中南大学模拟电子技术复习题
中南大学2021年《模拟电子技术基础》期末试题
一、填空题1、半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（√2U2）。
2、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而（下降）。
共基极电路比共射极电路高频特性（好）。
3、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（串联）负反馈。
为了稳定输出电流，采用（）负反馈。
4、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
5、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。
6、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。
7、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________。
8、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
9、晶体管工作在放大状态的外部条件是。
10、经测试某电路中晶体管的基极电位为0.7V，发射极电位为0V,集电极电位为5V,则该管是型的晶体管,工作在状态.11、多级放大电路的耦合方式有、、等。
12、如果想要改善电路的性能，使电路的输出电压稳定而且对信号源的影响减小，应该在电路中引入反馈。
13、有源滤波器的功能是，按电路的幅频特性可分为低通滤波、高通滤波、、和全通滤波五种。
14、在有源滤波器中，运算放大器工作在区；在滞回比较器中，运算放大器工作在区，在比例运算电路中工作在区。
=0时，漏源之间存在导电沟道的称为型场效应管，漏源之间不15、当UGs存在导电沟道的称为型场效应管。
16、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为 dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为 dB。
17、差分电路的两个输入端电压分别为Ui1=2.00V，Ui2=1.98V，则该电路的差模输入电压Uid 为 V，共模输入电压Uic为 V。
模拟电子技术基础复习资料
模拟电路基础复习资料一、填空题1. 在P型半导体中, 多数载流子是（空隙）, 而少数载流子是（自由电子）。
2. 在N型半导体中, 多数载流子是（电子）, 而少数载流子是（空隙）。
3. 当PN结反向偏置时, 电源的正极应接（ N ）区, 电源的负极应接（ P ）区。
4．当PN结正向偏置时, 电源的正极应接（ P ）区, 电源的负极应接（ N ）区。
5. 为了保证三极管工作在放大区, 应使发射结（正向）偏置, 集电结（反向）偏置。
6．根据理论分析, PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流, 在室温下约等于（ 26mV ）。
7. BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之相应。
8. 在放大器中, 为稳定输出电压, 应采用（电压取样）负反馈, 为稳定输出电流, 应采用（电流取样）负反馈。
9. 在负反馈放大器中, 为提高输入电阻, 应采用（串联－电压求和）负反馈, 为减少输出电阻, 应采用（电压取样）负反馈。
10.放大器电路中引入负反馈重要是为了改善放大器. 的电性. ）。
11. 在BJT放大电路的三种组态中, （共集电极）组态输入电阻最大, 输出电阻最小。
（共射）组态即有电压放大作用, 又有电流放大作用。
12.在BJT放大电路的三种组态中，.共集电. ）组态的电压放大倍数小于1，.共.）组态的电流放大倍数小于1。
13. 差分放大电路的共模克制比KCMR＝（）, 通常希望差分放大电路的共模克制比越（大）越好。
14. 从三极管内部制造工艺看, 重要有两大特点, 一是发射区（高掺杂）, 二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。
15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后, 它的差模放大倍数将（不变）, 而共模放大倍数将（减小）, 共模克制比将（增大）。
16. 多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容）, （变压器）和（直接）耦合三种。
17. 直接耦合放大器的最突出的缺陷是（零点漂移）。
【2024版】模拟电子技术试题库及答案
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和
反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？
