC Rc= VCC 。 支路可能开路， ， ， • C1可能短路， 可能短路， VBE=0， IB=0， IC=0， VCE= VCC - IC Rc= VCC 。 ， ， ， end
iC
共射极放大电路
VCC Rc VCC VCC Rc R
c
斜率 -
ICQ ICQ ICQ
Q
Q Q Q
Q
IBQ IIBQ BQ
1 c Rc
VCEQ
VCEQVCEQVCEQ VCC
VCC
vCE CE
3.3
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
2. 放大电路如图所示。当测得 放大电路如图所示。 BJT的VCE 接近 CC的值时，问 接近V 的值时， 的 管子处于什么工作状态？ 管子处于什么工作状态？可能 的故障原因有哪些？ 的故障原因有哪些？ 答： 截止状态 故障原因可能有： 故障原因可能有：
所以BJT工作在饱和区。 工作在饱和区。 所以 工作在饱和区
13级《计算机电路基础》§2.3双极性晶体三极管习题二-1-参考答案2015-10-7
113级《计算机电路基础》习题二-1答案§2.3 双极性晶体三极管一、 填空题1、晶体三极管是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉3.、PN 结是许多半导体元器件的最重要和最基本的单元。
如果我们把两个PN 结做得相距很近，结合在一起就构成一个新的器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
双极型晶体管外形如图：4、晶体三极管两个PN 结将整个半导体基片分成三个区域：发射区、基区和集电区，其中基区较薄。
由这三个区各引出一个电极，分别称为发射极、基极和集电极，分别用字母E、B 、C 表示。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN 结称为集电结。
如下图所示：在图中填出三个区域，两个结，画出三极管符号。
5、晶体三极管按导电类型的不同，三极管可分为PNP 型和NPN 型两大类。
由图可见，有箭头的电极是发射极，箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向，箭头方向向外是 NPN 型，箭头方向向内是 PNP 型，两种符号的区别在于发射极的箭头方向不同，实际上发射极箭头方向就是发射极正向电流 的真实方向。
6、三极管种类很多：按功率分有小功率管、中功率管和大功率管 ；按工作频率分有低频管、高频管 ； 按管芯所用半导体制造材料分有硅管与锗管。
7、本标准适用于无线电电子设备所用半导体器件的型号命名。
【了解】 示例要求：查2.2表写出型号硅整流二极管 硅NPN 型高频小功率管8、型号组成部分的符号及意义表7.5.1给出了各种型号的半导体二极管、三极管的符号、构成材料、名称性能以及表达这些意义的符号。
表2.2 型号组成部分的符号及意义8. 三极管各电极上的电流分配NPN 型三极管为例搭成的实验电路如图7.3.2所示，图中V BB 为基极电源，V cc 为集电极电源，V cc 电压应高于V BB 电压。
即发射结正偏，集电结反偏。
电路接通后，在电路中就有三支电流通过三极管，即基极电流I B 、集电极电流I C 和发射极电流I E ，这三路电流方向如图中所示。
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与参考答案-2018-6-10
§2.3 双极性晶体三极管综合习题1与答案考核内容1．掌握三极管的图形符号、文字符号、输入和输出特性。
2．掌握三极管的电流分配关系及放大原理。
双极性晶体三极管综合习题1一、填空题1、晶体三极管（Transistor）是晶体管电子电路的核心器件，具有电流放大和开关作用。
在模拟电子电路中，它起放大作用；在脉冲和数字电路中，它起开关作用，逻辑门电路中的三极管则工作在截止状态和饱和状态。
2、晶体三极管是一个三端器件，根据其构造的不同，大体上可分双极型晶体管BJT（Bipolar Junction Transistor）和场效应管FET（Field Effect Transistor）。
3、双极晶体管（BJT）是一种电流控制器件，“双极”的含义是指其工作时电子和空穴这两种载流子都同时参与导电。
双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管。
4、场效应管（FET）是电压控制型元件，利用场效应原理工作的晶体管，具有输入阻抗高，热稳定性好，抗辐射能力较强，集成度较高特点。
