低噪放资料

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关于低噪放的研制总结

关于Ku波段PDRO锁相频率源的研制总结
新年伊始，一年之计在于春，大家都在忙着开展工作，回顾过去，展望今年，以期有个更大的提高，我这里结合今年我设计的二款低相噪频率源，针对PDRO这个专题，简要叙述一下，希望与各位共勉！
一、先介绍一下这二种频率源的设计方案和研制过程：
（1）Ku/C波段取样锁相介质振荡器：用途为技术指标：增益大于50dB，噪声系数不大于1.5 dB，工作频率1.15-1.65GHZ，端口驻波小于1.35：1。

根据以上要求做出设计方案如下：放大器分为三级放大结构（如图1），
图一
根据以上结构计算所得总增益=18+20+15-0.5=52.5 dB，满足要求。

总噪声系数=F0+(F1-1)/G0+(F2-1)/G1+(F3-1)/G2=1.205 dB，满足要求。

在实际制作过程中，1.15-1.65G隔离器在中间频率段驻波不好（最差回损约-13 dB），增益满足，噪声系数在频率高端超出1.5 dB，，通过降低栅负压，增大FET工作电流，降低了0.1-0.2 dB的噪声系数，在1.15G噪声系数达到1.2 dB，在1.6GHZ以上噪声系数稍稍超出1.5dB。

（2）Ku波段高增益低噪声放大器：用途为该波段天线测试用，用以提高接收天线的信号强度，便于天线测试。

技术指标：增益大于40dB，噪声系数不大于2 dB，工作频率12-16GHZ，端口驻波小于1.5：1。

根据以上要求做出设计方案如下：放大器分为三级放大结构（如图2），
图二
乔彦宾于二O一O年元月。

低噪放内部结构

低噪放内部结构摘要：一、低噪放内部结构简介1.低噪放概念2.内部结构组成二、低噪放内部结构详解1.输入匹配网络2.输出匹配网络3.噪声源4.放大器三、低噪放内部结构的作用1.降低噪声2.提高信号质量四、内部结构对低噪放性能的影响1.输入匹配网络的影响2.输出匹配网络的影响3.噪声源的影响4.放大器的影响五、结论正文：一、低噪放内部结构简介低噪放，即低噪声放大器，是一种电子放大器，主要用于放大微弱信号。

在通信系统、射频放大器、音频放大器等领域有着广泛应用。

低噪放的性能优劣，很大程度上取决于其内部结构的设计。

本文将对低噪放的内部结构进行详细解析。

二、低噪放内部结构详解1.输入匹配网络输入匹配网络是低噪放内部结构中的重要组成部分，其作用是使输入信号与放大器之间的阻抗匹配，从而提高信号传输效率，降低信号反射，减少噪声产生。

输入匹配网络通常由电感、电容等元器件组成。

2.输出匹配网络输出匹配网络的作用与输入匹配网络类似，也是为了提高信号传输效率和降低噪声。

不同的是，输出匹配网络需要将放大器的输出阻抗与负载阻抗进行匹配。

输出匹配网络通常也包括电感、电容等元器件。

3.噪声源噪声源是低噪放内部结构中产生噪声的部分。

它包括热噪声、闪烁噪声等。

噪声源的设计对于降低噪声、提高信号质量具有重要意义。

4.放大器放大器是低噪放的核心部分，负责对输入信号进行放大。

放大器的性能直接影响到低噪放的总体性能。

在设计放大器时，需要考虑其增益、带宽、噪声系数等因素。

三、低噪放内部结构的作用1.降低噪声低噪放的内部结构设计主要目的是降低噪声。

通过合理的元器件选择和参数配置，可以减少噪声源产生的噪声，降低信号反射产生的噪声，从而提高信号质量。

2.提高信号质量除了降低噪声外，低噪放的内部结构还需提高信号质量。

通过优化输入匹配网络、输出匹配网络以及放大器的设计，可以提高信号的传输效率，降低信号失真，从而提高信号质量。

四、内部结构对低噪放性能的影响1.输入匹配网络的影响输入匹配网络的设计对低噪放的性能有重要影响。

低噪放内部结构

低噪放内部结构摘要：1.低噪放内部结构的概述2.低噪放内部结构的主要组成部分3.低噪放内部结构的工作原理4.低噪放内部结构的应用领域5.低噪放内部结构的发展趋势正文：【1.低噪放内部结构的概述】低噪放内部结构，是指在电子设备中用于降低噪声、放大信号的一种电路结构。

它在各种电子设备中都有广泛的应用，如通信设备、音响设备、计算机等。

低噪放内部结构的主要作用是放大输入信号，并降低噪声，从而提高输出信号的质量。

【2.低噪放内部结构的主要组成部分】低噪放内部结构主要由以下几个部分组成：（1）放大器：是低噪放内部结构的核心部分，用于放大输入信号。

（2）滤波器：用于滤除噪声，保证输出信号的纯净度。

（3）负反馈电路：用于稳定放大器的工作状态，防止自激振荡。

（4）偏置电路：为放大器提供稳定的偏置电压，保证放大器的工作稳定性。

【3.低噪放内部结构的工作原理】低噪放内部结构的工作原理是：输入信号经过滤波器滤除噪声后，进入放大器进行放大，然后再进入滤波器滤除噪声，如此反复，直到输出信号达到所需的质量。