答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大能力大大降低。因为集电极和发射极的杂质浓度差异很大，且结面积也不同。
7、晶闸管与普通二极管、普通三极管的作用有何不同？其导通和阻断的条件有什么不同？
答：普通二极管根据其单向导电性可知，阳极加电源正极、阴极加电源负极时导通，反之阻断，可用于整流、钳位、限幅和电子开关；普通三极管在放大电路中起放大作用，在数字电子技术中起开关作用，普通三极管用于放大作用时，只要发射极正偏、集电极反偏时就会导通起放大作用，当发射极反偏时就会阻断放大信号通过；用作开关元件时，当发射结和集电结都正偏时，它就会饱和导通，当发射极反偏或发射极和集电极两个极都反偏时，晶体管就截止，阻断信号通过。晶闸管属于硅可控整流器件，只有导通和关断两种状态。晶闸管具有PNPN四层半导体结构，有阳极，阴极和门极三个电极。晶闸管加正向电压且门极有触发电流时导通，即：晶闸管仅在正向阳极电压时是不能导通的，还需门控极同时也要承受正向电压的情况下才能导通（晶闸管一旦导通后，门控极即失去作用）；当晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受多大电压，晶闸管都处于阻断状态，或者晶闸管在导通情况下，其主回路电压（或电流）减小到接近于零值时，晶闸管也会自动关断。
中南大学模拟电子线路考试题3(附答案
中 南 大 学模拟电子技术试卷（第3套）一. 填空题 (每空1分,共20分) （注：同一题中可能只给出部分“空”的选项） 1. U GS = 0时，能够工作在恒流区的场效应管有： 。
A. JFET ；B.增强型MOSFET ；C.耗尽型MOSFET ；2. 测得放大电路中某BJT 各极直流电位V 1=12V ， V 2 =11.3V ， V 3 =0V ，则该BJT 的基极电位等于 ，由 材料制成，管型为 。
3. 现测得两个共射放大电路空载时的u A均为 –100，将它们连成两级放大电路后，其电压放大倍数应 10000，且与级间耦合方式 。
A.大于；B. 等于；C.小于； E. 有关； F. 无关；4. 差分放大电路的等效差模输入信号u d 等于两个输入信号u 1和u 2的 ， 等效共模输入信号u c 是两个输入u 1和u 2的 。
A.差； B.和； C.平均值；5. 互补输出级通常采用 接法，是为了提高 。
“互补”是指两个 类型三极管交替工作。
A. 负载能力；B.最大不失真输出电压；6. 通用型集成运放通常采用 耦合方式；适合于放大 频率信号；输入级一般为 放大器，其目的是为了 。
7. 恒流源在集成运放中有两个作用： 一是为各级提供 ， 二是作为有源负载用来提高 。
8. 信号处理电路中，为了避免50Hz 电网电压的干扰进入放大器， 应该选用 滤波器；欲从输入信号中取出低于20kHz 的信号，应该选用 滤波器。
9. 由FET 构成的放大电路也有三种接法，与BJT 的三种接法相比，共源放大器相当于 放大器。
二. 放大电路及晶体管的输出特性如图所示。
设U BEQ =U CES = 0.7V 。
(10分) 1．用图解法确定静态工作点I CQ ，U CEQ ；2．确定放大电路最大不失真输出电压的有效值U om 。
三. 电路如图所示，已知：BJT 的β= 80， r be =1k Ω，R L ＝3 k Ω。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多，且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C 从1mA变为2mA，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压 B ，耗尽型PMOS 管工作在放大状态时，其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻（欧姆）区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻R b的作用是 A 。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
《模拟电子技术》习题册
《模拟电子技术》习题册学号姓名班级《二极管》练习1一、填空题1、在本征半导体中加入( )元素可形成N型半导体，加入（）元素可形成P 型半导体。
2、N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）。
3、PN结上外加电源，其（）极接P区，（）极接N区，这种接法称为正向偏置，简称正偏。
4、多子的运动称为（）运动，少子的运动称为（）运动。
5、给PN结外加正向电压，产生外电场，会（）内电场，打破PN结动态平衡，一方面促进（）的运动，另一方面抑制（）的运动，从而形成较大的正向电流。
6、二极管具有（）特性。
7、按照半导体材料的不同，二极管可以分为（）和（）二极管。
