等离子体诊断技术----探针测量
利用发射探针测量预鞘区等离子体空间电位课件
预鞘区等离子体空间电位测量的重要性
了解等离子体特性
通过测量预鞘区等离子体的空间 电位,可以深入了解该区域的等 离子体特性,如电子密度、电场
强度、流场分布等。
控制等离子体行为
预鞘区等离子体的空间电位对等 离子体的行为具有重要的影响, 通过测量空间电位可以更好地控
制和优化等离子体的行为。
应用价值
在磁约束核聚变、空间物理和工 业应用等领域中,预鞘区等离子 体空间电位的测量具有重要的应
发射探针通常由金属针、绝缘层和电流计组成,金属针用于 吸附带电粒子,绝缘层用于隔离金属针和电流计,电流计用 于测量吸附带电粒子产生的电流。
发射探针的种类
单探针
只有一个金属针的探针,通常用 于测量等离子体的空间电位分布
。
双探针
有两个金属针的探针,通常用于测 量等离子体的电子密度和温度。
多探针
有多个金属针的探针,通常用于测 量等离子体的多维空间电位分布。
谢谢
THANKS
等离子体的应用
工业制造
等离子体用于切割、焊接 、喷涂和表面处理等工业 制造领域。
空间探测
等离子体在太阳风、行星 大气和恒星大气等空间探 测中具有重要应用。
核聚变
利用等离子体实现核聚变 反应,为未来能源提供新 的解决方案。
03 发射探针测量技术
CHAPTER
发射探针的工作原理
发射探针通过尖端的电场吸附带电粒子,并利用电流计测量 吸附带电粒子产生的电流,从而推算出等离子体的空间电位 。
CHAPTER
预鞘区等离子体的特性
预鞘区等离子体的定义
预鞘区等离子体是等离子体中的一个特定区域,位于鞘层内靠近 鞘层边界的位置。
预鞘区等离子体的特性
等离子体技术以应用-2-2-静电探针法(朗谬尔探针)讲解
(3.3) (3.4)
其中Ie0 和Ii0 的单位是mA,电子浓度ne0 和离子浓度ni0 相等,单 位为cm-3鞘层表面积等于探针表面积挂AP, 单位是cm2,电子温 度和离子温度单位为eV, A 是离子的原子量,探针鞘层电压
VP U P VSP
(3.5)
带电粒子经过鞘层的电流 I e I e0 exp[eVP (kTe )] I e0 I i I i 0 exp[ eVP (kTi )] I i 0
(一)静电单探针的使用条件及其伏安特性 使用单探针的条件如下: (1 )被测空间是电中性的等离子体空间,电子浓 度ne和正离子浓度 ni相等,电子与正离子的速度满足麦 克斯韦速度分布,它们的温度分别为Te和Ti; (2 )探针周围形成的空间电荷鞘层厚度比探针面 积的线度小,这样可忽略边缘效应,近似认为鞘层和探 针的面积相等; (3 )电子和正离子的平均自由程比鞘层厚度 λD 大, 这样就可忽略鞘层中粒子碰撞引起的弹性散射、粒子激 发和电离; (4)探针材料与气体不发生化学反应; (5)探针表面没有热电子和次级电子的发射。
ne0 ni 0 3.7 108 I e0 ( AP kTe )
(3.16)
其中neo、nio 、单位是cm-3, Ieo单位是mA, Ap单位是cm2, KTe单位是eV。
这样利用(3.15)、(3.16)式就可以计算出等离子体 的电子温度Ti 和等离子体密度ne 、 ni (电子密度和离子密 度)。
(3)离子饱和区 当鞘层电压降
(3.18) 时,电子被完全拒斥,探针电流由纯离子流组成,即
VP U P VSP 0
I P I i I i 0 exp[ eVP
(kTi )] I i 0
静电探针法对等离子体参数的测定
第5期贾瑞金等:静电探针法对等离子体参数的测定303式真空容器直径1500mm、长3000mm,分为两段,1000mm为玻璃钢电磁波辐射窗口,剩余部分为不锈钢结构,可以安装热沉及外热流加热装置,其内有一可行走的小车,可以装载试样。
真空获得由低温泵、机械泵和分子泵共同实现,在空载情况下可获得7.1×lO。
6Pa。
鲁芝e图3空间等离子体环境模拟设备示意图Fig.3111eplasmaenvironmentsimulator圈等离子体发生器是ECR等离子体源,其原理是电子回旋共振,即气体分子中的电子在外加磁场作用下产生回旋,当回旋频率与外加微波频率相同时,将发生共振现象,气体分子中的电子吸收微波能量,从而电离工作气体形成等离子体。
2.2探针安置该系统使用7根探针来对等离子体进行测试,其中一根安置在ECR等离子体源小真空室的上方,即P8(见图3),用来测量等离子体出口处的参数,另外6根如图4所示安装在容器内可移动小车上。
由于在大真空室中等离子体温度和密度是轴向对称的,因此通过P2~P6探针的测量数值,就可以得知容器截面某个位置径向上的等离子体分布,然后轴向上移动小车,就可以得到等离子体参数的空间分布。
图4静电探针的布置Fig.4TheplaceofLangmuirpDobes3用静电探针法对等离子体参数的测定试验中以氩气作为产生等离子体的气源,在产生的氩等离子体中,除了存在大量的氩分子和电子的激发碰撞外,还存在着与电子的碰撞电离:Ar+e专Ar++2e,离子的主要成分是Ar+,离子质量数m=39.95。