在这个过程中，负反馈电路和偏置电路起着关键的作用，它们可以稳定放大器的工作状态，保证输出信号的质量。

【4.低噪放内部结构的应用领域】低噪放内部结构在各种电子设备中都有广泛的应用，如通信设备、音响设备、计算机等。

在这些设备中，低噪放内部结构可以提高信号的质量，降低噪声，从而使设备能够更好地工作。

【5.低噪放内部结构的发展趋势】随着科技的发展，低噪放内部结构也在不断地发展。

未来的低噪放内部结构将会更加高效、小巧，并且能够更好地适应各种环境。

关于航天的低噪放,功放,变频器的说明

关于航天的低噪放,功放,变频器的说明摘要：1.航天领域中的低噪放、功放和变频器的作用2.低噪放的原理与技术要求3.功放的工作原理及技术指标4.变频器的功能及其在航天通信中的应用5.我国在航天电子设备领域的发展与挑战正文：航天科技在我国的发展已经取得了举世瞩目的成就，其中航天电子设备的技术水平在很大程度上决定了航天器的性能。

在航天领域中，低噪放、功放和变频器等电子设备起着关键作用。

首先，低噪放（Low-Noise Amplifier, LNA）是一种用于放大微弱信号的电子器件。

在航天通信系统中，低噪放被广泛应用于卫星接收地面站发射的微弱信号。

其原理是在放大信号的同时，降低噪声的干扰，从而提高信号质量。

低噪放的技术要求主要包括低噪声系数、高增益、高线性度等。

其次，功放（Power Amplifier, PA）是一种能够将输入信号的功率放大到较高水平的电子设备。

在航天通信系统中，功放用于驱动卫星发射天线，从而实现地面站与卫星之间的通信。

功放的工作原理主要是通过控制输入信号的幅度和相位，使得输出信号具有所需的功率。

功放的技术指标主要包括输出功率、增益、效率、线性度等。

再者，变频器（Frequency Converter, FC）是一种能实现信号频率转换的电子设备。

在航天通信系统中，变频器用于实现不同频段之间的信号传输。

例如，将C 波段信号转换为Ku 波段信号，以提高信号传输的效率。

变频器的功能主要包括频率变换、信号放大、滤波等。

我国在航天电子设备领域已经取得了显著的成就，但在低噪放、功放和变频器等核心技术的研发方面，与国际先进水平仍存在一定差距。

低噪放

（一）国际发展现状
国际上的一些著名大学、研究机构以及 IC公司都己对多模多频段低噪声放大器的设计做了广泛的研究，并且己经有了相当多的成果。 2011年8月，日本的Lime Microsystems 公司推出了一款多模多频无线收发芯片 LMS6002，该芯片的工作频率为375MHz--4GHz，可用于3GPP ( WCDMA,HSPA和LTE), 3GPP2 (CDMA2000)以及WiMAX的应用上，其低噪声放大器的噪声系数不超过3dB。 2012年3月，富士通半导体公司推出了单芯片的2G13G/4G收发芯片MB86L1A,该芯片支持LTE ( FDD和TDD), EDGE, EDGE-EVO, WCDMA,GSM, HSPA+, CDMA以及TD-SCDMA等多种通信模式。 2013 年1 月，MTK 推出MT3332/MT3333 SoC（片上系统）芯片如图所示，可支持 GPS、北斗、GLONASS、伽利略及QZSS 等5 种全球卫星导航系统的信号，藉由多系统的相互辅助，能大幅提升导航定位的精度和可靠性，避免误差随时间推移及行程增加而累积。
传统的单频段LNA技术已趋于成熟，具有源级电感负反馈结构的LNA由于其低噪声低功耗的特点而得到广泛应用。但是，面对多模多频段的需求，基于这种结构的LNA 设计遇到新的困难。首先，其窄带的输入阻抗匹配特点。源级电感退化LNA输入阻抗只匹配在一个频点上，而多模多频段需要低噪声放大器在多个频段都能实现匹配。虽然二阶乃至高阶的输入阻抗匹配以及负载谐振网络能够支持相隔比较远的两个或多个频带的低噪声放大，但是其在低噪声放大方面的优势被削弱。
（一）国际发展现状
2013 年11 月，高通与三星合作推出支持北斗卫星定位功能的旗舰智能手机 GALAXY Note 3（配备高通骁龙800 移动处理器MSM8974），成为首批支持北斗系统的智能手机。 2013 年12 月，博通公司宣布推出一款支持北斗系统的卫星导航芯片BCM47531 （见图6），它能够同时使用从5 个卫星系统（GPS、GLONASS、QZSS、SBAS 和北斗卫星）发出的信号来产生定位数据，提高了导航定位精度，尤其是在性能受建筑和掩体影响的城区，效果更为明显。 2014 年2 月，MTK 发布了全球首款支持4G LTE 网片——MT6630，支持20/40/80 MHz 频道带宽，支持低功耗蓝牙，整合了 ANT ＋（蓝牙健康与健身聚合器套件）技术，可广泛应用于运动健身配件/ 可穿戴设备，同时支持GPS、北斗、GLONASS、伽利略、QZSS 系统。