二、简答题1、请问温度影响P型半导体（或N型半导体）多子的浓度吗？2、如何用万用表判断二极管的极性？三、选择题1、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。
A. 增大B. 不变C. 减小四、在下图所示电路中，发光二极管导通电压UD＝1.5V，正向电流在5～15mA 时才能正常工作。
试问：（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？（2）R的取值范围是多少？《二极管》练习2一、填空题1、稳压管工作在( )区。
二、分析下图所示各电路，写出其输出电压值，设二极管导通压降为0.7V。
三、电路如下图所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u O的波形（设二极管为理想二极管）。
四、电路如下图所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通压降为0.7V，试画出ui 与u O的波形。
《二极管》、《三极管》强化练习一、选择题1、本征半导体温度升高以后，（）。
A自由电子增多空穴数基本不变B空穴数增多自由电子数基本不变C自由电子和空穴数都增多数目相同D自由电子和空穴数都不变2、空间电荷区是由（）构成的。
A电子B空穴C离子D分子3、二极管电路如下图所示，设二极管是理想二极管，求出AO两端的电压（）。
A 12B —12C 15D 04、测得电路中NPN型硅管的各级电位如图所示，试分析管子的工作状态。
中南大学模拟电子技术习题解
U πV CC CES 69 . 8 % 4 V CC
2 0 . 2 V CC P 0 . 2 P 6 . 4 W 2) Tmax oM 2 R L
V U CC CES 3) U U 9 . 9 V i om 2
4-2 在图所示电路中，已知VCC＝15V，T1和T2管的饱和管压降
I I I 100 A C R R 1
5-4
晶体管的β 均为50，=100Ω ，UBEQ≈0.7。试计算RW滑动端在中点时 T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。
解：RW滑动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流分析如下：
R W U I 2 I R V BEQ EQ EQ e EE 2
解： （1）S闭合。 （2）R的范围为
R ( V U ) I 233 m i n D Dm ax
R ( V U ) I 700 m ax D Dm i n
1-8 已知放大电路中一只FET的三个电极①②③的电位分别为
4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种 管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型）， 并说明①②③与G、S、D之间的对应关系。 ③ ③
①
② ① ③ ② ③
①
② ① ②
2-1
放大电路改错 +Vcc
+
2-2
改错，并保证共源接法
2-3
画出两级放大电路的直流通路和交流通路
T2 T1
直流通路
交流通路
2-4
放大电路及三极管输出特性如图所示： 1）在输出特性上画直流负载线。 当 ICQ = 2 mA 时， 确定Q点和 RB值； 2）若RB = 150K且iB的交流分量， i sin t ( A ) b 20 画出iC和uCE的波形，这时出现什么失真？ 3）利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
1.
答案:
2.
答案:
6
3.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。
答案:
发射结正偏，集电结反偏
4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。
答案:
晶体管参数受温度影响
5.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。
答案:
电压串联
6.
答案:
-u I 7.
答案:
8.
答案:
方波9.
答案:
b
10.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是
（）。
答案:
共集电路
共漏电路
11.
答案:
R b2开路
R b1短路
Rc短路
答案:
Uo(av)=9V
Uo(av)=18V
Uo(av)=28.2V
13.MOS管只有多子参与导电。
（）
答案:
正确
14.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。
（）
答案:
错误
15.
答案:
正确
16.二极管具有（）导电特性。
答案:
单向
17.
答案:
饱和
18.
答案:
截止19.
答案:
100 20.