3.1运行气压对等离子体密度的影响从图5可以看出,如果微波功率固定,随着气体流量增加,试验容器内气压变大,真空度降低。
等离子体密度与气体流量的关系如图6所示,可以看出,对于某一微波功率,存在一个最佳工作气压,在这个气压下,等离子体密度最大。
在环境气压到达这个最佳气压值之前,等离子体密度大体上随环境气压的增加而增加,环境气压超过最佳气压值之后,等离子体密度则逐渐降低。
等离子体旋转速度的测量方式——马赫探针
等离子体旋转速度的测量方式——马赫探针3.1静电探针原理静电探针在高温等离子研究中是一种常用也是十分有用的诊断工具。
静电探针结构简单故比较容易制作,使用的方法比较灵活且拥有较好的空间分辨能力,最早被用来测定等离子体参数,包括等离子体密度、电子温度、悬浮电位、空间电位、速度分布及其涨落等。
静电探针的悬浮电位和饱和流的涨落信号可以研究等离子体流速和湍流输运,是进行等离子体诊断的重要手段[3]。
静电探针需直接伸入等离子体中进行直接接触测量,不可避免会影响局部等离子体的状态,因此探针的设计前提必须是足够小,把对等离子体的扰动降得尽可能低。
即便如此,静电探针仍然会也一定程度上改变了测量位置附近的等离子体原始状态,因此要获得比较准确的实验结果,还需要对获得的实验信号按照不同情况进行滤波与修正。
Langmuir 和Mott-Smith 在1926年提出了这种圆柱形金属探针[4],并详细介绍了其工作原理。
MARTIN HUDIS 和L.M.LIDSKY 在1970年提出了Directional Langmuir Probe [5],进一步完善了探针的理论。
N.Hershkowitz 对探针的理论在不同的条件下进行了总结[6],不过在简单的条件下,可以对探针的伏安特性曲线给出比较明晰的解释,从而得到等离子体的电子密度e H 、电子温度e T 、空间电位p V 及悬浮电位f V 等重要参数。
这里的简单条件是:① 等离子体是无限均匀的,并且处处满足准中性条件;② 不存在磁场,即0B =;③ 等离子体是稀薄的,电子和离子的平均碰撞自由程e λ、i λ远大于探针尺寸R ,即1e R λ和1i R λ ④探针的尺寸和鞘层厚度相比较,鞘层厚度要远小于探针的尺寸,即1D R λ;⑤鞘层以外的等离子体不受探针干扰,即鞘外粒子速度分布函数满足麦克斯韦分布,且离子温度远小于电子温度;⑥电子和离子打到探针表面被完全吸收,即探针表面是纯吸收体,次级电子的发射可忽略或者无次级电子发射;⑦探针表面为无限大平面,平面探针的边缘效应可以忽略。
等离子体诊断技术----探针测量共26页文档
将⑦代入⑥式并对θ和V e积分,得到单位时间内打到探针单位 面积上的总电子数Φ:
1 4
Ne
8kTe me
⑧
当探针电压足够高时,探针电流唯一取决于电子密度。这时
饱和电子流 ieo 可以表示为:
ieo Ae
⑨
式中, A ---探针暴露于等离子体中的表面积 e ---电子荷电量
将⑧式代入⑨式有:
消除干扰的方法:静电屏蔽、电磁屏蔽、静磁屏蔽
1.6分辨率
在等离子体诊断中,分辨率是一个表示测量 精确程度的物理量,包括被测物理量大小的 分辨率和时间空间分辨率。
被测物理量大小的分辨率:指的是被测数据相差多大程度,
才能通过测量手段区别或鉴别出来。
时间空间分辨率:指的是所测物理量大小随时间和空间
变化的最小尺度。
等离子体诊断技术-------静 电探针测量
1、等离子体诊断概述
1.1目的及其在科学中发展的意义 1.2需要诊断的内容(等离子体参数) 1.3常用的等离子体诊断手段和种类 1.4实验的可靠性和误差 1.5干扰与噪声及其消除办法 1.6分辨率
2、静电探针诊断技术
2.1探针的结构 2.2单探针的工作原理 2.3双探针的工作原理
V f:当探针电位增到某一定值V f时,探针电流为零,即I=0,这 时探针好像悬浮在等离子体中一样,这个电位V f称为浮动电位。
区域Ⅲ:当探针电位Vp满足Vf Vp Vs 时,电子和离子都
被捕获,并逐步过渡到电子电流流入区。
区 场域力Ⅳ的作:用当而探依针靠电它位们V p自满己足的V热p 运 动Vs时能,量所到有达电探子针将,不这受时电探
np neo nio 1.653 /eAp
等离子体技术以应用-2-2-静电探针法(朗谬尔探针)解读
(3.6) (3.7)
(1)电子饱和区 这个区域的鞘层电压降
VP U P VSP 0
(3.8)
电子通过鞘层加速,但电子流不可能大于等离子体 能提供的Ie0 值,所以把这个区域叫做电子饱和区。 而这时离子通过鞘层受拒斥,达不到探针。因此这 时探针电流
单双探针的测量装置示于p65图3.1。 EP是探针电源, W是调节探针电压的电位器,UP和IP分别是 探针电压和电流。若以阴极为参考电极,VSP是探针所处空间的 等离子体电位,即探针电荷鞘层边缘等离子体的电位,VP表示 鞘层边缘相对探针的电位,那么探针电压 UP = VSP + VP (3.1)