低噪放的优化技术

CMOS射频集成电路设计2009年4月1日唐长文副教授zwtang@/Courses.htm复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室版权©2005-2009, 版权所有，侵犯必究低噪声放大器的设计优化技术z MOS管噪声模型z经典二端口网络的噪声分析z窄带低噪声放大器的设计优化经典二端口网络噪声匹配噪声和阻抗同时匹配有效跨导约束和功率约束的噪声匹配功率约束的噪声和阻抗同时匹配(自学)z宽带低噪声放大器的设计优化噪声抵消技术电容交叉耦合技术电阻负反馈技术复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文电阻热噪声唐长文bulkbulkkTR243γ=≈( g−2 ndcopt minin m m g m S 2G R g L =S l gndg do减小时，宽W减小，电容C gs减小，要使输入回路的谐振频率保持不变，L必须相应增大。

g为了得到好的噪声性能和降低功耗，需要提高输入串联回路值。

的QL增大ωT/ω0值能够减小噪声系数NF，因此CMOS工艺的不断不断提高对降低噪声系数有一定的好处。

进步，ωT噪声系数NF没有最小极限值。

很小的MOS管，消耗极少量的功率就能够获得0dB的噪声系数。

这和实际测试结果是不符的，造成这种问题的原因在于没有考虑MOS管的栅极感应噪声。

复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文ngngungu nd ()ngu ndd m D L TDmmDDD2nd 专用集成电路与系统国家重点实验室2nd 专用集成电路与系统国家重点实验室宽带低噪声放大器的设计优化z噪声抵消技术单端单端转差分z电容交叉耦合技术z电阻负反馈技术复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室唐长文A Wide-band CMOS Low-Noise Amplifier for TV Tuner Applications Youchun Liao, Zhangwen Tang and Hao Min ASIC & System State Key Laboratory, Fudan UniversityShanghai, 201203 P.R.COutlinez CMOS TV tuner architecture and the demand for wide-band LNAz LNA with noise-canceling technique –Basic principle–Noise analysis–Linearity analysis–Parameter relationshipz Chip and measurementz ConclusionCOB PackageNo extra matching-network neededConclusionz A LNA with noise-canceling technique z Noise canceling under input/output impedance matchingz Linearity analysisz Relationship of characteristics depend on RFz Chip and measurement results。

atf-54143低噪放芯片资料

Surface Mount Package SOT-343
Specifications
2 GHz; 3V, 60 mA (Typ.) 36.2 dBm output 3rd order intercept 20.4 dBm output power at 1 dB gain compression 0.5 dB noise figure 16.6 dB associated gain
Pin Connections and Package Marking
4Fx
DRAIN
SOURCE
Applications
GATE
SOURCE
Note: Top View. Package marking provides orientation and identification “4F” = Device Code “x” = Date code character identifies month of manufacture.
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
Parameter and Test Condition
Operational Gate Voltage Threshold Voltage Saturated Drain Current Transconductance Gate Leakage Current Noise Figure[1] Associated Gain[1] Output 3rd Order Intercept Point[1] 1dB Compressed Output Power[1] f = 2 GHz f = 900 MHz f = 2 GHz f = 900 MHz f = 2 GHz f = 900 MHz f = 2 GHz f = 900 MHz Vds = 3V, Ids = 60 mA Vds = 3V, Ids = 4 mA Vds = 3V, Vgs = 0V

低噪放Word

低噪放仿真实验一．实验目的1.了解低噪放的工作原理2.学习低噪声放大器的设计方法3.熟悉ADS2011仿真软件的设计二．设计目标1.工作频率2.4~2.5G ISM频段，此频段( 2.4~2.4835GHz)主要是开放给工业，科学、医学，三个主要机构使用。

2.噪声系数NF<0.73.增益Gain>154.驻波比VSWRin<1.5,VSWRout<1.5三．设计方法1.首先添加由ADS官网上下载的ATF54143晶体管lib，画出原理图，如图1:图1进行仿真，其结果如图2：图22.偏执电路设计从ATF54143数据手册中得Fmin 接近最小值，增益大约为16.3dB ，所以晶体管的直流工作点就设为V 3=ds V ，mA 20=ds I 。

然后画偏执电路，设置参数Vdd=5V ，Vds=3V ，Ids=20mA ，增加DC 模块，可看到仿真结果如图4：图4参考值Vds=3V ，Id=40mA ，仿真做出来Vds=3.11V ，Id=37.7mA ，存在误差。

3.稳定性分析新建原理图如图5：图5设置好参数后仿真，添加MaxGain1和Stabfact1两条曲线，如图6：图6观察到最大增益为19.811dB，稳定系数为0.897，小于1，而只有系数大于1时才是稳定，所以不稳定。