答案:
-12。
模拟电子技术综合复习题(有答案)
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
中南大学模拟电子技术习题解
+VCC IB +IC IC
+ UCE -
+12V
②由放大区电流方程：
RB1
IC = IB
③由输出回路方程得：
V R I U I R CC C E CE E E
IB
RE1 100 RE2
1K
IE
2-13
R R B 2 // C A u r ( 1 ) R be E 1
解： 1）各管基极的静态电位 分别为： VB1＝1.4V
VB3＝－0.7V VB5＝－17.3V
4-3 2）设R2＝10kΩ，R3＝100Ω。 若T1和T3管基极的静态电流
可忽略不计，则T5管集电极静态电流为多少？ 解：2）静态时 T5管集电极电流：
V U CC B1 I 1 . 66 mA CQ R 2
①
② ① ③ ② ③
①
② ① ②
2-1
放大电路改错 +Vcc
+
2-2
改错，并保证共源接法
2-3
画出两级放大电路的直流通路和交流通路
T2 T1
直流通路
交流通路
2-4
放大电路及三极管输出特性如图所示： 1）在输出特性上画直流负载线。 当 ICQ = 2 mA 时， 确定Q点和 RB值； 2）若RB = 150K且iB的交流分量， i sin t ( A ) b 20 画出iC和uCE的波形，这时出现什么失真？ 3）利用图解法分别求RL=∞和RL= 3K时的最大不失真输出 电压有效值Uom
20 lg A 100 dB od
5 A 10 od
输出电压uO＝Aod uI；
4-1
已知VCC＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V， 输入电压足够大。试问： 1）最大输出功率Pom和效率η各为多少？ 2）晶体管的最大功耗PTmax为多少？ 3）为了使输出功率达到Pom，输入电压的有效值约为多少？
电子技术复习题及参考答案
电⼦技术复习题及参考答案中南⼤学⽹络教育课程考试复习题及参考答案电⼦技术⼀、填空题：1.在本征半导体中掺⼊微量五价元素形成型半导体，掺⼊微量三价元素形成型半导体。
2.晶体管⼯作在放⼤区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.晶体管⼯作在饱和区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
4.晶体管⼯作在截⽌区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
5.硅稳压管的⼯作区为 _ 区。
6.为了避免50Hz电⽹电压的⼲扰进⼊放⼤器，应选⽤滤波电路。
7.已知输⼊信号的频率为10kHz～12kHz，为了防⽌⼲扰信号的混⼊，应选⽤滤波电路。
8.为了获得输⼊电压中的低频信号，应选⽤滤波电路。
9.按⼯作频率不同，滤波器主要分为滤波器，滤波器，滤波器和带阻滤波器。
10.为了稳定静态⼯作点，应引⼊负反馈。
11.为了提⾼放⼤倍数的稳定性，应引⼊负反馈。
12.为了提⾼放⼤电路的输出电阻，应该引⼊负反馈。
13.为了增⼤放⼤电路的输⼊电阻，应该引⼊负反馈。
14.为了减⼩放⼤电路的输出电阻，应该引⼊负反馈。
15.深度负反馈的条件是。
16.当使⽤集成运放构成运算电路时，运放⼀般⼯作在状态。
17.当使⽤集成运放构成电压⽐较器时，运放⼀般⼯作在或状态。
18.在整流电路的输⼊电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路。
19.直流电源由变压、、和稳压四部分组成。
20.串联型稳压电路由取样电路、、和四部分组成。
21.在图1所⽰串联稳压电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，⽐较放⼤电路由组成。
图122.欲将⽅波电压转换成三⾓波电压，应选⽤运算电路。
23.常⽤的正弦波振荡电路有振荡电路和LC振荡电路。
24.正弦波⾃激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
25.⼄类功放电路的主要缺点是输出波形易产⽣失真。
26. 运算电路的⽐例系数⼤于1，⽽运算电路的⽐例系数⼩于零。
27.NPN型共集电极放⼤电路中的输出电压顶部被削平时，电路产⽣的是失真。
中南大学模拟电子技术B试题4
直流电压表测出 UCE≈0V，有
可能是因为 C 或 D 。
A. Rb 开路
B. Rc 短路
C. Rb 过小
D. β过大
3. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C、D 。
A. 电阻阻值有误差
B. 晶体管参数的分散性
C. 晶体管参数受温度影响
D. 电源电压不稳定
4. 用 恒 流 源 取 长 尾 式 差 分 放 大 电 路 中 的 发 射 极 电 阻 Re ， 将 使 单 端 电 路 的 B。
A
（2）制作频率为 2MHz ∼ 20MHz 的接收机的本机振荡器，应选用