5、场效应晶体管又包含两种主要类型：结型场效应管（Junction FET，缩写为JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（Metal-Oxide Semiconductor FET，缩写为MOS-FET）。
其中，MOS管还分为增强型和耗尽型两种。
与BJT不同的是，FET只由一种载流子（多数载流子）参与导电，因此场效应管也称为单极型晶体管。
*6、场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
7、双极晶体管（BJT）是由两个相距很近的PN结，通过一定的工艺制作成的一种半导体器件，即半导体三极管，又称为晶体三极管。
8、晶体三极管两个PN结两个PN结，一个PN结为发射结，另一个PN结为集电结。
将发射极与基极之间的PN 结称为发射结；集电极与基极之间的PN结称为集电结。
三极管_试题
三极管_试题低频功率放大电路一、填空题1、以功率三极管为核心构成的放大器称功率放大器。
它不但输出一定的电压还能输出一定的电流，也就是向负载提供一定的功率。
2、功率放大器简称功放。
对它的要求与低频放大电路不同，主要是：输出功率尽可能大、_效率____尽可能高、非线性失真尽可能小，还要考虑功放管的散热问题。
3、功放管可能工作的状态有三种：甲类放大状态，它的失真小、效率低；乙类它的失真大、效率高。
4、功率放大电路功率放大管的动态范围大,电流、电压变化幅度大，工作状态有可能超越输出特性曲线的放大区，进入截至区或饱和区，产生交越失真。
5、所谓“互补”放大器，就是利用NPN 型管和NP型管交替工作来实现放大。
6、OTL电路和OCL电路属于甲乙类工作状态的功率放大电路。
7、为了能使功率放大电路输出足够大的功率，一般晶体三极管应工作在极限状态。
8、当推挽功率放大电路两只晶体管的基极电流为零时，因晶体三极管的输入特性线性，故在两管交替工作时产生交越失真。
9、对于乙类互补称功放，当输入信号为正半周时， NPN型管导通， PNP 型管截止；当输入信号为负半周时， PNP 型管导通， NPN 型管截止；输入信号为零（Ui=0）时，两管截至，输出为 0 。
10、乙类互补对称功放的两功率管处于偏置工作状态，由于电压的在存在,当输入信号在正负半周交替过程中造成两功率管同时截至 ,引起交界处的失真，称为交越失真。
11、功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有：甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。
12、甲乙类推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路图向功放管提代少量电流，以减少交越失真。
13、乙类互补对称功放允许输出的最大功率Pom= Ucem Icm 21、。
总的管耗Pc= 0.4Pom(P E -P O ) 。
14、为了避免输出变压器给功放电路带来的不便和失真，出现了 OTL 功放电路；为了避免输出电容引出的失真，又出现了 OCL 功放电路。
三极管基础知识练习(3)
晶体三极管与单级低频小信号放大器 章节练习（2015.6）一、判断题（对的打“√”，错的打“×” ）1、为使三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压；（ ）2、无论是哪种三极管，当处于放大工作状态时，b 极电位总是高于e 极电位，c 极电位也总是高于b 极电位；（ ）3、三极管的发射区和集电区是由同一种类半导体（N 型或P 型）构成的，所以e 极和c 极可以互换使用；（ ）4、三极管的穿透电流I CEO 的大小不随温度而变化；（ ）5、三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减小；（ ）6、对于NPN 型三极管，当V BE ﹥0时，V BE ﹥V CE ，则该管的工作状态是饱和状态；（ ）7、已知某三极管的发射极电流I E ＝1.36mA ，集电极电流I C ＝1.33mA ，则基极电流I B ＝30μA ；（ ）8、某三极管的I B ＝10μA 时，I C ＝0.44mA ；当I B ＝20μA 时，I C ＝0.89mA ，则它的电流放大系数β＝45；9、三极管无论工作在何种工作状态，电流I E ＝I B ＋I C ＝（1＋β）I B 总是成立；（ ）10、由于三极管的核心是两个互相联系的PN 结，因此可以用两个背靠背连接的二极管替换；（ ）11、三极管是一种电流控制器件；（ ） 12、同一只三极管的β和β数值上很接近，在应用时可相互代替；（ ）13、共发射极放大器的输出电压信号和输入电压信号反相；（ ） 14、交流放大电路之所以能实现小信号放大，是由于三极管提供了较大的输出信号能量；（ ） 