使用负反馈可以让系统稳定，在源极添加小电感作为负反馈，如图7：图7仿真结果如图8：图84.DC_Feed改成实际器件添加murata的lib，用murata里的LQG18和GRM18代替DC_Feed。

电路如图1.9：图9其中设置旁路电容为 1.2pF ，旁路电感为 3.9nH ，输出端的电路串联电感值为22nH ，旁路电容为10pF ，分装都是0603。

仿真图如图10：图10然后将晶体管源极的两个电感换成微带线。

计算公式如下：rZ L l ε081.11=，其中L 为电感值，Z0为特征阻抗，这里用的PCB 板是FR4射频板。

ADS第四次教学：低噪放设计(上)

7/8/2013 2013-7-8
35
S参数仿真
仿真结果如下
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S参数仿真
理想元件转化为微带线
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S参数仿真
集总理想元件转化为带封装的元件（依据实际使用品牌的电容）电容的转化
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S参数仿真
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smith圆图匹配
在输入和输出加入smith chart 输入端口从50欧匹配到源端阻抗的共轭20+j*2 输出端口从50欧匹配到负载端阻抗的共轭70-j*50
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smith圆图匹配
生成电路，并将电路拷贝到主原理图上，并且将隔直电容，扼交电感替换为20PF，20nH
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稳定性K，输入输出阻抗确定
我们采取第二种方法，在2个源级分别串联一个电感 L1和L2，并且赋予他们的值等于L nH，在原理图里面添加变量Var，设置一个变量L=1
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稳定性K，输入输出阻抗确定
点击手动调谐tuning
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其中-174dBm/Hz是290K时环境噪声的功率谱密度热噪声功率 P=KBT ,其中 K 为玻尔兹曼常数,B 为带宽,T 为温度 NF是接收机的噪声系数，S/N是信号的信噪比，BW是信号的带宽（单位Hz）
分析：当发射机的信噪比S/N确定了以后，发射信号的带宽也确定了以后，影响接收机的接收灵敏度的指标只有NF指标，所以接收机的好坏直接由NF决定。

低噪放内部结构

低噪放内部结构【原创版】目录1.引言2.低噪放的定义与作用3.低噪放内部结构的组成部分4.低噪放内部结构的工作原理5.低噪放内部结构的优势与应用6.结论正文【引言】在现代科技飞速发展的时代，降低噪声已经成为了许多领域追求的目标。

从家居生活到工业生产，从通信技术到航空航天，降低噪声都能极大地提高系统的性能和舒适度。

因此，低噪放技术应运而生，成为了众多行业中不可或缺的一部分。

本文将介绍低噪放内部结构的相关知识，包括其组成部分、工作原理以及优势与应用。

【低噪放的定义与作用】低噪放，全称为低噪声放大器，是一种能够放大信号的同时降低噪声的电子设备。

其主要作用是在保证信号质量的前提下，提高信号的强度，使得信号在传输过程中能够有效地抵抗各种干扰，从而达到提高系统性能的目的。

【低噪放内部结构的组成部分】低噪放内部结构主要由以下几个部分组成：1.输入端：负责接收输入信号，并将其传输到下一个环节。

2.放大器：低噪放的核心部分，负责对输入信号进行放大。

3.噪声抑制器：用于抑制放大器产生的噪声，保证输出信号的质量。

4.输出端：将放大后的信号输出，供给后续系统使用。

【低噪放内部结构的工作原理】低噪放内部结构的工作原理主要分为以下几个步骤：1.输入端接收到输入信号后，将其传输到放大器。

2.放大器对输入信号进行放大，同时不可避免地引入一定程度的噪声。

3.噪声抑制器对放大器产生的噪声进行抑制，保证输出信号的质量。

4.输出端将放大后的信号输出，供给后续系统使用。

【低噪放内部结构的优势与应用】低噪放内部结构具有以下优势：1.高信噪比：低噪放可以有效地提高信号的信噪比，使得信号在传输过程中更加稳定。

2.广泛适用性：低噪放技术可应用于各种领域，如通信、音响、雷达等。

3.低失真：低噪放内部结构可以实现较低的失真，保证信号的质量。

【结论】低噪放内部结构在现代科技领域具有广泛的应用，其作用不容忽视。

通过降低噪声，提高信噪比，低噪放技术为各种系统的稳定运行提供了有力保障。

低噪声放大器

1、噪声系数（Noise Figure）：输入信号与输出信号的信噪比（SNR）之比。 NF=（SNR）in/（SNR）out 通常情况下，它是以分贝为单位的。 2、增益（Gain）：负载吸收功率与信源资用功率之比。 3、带内平坦度（Gain Flatness）：通带内最大增益与最小增益的差值。 4、驻波比（Standing Wave Ratio）：最大电压与最小电压之比。 5、输出功率（Power Out）
特点
相噪低相噪高功率小功率小相噪低
适用电路
放大振荡功率放大小信号放大小信号放大放大振荡
价格
低中高高高
2-10 2-40 2-40
HBT
1-40
关于放大管（续）
根据要求选定放大管后，首先要做的事情就是根据管子提供的参数经过计算判断他的稳定性，一个稳定的系统才能正常工作。那么怎么判断晶体管的稳定性呢？我们从反射系数的角度出发，那就是当反射系数的模小于1的时，系统才是稳定的。（？）经过一些计算最终我们得到下面判别条件：
直流偏置电路设计（续）
选择静态电流的原则
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
直流偏置电路设计（续）
4、微波控制电路
根据我们的实际，微波控制电路主要采用反馈控制方式，我们主要介绍ALC（Automatic Level Control），它的常见应用就是AGC（ Automatic Gain Control ），其他的反馈控制还有AFC（ Automatic Frequency Control ）和PLL（Phase Lock Loop），下面以功率控制为例介绍ALC电路原理应用。