图 3.2 是以阴极为参考电极时,探针的伏安特性。 横坐标是探针电压UP ,纵坐标是探针电流IP ,有 (3.2) I P Ie Ii
ne0 ni 0 3.7 108 I e0 ( AP kTe )
(3.16)
其中neo、nio 、单位是cm-3, Ieo单位是mA, Ap单位是cm2, KTe单位是eV。
这样利用(3.15)、(3.16)式就可以计算出等离子体 的电子温度Ti 和等离子体密度ne 、 ni (电子密度和离子密 度)。
( 3.27) ( 3.28)
I i 02 I e02 exp[eVp 2
(kTe )]
这里的离子饱和电流
I i 01 I i 02 1 en i 0 vi A p 4
( 3.29) ( 3.30)
饱和电子流
I e 01 I e 02 1 en e 0 ve A p 4
VP1 V1 VSP
Langmuir探针实验
Langmuir 探针实验朗缪尔探针( Langmuir Probe ) 是等离子体诊断的基本手段之一。
为了搞清朗缪尔探针的工作原理,首先让我们来考察一下一根悬浮地插入等离子体中的金属丝会出现什么现象。
一. 插入等离子体内的悬浮金属丝:如图1所示,真空室内以某种方式建立起了等离子体,金属丝(Metal tip ) 悬浮地插入其中。
由于等离子体内电子的质量远比离子的质量小,而其运动速度远比离子高。
这一基本事实将导致在悬浮地插在等离子体中的金属丝上会积累相当数量的负电荷,以致产生明显的悬浮负电位。
定量分析如下: 根据分子运动论,可知在单位时间内落在金属丝表面单位面积上的粒子数遵循余弦定律:其中n e 为电子密度,n i 为离子密度,e v 为电子平均热运动速度, i v 为离子平均热运动速度。
(1)、(2)两式两边均乘以电子电荷e ,可得流向金属丝的电子电流密度j e 与离子电流密度 j i 的表达式:我们知道i e v v >>,故j e >>j i 。
因此,金属丝刚插入等离子体内的极短时间内,金属丝表面会出现净的负电荷。
该负电荷产生的电场排斥电子而吸引正离子。
过程平衡时,金属丝的电位为 v f 。
设等离子体空间电位为v sp , 则在 v sp -v f 作用下, j e = j i 。
v f 即为悬浮地插入的金属丝的悬浮电位。
显然, v f <v sp ,亦即在金属丝与等离子体之间形成了一个电位差为v sp -v f 的鞘层。
向金属丝飞来的正离子不受鞘层电场的影响;而电子在穿越鞘层时,受到拒斥场的作用,只有动能能克服这个势垒的那部分电子才能到达金属丝表面。
根据玻尔兹曼分布函图1()1 (41)e e e v n dt dn =()2 (4)1i i i v n dt dn =()3 (4)1e e e v en j =()4 (4)1i i i v en j =数,可知能穿过这个势垒的电子浓度为:其中 n e0 为等离子体区域内的电子浓度。
探针法在直流辉光放电等离子体测量中
3.2 球状探针 实验中使用的球状探针裸露部分为一
个半径约 0.5cm 的金属球,探针表面经计算 得 3.14cm2。使用球状单探针测量的各种接 地情况的探针曲线如(图 3.5)所示。
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-65
-45
-25
-0.-55
15
35
55
(a)阳极接地时的球状探针曲线
-80
当容器壁接地时,实测 I-V 曲线如(图 3.4)。
-40
-20
0.04 0.035
0.03 0.025
0.02 0.015
0.01 0.005
0 -0.0050 -0.01
20
40
图 3.4 容器壁接地时的柱状探针曲线
9
图 3.2 电源两极板间的电位分布
当阴极接地时,实测 I-V 曲线如(图 3.3)。
在实验室对直流辉光放电等离子体测量 时,发现主放电装置的电极和容器壁接地的 情况对实际测量会产生影响。在某些接地情 况时,不能得到理想的探针电流及 I-V 曲线, 会影响测量结果。本文通过实验,对产生这 些问题的原因进行了分析。
2 探针法简介 根据探针结构的不同,除单探针外,还
有双探针、三探针、发射探针几种结构[1], 他们已被证明在很多情况下是非常有效的。 而探头的种类也有很多,如柱状、球状、板 状、环形等。本文使用了探头形状是柱状和 球状的单探针法,以及板状的双探针,分别 对不同放电装置接地状况的低压直流等离 子体进行了测量。
可以看出,在阳极或阴极接地时,球状 探针的 I-V 曲线的形状与柱状探针时相似, 只是电流幅值大于柱状探针。这是由于在本
真空断路器弧后残余等离子体的探针诊断方法
·等离子体及应用技术·真空断路器弧后残余等离子体的探针诊断方法*马廷彪1, 陈里昂2, 徐铭铭3, 陈 辉2, 葛国伟2, 程 显2(1. 河南九域恩湃电力技术有限公司,郑州 4500052; 2. 郑州大学 电气工程学院,郑州 450001;3. 国网河南省电力公司 电力科学研究院,郑州 450052)摘 要: 真空断路器开断过程中弧后残余等离子体是表征其开断性能的重要参量。