15、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响；（ ） 16、在单管放大电路中，若V G 不变，只要改变集电极电阻R C 的值就可改变集电极电流I C 的值；（ ）17、三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量用来表示静态工作点，交流分量用来表示信号的变化情况；（ ）二、选择题1、万用表测得一PNP 型三极管三极电位分别有V C =3.3V ，V E =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区 2、测得某三极管三个极在放大电路中的对地电压分别为6V 、4V 、3.3V ， 则该三极管是（ ）A ．硅材料的NPN 管B ．硅材料的PNP 管C ．锗材料的NPN 管D ．锗材料的PNP 管3、三极管放大器设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管（ ） A ．发射结为反向偏置 B ．集电结为正向偏置 C ．始终工作在放大区4、在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压可表示为（ ） A ．0c c v i R = B ．0c c v i R =- C ．0c c v I R = D ．0c c v I R =-5.已知工作在放大区的某硅晶体三极管的三个电极电位如题5图所示，则a 、b 、c 三个电极分别为( )A 、集电极、发射极、基极B 、集电极、基极、发射极C 、发射极、集电极、基极D 、基极、集电极、发射极 6、采用分压式偏置电路可以（ ）。
3极管的三种工作状态判断例题及解析
3极管的三种工作状态判断例题及解析
三极管有三个工作状态：截止状态、放大状态和饱和状态。
以下是一些判断三极管工作状态的例题及解析：
例题1：
题目：已知某晶体管处于放大状态，测得其三个电极的电位分别为6V、9V 和，则9V电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管放大电路的特点，基极电位处于两个集电极电位之间，且基极电位比发射极电位高左右。
根据给定的电位值，可以判断出6V为发射极电位，为基极电位，剩下的9V则为集电极电位。
因此，正确答案是B. 集电极。
例题2：
题目：已知某晶体管处于饱和状态，测得其三个电极的电位分别为、和，则电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管饱和状态的特点，基极电位与集电极电位接近或相等，且均高于发射极电位。
根据给定的电位值，可以判断出为发射极电位，为基极电位，剩下的则为集电极电位。
因此，正确答案是B. 集电极。
例题3：
题目：已知某晶体管处于截止状态，测得其三个电极的电位分别为5V、0V 和5V，则0V电位的电极应为（）。
A. 基极
B. 集电极
C. 发射极
解析：根据三极管截止状态的特点，基极电位和集电极电位均为高电位，而发射极电位为低电位。
根据给定的电位值，可以判断出5V为两个集电极电位中的一个，而另一个5V则为基极电位，剩下的0V则为发射极电位。
因此，正确答案是C. 发射极。
电子线路单元测试题(三极管部分)
电子线路单元测试题（三极管部分）根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一判断题：（每题2分，共46分）1.晶体三极管的集电极和发射极不可互换使用。
（）2.晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结反偏，发射结正偏。
（）3.三极管按半导体材料分为NPN型和PNP型。
（）4.晶体三极管工作在放大状态时，如同开关闭合。
（）5.三极管相当于两个反接的二极管，所以任何一极断开后还可以作为二极管使用。
（）6晶体三极管具有两个PN结，二极管具有一个PN结，因此可以把两个二极管反向连接起来当作一只三极管使用（）7.放大状态，饱和状态，截止状态称为晶体三极管的三种工作状态。
（）8. NPN型三极管是由硅材料制成的。
（）9. NPN型三极管工作在放大状态，三个极的电位必须符合不等式UC >UB>UE（）10.三极管具有三个极，分别为：基极 (B)，集电极(C)，发射极(E)。
（）11.β称为交流电流放大系数，它表示三极管放大交流电流的能力（）12三极管的电流放大作用指的是在一定条件下流过集电极电流IC 是基极电流IB的若干倍.（）13.有人用直流电压表测量某放大状态的晶体管的UBE=0.3V，则判断为硅型三极管。
（）14. 三极管的β值,在电路中一般取30到80为宜。
