采用老化新方法 提高钽电容器可靠性
采用老化新方法 提高钽电容器可靠性
提高钽电容器可靠性的一种方法钽电解电容器是电子信息工业中应用广泛的基础元件,在电路中起到耦合、滤波、降噪等功能,具有漏电流小,高温稳定性好,频率特性好、可靠性高等优点。
老化是钽电容器生产过程中关键工序,目的是使具有轻缺陷的电容器自愈恢复,有重缺陷的电容器提前失效淘汰。
自愈是钽电容器的特性,具有较多缺陷的电容器在限制电流的老化过程中也发生自愈,但其可靠性会降低,易发生早期失效。
本文就电容器自愈机理、传统老化方法的缺陷以及为改进老化方法而设计电路,提高钽电容器早期筛选效率和钽电容器可靠性方面进行讨论和分析。
一电容器老化自愈机理钽电容器有多种类型,它是以钽金属粉末烧结体为阳极,经过电化学氧化在钽金属上生成电介质氧化膜Ta2O5,其中以MnO2为阴极电解质的称固体钽电容器,以高分子聚合物为阴极电解质的是聚合物钽电容器,以液体为阴极电解质的称液体钽电容器,在加载老化过程中都会发生不同程度的自愈:固体钽电容器的阴极板是MnO2沉积在Ta2O5电介质表面,Ta2O5电介质是在钽金属表面阳极氧化生成,Ta2O5电介质膜上总会有微小疵点,当电容器在加载下漏电流会集中流过介质中小疵点处。
集中的电流会引起细微部分的温度明显升高。
当局部MnO2的温度超过380℃它开始释放氧,变成具有较高电阻率的还原态,如Mn2O3。
2MnO2---→Mn2O3 +O此时通过疵点的电流被限制,我们称这种效应为自愈 [1],MnO2 的电阻率在(1-10ohm/cm3)而Mn2O3的电阻率(106-107ohm/cm3)。
当MnO2受热释放氧然后转变成Mn2O3的过程需要很少的时间,但不会立即发生,前提是电路电流是否被限制是关键。
当电介质膜上疵点部位比较多,同时电路中电阻值很低,流入电容器疵点的电流没有限制,电流不断增加温度持续升高MnO2开始释放氧,大约在500℃左右,疵点处的Ta2O5电介质从绝缘的非晶态型转变为导电的晶态型,能通过更多电流和产生更高的温度,向周围迅速扩散。
片式钽电容器漏电流可靠性研究
电子测量0 引言随着越来越多的电子设备朝小型化、集成化方向发展,片式钽电容器因其贴片化、大容量、低漏电流、低损耗、高可靠性等诸多优良性能,在通讯设备、计算机、汽车电子等都有着广泛的应用。
通常,片式钽电容器失效原因主要有:开路、短路、功能丧失、参数变化等,其中,短路所占比例最大。
短路主要表现为漏电流超标。
因此,解决漏电问题是提高片式钽电容器可靠性的关键。
本文主要针对片式钽电容漏电流问题,分析了影响漏电流大小的因素和失效模式,提出了相应的改进措施。
1 片式钽电容器漏电流简介当电容器施加直流电压时,充电电流开始很大,逐渐随时间而下降到某一值后达到较稳定的状态,这个值称为漏电流。
一般漏电流最大容许值表达公式为:Io=KCU式中Io——漏电流容许值(μA); K——漏电流常数,片式钽电容一般为0.01; C——电容器的额定电容量(μF); U——电容器的额定电压(V)。
电容器的漏电流主要是因介质的绝缘电阻不是无限大和介质存在的缺陷(杂质)产生的。
因此漏电流表征电容器的绝缘质量,是片式钽电容器中最重要的电气参数,相当于其他类型电容器的绝缘电阻值[1]。
2 影响片式钽电容器漏流的因素影响片式钽电容器漏电流大小的因素有很多,大致可以分为两个方面:一是电容器制造工艺的影响;二是使用条件的影响。
■2.1 电容器制造工艺的影响2.1.1 钽粉纯度的影响钽粉的纯度直接影响片式钽电容器的质量,影响漏电流大小。
钽粉在制造过程中不可避免的会引入杂质,主要有铁系金属、碳(C)、氢(H)和氧(O)、氮(N)和硅(Si)等杂质。
片式钽电容器在生产过程中,使用的不锈钢容器会造成铁系金属混入钽粉,其含量如果大于250ppm,漏电流就会急剧增加。
由于铁系金属熔点比较低,真空烧结时可以有效的减少其含量。
碳是钽粉中混入较多的杂质,主要是作为钽的碳化物存在,影响漏电流。
氢和氧极易被钽粉吸附,真空烧结时,氢气大部分可以释放出去,但吸附于钽粉表面的氧会向钽内部扩散,过剩的氧与钽粉发生化学反应产生Ta2O5,造成漏电流增大。
钽电容知识总结(结构工艺参数选型)
一、钽电容简介和基本结构固体钽电容是将钽粉压制成型,在高温炉中烧结成阳极体,其电介质是将阳极体放入酸中赋能,形成多孔性非晶型Ta2O5介质膜,其工作电解质为硝酸锰溶液经高温分解形成MnO2 ,通过石墨层作为引出连接用。
钽电容性能优越,能够实现较大容量的同时可以使体积相对较小,易于加工成小型和片状元件,适宜目前电子器件装配自动化,小型化发展,得到了广泛的应用,钽电容的主要特点有寿命长,耐高温,准确度高,但耐电压和电流能力相对较弱,一般应用于电路大容量滤波部分。
2.1.基本结构下图为MnO2为负极的钽电容下图为聚合物(Polymer)为负极的钽电容二、生产工艺按照电解液的形态,钽电解电容有液体和固体钽电解电容之分,液体钽电解用量已经很少,本文仅介绍固体钽电解的生产工艺。
固体钽电解电容其介质材料是五氧化二钽;阳极是烧结形成的金属钽块,由,目前最新的是采用聚合物作为负极材料,性钽丝引出,传统的负极是固态MnO2。
能优于MnO2钽电解电容有引线式和贴片两种安装方式,其制造工艺大致相同,现在以片钽生产工艺为例介绍如下。
一、生产工艺流程图成型烧结试容检验组架赋能涂四氟被膜石墨银浆上片点胶固化点焊模压固化切筋喷砂电镀打标志切边漏电预测老化测试检验编带入库二、主要生产工序说明(一)成型工序:该工序目的是将钽粉与钽丝模压在一起并具有一定的形状,在成型过程中要给钽粉中加入一定比例的粘接剂。
1、什么要加粘接剂?为了改善钽粉的流动性和成型性,避免粉重误差太大,另外避免钽粉堵塞模腔。
低比容粉流动性好可适当多加点粘接剂,高比容粉流动性差可适当少加点粘接剂。
2、加了太多或太少有什么影响?如果太多:脱樟时,樟脑大量挥发,易导致钽坯开裂、断裂,瘦小的钽坯易导致弯曲。
如果太少:起不到改善钽粉流动性的作用。
拌好后的钽粉如果使用时间较长,因为樟脑是易挥发物品,可适量再加入一点粘和剂。
樟脑的加入会导致钽粉中杂质含量增加,影响漏电。
每天使用完毕,需将钽粉装入聚四氟乙烯瓶或真空袋内密封保存,以防樟脑挥发、钽粉中混入杂质、钽粉中吸附空气中的气体。
固体钽电容器可靠性提高途径和方法分析
固体钽电容器可靠性提高途径和方法分析前言:固体钽电容器以其出现色的高低温特性而成为使用者在工作条件恶劣时的首选,但其可靠性由于钽电容器固有的缺陷而受到影响。
特别是使用在高温和高浪涌时,产品的可靠性受到突然失效的威胁非常大。
因此,提高固体钽电容器可靠性是我们非常重要的努力目标。
1 固体钽电容器失效方式分析一个合格的固体钽电容器在工作状态如果发生失效,基本的失效模式如下;1.1 过压失效钽电容器使用在电路中时,在正常的工作电压以外,还要受到浪涌电压和电流的冲击。
因此,工作时时实际加在产品上的电压=浪涌电压+工作电压+交流纹波电压。
由于使用电路中的阻抗不一样,因此,当电路阻抗较低时,实际的浪涌电压在瞬间可以达到1.5-2.5倍的稳态工作电压。
因此,使用在低阻抗电路中时,考虑到开关瞬间的浪涌冲击电压会远超过产品容许承受的电压冲击,因此稳态的工作电压不能超过额定值的1/3。
否则,产品就非常容易出现瞬间的过压而击穿。
因此,在电路设计时必须为不断产生的浪涌留出电压余量。
在具体使用时,由于电路产生的热量积聚,产品工作时环境温度有可能达到50度以上,因此实际使用电压必须考虑到温度升高会导致产品的漏电流增加的问题。
因此实际使用电压应该更低。
在不同温度下产品应该使用的工作电压和失效率关系如下;由于钽电容器漏电流随温度的增加而增加。
工作在温度较高时,最大工作电压Vmax必须降额,合适的降额幅度可以从下面的公式中求得:式1:Vmax=( 1-(T-85)/125)×V R这里:T 是要求的工作温度值得注意的是上述公式只适用于高阻抗电路。