基于探针电子饱和区域工作原理,提出了一种真空电弧弧后残余等离子体电子密度测量方法,分析了其结构和工作原理。
设计了探针诊断系统的探针结构和控制系统,基于可拆卸真空腔体进行了残余等离子体电子密度的单探针测量实验,采用高速相机观测电弧发展演变过程,研究了电流大小、触头结构等参数对残余等离子体衰减过程的影响。
通过前人其他诊断方法对比验证了该测量方法的有效性,为后续真空断路器弧后微观特性研究提供了一种低成本、有效的诊断方法。
关键词: 真空电弧; 弧后残余等离子体; 探针诊断; 电子密度中图分类号: TM561 文献标志码: A doi : 10.11884/HPLPB202133.210071Probe diagnostics of post-arc residual plasma ofvacuum circuit breakersMa Tingbiao 1, Chen Li’ang 2, Xu Mingming 3, Chen Hui 2, Ge Guowei 2, Cheng Xian 2(1. Henan Jiuyu Enpai Power Technology Co., Ltd., Zhengzhou 450052, China ;2. College of Electrical Engineering , Zhengzhou University , Zhengzhou 450001, China ;3. Electric Power Research Institute of State Grid Henan Electric Power Co., Ltd., Zhengzhou 450052, China )Abstract : The post-arc residual plasma of the vacuum arcs in the breaking process is an important parameter,which is used to indicate the breaking capacity of the vacuum circuit breakers. Based on the basic principle of the electron saturation region for the probe diagnostics, the paper proposes a measuring method of electron density in residual plasma. The structure and principle of the method are analyzed. The probe structure and control system of the probe diagnostics are designed. The electron density of the residual plasma is measured by the single probe based on the dismountable vacuum chamber. The vacuum arcs development is observed by the high speed camera. The influence of the current magnitude and contact structure on the decay process of the residual plasma is investigated.Finally, the validity of the measurement method is verified by comparing with other diagnostic methods, which provides a low-cost and effective diagnostic method for future research on the micro-characteristics of vacuum circuit breakers.Key words : vacuum arcs ; post-arc residual plasma ; probe diagnostics ; electron density真空断路器以其优越的绝缘和灭弧性能在中压配电领域占有主导地位[1]。
等离子体诊断技术----探针测量
100cm3~1014/cm3 0.1eV~几百ev 0.1keV~几个keV
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9
2.1探针的结构
依据不同的用途,可以采用不同的探针进行诊断,但探针
