童诗白模电第三版课后习题答案详解 第一章
《模拟电子技术基础》（第三版）童诗白华成英主编,高等教育
《模拟电子技术基础》（第三版）童诗白华成英主编,高等教育《模拟电子技术基础》（第三版）童诗白华成英主编，高等教育出版社 2001教材评述该教材是面向21世纪课程、“九五”国家级重点教材，第一、第二版分别获得国家教委优秀教材一等奖和国家级优秀教材奖。
在保留第二版理论体系的基础上，精炼了基础部分，适当拓宽了知识面，新增了自测题，并力图在文字叙述方面更具有启发性，有利于学生创新意识的培养。
该教材在多年课程改革经验的指导下，既保持了多年以来形成的体系，又面向新世纪的发展；既符合该门课程的基本要求，又引进了电子技术中的新器件、新技术、新方法；既可以使学生掌握基础知识，又可以培养他们的定性分析能力、综合应用能力和创新意识；既有利于教师对教材的灵活取舍，又有利于学生对教材内容的主动学习和思考。
主要有以下一些特点：（1）、顺序安排合理，先器件后电路、先小信号后大信号、先基础后应用，并以读图作为全书内容的复习和总结。
为了适应21世纪的需要，在应用方面书中围绕信号的放大、运算、处理、转换和产生来介绍。
（2）、使难点分散，每章只有一个或两个主干，每节只有一个或两个难点，有利于学生学习。
（3）、每章内容按“提出问题，突出主干，理顺思路，启发引导，总结规律，举一反三”的原则编排内容，能使读者主动思考，找出解决问题的方法。
（4）、由于电子电路分析和设计方法的现代化和自动化，使定量计算更准确和精确，因此该教材更多地讲述电子电路的组成，更加注重电路结构的构思，突出定性分析。
使读者能知道来龙去脉，从中获得启迪，并进一步提高创新意识。
（5）、各种内容在基础之上还有提高和引申，可以扩展读者知识面。
并且对例题和习题做了修改，题型多样化，难度有所提高。
并且引入了近些年来电子技术的新器件、新技术、新方法，如EDA软件、开关电容技术等等。
有利于读者了解电子技术的新发展。
本书主要内容包括：常用半导体器件、基本放大电路、多级放大电路、集成运算放大电路、放大电路的频率响应、放大电路中的负反馈、信号的运算和处理、波形的发生和信号的变换、功率放大电路、直流电源和模拟电子读图。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
模拟电子技术基础完整(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件
变化。
二极管
二、本征半导体的晶体结构
完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体
称为本征半导体
+4
+4
+4
将硅或锗材料提
纯便形成单晶体，
共 价
它的原子结构为 键
+4
+4
价 电 子
+4
共价键结构。
+4
当温度 T = 0 K 时，半导 体不导电，如同绝缘体。 图 1.1.1
+4
+4
本征半导体结构示意图
(a)N 型半导体
(b) P 型半导体
图 杂质半导体的的简化表示法
1.1.3 PN结
在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另 一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了 一个特殊的薄层，称为 PN 结。
一、PN 结的形成
P
PN结
N
图 PN 结的形成
PN 结中载流子的运动
1. 扩散运动
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受 自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
+4
+4
+4
自由电子
+4
+45
+4
施主原子
+4
+4
+4
图 1.1.3 N 型半导体
5 价杂质原子称为施主原子。
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
模拟电子技术(童诗白)基础习题答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
Word版——模拟电子技术基础第三版童诗白华成英主编课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√）√ （2）×）× （3）√）√ （4）×）× （5）√）√ （6）×）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
略。
六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以，所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
1.4 ui 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ，b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ，，所以＞32131 ＜＜－1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←＞＞321321321321即F，代入数据f 6f 1f1＞A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ，∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为（R ＋R f /A od ）。
模拟电子技术基础(第三版)童诗白
PNJunction
半导体的导电机理不同于其它物质，所以它 具有不同于其它物质的特点。例如：
当受外界热和光的作用时，
它的导电能力明显变化。
光敏器件
往纯净的半导体中掺入某些杂质，
会使它的导电能力和内部结构发生
版 童 诗 白
5.晶体管是通过什么方式来控制集电极电流的？场效 应管是通过什么方式来控制漏极电流的？为什么它 们都可以用于放大？来自1.1 半导体的基础知识
一、导体、半导体和绝缘体
导体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金属 一般都是导体。
绝缘体：有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡 皮、陶瓷、塑料和石英。
康华光主编，《电子技术基础》 模拟部分 第三版，高教出版社
陈大钦主编，《模拟电子技术基础问答：例题 • 试题》，华工出版社
.