（3）制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用
C。
。 B。
得分
评卷人
二、基本题（共 18 分）
1．电路如图所示，二极管导通电压 UD 约为 0.7V。试分别估算开关 S 断开和闭合时输出电压的数值。（本题 6 分）
解：当开关 S 断开时，二极管因加正向电压而处于导通状态，故输出电压 UO=V1－UD=5.3V 当开关 S 闭合时，二极管外加反向电压，因而截止，故输出电压 UO=V2 =12V
UCEQ = VCC − IEQRe ≈ 7.17V
（2）画微变等效电路
（3）求 解输入电 阻和电压 放大倍数 ： RL＝ ∞ 时
Ri = Rb //[rbe + (1+ β )Re ] ≈ 110kΩ
Ȧu
=
U̇ o U̇ i
=
(1+ β )Re rbe + (1 + β )Re
≈ 0.996
RL＝ 3k Ω 时
D. 净 输 入 量 减 小
8. 现 有 电 路 如 下 ：
A. RC 桥 式 正 弦 波 振 荡 电 路
模拟电子技术(中南大学)智慧树知到答案章节测试2023年
第一章测试1.BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A:错B:对答案:A2.稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A:错B:对答案:A3.要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。
A:发射结正偏，集电结反偏B:发射结反偏，集电结正偏C:发射结正偏，集电结正偏D:发射结反偏，集电结反偏答案:A4.工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。
A:90B:100C:83D:50答案:B5.在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。
A:C、B、EB:E、C、BC:E、B、CD:C、E、B答案:C6.A:8.7B:4.3C:5.7D:73答案:C7.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。
A:击穿B:截止C:放大D:可变电阻答案:B8.A:cB:aC:bD:d答案:AB9.A:cB:dC:bD:a答案:AD10.A:bB:cC:dD:a答案:AC第二章测试1.阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A:错B:对答案:B2.耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。
（）A:对B:错答案:B3.A:12B:0.5C:6D:0.7答案:A4.设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。
A:截止B:饱和C:击穿D:放大答案:A5.A:5.7B:4.24C:6D:4.03答案:D6.A:= -1200B:>1200C:=1200D:<1200答案:D7.A:10B:100C:40答案:B8.现有直接耦合基本放大电路如下,有电流放大作用的电路是（）。
A:共集电路B:共源电路C:共基电路D:共漏电路E:共射电路答案:ABDE9.A:B:C:D:答案:BCD10.在多级放大电路下列三种三种耦合方式中，（）耦合不能放大直流信号。
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子技术_中南大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是（）。
答案:晶体管参数受温度影响2.实现输入电阻高、输出电压稳定，应该引入（）负反馈。
答案:电压串联3.现有阻容耦合基本放大电路如下，输出电压与输入电压同相的电路是（）。
答案:共集电路_共漏电路4.MOS管只有多子参与导电。
（）答案:正确5.晶体管能够实现放大的外部条件是（）。
答案:发射结正偏，集电结反偏6.二极管具有（）导电特性。
答案:单向7.下图电路中，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，VCC＝15V， RL＝8Ω，电路的最大输出功率Pomax =（）W。
【图片】答案:≈10.56W8.差动放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）。
答案:对共模信号的抑制能力越强9.甲类放大电路不适合作功率放大电路的原因是甲类放大容易（）。
答案:导致效率低、静态损耗大10.用恒流源取代电阻长尾差动放大电路中的RE，将会提高电路的（）。
答案:共摸抑制比11.在下图中，所有二极管均为理想二极管，则Vo=（）V【图片】答案:-212.在下图电路中，设静态时ICQ＝2mA，晶体管饱和管压降UCES＝0.6V。
