微纳加工技术解析

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2.方法
❖ 图4。自上而下的微加工处理流程,用于制造基于绝缘硅衬底具有纳米 特征的悬浮硅结构,使用单掩膜光刻工艺
3.结论
❖ 薄器件层的SOI衬底(500 nm–2μM)被用于 制造集成了热制动与纳米传感器的热响应结 构。如图5,扫描电子显微镜下一个梯形断面 宽85 nm的纳米梁,基于2μ米厚的硅衬底(使 用当前的技术制造)
2.方法
❖ 在绝缘硅片上的氧化硅层继续刻蚀步骤。先 在理想错位角条件下,进行2μm精度的标准 光刻蚀(图4(a)),然后将硅器件层放在 碱性溶液(这里使用KOH)中刻蚀适当的时 间,以自我控制的方式形成最终的特征(图4 (b))。在去除氧化物后(在HF中),得 到的结构相比于最初的掩膜图形更窄(图4 (c))。
2.方法
❖ 图1,3D示意图.使用自我控制方法利用标准光刻制造纳米硅梁;该方法在 微观图案和硅衬底的晶向方向间引入一个旋转错位角。插图(a)显示 的是Si纳米梁的横截面图。(b)图为湿法刻蚀硅结构及其倾斜微观硬掩 膜的扫描电子显微镜顶部示意图,可以明显看出,尺寸按比例缩小以及 硅结构内部的边缘锐化
3.结果
❖ 图6。两个谐振结构相似的初始图案,但引入不同的角度后,右边结构 显示出更窄的梁宽
3.结论
❖ 较窄的光束可以由较大的角度制作。其他两 个双热响应结构,具有不同数量的致动器, 尺 寸小至150 nm, 位于500 nm厚的Si衬底,在 如图7所示。
3.结果
❖ 图7。在500 nm厚的Si衬底上利用所描述的缩小技术制备悬浮谐振晶体 硅结构。
传统微细加工单晶硅纳米束的 自我控制制造
Self-controlled fabrication of singlecrystalline
silicon nanobeams using conventional micromachining
1.介绍 2.方法 3.结果 4.结论
1.介绍
❖ 开发不同的技术,分别是自顶向下和自底向上
❖ 自底向上的纳米线通常是纠缠的网状结构,缺少预 定的顺序,无法集成为独立的纳米线。这种技术还 不适合纳米线批量生产。
❖ 自上而下的制造方法(其中电子束光刻EBL是最常 用的),可以在数量和位置方面控制其特征,但非Leabharlann Baidu常耗时,不适合批量化制造。而且由于后续不完善 的深反应离子蚀刻(DRIE)过程,会产生不理想的 的尺寸变化等缺陷。
2.方法
❖ 图2。(a)用所描述的技术制造的有锐化边缘和高质量组件的纳米束集 成机电结构。(b)连续热氧化生长和HF去除步骤后的有纳米特征的类 似结构,体现出严重的粗糙度,以及难以预测的特征
2.方法
❖ 例如,为了制作一个长2μm宽50nm的纳米线,使用1μm光 刻分辨率,纳米线的宽度相对于旋转错位的灵敏度是47纳米 /度。因此,为了达到2 nm的准确定,精度0.04度将是必要 的,使用常规的掩模对准系统可以很容易实现。
2.方法
❖ 图3。示意图:在硅晶片上以0.01度的精度确定(110)面的方向。一个有0.01度角度增量 的长狭开口阵列展现于热生长氧化掩膜上。在碱性溶液中(eg.KOH),经过一段合适时 间的各向异性湿法刻蚀后,削弱了至少700nm,该过程可以明显地在光学显微镜下观察, 削弱过程在每个特征的两个对角的产生,除了对齐(110)方向的一个开口。
2.方法
❖ 图1中,狭窄硅梁的尺寸可以由下面公式确定: ❖ L f = Ld cos θ − Wd sin θ ❖ Wf = Wd cos θ − Ld sin θ ❖ Ld和Wd是硬掩膜上最初定义的尺寸,Lf和Wf是所
产生的Si梁尺寸,θ是引入的错位角(在图1表示)。 最终尺寸灵敏度为:
W f ❖ = −Ld sinθ− Wd cos θ
2.方法
❖ 各向异性湿法化学刻蚀
由于在单晶硅中处于各个方向的晶胞里的悬挂键数量不同,(111)面的 蚀刻率的比(110)面的慢。因此,在湿法刻蚀过程中(111)平面可以 作为强力的蚀刻停止层。
同样的原理,利用一个单掩膜光刻步骤,在绝缘硅(SOI)衬底上把 微观图案变为纳米级特征的图案。基于(100)衬底,在微型精密图 案和(110) 平面之间引入一个旋转错位角θ之后,碱性溶液便开始削弱 硬掩模,而最初的(111)平面已被硬掩膜完全覆盖,并且在整个湿法 刻蚀过程中作为刻蚀停止层。适当的蚀刻时间后,最终的硅衬底结构 上的特征尺寸极大减小(结构如图1(b))。在(110)面至(111) 面间,刻蚀速率由大于600变为1左右,这个速率的变化也证明了湿法 刻蚀后的最终特征尺寸具有高度的可控性。
❖ 开始制造前,需要精确定位硅衬底(110)面的方向。氧化 硅层已开始热生长并且形成了狭长的的开口阵列图案 (2μM×2000μ米),阵列间相对旋转了0.01度的小角度 (图3)。在KOH溶液中,硅衬底经过适当时间的各向异性 湿法刻蚀后,所有相对于(110)面有错位的开口都被削弱 了,其中削弱最少或无削弱的开口,以0.01度的精度表示 (110)面方向。因此,达成理想特征尺寸的合适偏转角可 以通过选择适当的对准标记轻易实现(即以适当的错位角开 口)。
3.结果
❖ 图5。SEM图,在2μm厚器件层硅衬底上制作的一个悬浮的硅纳米梁, 宽度在85 nm左右
3.结论
❖ 正如前面所讨论的,最终结构的尺寸可以通过错位 确定。错位角由光刻步骤引入。一般来说,一个更 大的错位角将得到较小的最终尺寸。两个相似的在 2μm厚的硅衬底上制作的机电谐振结构,使用相同 的光刻掩模图案,但不同的错位角,结果如图6所 示。该结构是一个1度的小错位角制导致∼600 nm 宽梁(图6(a)),而在其他结构具有较小的宽度 ∼250 nm(图6(b))
3.结论
❖ 图8比较了在图6的两个类似的共振结构真空的频率 响应,它们的区别仅在于在支撑梁的宽度。垂直轴 显示的分贝参考1 / 50Ω电导动态电导的绝对值(20 log(2 × 50 × gm))。 正如预期的那样,偏置电流, 如图6所示的谐振器的谐振频率1.5×高于在图6(b) 谐振器。这是由于, 更广泛的支持和致动器的结构 梁导致整体刚度较高,从而导致更高的共振频率。
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