目录
1 常用半导体器件
2 基本放大电路
3 多级放大电路
4 集成运算放大电路
5 放大电路的频率响应
6 放大电路中的反馈
第
三
7 信号的运算和处理
版
8 波形的发生和信号的转换
童
诗
9 功率放大电路
本征锗的电子和空穴浓度:
n = p =2.38×1013/cm3 .
小结
1. 半导体中两种载流子
带负电的自由电子 带正电的空穴
2. 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现， 称为 电子 - 空穴对。
3. 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。
4. 由于物质的运动，自由电子和空穴不断的产生又 不断的复合。在一定的温度下，产生与复合运动 会达到平衡，载流子的浓度就一定了。
模拟电子技术基础(第三版)童诗白、华成英(全)ppt课件
（动画1-1）（动画1-2）
四、本征半导体中载流子的浓度
本征激发(见动画) 复合
动态平衡
在一定温度下本征半导体中载流子的浓度是一定的， 并且自由电子与空穴的浓度相等。
本征半导体中载流子的浓度公式：
ni= pi= K1T3/2 e -EGO/(2KT)
T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度:
n = p =1.43×1010/cm3
5. 载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升 高，基本按指数规律增加。
1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体(Negative)
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型 半导体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
原子
浓度，即 p >> n。空穴
为多数载流子，电子为
+4
+4
+4
少数载流子。
图 1.1.4 P 型半导体
说明：
1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决 定少数载流子的浓度。
2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导 体，因而其导电能力大大改善。
3. 杂质半导体总体上保持电中性。
4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。
第
3.场效应管的分类、工作原理和特性曲线。
三
版
童
诗
白
本章讨论的问题：
1.为什么采用半导体材料制作电子器件？
2.空穴是一种载流子吗？空穴导电时电子运动吗？
3.什么是N型半导体？什么是P型半导体？ 当二种半导体制作在一起时会产生什么现象？
模拟电子技术___童诗白版
Cb
由于 PN 结 宽度 l 随外加 电压 u 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。其 Cb = f (U) 曲线如图示。
O
图 1.1.11（b)
u
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2. 扩散电容 Cd 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。
在某个正向电压下，P 区中的电子浓度 np(或 N 区的空穴浓度 PN 结 pn)分布曲线如图中曲线 1 所示。 当电压加大，np (或 pn)会升高， 如曲线 2 所示(反之浓度会降低)。 N P
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第一章 常用半导体器件
本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶体中的某些
硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受
自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
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第一章 常用半导体器件
第一章 常用半导体器件
综上所述：
PN 结总的结电容 Cj 包括势垒电容 Cb 和扩散电容
第一章 常用半导体器件
3. 空间电荷区产生内电场 空间电荷区正负离子之间电位差 Uho —— 电位壁垒； —— 内电场；内电场阻止多子的扩散 —— 阻挡层。 4. 漂移运动 内电场有利 于少子运动—漂 移。 少子的运动 与多子运动方向 相反
阻挡层 空间电荷区
P
N
内电场
Uho
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+4
图 1.1.4
P 型半导体
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说明：
第一章 常用半导体器件
童诗白模电第一章课件
模拟电子技术第一章
例3：双向限幅电路
R
ui / V
uR ui
uD
D E 3V
E 3V D
uo
6 3
0
2
t
uo /V
3 0
t
–3
上页
首页
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模拟电子技术第一章
例3：双向限幅电路
R
ui / V
uR ui
uD
D E 3V
E 3V D
uo
6 3.7
0
2
t
uo /V
3.7 0
考虑管压降
t
–3.7
A B DA
DB
Y
R
–12V
上页 首页 下页
模拟电子技术第一章
例2：下图是二极管限幅电路，D为理想二极管 （忽略管压降），ui = 6 sin t V, E= 3V,试画出 uo 波形 。
R
ui / V
ui
uR u D