当负载电阻RL＝3kΩ时电路的最大不失真输出电压有效值为（）V。
【图片】答案:2.1213.现有直接耦合基本放大电路如下，有电流放大，但没有电压放大作用的电路是（）。
答案:共集电路_共漏电路14.关于多级放大电路，下列说法正确的是（）。
答案:多级放大电路的输入电阻就是第1级的输入电阻_多级放大电路的输出电阻就是最后1级的输出电阻_多级放大电路的放大倍数就是各级放大倍数之积15.现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应小于10000。
（）答案:正确16.直接耦合多级放大电路不能放大交流信号。
（）答案:错误17.MOS管一旦预夹断，管子立即进入截止区。
模拟电子技术复习题及答案
一、填空题：1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体，例如硅和锗等。
半导体中中存在两种载流子：电子和空穴。
纯净的半导体称为本征半导体，它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种：N型半导体——多数载流子是电子；P型半导体——多数载流子是空穴。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区：截止区、放大区区和饱和区。
为了对输入信号进行线形放大，避免产生严重的非线形性失真，应使三极管工作在放大区内。
当三极管的静态工作点过分靠近截止区时容易产生截止失真，当三极管的静态工作点靠近饱和区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个PN结加上外壳，引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有单向性，在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在反向击穿区时，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小，利用这种特性可以做成稳压管。
4、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流，是一种电压控制器件。
场效应管分为结型型和绝缘栅型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。
6、在本征半导体中加入 5 价元素可形成N型半导体，加入 3 价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有镜像电流源、比例电流源和微电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数提高；负反馈使放大倍数降低；但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是稳定静态工作点，交流负反馈能够改善放大电路的各项动态技术指标。
9、电压负反馈使输出电压保持稳定，因而减小了放大电路的输出电阻；而电流负反馈使输出电流保持稳定，因而增大了输出电阻。
串联负反馈增大了放大电路的输入电阻；并联负反馈则减小了输入电阻。
中南大学模电试题(卷)与答案解析
中 南 大 学 模拟电子技术试卷（第1套）一、一、填空题（20分，每空1分）1．双极型三极管是 控制器件，当其工作在放大区时发射结需要加 偏置，集电结需要加 偏置。
场效应管是 控制器件。
2． 在有源滤波器中，运算放大器工作在 区；在滞回比较器中，运算放大器工作在 区。
3． 在三极管多级放大电路中，已知A u1＝20，A u2＝－10，A u3＝1，则可知其接法分别为：A u1是 放大器，A u2是 放大器，A u3是 放大器。
4． 在双端输入、单端输出的差动放大电路中，发射极R e 公共电阻对 信号的放大作用无影响，对 信号具有抑制作用。
差动放大器的共模抑制比K CMR＝ 。
5． 设某一阶有源滤波电路的电压放大倍数为2001200fj A+= ，则此滤波器为 滤波器，其通带放大倍数为 ，截止频率为 。
6． 如图所示的功率放大电路处于 类工作状态；其静态损耗为 ；电路的最大输出功率为 ；每个晶体管的管耗为最大输出功率的倍。
二、基本题：（每题5分，共25分）1．如图所示电路中D 为理想元件，已知u i = 5sin ωt V ，试对应u i 画出u o 的波形图。
2．测得电路中NPN 型硅管的各级电位如图所示。
试分析管子的工作状态（截止、饱和、放大）。
3． 已知BJT 管子两个电极的电流如图所示。
求另一电极的电流，说明管子的类型（NPN或PNP ）并在圆圈中画出管子。
4．如图所示电路中，反馈元件R 7构成级间负反馈，其组态为 ；其作用是使输入电阻 、放大电路的通频带变 。
三、如图所示电路中，β＝100，Ω='100b b r ，试计算：(15分)1．放大电路的静态工作点；（6分）2．画出放大电路的微变等效电路；（3分）3．求电压放大倍数A u、输入电阻R i和输出电阻R o；（6分）四、判断如图所示电路中引入了何种反馈，并在深度负反馈条件下计算闭环放大倍数。