同时上述公式并没有考虑交流分量和浪涌的影响,因此当使用温度较高时,必须使用更大的降额电压才电阻能稳定可靠地工作如果只强调温度和电压,固体钽电容器的现场故障率可以从下面的表达式中计算出来:式2:λ=λ0(V/V0)3×2(T-T0)/10这里:λ:实际工作条件下的故障率。
高分子片式钽电容器的应用问题分析
高分子片式钽电容器的应用问题分析传统的片式钽电容器阴极为电子电导型的二氧化锰,由于二氧化锰是一种半导体,因此,此类片式钽电容器的阻抗较高。
由于电容器阻抗ESR[也叫等效串联电阻]和电容器的容量CR及测试或使用频率有如下数学关系;ESR=Tgδ/2πfC R式中;ESR 为等效串联电阻,单位为欧姆。
Tgδ为产品损耗。
单位为%π为3.14159265f为测试频率.单位是H ZC R为该只电容器的额定容量因此,当该只电容器的本身ESR较大时,电容器可以工作的滤波频率范围就受到严格限制.因为该只电容器的谐振频率f0将较低.因此该电容器可以应用的频率范围就较低.见下式;电容器的谐振频率与电容器各参数间的数学关系如下;f0=1/2πRC式中; f0为该只阻抗和容量一定的电容器的谐振点.单位为H Zπ为3.14159265C为该只电容器的实际测试容量R为等效串联电阻,单位为欧姆任何一只电容器的各参数间都有上述的数学关系,因此,不同种类的电容器适合于不同滤波频率的电路.当电容器的参数与电路参数不匹配时,该电容器会失效或滤波效果不佳.电子技术的进步来源于工作频率的不断增加,这样,任何一种电子产品的功能才能更强大,在一定的时间内能够处理的信号的速度才能更快.因此,整机技术的进步决定了电容器的可适用工作频率范围也必须扩大,特别是滤波电路里使用的片式钽电容器和其它种类的电容器,其工作频率范围决定了其适应的电路类型甚至市场空间.为了使片式钽电容器能够使用在更高频率的滤波电路里信号失真度更小,现在的片式钽电容器的阴极改为一种能够导电的高分子材料-聚噻吩. 聚噻吩是一种新型导电聚合物,其高温稳定性优良,电阻率接近普通金属,由于片式钽电容器的阻抗有很大一部分来自于阴极材料的自有阻抗,因此,使用高导电率聚噻吩作阴极的片式钽电容器的自有高频阻抗ESR可以大幅度地降低数倍甚至一个数量级.这样,使用高分子作阴极的片式钽电容器就可以使用在工作频率更高的滤波电路.由于聚噻吩属于典型的导电有机物,因此,其具有的有机物物理特征又使片式钽电容器的基本性能发生了很多变化;1.可以使用到工作频率更高的滤波电路.2.由于高分子材料呈软态,因此,当电路中瞬间产生的电脉冲或电压及电流浪涌时,压电效应导致的介质层晶体位移不会与阴极产生突然的挤压效应而破裂,因此,使用在此类滤波电路中,高分子片式钽电容器不需要大幅度降额;低压产品只需要降额10%,高压产品只需要降额20%就可以在此类电路中获得更高的可靠性.3.在出现意外的击穿现象时,高分子产品不会象二氧化锰阴极的片式钽电容器那样会迅速爆炸甚至燃烧,其安全性较佳.但是,高分子产品短路时不爆炸燃烧的特性同时也会带来其它问题,当短路发生时,它不会像普通片式电容器一样迅速先短路马上又开路,而是一直处于短路状态,必须长时间存在更大的多的电流才能烧毁.因此,如果发生失效问题,必须迅速拆除该只产品才能使电路恢复正常,否则,只要电路处于有电状态,电路一直会处于短路状态而不能重新启动.高分子片式钽电容器的开发主要是为了使其能够使用在工作频率更高的滤波电路,当使用到大功率的储能充放电电路里时,必须充分考虑到其一旦短路不能够迅速断开的固有缺陷.同时,必须考虑到不同电路类型对电容器基本性能的不同要求.使用在大功率充放电电路里的电容器必须满足如下要求;1. . 该电容器必须具有尽可能低的直流漏电流;钽电容器的漏电流和实际耐压及其绝缘电阻之间存在如下数学关系;I=UR/R上式是欧姆定律的数学表达式,但是,对于钽电容器, I表示的是该产品的实际漏电流而不是导体中通过的电流,UR是该产品的实际耐压而不是电路中实际施加的电压,R是该产品的实际绝缘电阻而不是该产品的电阻. 这些实际内容上的区别非常重要.从上式中,我们可以推导出这样的规律;当漏电流偏大时,产品的实际绝缘电阻就会下降,同时,该产品的实际耐压也会下降.同样的道理,如果实际漏电流较小的产品,其绝缘电阻也将较高,其实际耐压也会更高. 此规律在高温时对钽电容器的可靠性意义重大; 当高温时该产品的实际漏电流较大时,其实际耐压就会大幅度下降,因此,高温时钽电容器的失效率就高得多. 因此,对钽电容器的可靠性影响最大的参数就是该产品的漏电流大小,特别是高温时该产品的漏电流变化率高低可以直接成为该产品可靠性高低的最主要的判定参数.在使用电压较高时,片式钽电容器的漏电流偏大的产品在进行频繁的大功率放电时会出现爆炸失效现象.作为T/R组件中的瞬时电源,为了保证电磁波发射的功率强度足够[可以探测的距离和强度成正比],施加到电容器上和电容器放电时的功率均较大,此时,如果漏电流偏大,非常容易导致击穿瞬间发生,从而造成该T/R组件功能失效.制约片式钽电容器的漏电流大小的条件主要是电容器生产厂家的工艺技术水平,在此方面,各家片式钽电容器生产商的实际生产水平相差巨大.但由于高分子片式钽电容器的标准对漏电流的要求较宽,因此,从简单的测试看,好象那家公司都能够生产出合乎标准的高分子片式钽电容器,而实际却不竟然,各家生产出的相同规格的高分子片式钽电容器的实际漏电流水平和可靠性水平相差非常大.如果使用厂家只是通过形式化的简单测试,根本发现不了其中的差别.因此,不断的失效问题就一直在困扰着电容器使用者.钽电容器在实际制造过程中,由于使用的原材料性能差异和工艺水平不同以及装备性能的不同,批量生产出的产品的性能尽管都符合标准规定,但实际上不同生产厂家生产的产品的性能存在明显的质量差异。
有机电解质片式钽电容器稳定性的提高
㊀基金项目:贵州省科技计划项目(黔科合平台人才[2019]5649)收稿日期:2019-12-24㊀㊀㊀通信作者:田东斌作者简介:田东斌(1977-),男,甘肃陇西人,高级工程师,博士,主要从事新型电子元器件的开发和电子材料研究㊂第39卷㊀第2期2020年2月电子元件与材料ELECTRONIC ㊀COMPONENTS ㊀AND ㊀MATERIALSVol .39No .2Feb .2020有机电解质片式钽电容器稳定性的提高田东斌,杨生川,敬通国,龙继云(中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司,贵州贵阳㊀550018)㊀㊀摘要:新一代信息技术的发展不仅要求有机固体电解质片式钽电容器的等效串联电阻(ESR )小,更需要在严酷环境中使用时电容量㊁ESR 和漏电流保持稳定㊂影响钽电容器稳定性的影响因素很多,其中界面稳定性是关键因素之一㊂为此,在此类电容器生产中引入一种新的界面预处理方法,即在介质氧化膜表面涂敷硅烷偶联剂预涂层,抑制介质氧化膜-聚合物界面的劣化㊂经过高低温㊁浪涌电压和125ħ-2000h 寿命测试,静电容量㊁漏电流和ESR 的稳定性有明显改善㊂试验结果表明,该界面预处理技术是制造高稳定性高压有机钽电容器非常有效的方法㊂关键词:界面处理;有机电解质;钽电容器;稳定性DOI :10.14106/j .cnki .1001-2028.2020.02.004中图分类号:TN 60㊀㊀㊀文献标识码:A ㊀㊀㊀文章编号:1001-2028(2020)02-022-05Improvement of stability of organic solid electrolyte chiptantalum capacitorsTIAN Dongbin ,YANG Shengchuan ,JING Tongguo ,LONG Jiyun(China Zhenhua (Group)Xinyun Electronic Components and Devices Co.,Ltd,Guiyang 550018,China)㊀㊀Abstract :The new electronic information technology development