肖特基二极管作用及型号
肖特基二极管的作用
肖特基二极管的作用肖特基二极管是一种半导体器件，它的作用主要在于整流和检波。
下面我们将详细介绍肖特基二极管的工作原理和应用。
一、肖特基二极管的物理原理肖特基二极管是基于金属-半导体接触原理制成的，它利用金属与半导体材料之间的势垒来阻挡电流的流动。
当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基势垒会降低，电流可以自由流动；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基势垒会升高，电流难以流动。
这种正反向的电流特性使得肖特基二极管具有整流和检波的功能。
二、肖特基二极管的整流作用肖特基二极管的整流作用主要利用了它的单向导电性。
在电路中，当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基二极管导通，相当于一个低电阻的通路，允许电流自由流动；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基二极管截止，相当于一个高电阻的阻断，阻止电流流动。
通过这种正反向的交替作用，肖特基二极管可以将交流电转换为直流电，实现整流的功能。
三、肖特基二极管的检波作用肖特基二极管的检波作用主要是利用了它的结电容特性。
当加正向电压时，即金属极性与半导体极性相同，肖特基二极管导通，此时结电容会随时间的推移而充电；而当加反向电压时，即金属极性与半导体极性相反，肖特基二极管截止，此时结电容会随时间的推移而放电。
通过这种充放电的过程，肖特基二极管可以将高频信号转换为低频信号，实现检波的功能。
四、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其优良的整流和检波性能，被广泛应用于各种电子设备中。
1.电源整流：在电源电路中，肖特基二极管通常被用来整流交流电，将交流电转换为直流电，以满足各种电子设备的电源需求。
2.信号整流：在数字电路、放大器等信号处理电路中，肖特基二极管通常被用来整流输入信号，以获取纯净的直流信号。
3.检波器：在通信设备中，肖特基二极管通常被用来对微波信号进行检波处理，将高频信号转换为低频信号，以便后续电路进行处理和分析。
4.变容二极管：肖特基二极管的结电容特性也使其在频率调谐等应用场景中具有变容二极管的效应，被广泛应用于各类电子设备中。
肖特基二极管的作用是什么
精心整理
肖特基二极管的作用是什么?
一、肖特基二极管原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以N 型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N 为B →从 SiO2）特基势垒，当加上正偏压E 时，金属A 和N 型基片B 分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo 变窄。
加负偏压-E 时，势垒宽度就增加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN 结整流管有很大的区别，通常将PN 结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近
精心整理
年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。
但它的反向耐压值较低，一般
纳秒）
BJT上连接
等典型数字
情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。
但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。
肖特基(Schottky)二极管
肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
电池包保护板的肖特基二极管作用
电池包保护板的肖特基二极管作用电池包保护板是电动汽车电池管理系统中的重要组成部分，它主要起到对电池包进行保护的作用。
而肖特基二极管是电池包保护板中的一个重要元件，它具有独特的特性和功能，能够有效地保护电池包的安全和稳定运行。
本文将从肖特基二极管的原理、特点和应用等方面，对其作用进行详细介绍。
我们来了解一下肖特基二极管的原理。
肖特基二极管是一种半导体器件，由P型半导体和N型半导体构成。
它的特点是具有低电压降和快速开关速度。
在正向偏置时，P型区域的空穴和N型区域的电子结合形成导电通道，电流可以通过。
而在反向偏置时，由于P型区域的空穴和N型区域的电子不能结合，二极管处于截止状态，电流无法通过。
这种特性使得肖特基二极管在电池包保护中起到重要作用。
肖特基二极管具有以下几个特点。
首先，它具有低电压降特性。
正常情况下，肖特基二极管的正向电压降仅为几百毫伏，相比于常规二极管的0.6-0.7V，电压降较低。
这使得电池包保护板在工作时能够更加高效地利用电能，减少能量损耗。
其次，肖特基二极管具有快速开关速度。
由于其结构特殊，肖特基二极管的载流子注入和释放速度较快，从而实现了快速的开关操作。
这对于电池包的保护至关重要，能够及时切断电池包与外部电路的连接，防止电池过放或过充等危险情况的发生。
此外，肖特基二极管还具有低反向泄漏电流和较高的正向电流承受能力等特点。
肖特基二极管在电池包保护板中的应用主要有两个方面。
首先，它可以用作电池包的过放保护。
当电池包电压降至过低时，电池包保护板会通过控制肖特基二极管的开关状态，切断电池包与外部负载的连接，避免电池过放，从而保护电池的寿命和安全。
其次，肖特基二极管还可以用作电池包的过充保护。
当电池包电压升至过高时，电池包保护板会通过控制肖特基二极管的开关状态，切断电池包与外部充电源的连接，避免电池过充，从而保护电池的安全和稳定运行。