低噪放报告

低噪声放大器设计报告姓名：任健学号：201520000114单位：电磁场与微波技术时间: 2015年11月10日一、技术指标：衬底：相对介电常数6.15，厚度0.78晶体管：hp_AT-41511_2_19950125目标：频率2.2GHZ~2.8GHZ,增益>10dB,回波损耗>10dB,噪声系数<2dB二、仿真分析1.晶体管直流工作点扫描我们使用BJT curve tracer 模板，并将hp_AT-41511管放入模板中的正确位置，对扫描参数进行一些修改，就可以获得到该管的直流I-V曲线。

DC仿真原理图：DC仿真结果：如图所示，我们选择Vce=2.7V，Ic=5mA为直流工作点。

2.晶体管S参数扫描选定晶体管的直流工作点后，可以进行晶体管的S参数扫描，选用的S参数模型是sp_hp_AT-41511_2_19950125,这一模型对应的工作点为Vce=2.7V，Ic=5mA。

Sp模型无需外加直流偏置。

其S参数扫描原理图如图所示。

S参数扫描结果：数据输出窗口如图所示，图中以不同形式显示输出S参数。

如图可见，晶体管的匹配并不好。

噪声系数的仿真如图所示。

三、设计过程匹配设计：完整的电路图如图所示：同时对输入匹配电路和输出匹配电路进行优化，优化目标设置如图所示：优化过程如图所示：四、设计结果匹配优化后的结果如图所示：由仿真结果可见，基本上电路达到了比较好的性能，比如，良好的输入匹配，输出匹配，较高的增益，稳定系数大于1，噪声系数小于2dB。

五、存在的问题及分析：整体来说回波损耗、噪声系数和稳定系数都比较理想，但是增益始终徘徊在10dB左右，不是很理想，尝试了别的匹配方法，比如用ADS 进行自动综合并联单支节微带匹配结构，效果仍然不是很理想。

原因可能是直流工作点的设置不太准确。

低噪放资料

低噪放培训材料1、低噪放的组成及其工作原理。

2、低噪放性能指标的分析。

3、典型低噪放电路图讲解。

4、电路的调试及维修。

1.1、低噪放的作用所谓低噪放就是噪声系数很低的放大器，它位于射频接收链路的第一级。

射频接收系统的一个基本设计目标就是要让整个接收链路的噪声系数最小。

而整个接收链路的很大基本由第一级放大器决定。

第一级放大器的噪声系数越小，增益越大则整个接收链路的噪声系数就越小。

而噪声系数的大小直接影响到接收机的灵敏度的好坏。

目前公司低噪放设计采取两种方案： 1、平衡式（早期）2、单链路式（降成本）模块类型： 1、单入单出 2、单入双出1.2、低噪放的组成部分该电路可划分为三个小单元:电源处理电路、CPU 处理电路、射频(RF)链路。

● 实现与上位机的RS485通信接口、输入信号功率检测、模块增益调节和自动电平控制(ALC)。

● 变频器的基本组成部分 ● 低噪放方框示意图：1.3、低噪声设计部分● 系统总的噪声系数可以通过单级噪声系数和增益计算。

● 根据噪声系数的级连公式：Fsys=F1+(F2-1)/G1+(F3-1)/G1G2+...(Fn-1)/G1G2...Gn-1(其中Fsys 为n 级串联成的系统的总噪声系数、Fn 为第n 级的噪声系数、Gn 为第n 级的增益。

)R F O U Td e t e c t o r由此可见，整个放大器的噪声系数主要由第一级和第二级所决定。

具有低噪声和高增益的第一级和第二级放大器的设计是整个低噪声放大器设计的难点。

所以，各类低噪放模块在第一级采用噪声系数好的放大器，ALC 限制必须放在第二级放大器后面.1.4、ALC 部分● 所谓的ALC 就是自动增益电平控制，是针对由于器件本身变化,环境引起工作点变化等,在电路中加入的稳定电平的电路.在一定范围内,ALC 电路自动纠正偏移的电平回到要求的数值。

● ALC 在低噪放上的应用：调整低噪声放大器的增益,在保证信噪比的情况下,自动调整接收通道的增益,使得在大信号电平环境下接收机不至于饱和造成性能下降,小信号的时候又能保证信噪比并能正确的解调。