requires organic solid electrolyte chip tantalum capacitors not only with reduced ESR levels ,but also with improved ESR ,capacitance and leakage currents stability against harsh environmental conditions.For this purpose ,a novel interface process step was used in the production of the tantalum capacitors ,high -low temperature screening ,surge voltage and 125ħ-2000h life test demonstrate a significant stability improvement of the capacitance ,ESR and DC leakage currents.These results show the new process is a promising technique for highly reliable capacitor production.Key words :interface treatment ;organic electrolyte ;tantalum capacitor ;reliability㊀㊀钽电容器因具有很高的体积效率㊁良好的稳定性和可靠性,在电子电路的微型化发展中愈加显示出其独特的优势[1-3]㊂但钽电容器的微型化发展给生产制造增加了很大的难度,即在体积不变甚至减小的情况下增大电容量,提高电压㊂通常的解决方法是提高钽电容器阳极所用粉末的比容量,或者增大单位体积的粉末填充量等[4]㊂这些方法面临的共同问题是在后工序阴极被覆难度加大,很多电容器的容量引出率减小,甚至仅有60%~70%,导致电容器耐压性能降低,给电容器的稳定性,特别是严酷环境中使用时的稳定性带来很大的隐患㊂为了提高此类产品的容量引出率,提高钽电容器的稳定性,在保证不影响电容器其他参数的情况下,研究人员对电容器的加工制造技术做了很多改进,其中电介质界面预处理是效果较好的一种,已成为一种通用且非常关键的技术[5-6]㊂但目前有关高压(额定电压35V 及以上)固体电解质钽电容器的界面预处理技术鲜有报道,而随着高压,特别是高压大容量电容器的不断开发,界面预处理技术成为行业工艺技术探索的重点和难点㊂本文利用硅烷偶联剂对介质氧化膜-导第39卷㊀第2期23㊀电聚合物界面进行处理,针对高压产品进行了大量的材料配方和工艺尝试,并经过大量的可靠性试验检验㊂试验结果表明,界面预处理不仅可以提高钽电容器的容量引出率和电介质-聚合物界面的粘结强度,而且能够改善高压电容器在高温寿命㊁高低温筛选等试验中漏电流和电容量的稳定性㊂1㊀试验1.1㊀界面处理以35V-47μF和100V-6.8μF的CAK55型有机固体电解质片式钽电容器为代表规格,使用硅烷偶联剂的水溶液作为预处理液,对这两个规格的其中一组产品进行处理,作为CPS;另一组用生产线上同样规格的产品进行测试,作为TPS㊂CPS通过浸渍硅烷偶联剂的水溶液,然后干燥的方式在介质氧化膜表面涂覆界面处理层,在预涂层上形成导电聚合物膜层,再进行相关工序的操作,模压分装后形成成品;TPS直接在介质氧化膜界面形成导电聚合物膜层,再进行与上述相同的操作㊂用TT705-5高低温箱进行温度循环试验;用定制浪涌电压测试机进行浪涌电压测试;用TH03-3008鼓风干燥箱和IGFN-10A/200V直流稳压电源进行寿命试验;用Agilent E4980A精密LCR表测试等效串联电阻(ESR),用TH2615E型电容测试仪测试电容量和介电损耗,用TH2686C型漏电流测试仪测试漏电流(LC)㊂用S-3000N扫描电镜及能谱分析仪和尼康L300N金相显微镜进行表面形貌分析㊂1.2㊀电容器稳定性试验按正常工艺要求完成老炼㊁老化㊁浪涌㊁高低温筛选等测试,然后进行可靠性试验㊂重点选取试验中容易发生故障的几个环节进行讨论分析,包括高低温循环试验,循环条件为-55~125ħ,连续循环10次,分别测试25,-55,25,85,125,25ħ几个温度点的电参数;浪涌电压,试验条件为85ħ,空气环境,1.3倍额定电压,充放电时间30s, 1000次循环,测试室温电参数;以及125ħ空气环境,0.67倍额定电压,进行2000h寿命试验,测试室温电参数,重点测试电容量㊁漏电流和等效串联电阻(ESR)的变化㊂2㊀讨论与分析2.1㊀界面填充界面预处理技术就是利用有机或无机材料对界面进行预涂覆,以便降低涂覆溶液的表面张力,提高涂覆溶液在多孔体内的浸透性,增强两种膜层之间的粘结强度,从而改善膜层之间界面状态的方法㊂硅烷偶联剂是一种常用的表面处理材料,是一类含硅基的有机/无机杂化物,其基本分子式为:Rᶄ(CH2)n Si(OR)3㊂其中OR是水解的基团, Rᶄ是有机官能团,在水溶液中以水解的形式存在:-Si(OR)3+3H2OңSi(OH)3+3ROH水解后通过Si OH基团与氧化物表面的Me OH基团(Me表示金属)发生缩水反应,在氧化物表面上形成Si O Me的共价键而快速吸附于氧化物表面[7-8],而另一端形成亲水性的羟基OH-,增强水性溶液的渗透性,反应式为:SiOH+MeOHңSiOMe+H2O在氧化膜与导电聚合物材料之间添加硅烷偶联剂,可以使电容器的力学性能㊁电性能以及导电聚合物的抗老化性能得到改善㊂图1(a)㊁(b)分别为35V-47μF和100V-6.8μF钽芯子表面预涂硅烷偶联剂后的光学显微照片,介质表面光滑,并且填充微孔,显微镜下显示类似片型;图1(c)㊁(d)分别为上述两个规格介质氧化膜表面的光学显微照片,介质氧化膜表面微孔较多,漫反射更强而显示暗淡㊂此外,预涂效果与介质氧化膜的表面形貌有关,图1(a)中介质氧化膜表面形貌均匀,硅烷偶联剂的涂覆相对平整㊂图1(b)中高压电容器形成的介质氧化膜表面粗糙,而且包含有一些晶化点,部分晶化点因为应力作用而导致介质氧化膜破裂,硅烷偶联剂更容易在破裂点沉积而形成较大的亮斑㊂可见硅烷偶联剂能够将缺陷点进行填充,甚至包裹,从而有效隔离缺陷点与导电聚合物膜层的接触,能够有效改善电容器的漏电流㊂图2(a)㊁(b)分别为35V-47μF和100V-6.8μF钽芯子表面预涂硅烷偶联剂后的SEM照片㊂硅烷偶联剂是一种无色透明的粘附剂,固化后能够紧紧粘附在介质氧化膜的表面,起到 保护 氧化膜的作用㊂从SEM照片可以看出,涂覆前后氧化膜的形状和形貌没有任何变化㊂图2(c)㊁(d)分别为35V-47μF和100V-6.8μF介质氧化膜表面的SEM照片,对比图2(a)~(d)涂覆前后介质氧化膜表面形貌特征,涂覆硅烷偶联剂不会引起表面状态的显著变化㊂称量35V-47μF和100V-6.8μF电田东斌等:有机电解质片式钽电容器稳定性的提高24㊀Vol .39No .2Feb .2020容器处理前后质量,平均分别增加0.21和0.33mg ,根据电容器公式估算,吸附硅烷偶联剂的厚度仅有纳米量级,最多几个纳米,高比容粉粒的吸附厚度不到一个纳米㊂可见,硅烷偶联剂能够均匀粘附在介质氧化膜表面,厚度不足以影响被覆溶液的渗透,从而这种 分子桥 结构能够有效提高介质氧化膜与聚合物层的粘结强度,同时也提高聚合物溶液在微孔内的渗透性,提高电容器的稳定性㊂(a)35V -47μF 界面预处理后表面;(b)100V -6.8μF 界面预处理后表面;(c)35V -47μF 介质氧化膜表面;(d)100V -6.8μF 介质氧化膜表面图1㊀光学显微照片Fig.1㊀Optical microscope photographs2.2㊀性能测试2.2.1㊀高低温测试高低温容量稳定性是表征聚合物钽电容器质量一致性的非常重要的参数之一㊂一般锰系钽电容器高低温容量都有10%~20%的浮动,聚合物钽电容器的浮动通常为10%~30%[9],个别产品的增减幅度甚至更大㊂图3(a )㊁(b )分别为35V -47μF 和100V -6.8μF 聚合物钽电容器高低温容量的变化㊂由图3(a )可见,经过界面预处理,125ħ时容量变化量有很大的改善,而且容量增加的幅度显著减小,表明电容器在高低温筛选后容量变化的稳定性有较大改善㊂这归因于界面预处理增强了介质氧化膜-聚合物的界面粘结强度和抗击应力冲击的能力,聚合物在介质氧化膜界面的覆盖率整体提高,有效缓解了高低温变化时因热膨胀系数不匹配而引起的剥离,以及填充不充分造成的破坏㊂图3(b )为100V -6.8μF 电容器容量随温度变化的曲线图,CPS 和TPS 的高温容量变化差异不明显,但经界面预处理后的产品的高温容量变化量的均匀性明显较好㊂即界面预处理对维持聚合物钽电容器高低温容量稳定性具有明显效果,容量越大,改善效果越明显㊂(a)35V -47μF 界面预处理后表面;(b)100V -6.8μF 界面预处理后表面;(c)35V -47μF 介质氧化膜表面;(d)100V -6.8μF 介质氧化膜表面图2㊀钽芯子表面的SEM 照片Fig.2㊀SEM photos of tantalum coresurface(a)35V -47μF;(b)100V -6.8μF图3㊀高低温容量稳定性Fig.3㊀Stability of capacitances at high -low temperature test田东斌等:有机电解质片式钽电容器稳定性的提高第39卷㊀第2期25㊀2.2.2㊀浪涌测试浪涌电压是电容器使用过程中经常遇到的可靠性影响因素,电容器经过浪涌冲击后很容易导致漏电流增大,甚至短路失效㊂同时诱发聚合物退化,电容器ESR 剧增[10-11]㊂图4(a )为100V -6.8μF 和35V -47μF 聚合物钽电容器在85ħ,1.3倍额定电压,30s 充放电时间,1000次浪涌电压测试后的漏电流分布㊂图4(a )显示经过界面预处理,电容器承受浪涌冲击的能力增强,特别是100V -6.8μF 电容器在高电压冲击后,漏电流能保持稳定,35V -47μF 电容器部分产品的漏电流仅有小幅的增大,完全在允许的范围内㊂图4(b )为100V -6.8μF 和35V -47μF 电容器浪涌电压测试后的ESR 变化量㊂TPS 电容器在浪涌电压测试后ESR 普遍增大,个别出现急剧增大现象;CPS 电容器的ESR 增幅很小,基本能保持稳定㊂可见经过界面预处理,电容器界面状态在浪涌冲击后不会发生畸变,瑕疵和缺陷得到有效屏蔽,电容器的漏电流和ESR 在浪涌冲击前后的稳定性得到明显改善,电容器承受浪涌冲击的能力显著增强,稳定性和可靠性大幅提升㊂(a)漏电流(LC);(b)ESR 图4㊀浪涌电压测试Fig.4㊀Surge voltage test2.2.3㊀高温寿命测试高温寿命测试是在125ħ的空气环境中施加2/3倍额定电压,测试电容器各项电性能参数随时间的变化㊂图5(a ),5(b )分别是100V -6.8μF聚合物钽电容器寿命测试前后的漏电流和ESR ,图5(c ),5(d )分别是35V -47μF 聚合物钽电容器寿命测试前后的漏电流和ESR ㊂高温寿命测试中电容器长时间在热电共同作用下,电介质和聚合物的性能发生退化,导致漏电流和ESR 恶化,甚至容量衰减,严重时导致电容器失效㊂通过界面预处理,聚合物-电介质的界面粘结强度增强,电容器耐受高温带负载烘焙的能力增强,能够保持电容器ESR 的稳定,如图5(b )和5(d )所示,ESR 的离散性减小㊂图5(a )和5(c )显示经过界面预处理,电容器的漏电流的稳定性和一致性显著提高,通过涂覆硅烷偶联剂,介质氧化膜表面的瑕疵和缺陷被填充,限制了电荷的流动,同时界面的力学稳定性提高,阻止了因局部大电流引起的聚合物的性能退化,聚合物能够保持较高的电导率,确保了电容器ESR 和漏电流的稳定性㊂同时,电容器其他性能参数的稳定性也得到改善㊂图6(a ~b )分别为100V -6.8μF ,35V -47μF 聚合物钽电容器经过寿命测试后的界面状态㊂经过高温寿命测试,导电聚合物和电介质的界面能够紧密接触,从而解决了此类电容器长期以来经过寿命测试而出现的分层或剥离现象;图6(c )为发生界面分层的钽电容器的断面,图6(c )中②和③,③和④的界面都出现了分层,这是传统方法制作此类电容器的共性问题㊂通过对电介质-导电聚合物界面预处理,有效减缓了导电聚合物的退化,以及和热膨胀系数不匹配而引起的界面劣化㊂经过2000h 的高温烘焙,界面仍粘结紧密,电容器的稳定性和可靠性得到明显改善㊂3 结论界面预处理技术是电子元器件领域应用非常普遍的一种工艺技术,特别是在异质结构的界面和高压产品上使用,还是一个主要的工艺技术难点㊂利用硅烷偶联剂对五氧化二钽介质-导电聚合物界面采用一种新的工艺技术进行处理,能够提高聚合物溶液在钽阳极多孔体内的渗透性,增强界面的粘结强度㊂经过高低温㊁浪涌电压㊁高温寿命等测试,电容器的各项性能参数的稳定性得到改善,解决了此类产品在严酷环境中漏电流和ESR 增大的问题,田东斌等:有机电解质片式钽电容器稳定性的提高26㊀Vol .39No .2Feb .2020为电容器使用的稳定性和可靠性提供了技术支撑㊂(a)100V -6.8μF 漏电流;(b)100V -6.8μF ESR;(c)35V -47μF 漏电流;(d)35V -47μF ESR图5㊀125ħ-2000h 寿命测试Fig.5㊀Life test of 125ħ-2000h ①钽电容器的阳极,②导电聚合物的内层,③导电聚合物的外层,④石墨层(a)100V -6.8μF;(b)35V -47μF;(c)导电聚合物界面分层图6㊀寿命测试后的断面SEM 照片Fig.6㊀Cross section SEM photos after 125ħ-2000h life test参考文献:[1]Freeman Y.Tantalum and niobium -based capacitors science ,technology ,and applications [M ].Berlin ,Germany :Springer ,2018:1-34.[2]罗仲伟.十三五 电子信息产业发展态势与路径[J ].全球化,2016(3):102-113.[3]杨红生,周啸,楚红军,等.导电高分子钽电解电容器的研究进展[J ].电子元件与材料,2003,22(7):33-38.[4]Yong Z ,Hui F ,Wu X ,et al.Progress of electrochemicalcapacitor electrode materials :a review [J ].International Journal of Hydrogen Energy ,2009,34(11):4889-4899.[5]Milton J R ,Joy T K.Surfactants and interfacialphenomena [M ].FourthEdition.Hoboken ,NewJersey :John Wiley &Sons ,2012:235-271.[6]KirchmeyerS ,ReuterK.Scientific importance ,properties and growing applications of poly (3,4-ethylenedioxythiophene )[J ].JournalofMaterialsChemistry ,2005,15(21):2077-2088.(下转第65页)田东斌等:有机电解质片式钽电容器稳定性的提高第39卷㊀第2期65㊀and piezoelectric-pyroelectric composite[J].Materials Research 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延长钽电容寿命的方法?