的结构基本相同。
单探针结构示意图
1-铜导线;2-探针;3-第一屏蔽(耐 火玻璃);4-第二屏蔽(耐火玻璃); 5-聚四氟外套;6-氧化瓷套
等离子体诊断技术-------静电 探针测量
1、等离子体诊断概述
1.1目的及其在科学中发展的意义 1.2需要诊断的内容(等离子体参数) 1.3常用的等离子体诊断手段和种类 1.4实验的可靠性和误差 1.5干扰与噪声及其消除办法 1.6分辨率
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2、静电探针诊断技术
2.1探针的结构 2.2单探针的工作原理 2.3双探针的工作原理
静电探针测量 电子温度、电子密度、离子温度、 (郎缪探针测 离子密度、等离子体空间电位 量)
粒子测量 质谱
可编粒辑子pp种t 类和密度
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1.4实验的可靠性和误差
误差 偶然误差
偶然误差
偶然误差是各种已知条件保持恒定的情况 下,由于各种不可控因素使测量结果表现 出来的差异。误差来源:测量本身的起伏 和过程中的起伏。统计特性是精密测量误 差的极限。多次测量来减小偶然误差。
双探针结构示意图
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从探针的外形,又可把探针分为平板形 探针,圆筒形和球形探针。
探针形状
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11
2.2单探针工作原理
在一般的气体放电研究中,往往利用朗缪尔探针来 测量电子温度、电子密度和离子密度等基本参量, 基本测量原理如下图所示:
1-探针电源;2-电压表; 3-电流表;4-放电真空室; 5-阴极;6-阳极;7-探针; 8-等离子体;9-稳定电阻; 10-放电电源
等离子体物理实验技术的进展与前景展望
等离子体物理实验技术的进展与前景展望等离子体是一种高度激发和离解的电离气体,具有广泛的应用领域。
随着科学技术的不断进步,等离子体物理实验技术也取得了重要的进展。
本文将介绍一些相关的实验技术,并展望未来的发展前景。
一、等离子体诊断技术等离子体实验的第一步是准确地测量等离子体的基本参数,如电子温度、密度、电荷状态等。
为了实现这些测量,已经开发了多种等离子体诊断技术。
例如,光谱法可以用于测量等离子体中的辐射光谱,从而推断其温度和成分。
而散射技术则可以通过测量散射光的角度和强度来推断等离子体的密度和电子温度。
此外,微波干涉法和电子探针也是常用的等离子体诊断技术。
随着可用的诊断技术的不断发展和改进,我们可以更准确地获得等离子体的基本参数。
这将有助于深入研究等离子体的物理性质,并推动相关应用领域的发展。
二、等离子体制备技术等离子体物理实验的另一个重要方面是等离子体的制备。
目前,最常用的等离子体制备技术是电弧放电、射频电离和激光离子化。
在电弧放电中,通过加热气体到高温并加上电场,将气体离子化,形成等离子体。
而射频电离则是通过外加射频电场将气体离子化。
激光离子化则是利用激光将气体分子或原子离解成离子。
近年来,随着激光技术的飞速发展,激光离子化成为了一种非常有效的等离子体制备技术。
激光离子化不仅能够实现高度定向的等离子体束流,而且还可以控制等离子体的成分和能量。
这对于研究等离子体的相互作用以及应用于等离子体技术具有重要意义。
三、等离子体应用技术等离子体是许多重要技术的基础,如等离子体显示技术、等离子体材料加工技术和等离子体聚变技术等。
其中,等离子体显示技术已经得到了广泛的应用。
利用等离子体显示技术,可以制造出高分辨率、高对比度和高亮度的平面显示器。
而等离子体材料加工技术则可以用于制作微电子器件和光学元件,具有广阔的市场前景。
此外,等离子体聚变技术是一项具有巨大潜力的清洁能源技术。
在等离子体聚变反应中,轻元素结合释放出巨大的能量,并几乎不产生污染物。
等离子体分析讲解
等离子体分析摘要:本文介绍了气体放电中的等离子体的特性和等离子体诊断技术,利用单探针法和双探针法对等离子体的一些基本参量进行了测量,并对结果进行分析。
文中还简要介绍了等离子体的发展前景。
关键词:等离子体,等离子体诊断,探针法一. 引言等离子体作为物质的第四态在宇宙中普遍存在。
在实验室中对等离子体的研究是从气体放电开始的。
朗缪尔和汤克斯首先引入“等离子体”这个名称。
近年来等离子体物理学有了较快发展,并被应用于电力工业、电子工业、金属加工和广播通讯等部门,特别是等离子体的研究,为利用受控热核反应,解决能源问题提供了诱人的前景。
二. 等离子体的物理特性等离子体定义为包含大量正负带电粒子、而又不出现净空间电荷的电离气体。
等离子体有一系列不同于普通气体的特性:(1)高度电离,是电和热的良导体,具有比普通气体大几百倍的比热容。
(2)带正电的和带负电的粒子密度几乎相等。