关于航天的低噪放,功放,变频器的说明

关于航天的低噪放,功放,变频器的说明摘要：一、引言二、航天领域低噪放的概述1.低噪放的作用2.技术要求三、航天功放的概述1.功放的作用2.技术要求四、航天变频器的概述1.变频器的作用2.技术要求五、我国在航天低噪放、功放、变频器领域的发展六、结论正文：【引言】航天领域的发展离不开各种关键技术的支持，其中，低噪放、功放和变频器是航天电子设备中至关重要的组成部分。

本文将对航天领域的低噪放、功放和变频器进行简要介绍和分析。

【航天领域低噪放的概述】低噪放，即低噪声放大器，是航天电子设备中用于放大微弱信号的关键器件。

在航天通信、导航、遥感等领域，低噪放起到了提高信号质量和传输距离的作用。

为了满足航天应用的要求，低噪放需要具备以下技术特点：1.低噪声性能：低噪放应具有极低的噪声系数，以降低信号的噪声污染。

2.高增益：为了实现远距离传输和信号处理，低噪放需要具备高增益性能。

3.高线性度：保证放大器在放大信号的过程中，信号失真度低。

4.宽带性能：支持多种频率信号的放大处理。

【航天功放的概述】功放，即功率放大器，是航天电子设备中用于放大信号以实现远距离通信的关键器件。

在卫星通信、卫星导航等领域，功放起到了提高信号质量和传输距离的作用。

为了满足航天应用的要求，功放需要具备以下技术特点：1.高输出功率：以实现远距离信号传输。

2.高增益：提高信号质量。

3.高效率：降低能耗，延长设备寿命。

4.高线性度：保证放大器在放大信号的过程中，信号失真度低。

5.宽带性能：支持多种频率信号的放大处理。

【航天变频器的概述】变频器，即频率变换器，是航天电子设备中用于调整信号频率的关键器件。

在卫星通信、卫星导航等领域，变频器起到了调整信号频率以适应不同通信系统的作用。

为了满足航天应用的要求，变频器需要具备以下技术特点：1.高频率转换效率：保证信号频率调整过程中，信号质量不受损失。

2.高线性度：保证信号频率转换过程中，信号失真度低。

3.宽带性能：支持多种频率信号的频率转换。

atf低噪放的参数

atf低噪放的参数
ATF低噪声放大器（Low Noise Amplifier，LNA）是一种用于
增强微弱信号的放大器，通常用于无线通信系统和射频接收链路中。

其参数包括增益、噪声系数、带宽、输入/输出阻抗匹配等。

首先，ATF低噪声放大器的增益是指其输出信号与输入信号之
间的增加倍数，通常以分贝（dB）为单位。

增益的大小取决于应用
需求，一般在设计时需要根据具体的信号强度和系统要求来确定。

其次，噪声系数是衡量放大器引入的噪声相对于理想放大器
（不引入噪声）的影响程度的参数。

噪声系数越小，表示放大器引
入的噪声越少，这对于接收弱信号时尤为重要。

另外，带宽是指放大器能够有效放大信号的频率范围。

对于
ATF低噪声放大器来说，带宽需要足够宽，以覆盖所需的信号频率
范围，同时保持良好的增益和噪声性能。

此外，输入/输出阻抗匹配也是ATF低噪声放大器设计中需要考虑的重要参数。

良好的阻抗匹配可以最大限度地传输信号，减少信
号反射和损耗。

总的来说，ATF低噪声放大器的参数包括增益、噪声系数、带宽和输入/输出阻抗匹配等，这些参数在设计和选择时需要根据具体的应用需求和系统要求进行综合考虑。

低噪放内部结构

低噪放内部结构摘要：一、低噪放简介1.低噪放的定义2.低噪放的作用二、低噪放内部结构1.输入匹配网络2.输出匹配网络3.信号放大部分4.噪声抑制部分三、低噪放的应用领域1.通信系统2.射频前端3.雷达系统4.其他领域四、低噪放的发展趋势1.技术进步带来的性能提升2.新材料的应用3.面向未来应用的低噪放设计正文：低噪放，即低噪声放大器，是一种能够对微弱信号进行放大并降低噪声的电子器件。

它在各种电子设备和系统中都有着广泛的应用，如通信系统、射频前端和雷达系统等。

低噪放的性能直接影响到系统的整体性能，因此对其内部结构的研究和优化具有重要的意义。

低噪放的内部结构主要包括输入匹配网络、输出匹配网络、信号放大部分和噪声抑制部分。

其中，输入匹配网络和输出匹配网络主要用于实现阻抗匹配，提高信号传输的效率；信号放大部分则是实现信号放大的关键，其性能直接决定了信号的增益；噪声抑制部分则是低噪放的核心，通过各种技术手段降低噪声，提高信号的信噪比。

在实际应用中，低噪放需要根据具体的应用场景和需求进行设计和优化。

例如，在通信系统中，低噪放需要具有较高的增益和较低的噪声系数，以保证信号在传输过程中的质量和可靠性；在射频前端，低噪放需要具有较高的频率响应和较低的失真度，以满足射频信号的传输要求；在雷达系统中，低噪放需要具有较高的功率承受能力和较低的噪声系数，以提高雷达系统的探测距离和准确性。