肖特基二极管还可以用于电池包的温度保护。
在电池包过热或过冷时，电池包保护板会通过控制肖特基二极管的开关状态，切断电池包与外部电路的连接，从而避免温度过高或过低对电池性能的损害。
肖特基二极管在电源电路中的作用
肖特基二极管在电源电路中的作用
肖特基二极管是一种特殊的二极管，它的主要作用是在电源电路中起到整流作用。
与普通二极管相比，肖特基二极管具有更低的正向电压降和更快的开关速度，因此在高频电路和低电压电路中得到广泛应用。
在电源电路中，肖特基二极管可以用来保护电路免受反向电压的损害。
当电源电路中的负载突然断开或者电源电压反向时，普通二极管会被反向电压击穿，导致电路损坏。
而肖特基二极管则可以在反向电压下保持正常工作，从而保护电路免受损害。
肖特基二极管还可以用来提高电源电路的效率。
在传统的整流电路中，使用普通二极管进行整流时，会有一定的正向电压降，导致电源电路的效率降低。
而使用肖特基二极管进行整流时，由于其更低的正向电压降，可以提高电源电路的效率，从而减少能量的浪费。
在一些高频电路中，肖特基二极管也可以用来提高电路的开关速度。
由于肖特基二极管具有更快的开关速度，可以在高频电路中起到更好的作用。
例如，在一些无线电通信设备中，肖特基二极管可以用来进行高频信号的检测和放大。
肖特基二极管在电源电路中的作用是非常重要的。
它可以保护电路免受反向电压的损害，提高电源电路的效率，以及在高频电路中起到更好的作用。
因此，在设计电源电路时，应该充分考虑肖特基二
极管的应用。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
国内常用肖特基二极管型号在集结
国内常用肖特基二极管型号在集结在电子元器件这个行业里面，会用到肖特基二极管的人很多，而且肖特基二极管本身的型号和封装也非常的多，所以下面由银联宝电子科技小编来为大家简单介绍一下，肖特基二极管常用的几种型号和封装。
一、肖特基二极管常用型号产品图肖特基二极管二、肖特基二极管型号大全TO-220AB:MBR20100CT、MBR10100CT、MBR2045CT、MBR1645CT、MBR30100CT、MBR10150CT、MBR3045CT、MBR20150CT、MBR1045CT。
ITO-220AB:MBR20100FCT、MBR10100FCT、MBR2045FCT、MBR1645FCT、MBR30100FCT、MBR10150FCT、MBR3045FCT、MBR20150FCT、MBR1045FCT。
TO-247:MBR4045PT、MBR30100PT、MBR40100PT、MBR60100PT、MBR40150PT、MBR30200。
TO-263:MBR30150DC、MBR3060DC、MBR3045DC、MBR20150DC、MBR2045DC、MBR20100DCSMA:SS12、SS14、SS15、SS16、SS120、SS22、SS24、SS26、SS32、SS34、SS36。
SMB: SS52、SS54、SS56、SS33、SS24、SS25、SS26、SS34、SS35、M7、SB240-SR260、SR2100、SR3100、SR540-SR560、SR5100、1N4007、1N5819。
三、肖特基二极管的特性1．肖特基二极管的正向压降比快恢复二极管的正向压降要低很多，而且肖特基二极管自身的功耗较小，效率高。
2．由于肖特基二极管的反向电荷恢复时间极短，所以适宜工作在高频状态下。
3．而且肖特基二极管能耐受高浪涌电流。
4．以前的肖特基二极管反向耐压一般在200V以下，但现在的技术可以做到高达1000V的产品，所以肖特基二极管的应用范围十分广阔。
太阳能肖特基二极管作用
太阳能肖特基二极管是一种用于太阳能电池板的电子元件，它的主要作用是防止反向电流的流动，保护太阳能电池板。
当太阳能电池板受到光照时，它会产生电流并向负载供电。
然而，在某些情况下，例如夜晚或阴影遮挡时，太阳能电池板可能会产生反向电流，这可能会损坏电池板或其他电子设备。
肖特基二极管可以阻止反向电流的流动，从而保护太阳能电池板和其他电子设备。
此外，肖特基二极管还可以提高太阳能电池板的效率。
由于肖特基二极管的正向压降较低，因此它可以减少能量的损失，提高太阳能电池板的输出功率。
总之，太阳能肖特基二极管是太阳能电池板中非常重要的元件，它可以保护电池板和其他电子设备，提高电池板的效率。
肖特基二极管原理及作用
肖特基二极管原理及作用一、肖特基二极管的原理1.肖特基结的形成肖特基二极管的肖特基结是由金属与N型半导体直接接触形成的。
当金属与N型半导体接触时，金属中的自由电子会扩散到N型半导体中，形成一个电子云区域。
云区域内的电子与N型半导体中的电子进行复合，形成静电势垒。
这种结构不同于普通二极管中由P型半导体和N型半导体结合形成的肖特基结。
2.肖特基结的特性肖特基结的最大特点是具有快速恢复的特性。
普通二极管在正向工作时需要一定的时间才能从导通状态恢复到截止状态，而肖特基二极管在反向击穿截止后可以非常快速的恢复到被反偏截止状态。
这是由于肖特基结中金属与半导体的接触，使得电子从金属向半导体中迅速传输形成的。
3.肖特基二极管的电流特性与普通二极管相比，肖特基二极管的正向电流较大，而反向电流较小。
这是由于肖特基二极管的肖特基结中的电子云区域能够有效降低正向导通和反向击穿时的电流，从而提高了正向电流和反向电流的工作范围。
二、肖特基二极管的作用1.电源保护2.稳压和恒流源肖特基二极管的电流特性使其可以用于稳压和恒流源电路的设计。
在稳压电路中，肖特基二极管可以配合稳压二极管使用，提供更加精确的输出电压。
在恒流源电路中，通过利用肖特基二极管的电流特性，可以设计出稳定的恒流源。
这些应用都有助于提高电路的稳定性和可靠性。
3.混频器由于肖特基二极管的快速开关特性和较低的正向电压，可以用于射频（Radio Frequency，RF）混频器的设计。
混频器是一种常用于无线通信中的电路，用于将两个不同频率的信号进行混合，产生新的频率信号。