D E 3V
6 3
uo
0
2
t
uo / V
3 0 –6
2
上页
t
首页 下页
二极管的模型
二极管的V—A特性
i
串联电压源模型
i
0
u
导通压降
UD
u
u UD
u UD
+
i
UD
+
u
i
UD
u
上页
-
U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。
首页 下页
二极管的模型
模拟电子技术第一章
由伏安特性折线化得到的等效电路
完整word版模拟电路第三版课后习题答案详解
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-3某二极管的伏安特性如图 (a)所示：① 如在二极管两端通过 1k ?的电阻加上1.5V 的电压，如图(b)，此时二极管的电流 I 和电压U 各为多少？② 如将图(b)中的1.5V 电压改为3V ，则二极管的电流和电 压各为多少？解：根据图解法求解 ①电源电压为1.5V 时1.5 = U +1I -0.8A, U -0.7V②电源电压为3V 时3 = U +1I -2.2A, U -0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大, 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
N710卩 A , 习题1-2假设一个二极管在50C 时的反向电流为 试问它在20C 和80C 时的反向电流大约分别为多大？ 温度每升高10C ，反向电流大致增加一倍。
2r0AA=1.254A 23"0卩 A = 80A A解：在20C 时的反向电流约为:在80 C 时的反向电流约为:则二习题1-4 已知在下图中，对应地画出二极管的电流形，并在波形图上标出幅U| = lOsin w t (V), R L=1k?，试i D、电压U D以及输出电压u O的波设二极管的正向压降和反向习题1-5 欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻r Z 以及温度系数 a U，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻q愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z愈大,则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数a U的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
习题1-6 某稳压管在温度为 20C,工作电流为 5 mA 时， 稳定电压 U z =10V ，已知其动态内阻 r z =8?，电压的温度系 数 a u =0.09% / C ，试问：① 当温度不变，工作电流改为 20 mA 时，U z 约为多少？ ② 当工作电流仍为 5 mA ，但温度上升至 50C 时，U z 约为 多少？ A U z =A l z r z =(20 -5) X10-X8 =0.12VU z =10+0.12 =10.12 Vi U z /U z "u 'A T =0.09% X (50 —20) =2.7%U z =10X(1 +2.7% ) = 10.27习题1-7 R L =1 k ?，稳压管的U z = 6V ，试求：① 稳压管中的电流I z = ?② 当电源电压U 升高到12V 时，I z 将变为多少？③ 当U 仍为10V ，但R L 改为2k ?时，I z 将变为多少？ 解：① I R =U ^ = 6mAR LI =U -U Z =20mARI z = I - I R L = 20 - 6 = 14 mA② I = —UU=30mA 二 I z = I - I R - 30 - 6 = 24mARL③ I R L = U -^ = 3mA • • I z = I 一 I R L = 20 一 3 =17 mAL R L解：① 在下图中，已知电源电压 U = 10V , R = 200?,+ u OR LI z习题1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为6V,当工作在正向时管压降均为0.7V，如果将他们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区假设有两个三极管，已知第一个管子的，当该管的时，其I C1199β=110B I A μ=FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.2 2.84.5 3.5D m GS i g mSu ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R bR e i U +o U R i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=L R '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
模拟电子技术基础童诗白第三版
Re
-VEE
图 3.3.3
长尾式差分放大电路
UCE1=UCE2≈UCC+UEE―(RC+2Re)IE1 Uo=0；
（动画avi\6-1.avi）
第三章 多级放大电路
2.对共模信号的抑制作用
共模信号的输入使两管集 电极电压有相同的变化。 所以
Rb1 + uI1
-
Rb2 + uI1
-
uoc uoc1 uoc2 0
光电耦合是以光信号为媒介来实现电信号的耦合和传递 的，因而其抗干扰能力强而得到越来越广泛的应用。 一、光电耦合
发光元件
图3.1.5光电耦合器及其传输特性
第三章 多级放大电路
二、光电耦合放大电路
图3.1.6光电耦合放大电路
目前市场上已有集成光电耦合放大电路，
具有较强的放大能力。
第三章 多级放大电路
3.2多级放大电路的动态分析
一、电压放大倍数
总电压放大倍数等于各级电压放大倍数的乘积，即