随着科技的不断进步，低噪放技术也在不断发展。

新材料的应用，如氮化镓和碳纳米管等，为低噪放提供了更大的设计空间和更高的性能潜力。

同时，面向未来应用的低噪放设计，如量子计算和6G通信等，也为低噪放的发展提供了新的机遇和挑战。

综上所述，低噪放作为电子领域中的一项关键技术，其内部结构的研究和优化对提高系统性能具有重要意义。

低噪放XL1000

General DescriptionSupply Voltage (Vd)Supply Current (Id)Input Power (Pin)Storage Temperature (Tstg)Operating Temperature (Ta)Channel Temperature (Tch)+7.0 VDC 70 mA +12 dBm-65 to +165 O C -55 to MTTF Table MTTF Table Chip Device Layout(1) Channel temperature affects a device's MTTF. It is recommended to keep channel temperature as low as possible for maximum life.11Mimix Broadband’s three stage 20.0-40.0 GHz GaAs MMIC low noise amplifier has a small signal gain of 20.0 dB with a noise figure of 2.0 dB across the band. This MMIC uses Mimix Broadband’s GaAs PHEMT device model technology, and is based upon electron beam lithography to ensure high repeatability and uniformity. The chip has surface passivation to protect and provide a rugged part with backside via holes and gold metallization to allow either a conductive epoxy or eutectic solder die attach process. This device is well suited for Millimeter-wave Point-to-Point Radio, LMDS, SATCOM and VSAT applications.o Absolute Maximum Ratings(2) Unless otherwise indicated min/max over 20.0-40.0 GHz and biased at Vd=5V, Id=50mA.FeaturesSelf Bias Architecture Small Size3.0 or 5.0 V Operation 20.0 dB Small Signal Gain 2.0 dB Noise Figure+9.0 dBm P1dB Compression Point100% On-Wafer RF, DC and Noise Figure Testing 100% Visual Inspection to MIL-STD-883Method 2010July 2007 - Rev 24-Jul-07Low Noise Amplifier MeasurementsJuly 2007 - Rev 24-Jul-07July 2007 - Rev 24-Jul-07Low Noise Amplifier Measurements (cont.)S-ParametersTypical S-Parameter Data for XL1000-BDTypical S-Parameter Data for XL1000-BDJuly 2007 - Rev 24-Jul-07Mechanical DrawingBias ArrangementBypass Capacitors - See App Note [2](Note: Engineering designator is 28LN3UA0338)Units: millimeters (inches) Bond pad dimensions are shown to center of bond pad.Thickness: 0.110 +/- 0.010 (0.0043 +/- 0.0004), Backside is ground, Bond Pad/Backside Metallization: GoldAll Bond Pads are 0.100 x 0.100 (0.004 x 0.004).Bond pad centers are approximately 0.109 (0.004) from the edge of the chip.Dicing tolerance: +/- 0.005 (+/- 0.0002). Approximate weight: 1.239 mg.Bond Pad #1 (RF In)Bond Pad #2 (RF Out)Bond Pad #3 (Vd)Bond Pad #4 (Vd)RF OutRF InVd1.000(0.039)0.6780.00.0(0.079)(0.012)0.678(0.027)213VdRF In RF OutJuly 2007 - Rev 24-Jul-07Page 6 of 7App Note [1] Biasing- As shown in the bonding diagram, this device operates using a self-biased architecture and only requires one drain bias. Bias is nominally Vd=3V, I=35mA or Vd=5V, I=50mA.App Note [2] Bias Arrangement - Each DC pad (Vd) needs to have DC bypass capacitance (~100-200 pF) as close to the device as possible.Additional DC bypass capacitance (~0.01 uF) is also recommended.MTTF T ablesBackplate Temperature 55 deg Celsius 75 deg Celsius 95 deg CelsiusChannel Temperature 72.2 deg Celsius 93.6 deg Celsius 114.7 deg CelsiusFITs 3.96E-036.52E-027.76E-01MTTF Hours 2.52E+111.53E+101.29E+09Rth 164.0° C/W 176.7° C/W 188.0° C/WBias Conditions: Vd=3.0V and Id=35.0 mABackplate Temperature 55 deg Celsius 75 deg Celsius 95 deg CelsiusChannel Temperature 98.9 deg Celsius 122.1 deg Celsius 145.0 deg CelsiusFITs 1.21E-011.67E+001.67E+01MTTF Hours 8.24E+095.99E+086.00E+07Rth 175.8° C/W 188.4° C/W 199.9° C/WBias Conditions: Vd=5.0V and Id=50 mAThese numbers were calculated based on accelerated life test information and thermal model analysis received from the fabricating foundry.Device SchematicR=75.0RFinRFoutVd1R=50.0R=5.0R=30.0R=31.8R=200.0R=5.0R=640.0R=110.0R=3.3R=20.0R=21.0R=200.0R=50.0R=200.0R=400.0R=350.0R=50.0R=50.0R=50.0R=22.2R=22.2R=5.0July 2007 - Rev 24-Jul-07July 2007 - Rev 24-Jul-07Handling and Assembly InformationOrdering InformationCAUTION! - Mimix Broadband MMIC Products contain gallium arsenide (GaAs) which can be hazardous to the human body and the environment. For safety, observe the following procedures:• Do not ingest.• Do not alter the form of this product into a gas, powder, or liquid through burning, crushing, or chemical processing as these by-products are dangerous to the human body if inhaled, ingested, or swallowed.• Observe government laws and company regulations when discarding this product. This product must be discarded in accordance with methods specified by applicable hazardous waste procedures.Life Support Policy - Mimix Broadband's products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without the express written approval of the President and General Counsel of Mimix Broadband. As used herein: (1) Lifesupport devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, and whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can bereasonably expected to result in a significant injury to the user. (2) A critical component is any component of a life support device or system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.ESD - Gallium Arsenide (GaAs) devices are susceptible to electrostatic and mechanical damage. Die are supplied in antistatic containers, which should be opened in cleanroom conditions at an appropriately grounded anti-static workstation. Devices need careful handling using correctly designed collets, vacuum pickups or, with care, sharp tweezers.Die Attachment - GaAs Products from Mimix Broadband are 0.100 mm (0.004") thick and have vias through to the backside toenable grounding to the circuit. Microstrip substrates should be brought as close to the die as possible. The mounting surface should be clean and flat. If using conductive epoxy, recommended epoxies are Tanaka TS3332LD, Die Mat DM6030HK or DM6030HK-Pt cured in a nitrogen atmosphere per manufacturer's cure schedule. Apply epoxy sparingly to avoid getting any on to the top surface of the die. An epoxy fillet should be visible around the total die periphery. For additional information please see the Mimix "EpoxySpecifications for Bare Die" application note. If eutectic mounting is preferred, then a fluxless gold-tin (AuSn) preform, approximately 0.0012 thick, placed between the die and the attachment surface should be used. A die bonder that utilizes a heated collet andprovides scrubbing action to ensure total wetting to prevent void formation in a nitrogen atmosphere is recommended. The gold-tin eutectic (80% Au 20% Sn) has a melting point of approximately 280 ºC (Note: Gold Germanium should be avoided). The work station temperature should be 310 ºC +/- 10 ºC. Exposure to these extreme temperatures should be kept to minimum. The collet should be heated, and the die pre-heated to avoid excessive thermal shock. Avoidance of air bridges and force impact are critical during placement.Wire Bonding - Windows in the surface passivation above the bond pads are provided to allow wire bonding to the die's gold bond pads. The recommended wire bonding procedure uses 0.076 mm x 0.013 mm (0.003" x 0.0005") 99.99% pure gold ribbon with 0.5-2%elongation to minimize RF port bond inductance. Gold 0.025 mm (0.001") diameter wedge or ball bonds are acceptable for DC Bias connections. Aluminum wire should be avoided. Thermo-compression bonding is recommended though thermosonic bonding may be used providing the ultrasonic content of the bond is minimized. Bond force, time and ultrasonics are all critical parameters. Bonds should be made from the bond pads on the die to the package or substrate. All bonds should be as short as possible.Part Number for Ordering DescriptionXL1000-BD-000V Where “V” is RoHS compliant die packed in vacuum release gel paksXL1000-BD-EV1XL1000 die evaluation module。