（9分）五、电路如图所示。
试用相位条件判断下面的电路能否振荡，将不能振荡的电路加以改正。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。
（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。
A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。
正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。
A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。
正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
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2.5 -2.5
分析：
根据“虚短”与“虚断”的 原则 t2 1 uO u dt 100 uI dt uO (t1 ) I t 1 RC
第7章 信号的运算与处理电路
7.5 为了使图示电路实现除法运算， （1）标出集成运放的同相输入端和反相输入端； （2）求出uO和uI1、uI2的运算关系式。
分析： （1）全波整流电路，波形如右图所示。 （2）输出电压平均值UO（AV）和输出电流平均值IL（AV）为
UO(AV) 0.9U 2
I L(AV)
0.9U 2 RL
（3）二极管的平均电流ID（AV）和所承受的最大反向电压URmax为
ID
0.45U 2 RL
URmax 2 2U2
第7章 信号的运算与处理电路
分析：
令f=０， 通带放大倍数为
1 R2 2 A uP R1
fp 1 2kHz 2RC
通带截止频率为
分别取R1=R2=1k；C=1F，则R≈80 。
第7章 信号的运算与处理电路
习题一：试将图示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路，并求出振荡 频率和起振条件。
分析：
第7章 信号的运算与处理电路
7.2 电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为 ±14V，uI为2V的直流信号。分别求出下列各种情况下 的输出电压。 （1）R2短路；（2）R3短路；（3）R4短路；（4） R4断路。
分析： (1) R2短路 (2) R3短路 (3) R4短路
R3 uI 2 uI 4V R1 R u O 2 u I 2 u I 4V R1 uO
振荡频率 起振条件
f0
1 1kHz 2RC
R f 2R1
即
R f 2k（略大于）
第7章 信号的运算与处理电路
习题二：电路如图所示，试求解： （1）Rw的下限值； （2）振荡频率的调节范围。
解:
(1)
由起振条件 ， 得
2R R f Rw
2k Rw
故Rw的下限值为 2k
uI 2 uI 1 uO R f R R 8uI 2 8uI 1 1 1
uI 3 uI 4 uI 1 uI 2 uO R f R R R R 40uI 3 uI 4 20uI 1 20uI 2 4 1 2 3
习题三：电路如图所示，稳压管DZ起稳幅作用，其稳定电压 ±UZ=±6V。试估算： （1）输出电压不失真情况下的有效值； （2）振荡频率。
解:
(1)
由幅值条件 ， 得 Rf 2R1
U
Z
2U R 1
而
UO UZ U R 1 1.5UZ
1.5U Z 6.36V 2
输出电压的有效值为
传递函数
Au ( s)
1 U o ( s ) sR1C1 1 sR1C1 1 sR2C2 U i ( s)
sR1C1 1 s( R1C1 R2C2 ) S 2 R1R2C1C2
故为二阶带通滤波器
第7章 信号的运算与处理电路
7.8 试设计一个一阶LPF，其通带放大倍数为2，通带截 止频率为2kHz。画出电路图。
分析： (1) (2) 引入电流串联负反馈
I I L Af L UI U f
R1 R f R6 10 mA I L R6 I 5V R1 R6 L R1 R1 R f R6
R f 18.5k
第7章 信号的运算与处理电路
第7章 信号的运算与处理电路
习题三：直流稳压电源如图所示。 （1）说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、基准电压电路、比较 放大电路、取样电路等部分各由哪些元件组成。 （2）标出集成运放的同相输入端和反相输入端。 （3）写出输出电压的表达式。
－ +
解 : (1) 整流电路
D1 ~ D4
调整管
T1、T 2
U Om
( 2) 电路的振荡频率
f0 1 9.95 H Z 2RC
第7章 信号的运算与处理电路
习题四：分别判断图示各电路是否可能产生正弦波振荡。
(b)与(c)改正后的电路如图所示
可能
不能
不能
可能
第7章 信号的运算与处理电路