肖特基二极管可以在高频信号的开关过程中提供较小的非线性失真和较低的功耗，从而提高混频器的性能。
进一步推广，肖特基二极管在太阳能电池、红外线传感器等领域也有着重要应用，通过合理地利用肖特基二极管的特性，可以提高电路性能、降低功耗、增强功能等。
肖特基二极管在电源电路中的作用
肖特基二极管在电源电路中的作用肖特基二极管是一种特殊的二极管，具有快速开关速度、低导通电压和低反向电流等特点。
在电源电路中，肖特基二极管具有以下几种作用。
一、保护元件肖特基二极管在电源电路中常被用来保护其它元件，如晶体管、场效应管、集成电路等。
因为肖特基二极管的导通电压很低，只有几百毫伏，与其它二极管相比，电压较小，不容易击穿。
而且，肖特基二极管的反向电流较小，也不容易对其它元件造成损害。
因此，将肖特基二极管放在电路中，可以有效地保护其它元件。
二、全波整流肖特基二极管在全波整流电路中也有广泛应用。
全波整流电路是将一个交流电源转换为一个直流电源的电路。
在传统的全波整流电路中，通常使用两个正常的二极管，但是这种电路的效率比较低。
而将两个正常的二极管替换为两个肖特基二极管，可以显著提高整流效率。
因为肖特基二极管具有低导通电压和快速的开关速度，可以让电流更快地回路，减小能量损失，从而提高整流效率。
三、负载保护在电源电路中，还可以使用肖特基二极管来保护负载（例如电机或灯泡）不受到过压或过流的停电或损坏。
当负载电路的电压超过肖特基二极管的导通电压时，肖特基二极管就开始导通，并连接电流的回路。
这样，肖特基二极管就起到了保护负载的作用。
四、反向保护另外，在一些电路中，需要保护电路不受到反向电压的损害，例如汽车电子电路。
当发生反向电压的时候，正常的二极管会被击穿导通，从而造成损坏。
而肖特基二极管的反向电流较小，不容易受到反向电压的损害，因此，可以作为反向保护元件使用。
总体来看，肖特基二极管在电源电路中起到非常重要的作用，不仅可以保护其它元件、提高整流效率、保护负载、还可以保护电路避免反向电压的破坏。
因此，在电源电路中，肖特基二极管被广泛应用，非常重要。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称：10A15•主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装：TO-220F•脚位长度：6-12mm•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名：FCH20A15•型号简称：20A15•主要参数：20A 150V•产品封装：TO-220F•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41肖特基整流二极管型号额定I（AV）A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10SB030 0.6 30 20 10SB040 0.6 40 20 101N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基(SCHOTTKY)系列二极管
肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。
介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。
对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。
最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。
本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。
充电宝里的肖特基二极管的作用
充电宝里的肖特基二极管的作用你有没有想过，为什么现在的充电宝那么小巧，却充电那么快，像是一下子就能把你手机的电池充满？想象一下，没充电宝的日子，那可真是心慌慌。
手机没电了就像灵魂出窍，真是随时都能引发“电量焦虑症”。
不过，这个小小的充电宝里，居然藏着一颗不起眼的“小心肝”——肖特基二极管。
它听起来是不是特别高大上？这个东西就像是你手机的“安保小能手”，帮你保驾护航，让充电宝更安全、更高效。
你可能会想，啥？充电宝里还有“心脏”？是的，而且它的作用可大了，少了它，充电宝都差点没法正常工作。
咱们得说说什么是肖特基二极管。
你可以理解为它是一种特殊的二极管，它的任务呢，就是让电流只能朝一个方向流动。
你想啊，电流如果像喝酒一样，随便乱走，那岂不是糟了？你要给手机充电，电流不按规矩来，搞不好反向流动，那不就把电池搞坏了吗？肖特基二极管就像个忠诚的门卫，挡住不该进入的电流，让电流只往充电宝的正确方向走，保证你的手机电池不被电流乱流“折腾”坏。
你可能会问：充电宝里不也有普通的二极管吗？那它们不也能管住电流？嗯，理论上是可以，但普通的二极管就像是一个大妈站在门口，她想挡住你进门，但可能动作慢，还容易被绕过。
肖特基二极管就不一样了，它的“反应速度”比普通二极管快多了，简直就是电流界的“闪电侠”。
所以，充电宝在工作时，效率高，速度快，也能更好地保护电池。
你充电的时候没那么担心电池被烧坏了，时间长了，也不容易“电池鼓包”，这都是肖特基二极管在默默发力。
再来聊聊它的“耐性”。
肖特基二极管的耐压能力非常强，它能承受更多的电压，而不至于“坏掉”。
就像你出门去吃火锅，可能会遇到辣味过重的锅底，但你还能顶住——这就好比肖特基二极管，不容易被高电压搞垮。
对比一下其他普通二极管，它们可能不太能应对这种高强度的压力，结果你充电宝一用就“崩溃”了。
这种情况下，电池充不上电，或者充电时温度升高，过热甚至起火的情况就有可能发生。
肖特基二极管还有个很牛的特点，就是它的“正向压降”特别低。