（）15.三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）16.三极管中电流分配关系是：IE =IC+IB（）17.三极管构成的放大电路有：放大、饱和、截止三种连接形式。
（）18. 三极管极间正向饱和电流随温度而改变。
（）19.场效应管具有热稳定性好、输入电阻高、易集成、成本低等优点。
（）20.三极管极间反向饱和电流随温度而改变。
（）21.β称为直流电流放大系数，它表示三极管放大直流电流的能力（）22. 三极管构成的放大电路有三种组态为：共发射极组态、共集电极组态和共基极组态. （）23. 三极管中电流分配关系是：发射极电压等于基极电压和集电极电压之和. （）二选择题：（每题2分，共54分）1.实现晶体三极管放大的条件是（）A. 发射极，集电结均反偏B. 发射结正偏，集电结反偏C. 发射结，集电结均正偏Ｄ. 发射结反偏，集电结正偏2.满足△IC=β△IB的关系时，三极管一定工作在（）A.截止区B.放大区Ｃ.饱和区Ｄ.以上都可以3.测得三极管ib=30μA时ic=2.4mA而ib=40μA时ic=3mA，则该管的交流电流放大系数β为（）A. 60B. .75 C 80 Ｄ.1004.有a ,b两只三极管，a管β=120 、ICEO=200mA, b管β=50 、ICEO=5mA，其它参数相同，应选用（）管比较合适A.aB.b Ｃ.a 、b同样适合Ｄ. a 、b都不适合5.测得工作在放大状态的某三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别为：（）A.0.03mA 流进三极管 c、e、bB.0.03mA 流出三极管 c、e、bC.0.03mA 流进三极管 e、c、bD.0.03mA 流出三极管 e、c、b6.测得电路中晶体三极管各电极相对于地的电位如图，从而可判断该晶体管工作在（）A.饱和状态B.放大状态C.倒置状态Ｄ.截止状态7.测得电路中晶体管各极相对于某一参考点的电位如图，该晶体管工作在（）A. 倒置状态B. 饱和状态C. 放大状态Ｄ.截止状态8.NPN型晶体管工作在放大状态，三个极电位的关系是（）。
2章习题答案
2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。
（A ．正向偏置，B ．反向偏置，C ．零偏置） 2. NPN 和PNP 型三极管的区别取决于 D 。
（A ．半导体材料硅和锗的不同，B ．掺杂元素的不同，C ．掺杂浓度的不同，D ．P 区和N 区的位置不同）3. 三极管的共射交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I B 变化量（或ΔI B ）之比，共基交流电流放大系数定义为I C 变化量（或ΔI C ）与I E 变化量（或ΔI E ）之比。
已知某三极管的＝，那么该管的99 。
4. 三极管的I CBO 是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；I CEO 是指基 极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5. 随着温度升高，晶体管的穿透电流CEO I A 。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）6．对于同一个三极管来说，CBO I A CEO I ；BR(CBO)V B BR(CEO)V 。
（A ．小于， B ．大于，C ．等于）7. V CE 增加时，晶体管的共射极输入特性曲线_ A __，V CE 达到1V 以后，输入特性曲线_C___。
（A ．右移， B ．左移，C ．不变）8. 已知某三极管的P CM ＝800mW ，I CM ＝500mA,，BR(CEO)V ＝30V 。
若该管子在电路中工作电压V CE ＝10V ，则工作电流I C 不应超过 80 mA ；若V CE ＝1V ，则I C 不应超过 500 mA 。
若管子的工作电流I C ＝10mA ，则工作电压V CE 不应超过 30 V ；若I C ＝200mA ，则V CE 不应超过 4 V 。
9. N 沟道和P 沟道场效应管的区别在于 C 。
（A ．衬底材料前者为硅，后者为锗， B ．衬底材料前者N 型，后者为P 型，C ．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）10. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
晶体三极管和场效应管试题及答案