习题五：试分别求解图示各电路的电压传输特性。
解 : ( a ) 同相输入的过零比较器
U R Auf o 1 2 R1 U i
U R Auf o 1 3 R1 U i
第7章 信号的运算与处理电路
6.3 电路如图所示。 （1）为了使电路的输入电阻增大、输出电阻减小，应引入何种组态的交流负反 馈； （1）合理连线，接入信号源和反馈，满足（1）的要求； （2）若
习题六：电路如图所示，已知集成运放的最大输出电压幅值 为±12V，uI的数值在uO1的峰-峰值之间。 （1）求解uO3的占空比与uI的关系式； （2）设uI=2.5V，画出uO1、uO2和uO3的波形。
第7章 信号的运算与处理电路
习题七：已知图(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，试指 出各电路的名称。
第7章 信号的运算与处理电路
6.1 判断下图所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断 是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负 反馈，设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
电流串联负反馈
电压并联负反馈
电压串联负反馈
正反馈
第7章 信号的运算与处理电路
6.2 判断图中所示电路的反馈组态，若为交流负反馈，试估算其在深度负反馈下的电压放 大倍数。 (a) 直流负反馈 (b) (c) (d) 正反馈 直流负反馈
I2
分析：
kuI21 u I 2 u I 3 uO R f R R R 2 3 1
选取k=0.1V-1 R1 0.667k
求R4
R2 4k
R3 10k
R2 // R f R1 // R3 // R4
4
R 为负， 改参数
第7章 信号的运算与处理电路
( －) +
+ － +
解:
(1) 利用桥式整流电路实现 正、 负电源
( 2) uO1和uO2均为全波整流
(+)－
－
(3) UO1( AV ) UO2( AV ) 0.9U21 18V
( 4) UO1( AV ) UO2( AV ) 0.45U21 0.45U22 18V
解:
电路1 电路 2 电路 3 电路 4
正弦波振荡电路
同相输入的过零比较器
反相输入的积分运算电 路 同相输入的滞回比较器
第7章 信号的运算与处理电路
习题一：电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。 （1）画出u2、uD1和uO的波形； （2）求出输出电压平均值UO(AV)和输出电流平均值IL(AV)的表达式； （3）求出二极管的平均电流ID(AV)和所承受的最大反向电压URmax的表达式。
电流并联负反馈 R RL I U o o L Auf R R1 I U
i
f 1
(e)
电压串联负反馈
U R Auf o 1 3 R1 U i
(f) 电压串联负反馈
U Auf o 1 U i
(g) 电压串联负反馈
(h) 电压串联负反馈
7.7 求出下图电路的传递函数并说明该电路属于哪种类型 的滤波电路？
Uo1
分析：
U p1 R1 1 R1 sC1 U i ( s)
sR1C1 U i ( s) 1 sR1C1
1 U o1 ( s) 1 sR2C2
U o ( s)
1 sC2
R2
1 sC2
U o1 ( s )
uI 1 Rf 10 u 1 R I2
uI 1 u I2
u 与u 同相
O I1
第7章 信号的运算与处理电路
7.6 设计一个运算电路，满足 uO 3uI21 5u 2uI 3 ，要求 反馈电阻Rf=20k。（有疑问？）
电路无反馈，uO＝－14V
(4) R4断路
uO
R2 R3 u I 4 u I 8V R1
第7章 信号的运算与处理电路
7.3 电路如图所示，集成运放输出电压的最大幅值为 ±14V，分别写出输出电压的表达式并填表。
u I /V u O1 /V u O2 /V
0.1
－1
1.1
0.5
( 2) 振荡频率f 0为
f0 1 2 ( R1 R2 ) C
f 0 min
f 0 max
1 145Hz 2 (10 100) 103 0.01106
1 1.59 kHz 3 6 2 10 10 0.01 10
第7章 信号的运算与处理电路
7.1 试求图示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。
uI 3 uI 1 uI 2 uO R f R R R 1 2 3
5uI 3 2uI 1 2uI 2
u I 2 u I 3 u I 1 10u u 10u I2 I3 I1 uO R f R R R 3 1 2
－5 5.5
1.0
－10 11
1.5
－14 14
分析： (a) uO
Rf R
uI 10u I
Rf u (b) O 1 R u I 11u I
第7章 信号的运算与处理电路
7.4 在下图(a)所示电路中，已知输入电压uI的波形如图(b) 所示，当t=0时uO=0。试画出输出电压uO的波形。