atf低噪放的参数

atf低噪放的参数
ATF低噪放大器是一种用于放大信号的电子设备。

它具有低噪声的特点，可以有效地降低信号中的噪声干扰，提高信号的清晰度和准确性。

下面将介绍ATF低噪放大器的一些重要参数。

首先是增益参数，它表示放大器对输入信号的放大倍数。

ATF低噪放大器通常具有可调节的增益范围，可以根据具体需求来选择合适的放大倍数。

增益参数的调节对于保持信号的清晰度和准确性至关重要。

其次是带宽参数，它表示放大器能够处理的频率范围。

ATF低噪放大器通常具有宽带宽，可以处理较高频率的信号。

带宽参数的选择取决于应用中所需的信号频率范围，需要根据具体情况进行调整。

另一个重要参数是噪声系数，它表示放大器引入的噪声对于输入信号的影响程度。

ATF低噪放大器具有低噪声系数，可以有效地抑制噪声干扰，提高信号的清晰度和准确性。

噪声系数的降低对于保持信号的质量至关重要。

还有输入阻抗和输出阻抗等参数。

输入阻抗表示放大器对输入信号源的负载特性，输出阻抗表示放大器对输出负载的驱动能力。

ATF 低噪放大器通常具有较高的输入和输出阻抗，可以与其他设备有效地进行连接。

总结一下，ATF低噪放大器是一种具有低噪声特性的放大器，它具
有重要的参数包括增益、带宽、噪声系数、输入阻抗和输出阻抗等。

这些参数的选择和调节对于保持信号的清晰度和准确性至关重要。

ATF低噪放大器在各种应用中具有广泛的应用前景，可以提高信号的质量，减少噪声干扰，为用户提供更好的使用体验。