A A A A u u1 u2 un
其中， n 为多级放大电路的级数。
二、 输入电阻和输出电阻
通常，多级放大电路的输入电阻就是输入级的输入电 阻；输出电阻就是输出级的输出电阻。 具体计算时，有时它们不仅仅决定于本级参数，也与 后级或前级的参数有关。
3.直接耦合放大电路的特殊问题是什么？如何解决？
第 三 版 童 诗 白 4.差分放大电路与其它基本放大电路有什么区别？ 为什么它能抑制零点漂移？ 5.直接耦合放大电路输出级的特点是什么？如何根据 要求组成多级放大电路？
3.1 多级放大电路的耦合方式
将多个单级基本放大电路合理联接，构成多级放大电路
组成多级放大电路的每一个基本电路称为一级， 级与级之间的连接称为级间耦合。 四种常见的耦合方式：
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第一章 半导体基础知识
自测题
一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×
二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C
三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈1.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V
五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE
＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、
V
2V mA
6.2 μA
26V C C CC CE B C b
BE
BB B =-====-=
R I U I I R U I β
U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以
Ω
≈-=
==
=-=
k 4.45V μA
6.28mA
86.2V B
BE
BB b C
B c CES
CC C I U R I I R U I β
七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题
1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
t
t
1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝
2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
1.9 （1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流为4mA ，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故 V 33.3I L
L
O ≈⋅+=
U R R R U
当U I ＝15V 时，由于上述同样的原因，U O ＝5V 。
当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝5V 。
（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
1.10 （1）S 闭合。
（2）。
，Ω=-=Ω≈-=700)V (233)V (Dm in D m ax Dm ax D m in I U R I U R
t
t
1.11 波形如图所示。
1.12 60℃时I CBO ≈32μA 。
1.13 选用β＝100、I CBO ＝10μA 的管子，其温度稳定性好。
1.14
BB O 当V BB ＝1V 时，T 处于放大状态。
因为
V 9u mA 3 μA 60C CQ O BQ CQ b BEQ
BB BQ =-====-=
R I V I I R U V I CC ，，β
当V BB ＝3V 时，T 处于饱和状态。
因为
BE C CQ O
BQ CQ b
BEQ
BB BQ mA 8 A μ160U R I V u I I R U V I CC ＜，
，-====-=β
1.17 取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则 管子饱和。
，所以，100 C
b C b C BE CC b BE CC =≥=-=-⋅
R R R R R U V R U V βββ
1.18 当u I ＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，u O ＝－U Z ＝－5V 。
当u I ＝－5V 时，晶体管饱和，u O ＝0.1V 。
因为
mA
24μA 480B C
b BE
I B ===-=I I R U u I β
CC C C CC EC V R I V U ＜-=
1.19（a ）可能 （b ）可能 （c ）不能 （d ）不能，T 会损坏。
（e ）可能 1.20 根据方程
2
GS(th)
GS DSS D )1(U u I i -
=
逐点求出确定的u GS 下的i D ，可近似画出转移特性和输出特性。
在输出特性中，将各条曲线上u GD ＝U GS （off ）的点连接起来，便为予夹断线。
1.21
1.22 过u DS 为某一确定值（如15V ）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的i D 值；建立i D ＝f （u GS ）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。
1.23 u I ＝4V 时T 夹断，u I ＝8V 时T 工作在恒流区，u I ＝12V 时T 工作在可变电阻区。
1.24 （a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能。