(3)宏观上是电中性的。
描述等离子体的一些主要参量为:(1)电子温度T e。
它是等离子体的一个主要参量,因为在等离子体中电子碰撞电离是主要的,而电子碰撞电离与电子的能量有直接关系,即与电子温度相关联。
(2)带电粒子密度。
电子密度为n e,正离子密度为n i,在等离子体中n e≈n i。
(3)轴向电场强度E L。
表征为维持等离子体的存在所需的能量。
(4)电子平均动能Eε̅̅̅。
(5)空间电位分布。
本实验研究的是辉光放电等离子体。
辉光放电是气体导电的一种形态。
当放电管内的压强保持在10~102Pa时,在两电极上加高电压,就能观察到管内有放电现象。
辉光分为明暗相间的8个区域,在管内两个电极间的光强、电位和场强分布如图1所示。
8个区域的名称为(1)阿斯顿区,(2)阴极辉区,(3)阴极暗区,(4)负辉区,(5)法拉第暗区,(6)正辉区,(7)阳极暗区,(8)阳极辉区。
其中正辉区是等离子区。
三. 单探针与双探针法测量原理测试等离子体的方法被称为诊断。
等离子体诊断有探针法,霍尔效应法,微波法,光谱法等。
12静电探针法测量气体放电等离子参数实验
静电探针法测量气体放电等离子参数实验一、实验目的1.了解等离子体的产生和有关参数的物理意义2.采用静电探针法测量气体放电等离子体的电子温度和电子密度二、实验原理1.等离子体:是由大量的带电粒子组成的非束缚态的宏观体系,其集体行为是正负粒子和中性粒子构成的准中性气体,它是物质存在的第四状态(固体、液体、气体和等离子体)。
2.等离子体分类:低温等离子体(冷等离子体,如,极光、日光灯;热等离子提,如,电弧、碘钨灯)。
高温等离子体(如,核聚变、太阳核心)。
3.等离子体的粒子密度:是指单位体积内所含某种离子的数目。
等离子体内同时存在正离子,电子和中性粒子,n0为中性粒子密度,n i为正离子密度,n e为电子密度。
等离子体中带电粒子与中性粒子密度之比称为等离子体的电离度α=n i/n0或α=n e/n0。
4.等离子体温度:处于热平衡的体系对应一个确定的温度,对等离子体,热平衡的建立与离子密度、电离度以及外磁场有关,假定粒子的能量仅取决于平动不考虑转动等因素,则粒子能量与温度的关系E=3kT/2。
在等离子体中,通常分别表示不同带电粒子的温度(如离子温度T i和电子温度T e)。
5.气体放电等离子体模型(朗缪尔,Lanmuir1924)和静电探针法测量气体放电等离子参数实验装置:6.I-V特性曲线及电子温度和电子密度的计算(1)单探针诊断法(2)双探针诊断法单探针理想I-V曲线双探针原理图高压双探针理想I-V曲线单探针原理图高压电子温度:121201()e V I I e T I I k dI dV ++++==+,I 1+和I 2+分别是饱和离子流。
电子密度:122()e e eI m n Ae kT ++=,I +e 是饱和离子流,A 是探针面积,m +是离子质量T e 是电子温度。
三、实验过程及操作流程1. 开机前准备:关断仪器所有电源开关,按以下步骤2、4模拟开机和关机过程。
2. 开机:(1) 将真空阀门“F1”和“F2”缓慢右旋使之处于“关”;真空泵开关“V ”及“电源”处于下方的“关”;“放电”及“探针”调节旋钮逆时针旋转至“零”。
等离子体
LANGMUIR 探针实验大连理工大学物理系三束材料改性国家重点实验室邓新绿编2001年10月 2003年9月修订Langmuir 探针实验朗缪尔探针( Langmuir Probe ) 是等离子体诊断的基本手段之一。
为了搞清朗缪尔探针的工作原理,首先让我们来考察一下一根悬浮地插入等离子体中的金属丝会出现什么现象。
一. 插入等离子体内的悬浮金属丝:如图1所示,真空室内以某种方式建立起了等离子体,金属丝(Metal tip ) 悬浮地插入其中。
我们知道,等离子体内电子的质量远比离子的质量小,而其运动速度远比离子高。
这一基本事实将导致在悬浮地插在等离子体中的金属丝上会积累相当数量的负电荷,以致产生明显的悬浮负电位。
定量分析如下:根据分子运动论,可知在单位时间内落在金属丝表面单位面积上的粒子数遵循余弦定律:其中n e 为电子密度,n i 为离子密度,e v 为电子平均热运动速度, i v 为离子平均热运动速度。
(1)、(2)两式两边均乘以电子电荷e ,可得流向金属丝的电子电流密度j e 与离子电流密度 j i 的表达式:我们知道i e v v >>,故j e >>j i 。
因此,金属丝刚插入等离子体内的极短时间内,金属丝表面会出现净的负电荷。
该负电荷产生的电场排斥电子而吸引正离子。
过程平衡时,金属丝的电位为 v f 。
设等离子体空间电位为v sp , 则在 v sp -v f 作用下, j e = j i 。
v f 即为悬浮地插入的金属丝的悬浮电位。
显然, v f <v sp ,亦即在金属丝与等离子体之间形成了一个电位差为v sp -v f 的鞘层。