晶体三极管和场效应管试题及答案一、单选题1.如图所示各特性曲线中，N沟道增强型MOS管的转移特性曲线是A、B、C、D、【正确答案】：D2.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管【正确答案】：A3.用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是A、B、C、D、【正确答案】：B4.某场效应管的符号如图所示，可判断该管为A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道耗尽型场效应管D、P沟道耗尽型场效应管【正确答案】：A5.下列说法中正确的是A、体现晶体三极管电流放大特性的公式是B、硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VC、锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1VD、晶体三极管具有能量放大作用【正确答案】：C6.射极输出器的主要特点是A、电压放大倍数略大于1，输入电阻高，输出电阻低B、电压放大倍数略大于1，输入电阻低，输出电阻高C、电压放大倍数略小于1，输入电阻高，输出电阻低D、电压放大倍数略小于1，输入电阻低，输出电阻高【正确答案】：C7.把射极输出器用作多级放大器的第一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力【正确答案】：B8.万用表测得三极管时，；时，，则该管的交流电流放大系数为A、100B、80C、75D、60【正确答案】：D9.NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是A、B、C、D、【正确答案】：D10.测得晶体三极管=30μA时,=2.4mA；=40μA时,=3mA；则该管的交流电流放大系数为A、75B、80C、60D、100【正确答案】：C11.硅材料三极管的饱和压降是A、0.1vB、0.3vC、0.5vD、0.7v【正确答案】：B12.场效应管的极限参数的有A、最大漏极电流B、击穿电压C、最大耗散功率D、低频跨导【正确答案】：A13.某放大管的三极电流参考方向都是流入管内，大小分别为：。
三极管MOS管复习题
习题3客观检测题一、填空题2. 三极管的发射区 杂质 浓度很高，而基区很薄。
5. 处于放大状态的晶体管，集电极电流是 少数载流 子漂移运动形成的。
6. 工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 100 。
8. 双极型三极管是指它内部的 参与导电载流子 有两种。
9. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 正向 偏置，集电结保持 反向 偏置。
11. 为了使高内阻信号源与低电阻负载能很好的配合，可以在信号源与低电阻负载间接入共集电极 组态的放大电路。
12. 题图3.0.1所示的图解，画出了某单管共射放大电路中晶体管的输出特性和直流、交流负载线。
由此可以得出：（1）电源电压CC V = 6V ；（2）静态集电极电流CQ I = 1mA ；集电极电压CEQ U = 3V ； （3）集电极电阻C R = 3kΩ ；负载电阻L R = 3kΩ ；（4）晶体管的电流放大系数β= 50 ，进一步计算可得电压放大倍数v A = －50 ；（'bb r 取200Ω）；（5）放大电路最大不失真输出正弦电压有效值约为 1.06V ；（6）要使放大电路不失真，基极正弦电流的振幅度应小于 20μA 。
13. 稳定静态工作点的常用方法有 射极偏置电路 和 集电极－基极偏置电路 。
14. 有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A 和B ，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A 放大器的输出电压小，这说明A 的输入电阻 小 。
15. 三极管的交流等效输入电阻随 静态工作点 变化。
16. 共集电极放大电路的输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
17. 放大电路必须加上合适的直流 偏置 才能正常工作。
18. 共射极、共基极、共集电极 放大电路有功率放大作用； 19. 共射极、共基极 放大电路有电压放大作用； 20. 共射极、共集电极 放大电路有电流放大作用；21. 射极输出器的输入电阻较 大 ，输出电阻较 小 。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
2三极管及放大电路测试题解读
be b t t r u i ωω≈=
=
804.26sin (
0.34sin ( c b i i t A t m A b w w m ==?
V (sin 46. 1 mA (sin 34. 0k Ω3. 4C c o ce t t R i u u ωω-≈⨯-=-==
故
V
u
A ≈1，输出电阻小。(
L
( a
L
( b
L
( c
？？？12.图示电路（）
A．等效为PNP管B．等效为NPN管C．为复合管，其等效类型不能确定D
13.图示电路（）
A．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1 B．等效为NPN管，电流放大倍数约为β2 C．连接错误，不能构成复合管D．等效为PNP管，电流放大倍数约为β1β2
be b i 1R βr R R +++= c
o R R =
2．(e be b i 1R βr R R +++=
βr R R R ++=1//
be b e o 3．
b b e
i e 1R r R R β
+=+
+ c
o
R R =
u
7、为使电路中的硅晶体管工作在临界饱和状态（C E V 0.7U =），b R应为多大？为了增
答：发射、集电、集电、基
6、某两级三极管放大电路，测得输入电压有效值为2mV，第一级和第二级的输出电压有效值均为0.1V，输出电压和输入电压反相，输出电阻为30Ω，则可判断第一级和第二级放大电路的组态分别是和。
答：共射极、共集电极
四、计算分析题
放大电路练习题及答案
一、填空题/.射极输出器的主要特点是电压放大倍数小于而接近于人输入电阻髙、输出电阻低°2三极管的偏宜情况为发射结正向偏宜，集电结反向偏宜时,三极管处于饱和状态。
M射极输出器可以用作多级放大器的输入级，是因为身寸极输出器的输入电阻高。
4.射极输岀器可以用作多级放大器的输出级，是因为射极输出器的输出电阻低。
5.常用的静态工作点稳泄的电路为分压式偏巻放大电路。
6.为使电压放大电路中的三极管能正常工作，必须选择合适的静态工作点。
7.三极管放大电路静态分析就是要计算静态工作点，即计算生、仝、%三个值。
f.共集放大电路（射极输出器）的集电极极是输入、输出回路公共端。
乡.共集放大电路（射极输出器）是因为信号从发射极极输出而得需。
（）10.射极输出器又称为电压跟随器，是因为其电压放大倍数电压放大倍数接近于7 °画放大电路的直流通路时，电路中的电容应断开°12.画放大电路的交流通路时，电路中的电容应短路。
12.若静态工作点选得过高，容易产生饱和失真。
14.若静态工作点选得过低，容易产生截止失真。
15.放大电路有交流信号时的状态称为动态。
16.当输入信号为零时,放大电路的工作状态称为静态。
17.当输入信号不为零时,放大电路的工作状态称为动态。
疗.放大电路的静态分析方法有估算法、图解法。
冷放大电路的动态分析方法有微变等效电路法、图解法-%•放大电路输出信号的能量来自直流电源。
二、选择题1、在图示电路中，已知如尸1刘、晶体管的=20、R b = 100& Q »当U严0V时，测得论=om、若要基极电流则爲为—4Q 0 «"465 & 565 ©QOO T）. 3006 ------------------ ——62在图示电路中，已知仇“=1创、晶体管的=20、若测得%少=勿，则心£.40.6 -D. 300a ----------------- ——6又在图示电路中，已知啦饥=1细.晶体管的=20、 /?B = 100 k Q o当U\ = g时，测得％惑=。