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肖特基二极管
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
一、肖特基二极管原理
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
加负偏压-E时，势垒宽度就增加。
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别，通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。
其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。
但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。
因此适宜在低压、大电流情况下工作。
利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率。
二、肖特基二极管作用
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管BJT 的开关电路里面, 通过在BJT 上连接Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是74LS，74ALS，74AS 等典型数字IC 的TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
肖特基二极管一般用在电源次级输出整流上面。
作用还是整流，其优势是正向压降低，反向恢复时间快，所以整体损耗会比其他的二极管低很多。
B5819W为集电极电流1A 基极电压40V的贴片肖特基管，1N5819为参数相同的插件式肖特基管，两个管只是封装不同。
简单来说就是一个是贴片的一个是
SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。
像在开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中功率开关器件的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V～1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等，只有使用快速恢复外延二极管（FRED）和超快速恢复二极管（UFRD）。
目前UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz～3MHz的SMPS需要。
即使是硬开关为100kHz的SMPS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使SMPS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。
因此，发展100V以上的高压SBD，一直是人们研究的课题和关注的热点。
SBD的主要优点包括两个方面：
1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。
2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。
SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。
由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。
但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。
由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。
常用肖特基二极管型号:
常用的有引线式肖特基二极管有D80-004、B82-004、MBR1545、MBR2535等型号，各管的主要参数见表4-43。
常用的表面封装肖特基二极管有FB系列，其主要参数见表4-44。
F5KQ100
肖特基二极管30CPQ140 30CPQ140
肖特基二极管30CPQ100
30CPQ100
肖特基二极管30CPQ090
30CPQ090
肖特基二极管30CPQ060 30CPQ060
肖特基二极管30CPQ045 30CPQ045
肖特基二极管MBRS260T3G MBRS260T3G
肖特基二极管MBRS130T3G MBRS130T3G
肖特基二极管MBRS320T3G MBRS320T3G
肖特基二极管MBRS340T3G MBRS340T3G
肖特基二极管MBRS140T3G MBRS140T3G
肖特基二极管MBRS240LT3 MBRS240LT3
肖特基二极管MBRS230LT3 MBRS230LT3
肖特基二极管MBRS2040LT MBRS2040LT
肖特基二极管MBR20100 MBR20100
肖特基二极管MBR3045 MBR3045
肖特基二极管MBR2545 MBR2545
肖特基二极管MBR2045 MBR2045
肖特基二极管MBR1545 MBR1545
MBR1045
肖特基二极管MBR745 MBR745
肖特基二极管MBR3100 MBR3100
肖特基二极管MBR360 MBR360
肖特基二极管DSC01232 DSC01232
肖特基二极管SB3040 SB3040
肖特基二极管IN5817
IN5817
肖特基二极管IN5819
IN5819
肖特基二极管IN5818
IN5818
肖特基二极管IN5822
IN5822
肖特基二极管HER107 HER107
肖特基二极管HER207 HER207
肖特基二极管HER307 HER307
肖特基二极管FR105
FR105
肖特基二极管FR2050。