向金属丝飞来的正离子不受鞘层电场的影响;而电子在穿越鞘层时,受到拒斥场的作用,只有动能能克服这个势垒的那部分电子才能到达金属丝表面。
根据玻尔兹曼分布函图1()1 (4)1e e e v n dt dn =()2 (4)1i i i v n dt dn =()3 (4)1e e e v en j =()4 (4)1i i i v en j =数,可知能穿过这个势垒的电子浓度为:其中 n e0 为等离子体区域内的电子浓度。
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双探针测试回路图 1-探针电源;2-电压表;3-电流表;4绝缘体;5-探针;6-等离子体;7-阴极; 8-真空室;9-阳极;10-放电电源;11稳定电阻 其中纵坐标是流过探针的电流 ID,横坐 标是探针间的电压 VD。
(1)求电子温度 显然,两个探针是串联的且没有其他的电流支路, 根据基尔霍夫电流定律,有:
电磁干扰。由于很多等离子体系统是由各种放电产生的,所 以放电对诊断的干扰时不可避免的。 例如:磁探针对磁场的干扰;高温等离子体本身会辐射电磁 波,从无线电波到x射线都有,还有逃逸粒子
消除干扰的方法:静电屏蔽、电磁屏蔽、静磁屏蔽
1.6分辨率
在等离子体诊断中,分辨率是一个表示测量 精确程度的物理量,包括被测物理量大小的 分辨率和时间空间分辨率。
当等离子体密度范围从几个粒子/cm3到大于1014/cm3时,朗 缪尔探针适合在如此宽的等离子体密度范围内服务。
测量参数范围
等离子体密度 等离子体温度 等离子体电位Vp 100cm3~1014/cm3 0.1eV~几百ev 0.1keV~几个keV
2.1探针的结构
依据不同的用途,可以采用不同的探针进行诊断,但探针 的结构基本相同。
I D I io 2 I e 2 I e 1 I io 1 VD V p1 V p 2
⑴ ⑵
其中,Ie1和 Ie2分别为探针 1 和探针 2 收集的电子 电流,Ii01和 Ii02分别探针 1和探针 2 收集的离子饱 和流,Vp1和 Vp2分别为探针 1 和探针 ( e ) 为打在探针上的,速度为
范围内的电子密度。
v e dv e
假设电子速度分布符合麦克斯韦分布,则有
m mv dN e(v e ) 4v e ( e )3 / 2 exp( e e ) e dv 2kTe 2kTe
2 2
⑦
其中, Ne ---探针鞘外层外电子密度 Te ---电子温度 me ---电子质量 k --- 玻尔兹曼常数
区域Ⅱ:离子电流饱和区。此时探针电位远低于等离子体电位, 探针排斥所有电子,唯有正离子才能到达 探针,此时探针电流 即为正离子的饱和电流。 V f:当探针电位增到某一定值V f时,探针电流为零,即I=0,这 时探针好像悬浮在等离子体中一样,这个电位V f称为浮动电位。
区域Ⅲ:当探针电位Vp满足Vf V p Vs 时,电子和离子都 被捕获,并逐步过渡到电子电流流入区。 区域Ⅳ:当探针电位V p满足 时,所有电子将不受电 V p Vs 场力的作用而依靠它们自己的热运动能量到达探针,这时探 针电流趋向于另一种饱和,即电子的饱和电流。 在曲线Ⅲ阶段,电子和离子都被捕集,但离子电流比电子 电流小得多。假定电子速度服从麦克斯韦分布,则电子密 度为: eV ① N e N 0e kTe
1.2需要诊断的内容(等离子参数)
随着等离子体科学和技术及其应用的发展,在低 温等离子体中需要诊断的等离子体参量主要包括: 等离子体中电子温度及其时空分布T e r ,t 等离子体中电子密度及其时空分布 N e r ,t 等离子体中离子温度及其时空分布T i r ,t 等离子体中离子密度及其时空分布N i r ,t 等离子体中中性原子及其时空分布N o r ,t 等离子体中反应物及其中间产物的种类、密度及 时空分布 N R r ,t 等离子体中杂质原子、离子种类密度及其时空分 布
ieo
1 8kTe Ne Ae 4 m e
⑨
⑩
由⑩式可以得到
Ne
ieo eA
2m e
kTe
(3)求离子密度N i
⒈在理想情况下(通常情况下),等离子体工作气体 只有一阶电离,或工作气体为纯氢时,有 N i=N e ⒉当等离子体为非纯氢等离子体,且等离子体中不是只有 一阶电离,而且还有高阶电离时,或者等离子体中有负离 子时,N i=N e。
Ie1 eV exp[ D ] Ie 2 kTe
⑸
对⑸式两边取对数,再对VD求微商:
1 dI e1
Ie1 dV D
1 dI e 2
Ie 2 dV D
e kTe
⑹
并且:
I e 1 I D I io 1 I e 2 I io 2 I D dI io 1 dI io 2 0 dV D dV D
设鞘层内的电子能量服从玻尔兹曼分布,鞘层外仍服 从麦克斯韦分布,则探针收集的电子流为:
Ie1 Ie 2
eV 1 ene 1 v 1 Ap 1 exp( p 1 ) 4 kTe 1 eV 1 ene 2 v 2 Ap 2 exp( p 2 ) 4 kTe 2
⑶
⑷