怎样做可以延长钽电容的使用寿命?
钽电容全称是钽电解电容,也属于电解电容的一种,使用金属钽做介质,不像普通电解电容那样使用电解液,钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸绕制,本身几乎没有电感。
其容量较小,价格也比铝电容贵,所以我们希望延长钽电容的使用寿命,已节省经济。
那么怎么办呢?
1 钽电容器是按标准和技术条件进行设计生产的,所以电容器只有在标准和技术条件规定的条件下正确使用,才能保证电容器具有高的可靠性和预期的使用寿命,所以我们要购买按标准和技术条件进行设计生产的钽电容。
我个人觉得KEMET钽电容不错,使用时间挺长的。
2 钽电容器的额定电压就是该电容器可以在电网中连续持续安全运行的最高运行电压。
如果将电容器在高于其额定电压的电压下连续运行,其可靠性就会下降,寿命就会缩短。
3 钽电容器的使用环境温度对电容器的可靠性和使用寿命影响很大。
为此应根据电容器安装使用地点的实际情况来正确选用具有相应温度类别的电容器,或采用相应的防冻、通风降温等措施。
以保证电容器能在该电容器技术条件中规定的温度类别的温度范围内运行。
4 断路器在分断电器时出现的重击会产生很高操作过电压是导致电容器早期损坏的重要因素。
为此用于投切电容器(组)的断路器一定要选用无重击穿的断路器。
5 钽电容器中的谐波过电流;电容器的超海拔运行;电容器接线端子与母线排的机械应力等都是导致电容器发生早期损坏的原因,为此我们应采取相应措施,以保证电容器能在电网中安全、可靠、长寿命地为用户服务。
聚合物钽电容寿命-概述说明以及解释
聚合物钽电容寿命-概述说明以及解释1.引言1.1 概述聚合物钽电容是一种重要的电子元件,广泛应用于电子设备中。
随着科技的不断进步,人们对电容器的性能和可靠性要求也越来越高。
而聚合物钽电容因其体积小、容量大、工作稳定等优点,成为了目前电子设备中常用的电容器之一。
然而,随着使用时间的增长,聚合物钽电容的寿命也成为人们关注的焦点。
本文将围绕聚合物钽电容这一话题展开探讨,分析其原理、影响寿命的因素以及延长寿命的方法,希望能为读者提供一些有益的参考。
通过对聚合物钽电容寿命的深入研究,可以更好地了解这一电子元件,并为其在实际应用中提供更好的保障。
文章结构部分是文章大纲的一个重要部分,用来说明整篇文章的组织结构和内容安排。
在本篇关于聚合物钽电容寿命的长文中,文章结构部分可以按照以下内容编写:"1.2 文章结构:本文将分为引言、正文和结论三个主要部分。
在引言部分中,将对聚合物钽电容的概念进行概述,并说明文章的主要目的和意义。
在正文部分中,将详细介绍聚合物钽电容的工作原理,以及影响其寿命的因素。
接着将提出一些延长聚合物钽电容寿命的方法。
最后在结论部分中,将对全文进行总结,展望未来研究方向,提出结论并指出文章的意义和价值。
通过以上结构的安排,将全面深入地论述聚合物钽电容寿命相关的内容。
"1.3 目的:本文旨在探讨聚合物钽电容的寿命及其影响因素,以及延长聚合物钽电容寿命的方法。
通过深入分析聚合物钽电容的原理和相关知识,我们旨在为工程师和研究人员提供关于如何选择、使用和维护聚合物钽电容的指导,帮助他们更好地利用这一先进的电子元件,提高产品的性能和可靠性。
同时,我们也希望通过本文的研究成果,进一步促进聚合物钽电容技术的发展,推动其在电子领域的广泛应用。
2.正文2.1 聚合物钽电容的原理聚合物钽电容是一种电容器,其具有高比表面积和较高的电介质常数。
其结构主要由钽金属箔作为电极,在其表面涂敷一层钽氧化物作为介质,然后再用聚合物进行封装。
钽电容器如何实现高可靠性
钽电容器如何实现高可靠性摘要威布尔可靠性鉴定多年以前受到MIL标准的影响,被用于钽电容器特性的评价中。
多年过去,钽电容器的过程、材料、试验、设备和其他过程控制等方面都发生了重要变化。
那么,威布尔分布对于今天的钽电容器制造技术和高可靠性应用仍是最适合的吗?由于目前确保产品可靠性的威布尔等级是有缺陷的,因此需要找到一种的新方法,尤其是,这种方法针对早期寿命失效以及在为确保威布尔加速因子最大化的工作中过载电压的潜在危害应用。
本文所讨论的内容与现有的老化过程、DC漏电流筛选技术以及过程监视中改进相关的修正有关。
这些修正可改善钽电容器DC漏电流的一致性,也就是消除电场感应给电介质所造成的潜在损害。
其结果是钽电容器在零失效误差使用中可获得最好的性能。
一、前言有这样一个已建立起来的概念,钽阳极块中所存在的杂质会对Ta2O5电介质层造成破坏。
除了由于其他制造过程导致的缺陷之外,这些破坏会导致漏电流增加、参数缺乏稳定性或是出现灾难性的电介质击穿。
这些非同质缺陷的出现可通过对材料和过程的控制来实现减小,事实上通过实施适当的试验方法可消除此类非同质缺陷。
批次产品的非同质缺陷点消除之后,依然会有大量的同质缺陷存在,在参数上表现为漏电流,在现象上表现为电子陷阱。
电介质鲁棒性能具有两种特性,一种特性是阻碍灾难性的介质失效,另外一种特性是保持参数泄漏的稳定性。
通过热化学模型方式,可将这两种特性能模型化,至少是在最开始的时候,这一模型可得到McPherson的支持,并通过Teverovsky 得以证实。
通过热化学模型可得到的一个关键性的结论,即Ta2O5电介质与时间之间存在潜在的敏感性,通过施加老化电压这样一个潜在加速条件,随着时间的推移电介质会出现击穿。
为了控制生产过程中出现的缺陷以及批次电容器中所固有的缺陷,可使用Q-过程方法进行应对,此方法由如下六个要素组成:•过程监视:3D控制图•125℃,优化电压老化•不同温度下的统计筛查,预老化/老化•提高在线回流焊条件•特定的批次识别•产品水平标号下面对这些要素逐一进行说明。
钽电容可靠性学习小结
“钽电容器的可靠性和关键应用”学习小结(内容供参考,以英文原文的内容为准)(王白平评注:钽电容器本来是一种稳定性、可靠性很高的电容器,它刚开始所以主要应用在军工产品上,除了它的价格比较贵以外,更重要的原因是它的可靠性。
但是,我们生产的钽电容器,主要是片式钽电容器,总有上机以后发生爆炸烧毁等恶性质量事故出现。
使用在电源滤波或去耦等低阻抗电路中,容易发生此类故障,这是客观原因。
但是,产品的内在原因在哪里?如何预防?这是需要我们认真思考和努力解决的重大问题,因为这个问题,像A VX和KEMET这样的公司已经基本解决了。
我们要进行大批量生产,要进入更多、更大的客户,必须要及早解决这个问题,否则,产品没有市场,公司也就没有出路。
解决这个问题非常迫切,很有必要参考同行的经验,为此,再次推荐KEMET的这篇技术文章。
本文是对KEMET技术文章“钽电容器的可靠性和关键应用”翻译的总结摘要,这篇技术文章主要讨论了钽电容器可靠性的关键技术问题——提高钽电容器介质Ta2O5的稳定性、可靠性。
文章首先提出了使Ta2O5介质恶化的两个主要原因,这为以后讨论改善Ta2O5介质的可靠性提供了理论基础。
文章接着对钽电容器关键应用的两个方面——提高使用温度和提高使用电压,对Ta2O5介质的负面影响提出了看法。
随后,文章对改善Ta2O5介质——提高钽电容器的可靠性提出几项措施。
文章还介绍了聚合物阴极钽电容器的优点。
最后,文章提出了对钽电容器进行筛选的必要性和筛选的项目——加速老化、浪涌测试和再流焊试验)一、钽电容器的主要优点1、体积小、容量大;2、对电压和温度的高稳定性;3、长期稳定性(高可靠性)。
二、钽电容器的主要缺点1、钽电容器的关键成分Ta2O5介质固有的受热应力会不稳定;2、使用电压低,抗浪涌电压和浪涌电流能力差。
3、ESR相对较大。
三、提高钽电容器的可靠性关键是提高Ta2O5介质的可靠性1、Ta2O5介质的不稳定性原因:1)Ta2O5和Ta依照Ta-O均衡模式图,形成非-均衡对相。
片式钽电容器的耐焊接热性能与可靠性
电容器的生产制造、使用的原理进行分析,找出造成失效的原因,并根据原因,提出在生产制造、线路 使用中如何避免失
效的解决措施,从而提高电子产品的可靠性。
关键词:片式钽电容器 浪涌失效 介质膜 耐焊接热性能
中图分类号:TM53
文献标识码:A
文章编号:1674-098X(2019)05(b)-0101-02
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Science and Technology Innovation Herald
密度)并不就意味着该产品在后续加工时会出现tgδ值会
过高。如果我们在生产时适当改进MnO2层的制造工艺,在 MnO2层中进行掺杂,使MnO2层均匀、致密、电阻率小且具
图1 焊接前后氧化膜缺陷变化及耐压对比 (下转103页)
①作者简介:封雪(1981,3—),女,汉族,内蒙古通辽人,硕士,工程师,研究方向:元器件可靠性。 焦瑞祥(1982,10 —),男,汉族,河 南卫 辉人,硕士,工程师,研究方向:元器件可靠性。 张弛(1983,11—),男,汉族,河南新乡人,本科,工程师,研究方向:系统工程。
摘 要:为适应电子元器件装配自动化、电子产品小型化的发展趋势,贴片式高密度元件逐渐成为电子行业的首选,作为高
密度元件标志之一的片式钽电容以其寿命长、耐高温、高频大容量且准确度高的优越性能以及轻型化、小型化、片式化的
形状特点得到了越来越广泛的应用。本文通过对片式钽电容器经过焊接上机后,开关机时出现失效的现象,根据片式钽
在情况下,赋能后形成的钽氧化膜是非常均匀一致的无定型
Ta2O5膜。氧若存在于钽金属的表面,在高温焊接后和外加电 压的条件下,基体表面状态和形成液均适合于晶核的生长,晶
钽电容器场结晶化的研究及其对漏电流和可靠性的影响
钽电容器场晶化的研究及其对漏电流和可靠性的影响摘要钽作为首选的电容器技术长期使用在长寿命电子元件中,这主要归因于其稳定的电性参数以及高可靠性上。
一段时间的失效率特性测量显示出失效大量的降低,几乎没有击穿的现象,这有别于其他的一些电容器技术。
从本质上讲,任何材料当温度超过绝对零度时,都会有可导致电容器恶化的过程,也存在一些自愈过程,这些自愈过程将有效地对降低失效率。
尽管自愈现象有一些被人所知的降级机理,也就是无定形电介质Ta2O5的场晶化和氧迁移。
本文概述了目前与场晶化相关的一些知识,主要关注的是与钽电容器漏电流(DCL)和可靠性相关的加速因子和场晶化的实际影响。
1、前言由于钽电容器具有高稳定性和可靠性的特性,使之非常适合使用在一些重要领域,比如军用、航空航天、医疗等。
Ta2O5电介质一直被视为是无定形材料,这种材料天生地就在热力学上非常敏感。
为了减少内部能量,无定形状态会趋向于定向和晶化,然而晶化的速率很大程度上取决于温度。
一般温度低于550℃时不会出现晶化。
Ta2O5电介质薄膜厚度超过100nm(~25V钽电容器)其场晶化现象可以通过SEM扫描电介质层的方式观察到(见图1)。
一旦Ta2O5电介质晶化成导电体,其DCL将会增加。
有报道称,已晶化的结构其导电性是无定形电介质的1000倍之多,然而与晶化形态相关的薄膜其场晶化程度总体轻微,所占比例非常的小,以至于不会影响DCL出现明显的降级。
近来的发现说明,由于在晶化过程中电子的迁移有限,导致Ta2O5结晶相的导电性明显地不如无定形相。
DCL的增加可由其他机制引起,正如本文所讨论的,这些机制会加速Ta2O5电介质晶化生长。
当结晶体在无形性薄膜基质中生长,它们能产生出其他的潜在失效机制,即由于在无定形相和结晶相之间因比容存在差异而导致机械应力不同。
最终,此应力可导致电介质破裂,从而致使DCL进一步增加。
图1 Ta2O5电介质层晶化后的SEM图片2、场晶化的最新知识和参考文献概述2.1 钽电容器DCL和导电性机理钽电容器的传导导电被视为是容积有限。
钽电容失效机理
钽电容失效机理简单一点说是这样的。
1)钽电容的失效模式是短路形式。
故而在可靠性要求高的场合,如军品,宇航,汽车级电路中一般限制使用。
如星上就不用。
NASA好像也是规定不能用。
2)铝电解质电容其ESR可以做的很小的,如果我没有记错的话,可以到毫欧级。
文摘1:ESR(等效串联电阻),应该注意的问题前两天我负责的一个LDO测试工程师上电后发现输出振荡了。
我做的时候没有振荡,对照下来,输出电容不一样,我用的是10u的铝电解,他用的是钽电容。
因为我以前对这两种电容有过测试,所以,把他用的电容拿过来在Fluke,RCL测量仪上测试,ESR高达13欧姆(10kHz),而我以前的测试的10u钽电容一般只有0.5欧姆左右。
所以换成ESR=0.5欧姆的电容就没有振荡了。
在很多的电容介绍中,只是偶尔提到ESR这个概念,而没有具体说明数值,也许是种类繁多不好概括吧。
ESR与制作材料,频率,温度和电容值都有关。
一般来说,对同一种工艺、同一厂家生产的同一种电容,电容值与ESR 的乘积接近常数。
上面说的13欧姆的电容显然是有问题的(但没标准,只能按照经验判断了).,由于没做过系统,对各种电容的ESR不了解,最好请哪位大侠能公布各种电容的ESR作参考。
不过最好的办法是使用前量一下。
文摘2:关于使用固钽和液体钽电容的浅释彭宝霞(航天511所)摘要:本文对液体钽电容和固体钽电容的失效原因作了具体分析。
对这两种产品的使用提出自己的看法和建议。
关键词:液钽固钽可靠性钽电容器分为固体钽电容器和液体钽电容器。
它们在军用整机中大量使用。
例如:液体钽电容器在84年只有529厂和502所两个单位使用,用量不到2000只。
而95年五院各厂所的液体钽订货量将近1万只。
固体钽电容器更是大量使用。
随着固体钽电容器和液体钽的大量使用。
先后暴露的质量问题也不少。
我们了解到早期有单位禁止使用液钽,而近期的单位禁止使用固钽,这是怎么回事?一、早期某些单位禁用液钽,禁用的理由:1.液体钽电容器的漏液问题液体钽电容器工作电解质为酸性液体,如果产品密封不好,出现漏液。
一种提高固体电解质钽电容器击穿电压的老炼方法[发明专利]
专利名称:一种提高固体电解质钽电容器击穿电压的老炼方法专利类型:发明专利
发明人:蒋松成,冯建华,张志光,朱惠,李亚飞
申请号:CN201310547269.7
申请日:20131106
公开号:CN103646793A
公开日:
20140319
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种提高固体电解质钽电容器击穿电压的老炼方法,它包含以下步骤:(1)额定电压分段;(2)在130~160℃的温度下进行阶段升压;(3)修复固体电解质钽电容器的电解质膜层;(4)升压老练:将老炼电压升至额定电压的1.2~1.5倍;(5)老炼完成后进行240~260℃的再流焊;(6)完全放电后,取下产品并让产品在常温下放置24~36小时后即可。
本发明的有益效果是:通过改善老炼升压工艺,达到了大幅度提高导电性高分子固体电解质钽电容器击穿电压和提升产品可靠性的目的,并具有工艺简单、实用方便的特点,特别适合于固体电解质钽电容器的工业化生产。
申请人:中国振华(集团)新云电子元器件有限责任公司
地址:550018 贵州省贵阳市乌当区新添大道北段232号
国籍:CN
代理机构:北京路浩知识产权代理有限公司
代理人:谷庆红
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钽电容和独石电容器应用中的失效分析
钽电容和独石电容器应用中的失效分析随着科技的发展,钽电容和独石电容器作为常见的电子元器件被广泛应用于各种电路中。
然而,由于使用环境、设计问题、材料问题等多种因素的影响,这两种电容器在实际应用中也存在一定的失效问题。
本文将就钽电容和独石电容器应用中的失效进行分析。
首先,我们来了解一下钽电容和独石电容器的基本结构和工作原理。
钽电容器是一种以钽作为电介质材料的电容器,其电极由钽箔制成,最常见的型号有颗粒性钽电容器和固体钽电容器。
独石电容器则是一种以纳米厚度的二氧化锆薄膜作为介质的电容器,由于薄膜极薄,所以被称为独石电容器。
针对钽电容和独石电容器的失效问题,我们主要从以下几个方面进行分析。
首先是应力引起的失效。
钽电容器的电极材料是钽箔,而独石电容器的电极材料通常是金属薄膜,这些电极材料在应用中都会受到机械应力的影响。
例如,钽电容器在焊接过程中受到的热胀冷缩或是挤压力会导致电极材料内部产生应力聚集,长期以往会引起电极材料疲劳断裂。
而独石电容器由于电极材料是金属薄膜,其本身就比较脆弱,一旦受到外力或是温度应力过大,也容易出现断裂现象。
其次是介质老化引起的失效。
钽电容器的介质是氧化铝或是氧化钽,独石电容器的介质是二氧化锆薄膜,而这些介质材料在长时间工作的过程中会发生老化现象,导致电容器的容量变化或是漏电流的增加。
此外,环境中的潮湿度、温度等因素也会对电容器的介质老化产生一定的影响,加速失效的过程。
再次是过电流引起的失效。
过电流是钽电容和独石电容器应用中最容易导致失效的因素之一、在设计电路时,如果电流超过电容器所能承受的额定电流,就会导致电容器损坏。
过电流会产生过高的温度和电场,导致电容器的介质损坏或是电极材料熔断。
最后是电压应力引起的失效。
钽电容器和独石电容器的工作电压是限定的,如果电压超过了电容器所承受的额定电压,就会导致击穿现象。
击穿现象会引发电容器内部的氧化反应,进一步加剧电容器的劣化和失效。
综上所述,钽电容和独石电容器应用中的失效主要包括应力引起的失效、介质老化引起的失效、过电流引起的失效和电压应力引起的失效。
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提高钽电容器可靠性的一种方法钽电解电容器是电子信息工业中应用广泛的基础元件,在电路中起到耦合、滤波、降噪等功能,具有漏电流小,高温稳定性好,频率特性好、可靠性高等优点。
老化是钽电容器生产过程中关键工序,目的是使具有轻缺陷的电容器自愈恢复,有重缺陷的电容器提前失效淘汰。
自愈是钽电容器的特性,具有较多缺陷的电容器在限制电流的老化过程中也发生自愈,但其可靠性会降低,易发生早期失效。
本文就电容器自愈机理、传统老化方法的缺陷以及为改进老化方法而设计电路,提高钽电容器早期筛选效率和钽电容器可靠性方面进行讨论和分析。
一电容器老化自愈机理钽电容器有多种类型,它是以钽金属粉末烧结体为阳极,经过电化学氧化在钽金属上生成电介质氧化膜Ta2O5,其中以MnO2为阴极电解质的称固体钽电容器,以高分子聚合物为阴极电解质的是聚合物钽电容器,以液体为阴极电解质的称液体钽电容器,在加载老化过程中都会发生不同程度的自愈:固体钽电容器的阴极板是MnO2沉积在Ta2O5电介质表面,Ta2O5电介质是在钽金属表面阳极氧化生成,Ta2O5电介质膜上总会有微小疵点,当电容器在加载下漏电流会集中流过介质中小疵点处。
集中的电流会引起细微部分的温度明显升高。
当局部MnO2的温度超过380℃它开始释放氧,变成具有较高电阻率的还原态,如Mn2O3。
2MnO2---→Mn2O3 +O此时通过疵点的电流被限制,我们称这种效应为自愈 [1],MnO2 的电阻率在(1-10ohm/cm3)而Mn2O3的电阻率(106-107ohm/cm3)。
当MnO2受热释放氧然后转变成Mn2O3的过程需要很少的时间,但不会立即发生,前提是电路电流是否被限制是关键。
当电介质膜上疵点部位比较多,同时电路中电阻值很低,流入电容器疵点的电流没有限制,电流不断增加温度持续升高MnO2开始释放氧,大约在500℃左右,疵点处的Ta2O5电介质从绝缘的非晶态型转变为导电的晶态型,能通过更多电流和产生更高的温度,向周围迅速扩散。
热量传到钽基体金属中,钽基体迅速发生氧化反应。
快速氧化产生巨大热能不久链式反应遍布钽金属基体,引起电容器燃烧。
当电路中有较高的电阻,就会限制流过疵点部位的电流,MnO2的自愈特性能限制电流并把小疵点的区域与周围部分隔开,不会导致连锁反应。
对老化期间剔除的漏电流大的电容器用酸清洗后可以看见,钽基体介质氧化膜表面分布多个颜色异常的点。
图(1)是研究小组通过对MnO2阴极钽电容器25V10μF做击穿电压试验,模拟电容器自愈及击穿过程。
采用直流电源、自动记录仪和自制试验电路连接到电脑上,该装置具有升压速率可设定,电源的输出电流可调。
本图是以10V/min自动升压观察随着电压升高,被测电容器的电流发生多次突然瞬间变化的自愈现象直至电容器被击穿。
在试验中发现被测的电容器中40%会发生自愈现象,但出现电流瞬间变化次数不一样,有的电容器只出现1次,而有的则出现多次,60%的电容器在击穿前没有观察到电流发生瞬间变化,直至电压击穿下降,电流上升为电源的输出电流。
图1 电容器发生多次自愈时的漏电流的瞬间变化曲线二传统老化方法电容器老化是对电容器施加温度和电压应力使有轻微缺陷产品自我修复和加速重缺陷产品早期失效的一种方法。
通常在85℃、施加1.2-1.5倍额定电压或在125℃、施加额定或降额电压进行老化,常用两种老化方法:1、在老化电路上对每只电容器串连1000-2000欧姆的电阻,当电源对电容器施加负载时电阻限制电容器的充电电流,这种方式称有阻老化;2、老化电路没有保护电阻,电源直接对每只电容器施加老化电压,电路中的短路电流为电源最大输出电流,这种方式称无阻老化。
这两种老化方法都存在一定缺陷,有阻老化时,有缺陷的电容器电流增大时,电路高电阻分压使该只电容器老化电压下降电流减小,使产品不能正常加载老化电压,较小的电流可以使电容器产生自愈而得到修复;无阻老化时有缺陷电容器的漏电流增大会引起电路电流增加,当电流持续增加时就会突然引起有缺陷电容器的过热燃烧和击穿,如果是片式钽电容器因为电容器在引线框架上密度较高,失效燃烧的电容器瞬间产生的几百度的高温还会通过引线的公共极迅速传导给相邻的电容器,导致相邻电容器温度升高电流变大击穿甚至又发生燃烧,燃烧释放的烟雾会污染相邻的电容器,造成更多的外观废品。
此时,生产只能中断剔除有缺陷产品重新加载,影响了生产效率。
用有阻老化方法,电容器漏电流的合格率较高,因为电路电阻保护了有缺陷的电容器,使其自愈漏电流合格。
但是这部分漏电流合格的产品,可靠性存在问题。
试验证明发生过多次自愈的电容器中约有40%-60%的产品在寿命或加速寿命试验中会发生漏电流早期失效,因此必须在老化期间检测和剔除有缺陷的产品。
三新老化方法和电路原理通过对传统老化方法的分析,研究小组设计了一种新的老化电路,可动态监测老化过程中流过产品的电流,当电流超过设定值时电路会限制流过产品的电流,记忆并切断其电流,阻止了该只产品继续发热及燃烧的发生,保证老化工艺执行。
老化结束后将对应指示灯亮的产品剔除,克服了传统老化方法不能找到有缺陷产品的问题。
提高了产品的可靠性和综合成品率。
1.电路原理如图3所示:,电路中 Vss取负5V,Vdd为负的老化电压,Q2、Q3截止时R6上分压应小于1V,否则加电Q2、Q3即导通,电路无法工作。
先加上Vss,缓慢的使Vdd达到设定值以防止充电电流过大使Q2导通。
由于R2、C1延时作用,Q2、Q3截止,Q1饱和导通,电容器正常加载老化,正常的电容器漏电流很小,R1电压远小于Q2导通门限电压0.7V, Q1、Q2截至老化电容器正常加载;当某只正在老化的电容器短路或漏电流增加到一定值时,R1压降超过Q2导通门限电压,Q2、Q3导通,LED点亮,R1、R3的电压维持Q2、Q3导通。
同时Q1截止切断C X电源。
防止电容器过流燃烧。
因为剔除了所有电流大的产品,所以老化后合格的产品中不存在有缺陷产品,从而提高了产品可靠性。
R2、C1用作防止干扰和延时,调整R2、C1值可改变延时时间。
R1为漏电流取样电阻,改变R1值可改变通过电流的阀值。
2 新老化电路的特点在高温85℃或125℃环境中,电容器通过直流老化电源加载过程中,如果某只电容器漏电流增大到某一值时(本电路设计600微安,此电流值可根据电容器规格要求选择电流范围),电路会瞬间(几个到几十个毫秒)切断该只电容器的电流,同时LED发光,限制电容器漏电流持续增大导致电容器过热,不会影响相邻电容器的正常老化。
在老化结束时把LED 灯亮所对应电容器剔除即可,本电路可改变电流设计参数适用于固体电容器、片式电容器、聚合物电容器和液体电容器等元件的老化。
四新老化方法使用及效果评价选取规格25V47μF、6.3V330μF 、10V220μF 35V10μF等生产技术难度较大的片式钽电容器应用新老化电路,并对在新老化板上LED灯亮剔除的废产品在常温检测时按标准I ≤KCU(I-漏电流、K系数固体电容器为0.01、C-电容量、U-额定电压),用漏电流测试仪(TH2685C)施加额定电压、充电3秒读漏电流值,对其中漏电流值合格的产品我们称其为缺陷产品,进一步比较其加速寿命试验、高温特性试验等项目中的数据。
其中加速寿命中的加速因子依据《GJB2283-95有可靠性指标的片式固体电解质钽电容器总规范》,Ua/Ur=1.2 ,对应加速因子42.7128,加速寿命项目合格判据为失效数0 只。
1、取25V47μF产品1200只随机分成两组在相同条件下用传统无阻老化方法,废品数44只废品率为7.3%(其中因失效燃烧造成相邻电容器外观污染废品19只,占3.1%),而用新老化方法,在老化板上发光管灯亮剔除废品25只,废品率4.2%(无外观废品)。
2、取6.3V330μF D壳5批次、10V220μF D壳4批次、20V100μF E壳4批次、25V47μF D壳5批次、35V10μF D壳2批次电容器用新电路老化方法后,产品全部通过43小时85℃1.2倍额定电压加速寿命试验的评价,而同期使用传统老化方法的产品有10%左右批次不能通过加速寿命试验。
3、取10V220μF电容器采用新老化电路对剔除的电容器做浪涌试验,条件为:各取12只做30秒冲电30秒放电、85℃浪涌电压13V循环1000次和125℃浪涌电压8.2V循环1000次,在125℃下有5只电容器短路。
正常的产品全部通过浪涌试验。
4、取25V47μF电容器用新老化方法,对剔除的产品24只做加速寿命试验,有2只短路,其余产品漏电流增大,而正常产品加速寿命试验后漏电流减小。
(测试条件为漏电流测试仪加额定电压、3秒读漏电流值)数据如下: 5、取10V220μF 测试高温特性,发现缺陷产品在高温(85℃和125℃)漏电流大且一致性差,正常产品高温漏电流小且一致性好。
对比数据如下:用本电路设计制造的电容器老化板,除了在片式固体钽电容器上使用外,通过调整限流参数在聚合物片式电容器、全密封电容器上老化使用,都取得了良好的效果,大大提高了产品的可靠性。
五 结论1)应用新老化电路在85℃或125℃状态下对电容器加载老化,能限制有缺陷电容器的电流、识别有缺陷电容器并切断老化电压,防止了电容器发热燃烧,剔除电流大和缺陷产品,保证老化过程的连续性,安全性。
2)解决了传统老化方法因电容器发热燃烧而导致相邻电容器外观不合格的问题,提高了生产效率。
3)在新老练电路上被识别出的有缺陷电容器在室温下检测有60%左右的电容器漏电流值是合格的,这些电容器在传统老化和检测方法中被认为是合格品通过检验而流入市场,但这些电容器是存在可靠性问题的。
序号 I (μA ) C (μF ) tg δ(%) ESR (m Ω) 击穿电压 击穿顺序120 315 5.3 103 32V。