其中,ne1和 ne2分别表示探针 1 和探针 2 鞘层外的电子密度,v 1 和 v 2 分别表示探针 l和探针 2 鞘层外电子的平均速度;Ap1和 Ap2 分别表示探针 1 和探针 2 收集电子的有效面积。考虑到两探针完 全相同,它们所在局域等离子体参数一致,将⑶式和⑷式相除得:
1-探针电源;2-电压表; 3-电流表;4-放电真空室; 5-阴极;6-阳极;7-探针; 8-等离子体;9-稳定电阻; 10-放电电源
若把一个金属探针插 入有自由电子和正离 子组成的等离子体。 探针电流为正离子电 流和部分电离子电流 的代数和,即
I I
i
Ie
单探针电压特性 I p-探针电流;V p-探针电压;V f-悬浮电位; V s-等离子体空间电位
1.3常用的等离子体诊断手段和种类
适用于低温等离子体的诊断手段
诊断手段 利用等离子 体发射的光 波(光谱) 进行诊断 X射线 可测等离子体参数 电子温度、电子密度、离子密度、 等离子不稳定性
真空紫外光谱 电子温度、电子密度、离子温度、 离子密度、中性粒子密度 紫外可见光谱 电子温度、电子密度、离子温度、 离子密度、中性粒子密度
单探针结构示意图 1-铜导线;2-探针;3-第一屏蔽(耐 火玻璃);4-第二屏蔽(耐火玻璃); 5-聚四氟外套;6-氧化瓷套
双探针结构示意图
从探针的外形,又可把探针分为平板形 探针,圆筒形和球形探针。
探针形状
2.2单探针工作原理
在一般的气体放电研究中,往往利用朗缪尔探针来 测量电子温度、电子密度和离子密度等基本参量, 基本测量原理如下图所示:
偶然误差 误差 系统误差
通常偶然误差 偶然误差 随机偶然误差
已知条件保持恒定变不变时,由于人为 原因造成的读书误差。
是等离子体特有的一种误差。
1.5干扰与噪声及其消除方法
干扰:由于外部因素引起的测量对象或测量结果的扰动和 偏差。 噪声:内在因素引起的统计性涨落。
干扰与噪声的来源 干扰来源:空间电磁波、电源的噪声和试验系统本身的
等离子体诊断技术-------静电 探针测量
1、等离子体诊断概述
1.1目的及其在科学中发展的意义 1.2需要诊断的内容(等离子体参数) 1.3常用的等离子体诊断手段和种类 1.4实验的可靠性和误差 1.5干扰与噪声及其消除办法 1.6分辨率
2、静电探针诊断技术
2.1探针的结构 2.2单探针的工作原理 2.3双探针的工作原理
dI D eI io | D 0 I dV D 2kTe
⑼
由上式可以得到等离子体中电子温度表达式为:
kTe eI io dV D | D 0 I 2 dI D
⑽
由⑽式可知,只要求得探针曲线过零点处的斜率便可以得到 电子温度。
(2)求等离子密度Np
由于双探针只能收集到离子饱和流,故只能计算离子密度作 为等离子体密度,计算方法与单探针相同,等离子体密度表 达式为:
被测物理量大小的分辨率:指的是被测数据相差多大程度,
才能通过测量手段区别或鉴别出来。
时间空间分辨率:指的是所测物理量大小随时间和空间
变化的最小尺度。
2、静电探针诊断技术
发展历史:静电探针称为朗缪尔探针,由朗缪
尔等人于1924年提出,已成为测量等离子体参量 重要工具。另一个里程碑就是双探针技术的发现。
V Vs V p 其中 式中 V —探针相对于等离子体电位 V s—等离子体空间电位 V p—探针电位 N e—电子密度 N 0—中性原子密度 kT —电子温度
②
当探针电压为V时,探针上的电子电流为
ie ieoe
eV kTe
③
其中,eo为最大电子电流 i
(1)求T e表达式 对③式两边取对数,有
将⑦代入⑥式并对θ和V e积分,得到单位时间内打到探针单位 面积上的总电子数Φ:
1 8kTe Ne 4 m e
⑧
当探针电压足够高时,探针电流唯一取决于电子密度。这时 饱和电子流 ieo 可以表示为:
ieo Ae
式中, A ---探针暴露于等离子体中的表面积 e ---电子荷电量
将⑧式代入⑨式有:
利用激光或 电磁波与等 离子体相互 作用进行等 离子体诊断 探针测量
激光散射
电子温度
远红外激光干 电子密度 涉 微波干涉 电子温度、电子密度 激光荧光光谱 原子密度、离子密度 静电探针测量 电子温度、电子密度、离子温度、 (郎缪探针测 离子密度、等离子体空间电位 量) 质谱 粒子种类和密度
粒子测量
探针的饱和电子流为:
ioi 0.4N i
2kTe
mi
Ae
所以有
N i
ioi 0.4Ae
mi 2kTe
式中, N i ---离子密度 --探针伏安特性曲线上的饱和离子流
m i ---离子质量
2.3双探针工作原理
探针由扫描电源提供所需电压,通过电 压表和电流表分别测量探针间的电压 V D 和流过探针的电流 I D,将测量数据绘制 成 V-I曲线。如果两个探针完全相同,它 们所在的局部空间的等离子体是均匀的, 井且具有相同的等离子体空间电位,那 么,探针间不存在等离子体空间电位差, 故 V-I 曲线应是关于纵轴对称的。双探针 V-I曲线如下图所示: