第四章X射线光电子能谱-XPS

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第四章 XPS光电子能谱

第四章 XPS光电子能谱

dI = I 0 dt / ( EK )
(EK)是一个常数,与电子的动能有关,称为光电子非弹性散射自由程或 者电子逸出深度。有时也被称为非弹性散射“平均自由程”。如果t代表垂直 固体表面并指向固体外部的方向,则(EK)就是“平均逸出深度”。这样, 光电子垂直于固体表面发射,并经历距离t后的强度为:
实验中发现,光电子的逸出深度对于不同材料以及不同动能的光电子时不同 的。为了便于定量计算,人们做了大量的工作,综合大量的实测数据,总结 出了一下经验公式。 对于单质材料,(EK)与元素种类无关,只与电子的动能有关。如果光 电子的动能在100~2000 eV之间,则近似与(EK)½成正比。
h+A A
*, +
+e

在某些情况下,还会引起俄歇电子的 发射。(为什么?)俄歇电子发射对 于材料的结构分析很有用处。
X射线光电子能谱分析的基本原理
1、光电效应(光致发射或者光电 离): 当光子与材料相互作用时,从原子中 各个能级发射出的光电子的数目是不 同的,有一定的几率。光电效应的几 率用光电截面表示,定义为某能级 的电子对入射光子的有效能量转移面 积,或者一定能量的光子从某个能级 激发出一个光电子的几率。所以, 与电子所在壳层的平均半径r,入射光子的频率和受激原子的原子序数Z有关。 一般来说,在入射光子的能量一定的情况下: 1、同一原子中半径越小的壳层,光电效应截面越大;电子结合能与入射光子的 量越接近,光电效应截面越大。 2、不同原子中同一壳层的电子,原子序数越大,光电效应截面越大。 光电效应截面越大,说明该能级上的电子越容易被光激发。与同原子其他壳层上 的电子相比,它的光电子峰的强度就大。科学工作者已经对Al和Mg的K线激发 下,各元素的各能级的光电效应截面经行了计算。 X射线(h) 光电子(e-)

X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS)

X射线光电子能谱分析方法及原理(XPS)

半导体工业
晶体缺陷分析、界面性质研究 等。
环境科学
大气污染物分析、土壤污染研 究等。
X射线光电子能谱分析的优缺点
1 优点
提供元素化学状态信息、非破坏性分析、高表面敏感性。
2 ห้องสมุดไป่ตู้点
样品需真空处理、分析深度有限、昂贵的设备和维护成本。
总结和展望
X射线光电子能谱分析是研究材料表面的有力工具。未来,随着仪器和技术的 不断进步,XPS将在更多领域发挥重要作用。
X射线光电子能谱分析方 法及原理(XPS)
X射线光电子能谱分析(XPS)是一种表面分析技术,通过测量材料的X射线光 电子能谱来研究材料的电子结构和化学组成。
X射线光电子能谱分析的基本 原理
XPS基于光电效应,探测材料与X射线相互作用所放出的光电子。通过测量光 电子能量和强度,可以推断材料表面元素的化学态。
X射线光电子能谱分析的仪器和实验设备
XPS仪器
包含X射线源、光电子能谱仪 和数据处理系统。
电子枪
产生高能电子束,用于激发材 料表面。
光电子能谱仪
测量光电子的能量和角度,用 于分析材料的电子结构。
X射线光电子能谱分析的样品准备方法
1 表面清洗
去除杂质和氧化层,以确保准确测量。
2 真空处理
在超高真空条件下进行实验,避免气体影响。
3 固定样品
使用样品架或夹具将样品固定在仪器中。
X射线光电子能谱分析的数据处理和解 析方法
峰面积计算
根据光电子峰的面积计算元素含量。
能级分析
通过分析光电子的能级分布,推断材料的化学状态。
谱峰拟合
将实验谱峰与已知标准进行拟合,确定元素的化学态和含量。
X射线光电子能谱分析的应用领域

X射线光电子能谱(XPS)原理

X射线光电子能谱(XPS)原理
➢ XPS的基本原理 ➢XPS的系统结构及工作原理 ➢XPS的实验方法 ➢XPS谱图的解释 ➢XPS谱图的应用实例
XPS的基本原理
• XPS的原理是用X射线去辐射样品,使原子或 分子的内层电子或价电子受激发射出来。被 光子激发出来的电子称为光电子。可以测量 光电子的能量。
• X射线光子的能量在1000--1500ev之间,不仅 可使分子的价电子电离而且也可以把内层电 子激发出来,内层电子的能级受分子环境的 影响很小。 同一原子的内层电子结合能在不 同分子中相差很小,故它是特征的。光子入 射到固体表面激发出光电子,利用能量分析 器对光电子进行分析的实验技术称为光电子 能谱。
XPS特点
• XPS作为一种现代分析方法,具有如下特点: • (1)可以分析除H和He以外的所有元素,对所有元
素的灵敏度具有相同的数量级。
• (2)相邻元素的同种能级的谱线相隔较远,相互干 扰较少,元素定性的标识性强。
• (3)能够观测化学位移。化学位移同原子氧化态、 原子电荷和官能团有关。化学位移信息是XPS用作 结构分析和化学键研究的基础。
例2:聚偏二氯乙烯降解反应随时间的变化
例3:铝箔,Al2p 峰
例4:C1s的结合能在不同的碳物种中有
差别。在石墨和碳纳米管材料中,
其结合能均为284.6 eV;而在C60材料 中,其结合能为284.75 eV。由于C 1 峰的结合能变化很小,难以从C1s峰 结合能来鉴别这些纳米碳材料。C60材 料的震激峰的结构与石墨和碳纳米管
x射线光电子能谱因对化学分析最有用因此被称为化学分析用电子能谱xps的基本原理二氧化钛涂层玻璃试样的xps谱图xps的基本原理给定原子的某给定内壳层电子的结合能还与该原子的化学结合状态及其化学环境有关随着该原子所在分子的不同该给定内壳层电子的光电子峰会有位移称为化学位移

X射线光电子能谱(XPS)

X射线光电子能谱(XPS)

X射线光电子能谱(XPS)X射线光电子能谱是利用波长在X射线范围的高能光子照射被测样品,测量由此引起的光电子能量分布的一种谱学方法。

样品在X射线作用下,各种轨道电子都有可能从原子中激发成为光电子,由于各种原子、分子的轨道电子的结合能是一定的,因此可用来测定固体表面的电子结构和表面组分的化学成分。

在后一种用途时,一般又称为化学分析光电子能谱法(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis,简称)。

与紫外光源相比,X射线的线宽在以上,因此不能分辨出分子、离子的振动能级。

此外,在实验时样品表面受辐照损伤小,能检测周期表中除和以外所有的元素,并具有很高的绝对灵敏度。

因此是目前表面分析中使用最广的谱仪之一。

7.3.1 谱图特征图7.3.1为表面被氧化且有部分碳污染的金属铝的典型的图谱。

其中图(a)是宽能量范围扫描的全谱,主要由一系列尖锐的谱线组成;图(b)则是图(a)低结合能端的放大谱,显示了谱线的精细结构。

从图我们可得到如下信息:1.图中除了和谱线外,和两条谱线的存在表明金属铝的表面已被部分氧化并受有机物的污染。

谱图的横坐标是轨道电子结合能。

由于X射线能量大,而价带电子对X射线的光电效应截面远小于内层电子,所以主要研究原子的内层电子结合能。

由于内层电子不参与化学反应,保留了原子轨道特征,因此其电子结合能具有特定值。

如图所示,每条谱线的位置和相应元素原子内层电子的结合能有一一对应关系,不同元素原子产生了彼此完全分离的电子谱线,所以相邻元素的识别不会发生混淆。

这样对样品进行一次宽能量范围的扫描,就可确定样品表面的元素组成。

2.从图7.3.1(b)可见,在和谱线高结合能一侧都有一个肩峰。

如图所标示,主峰分别对应纯金属铝的和轨道电子,相邻的肩峰则分别对应于中铝的和轨道电子。

这是由于纯铝和中的铝所处的化学环境不同引起内层轨道电子结合能向高能方向偏移造成的。

这种由于化学环境不同而引起内壳层电子结合能位移的现象叫化学位移。

催化剂表征-x射线光电子能谱(XPS)

催化剂表征-x射线光电子能谱(XPS)

XPS研究中的两个重要参数:
电子结合能 化学位移
电子结合能
将某能级上的电子放至无穷远并处于静止状态所 需的能量, 称为结合能, 又称为电离电位. 结合 能的值等于该轨道能量的绝对值. 对固体样品,通常选取费米(Fermi)能级为Eb的参 考点。 不同的元素单质及不同轨道上的电子的结合能是 不同的. 其中K电子离原子核最近, 受到的束缚最 强, 因此结合能最大.
波长色散型X射线荧光光谱仪
X射线荧光光谱仪
德国布鲁克公司 SRS-3400 X-射线荧光光谱仪
X射线荧光定性分析
莫塞莱定律
λ = K ( Z - S ) -2
式中, Z为元素的原子序数, K和S均为常数. 因此主要知道X射线荧光的波长, 就可以求得Z, 从而确定被 测元素的种类. 实际测试中, 可根据分析仪晶的晶面距和实测的2θ角, 根据 布拉格公式计算出X射线荧光的波长λ, 便可查出对应的元素.
hv = E'k +Eb + φsp 功函数
Eb = hν - E’k - φsp
Eb:电子结合能
hν: 入射电子的能量
Ek: 光电子的动能 φsp: 功函数
功函数Φsp是一个定值,约为4eV,入射X光子能量已 知,这样,如果测出电子的动能E’k,便可得到固体样品 电子的结合能。各种原子,分子的轨道电子结合能是一 定的。因此,通过对样品产生的光子能量的测定,就可 以了解样品中元素的组成。
照射或打击原子的X射线称为初级X射线. 产生的荧光X射线称为次级X射线. 荧光X射线的能量不会大于初级X射线, 即荧光X射线的波 长一般不小于初级X射线的波长. 荧光X射线的波长取决于初级X射线的波长和元素的内层电 子结构, 因此X射线荧光波长的特征是对元素定性分析的基础. 荧光X射线的强度和该元素的含量有关, 是定量分析的基础.

《X射线光电子谱XPS》课件

《X射线光电子谱XPS》课件
《X射线光电子谱XPS》 PPT课件
本课件详细介绍了X射线光电子谱XPS的原理、应用、实验流程、数据解释、 及未来发展趋势。深入浅出,易于理解。
什么是XPS?
XPS的定义
X射线光电子谱是利用X射线 的照射和物质的电子辐射, 研究物质表面元素及其化学 状态的一种表面分析技术。
XPS的原理
通过能量分辨光电子能谱计 测量电子能量,根据不同元 素的电离能将电子能量与所 在元素关联。谱峰位置与元 素化学状态相关。
包括X射线光学模拟、图像处理、数据分析算 法、峰形拟合等技术的创新,使XPS的分析能 力和速度更加强大。
总结
XPS的优势和不足
优势是可以研究表面元素、化学状态和赋存量, 不足是分析深度受限。
XPS在实践中的应用前景
在表面化学、材料科学、 突破和创新。
XPS的应用领域
材料科学、表面化学、生物医学、 环境地球化学、微电子工程等。
XPS实验流程
1
样品的制备
准备好需要分析的样品,保证样品表面干净,无油污、附着物等。
2
XPS扫描仪的使用
使用XPS扫描仪进行表面分析,注意扫描参数的设置。
3
数据检测和分析
对得到的XPS图谱进行有效的数据处理和分析,得到所需要的信息。
XPS测量的基本过程
样品的表面被X射线照射,表 面元素在吸收X射线时会释放 出光电子,探测器捕获光电 子并测量能量分布,形成XPS 光电子能谱。
XPS的应用
XPS的优势
可以研究化学计量比、化学键状 态、元素的赋存量和分布、样品 表面的微区化学成分等。
XPS的局限性
只适用于分析表面层,分析深度 受限,不能对物质的内部进行分 析。
XPS谱图解析

X射线光电子能谱XPS

X射线光电子能谱XPS

X射线光电子能谱复旦大学材料系吕平在对许多材料的研究和应用中,了解其表面性能是很重要的。

而要获得材料的表面性能,就需要一些特殊的仪器,对各种材料从成分和结构上进行表面表征。

其中,X射线光电子能谱(XPS)由于其对材料表面化学性能的高度识别能力,成为材料分析的一种重要技术手段。

X射线光电子能谱是由Siegbahn等人在20 世纪50年代提出并实现用于物质表面元素定性定量分析的方法。

Siegbahn由于对光电子能谱的谱仪技术和谱学理论的杰出贡献而获得了1981年诺贝尔奖。

这是一种以光与物质相互作用的原理为基础的方法。

1.光与物质的相互作用一、光电效应物质受光作用放出电子的现象称为光电效应,也称为光电离或光致发射。

如图1所示,这个过程表示为:hν+A→A∗++e−A: 中性原子;hν:光子能量;A*+:出于激发态的离子;e-:光电子。

光电子的能量 E k=hν−E BE B是以真空能级为参考的电子结合能。

虽然光电离也是一个电子跃迁过程,但它有别于一般电子的吸收和发射过程,它不遵守一定的选择定则,任何能级的电子都可以被电离。

原子各能级发射出冠电子的概率由电离截面σ决定。

σ越大,说明该能级上的电子月容易被激发,与原子其他能级上的电子相比,它的光电子峰的强度就交大。

σ与原子序数Z,主量子数n,角量子数l,入射光频率ν决定。

二、受激原子的弛豫由电离过程产生的终态离子A*+处于高激发态,会自发发生弛豫而变为稳定状态。

这一过程分为辐射弛豫和非辐射弛豫两种,前者发射X荧光,后者发射俄歇电子。

其过程如图2所示。

hν图1图 2X射线荧光的能量是特征性的,与元素一一对应。

俄歇电子的能量也是特征性的,与入射能量无关。

荧光几率与俄歇几率如图3所示,即低Z元素容易发生俄歇效应。

图 3三、光电子逸出深度虽然X光的穿透深度可达1mm,只有从表面逸出的光电子,才对确定Eb的谱峰有所贡献。

对于XPS 有用的光电子能量100~1200eVλm=0.5~2.0nm(金属)=4~10nm(高聚物)信息深度d与逸出深度的关系,d=λsinα,如图4 所示。

X射线光电子能谱(XPS)课件

X射线光电子能谱(XPS)课件
表面分析
利用XPS对样品表面进行深度剖析, 了解表面元素的化学状态和组成, 为材料科学、环境科学等领域提供 有力支持。
05
XPS与其他分析方法的比 较
XPS与AES的比较
总结词
XPS和AES都是表面分析技术,但它们的工 作原理和应用范围有所不同。
详细描述
XPS(X射线光电子能谱)和AES(原子发 射光谱)都是表面分析技术,用于确定样品 表面的元素组成。然而,它们的工作原理和 应用范围有所不同。XPS主要测量的是光电 子的能量分布,可以提供元素种类、化学态 和电子态的信息。而AES则通过测量原子发 射出来的特征光谱来分析元素组成。在应用 方面,XPS更适用于轻元素的分析,而AES 更适用于重元素的分析。
02
XPS仪器设备
XPS仪器结构
01
02
03
04
发射源
X射线管,用于产生X射线。
真空系统
确保实验室内高真空度,以减 少气体对光电子的散射。
能量分析器
用于检测和测量光电子的能量 。
探测器
用于收集光电子,并将其转换 为电信号。
XPS仪器操作流程
样品安装
将样品放置在样品 台上,并确保稳定 固定。
数据采集
开发多元素同时分析的XPS技术, 能够快速获取样品中多种元素的
化学信息,提高分析效率。
XPS在各领域的应用前景
环境监测
生物医学研究
利用XPS技术对大气、水体、土壤等环境中 的有害物质进行快速、准确检测,为环境 保护和治理提供有力支持。
通过XPS技术对生物样品进行无损检测,有 助于深入了解生物分子结构和功能,推动 生物医学领域的发展。
数据采集
按照设定的参数进行测量,并 采集光谱数据。

思考题-XPS

思考题-XPS

武汉理工大学材料学院学硕班《材料研究与测试方法》思考题第四章X光电子能谱分析1.简述光电子能谱分析的定义和主要类型及其特点。

答:光电子能谱分析是一种研究材料表层的元素组成与化学状态的表面分析技术,其基本原理:用单色射线照射样品,使表层原子或分子的内层电子受激并发射,成为光电子,并测量这些光电子的能量分布,然后与已知原子的不同壳层的电子能量相比较,确定未知样品表层的元素组成和化学状态。

一般认为,分析的信息深度10nm左右。

2.何谓X射线光电子能谱分析?简述其基本原理。

答:XPS是用X射线激发表层原子的内层电子,产生光电子,因为内层能级的结合能对特定的元素有特定的值,通过测定电子的结合能和谱峰强度,可对除H和He(因为它们没有内层能级)之外的其他元素进行定量分析。

原理:样品受到X射线辐照后,发射光电子,经电子能量分析器分离,被探测器收集后经过计算机处理,得到该样品的XPS谱图。

原子内层电子结合能的变化可以提供分子结构、电子结构。

价态等信息。

3.简述产生光电子的光电效应过程。

答:物质受光作用放出电子的现象称为光电效应。

当具有一定能量hν的入射光子与样品中的原子相互作用时,单个光子把全部能量交换给原子某壳层上一个受束缚的电子,这个电子就获得了这个能量。

如果该能量大于该电子的结合能E b,该电子就将脱离原来受束缚的能级;若还有多余的能量可以使电子克服功函数W,则电子就成为自由电子、并获得一定的动能E k,原子本身则变成激发态离子。

该过程就称为光电效应。

4.何谓光电子的逸出几率和逸出深度?其逸出深度由哪些物理参数决定?答:逸出几率:(用光电截面δ表示)定义为某能级的电子对入射光子的有效能量转移面积,或者一定能量的光子从某个能级激发出一个光电子的几率。

逸出深度:光电子在固体样品中不发生非弹性碰撞时逸出的深度几率。

决定于电子能量和电子平均自由程。

5.什么叫电子结合能和逸出功?逸出功又叫什么?如何获得电子结合能?答:电子结合能:电子从所在能级转移到费米能级(0K时固体能带中充满电子的最高能级)所需的能量。

X射线光电子能谱(XPS)课件

X射线光电子能谱(XPS)课件
双阳极X射线 源示意图
电子能量分析器
电子能量分析器其作用是探测样品发射出来的 不同能量电子的相对强度。它必须在高真空条 件下工作即压力要低于10-3帕,以便尽量减少 电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。
检测器
检测器通常为单通道电子倍增器和多通道倍增
器。光电倍增管采用高抗阻,二次电子发射材 料,增益:109.
大面积超疏水性纳米结构碳膜
利用一种简单的热解方法, 制备了具有纳米结构的大面积 碳膜, 膜表面经过低表面能物质氟硅烷修饰后具有超疏水 性.
实验部分
试剂与仪器:聚丙烯腈( PAN) , 平均分子量Μ = 120000; N, N -二甲基甲酰胺(DMF) , 分析纯.
实验过程
将10.1976 g PAN溶解在50 mL DMF中, 并于70 ℃下搅 拌均匀, 制得质量分数为18%的PAN溶液.将此溶液倾倒在 干净的石英片上,待溶剂自然挥发后形成均匀的PAN膜。
17、儿童是中心,教育的措施便围绕 他们而 组织起 来。下 午8时4分45秒 下午8时 4分20:04:4521.7.12
2、Our destiny offers not only the cup of despair, but the chalice of opportunity. (Richard Nixon, American President )命运给予我们的不是失望之酒,而是机会之杯。二〇二一年六月十七日2021年6月17日星期四
5、You have to believe in yourself. That's the secret of success. ----Charles Chaplin人必须相信自己,这是成功的秘诀。-Thursday, June 17, 2021June 21Thursday, June 17, 20216/17/2021

XPS定性分析和图谱解析

XPS定性分析和图谱解析

第四章定性分析和谱图诠释●XPS和AES的表面灵敏特性,再加上非结构破坏性测试能力和可获得化学态信息的能力,使其成为表面分析的极有力工具。

●定性分析主要是鉴定物质的元素组成及其化学状态。

●XPS还可以进行官能团分析和混合物分析。

●XPS定性分析的相对灵敏度约为0.1%。

一、电子能谱图的一般特性●在XPS谱图中可观察到几种类型的谱峰。

●一部分是基本的并总可观察到—初级结构●另一些依赖于样品的物理和化学性质—次级结构●光电发射过程常被设想为三步(三步模型):●光吸收和电离(初态效应);●原子响应和光电子发射(终态效应);●电子向表面输运并逸出(外禀损失)。

●所有这些过程都对XPS谱的结构有贡献。

1、XPS谱图的初级结构(1). 光电子谱线(photoelectron lines)●由于X射线激发源的光子能量较高,可以同时激发出多个原子轨道的光电子,因此在XPS谱图上会出现多组谱峰。

由于大部分元素都可以激发出多组光电子峰,因此可以利用这些峰排除能量相近峰的干扰,非常有利于元素的定性标定。

●最强的光电子线是谱图中强度最大、峰宽最小、对称性最好的谱峰,称为XPS的主谱线。

每一种元素都有自己的具有表征作用的光电子线。

它是元素定性分析的主要依据。

●光电子峰的标记:以光电子发射的元素和轨道来标记,如●C1s,Ag3d5/2等●此外,由于相近原子序数的元素激发出的光电子的结合能有较大的差异,因此相邻元素间的干扰作用很小。

光电子谱线峰位置(结合能)。

与元素及其能级轨道和化学态有关。

峰强度。

与元素在表面的浓度和原子灵敏度因子成正比。

对称性。

金属中的峰不对称性是由金属E F附近小能量电子-空穴激发引起,即价带电子向导带未占据态跃迁。

不对称度正比于费米能级附近的电子态密度。

峰宽(FWHM)光电子线的谱线宽度来自于样品元素本质信号的自然宽度、X射线源的自然线宽、仪器以及样品自身状况的宽化因素等四个方面的贡献。

一般峰宽值在0.8~2.2 eV之间。

XPS

XPS

(3) XPS定性分析依据
hv = Eb + Ek + φsp
上式中φsp为仪器的特定值(一般~4eV),对于选定的入射源经
单色化后hv为常数,即
hv − φ sp = K (常数 )
代入上式,得
Eb = K − Ek
或 Ek = K − Eb
可见,只要测出光电子的动能,就可求得结合能Eb,而Eb是 元素的特征值,即可从光电子的能谱图鉴别某种元素的存 在。
主量子数 角量子
n l=0,1,2…n-1 (s,p,d,…)
数总角动量 j=| l± ½ |
能谱项 nlj
能级符号
1
0
1/2
1S ½
K
2
0
1
3
0
1
2
1/2 1/2 3/2
1/2 1/2 3/2 3/2 5/2
……
2S ½ 2P ½ 2P 3/2
3S ½
3P 1/2 3P 3/2 3d 3/2 3d 5/2
286.5 288.0

Fluorocarbon
C-F
287.8

2F bound to a carbon -CH2CF2-
290.6

3F bound to a carbon -CF3
293-294

有机物质中 O 1s 光发射峰的典型位移
功能团 Carbonyl alcohol, ether ester
O 核引力
Si 核引力
2.化学状态的确定
选定已知化学态的各种化合物以及纯元素,测定其化学 位移做成表(大多数为权威实验室所发表)或手册。
样品分析时,从图谱中查得化学移位,再查相应化合物 的谱峰能量手册,确定未知样品中元素的化学态。

X射线光电子能谱(XPS)的基本原理及应用

X射线光电子能谱(XPS)的基本原理及应用
工作流程
准备样品 - 放置于真空室中 - 照射X射线 - 测 量电子能谱 - 分析和解释结果。
XPS在材料表征中的应用
半导体材料
XPS可用于研究半导体材料的表面化学状况和 界面特性。
聚合物材料
对聚合物材料进行表面分析,了解其化学成分 和表面改性效果。
金属合金
生物材料
XPS可用于表征金属合金的成分和表面氧化状态。 研究生物材料表面的化学活性,用于医学和生 物工程领域。
XPS可用于确定催化剂表面的活性位点,帮助优化催化剂设计。
Hale Waihona Puke 2反应机理研究通过分析催化剂表面的元素状态和化学键情况,揭示催化反应的机理。
3
失活机制研究
通过分析催化剂失活前后的表面化学状态,探究失活机制并提出改进策略。
总结和展望
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种强大的表面分析技术,广泛应用于材料科学和表面化学领域。未来,随 着技术的进一步发展,XPS将在更多领域发挥重要作用。
X射线光电子能谱 (XPS) 的基本原理及应用
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种先进的分析技术,可用于研究和表征材料的 表面组成和化学状态。
定义和概述
1 什么是XPS?
2 工作原理
X射线光电子能谱 (XPS) 是一种非接触性的表面 分析技术,通过测量材 料表面上光电子的能谱 来了解元素的化学状态、 组成和表面反应性。
2
能谱测量
测量电子的能量和强度,建立能谱图,分析元素和化学状态。
3
定量分析
通过峰面积计算得到元素的相对含量,进一步分析材料组成。
XPS仪器的组成和工作流程
X射线源
发射足够强的X射线束以激发样品表面原子。
电子能谱仪

(完整版)X射线光电子能谱分析(XPS)

(完整版)X射线光电子能谱分析(XPS)

第18章X射线光电子能谱分析18.1 引言固体表面分析业已发展为一种常用的仪器分析方法,特别是对于固体材料的分析和元素化学价态分析。

目前常用的表面成分分析方法有:X射线光电子能谱(XPS), 俄歇电子能谱(AES),静态二次离子质谱(SIMS)和离子散射谱(ISS)。

AES 分析主要应用于物理方面的固体材料科学的研究,而XPS的应用面则广泛得多,更适合于化学领域的研究。

SIMS和ISS由于定量效果较差,在常规表面分析中的应用相对较少。

但近年随着飞行时间质谱(TOF-SIMS)的发展,使得质谱在表面分析上的应用也逐渐增加。

本章主要介绍X射线光电子能谱的实验方法。

X射线光电子能谱(XPS)也被称作化学分析用电子能谱(ESCA)。

该方法是在六十年代由瑞典科学家Kai Siegbahn教授发展起来的。

由于在光电子能谱的理论和技术上的重大贡献,1981年,Kai Siegbahn获得了诺贝尔物理奖。

三十多年的来,X射线光电子能谱无论在理论上和实验技术上都已获得了长足的发展。

XPS已从刚开始主要用来对化学元素的定性分析,业已发展为表面元素定性、半定量分析及元素化学价态分析的重要手段。

XPS的研究领域也不再局限于传统的化学分析,而扩展到现代迅猛发展的材料学科。

目前该分析方法在日常表面分析工作中的份额约50%,是一种最主要的表面分析工具。

在XPS谱仪技术发展方面也取得了巨大的进展。

在X射线源上,已从原来的激发能固定的射线源发展到利用同步辐射获得X射线能量单色化并连续可调的激发源;传统的固定式X射线源也发展到电子束扫描金属靶所产生的可扫描式X射线源;X射线的束斑直径也实现了微型化,最小的束斑直径已能达到6μm大小, 使得XPS在微区分析上的应用得到了大幅度的加强。

图像XPS技术的发展,大大促进了XPS在新材料研究上的应用。

在谱仪的能量分析检测器方面,也从传统的单通道电子倍增器检测器发展到位置灵敏检测器和多通道检测器,使得检测灵敏度获得了大幅度的提高。

第4章-表面分析手段3-XPS

第4章-表面分析手段3-XPS
第四章——表面分析手段3
李硕琦 山东科技大学材料学院 2015.4
4.3 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) X射线光电子能谱
4.3 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) History
In 1887, Heinrich Rudolf Hertz discovered but could not explain the photoelectric effect, which was later explained in 1905 by Albert Einstein (Nobel Prize in Physics 1921). 光电效应-诺贝尔奖!
4.3 X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) History
In cooperation with Siegbahn, a small group of engineers (Mike Kelly, Charles Bryson, Lavier Faye, Robert Chaney) at Hewlett-Packard in the USA, produced the first commercial monochromatic (单色的,单频的) XPS instrument in 1969. Siegbahn received the Nobel Prize for Physics in 1981, to acknowledge his extensive efforts to develop XPS into a useful analytical tool. 美国的Mike Kelly等人随即在1969年制作了第一台商业单色 XPS。 1981年, Siegbahn得到诺贝尔物理学奖。

X射线光电子能谱(XPS)

X射线光电子能谱(XPS)

化学位移
Inst. Of Photoelectronics
➢ 谱峰的物理位移和化学位移
物理位移:固体的热效应与表面荷电的作用引起的谱峰位移
化学位移:原子所处化学环境的变化引起的谱峰位移
产生原因:
(1)价态改变:内层电子受核电荷的库仑力和荷外其他电子
的屏蔽作用;电子结合能位移Eb;
• 氧化作用使内层电子结合能上升,氧化
(2)筒镜式电子能量分析器
(CMA)
同轴圆筒,外筒接负压、内
筒接地,两筒之间形成静电
场;
灵敏度高、分辨率低;二级
串联;
X射线光电子能谱仪
Inst. Of Photoelectronics
➢ 检测器
• 产生的光电流:10-3~10-9mA;
• 电子倍增器作为检测器;
• 单通道电子倍增器;多通道电子倍增器;
给出表面的化学组成,原子排列,电子状态等信息。
• 对于XPS和AES还可以对表面元素做出一次全部定性和定量
分析,还可以利用其化学位移效应进行元素价态分析;利
用离子束的溅射效应可以获得元素沿深度的化学成份分布
信息。
• 此外,利用其高空间分别率,还可以进行微区选点分析,
线分布扫描分析以及元素的面分布分析。
电子的能量是特征的。
• 因此,我们可以根据光电子的结合能定性分析物质的元
素种类。
X射线光电子能谱仪
Inst. Of Photoelectronics
样品
光电子
能量分析器
探测器
X射线源
AlK或MgK
超高真空系统
优于10-9mbar
数据处理系统
Inst. Of Photoelectronics
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※ 具有未充满的d,f轨道的过渡金属化合 物和稀土化合物 ※ 具有不饱和侧链,或不饱和骨架的高聚物 ※ 某些具有共轭电子体系的化合物
C、振离谱线 :
原子的一个内层电子被X射线光电离而发射时, 由于原子的有效电荷
的突然变化导致一个外层电子激发到连续区(即电离). 其结果是在谱图
p壳层分裂成两个能级
在谱图上出现双峰.
36000 34000
Zn2p3/2
Intensity / a.u.
Zn2p1/2
32000 30000 28000 26000 1050 1040 1030 1020 1010
Binding Energy / eV
d壳层分裂成两个能级
在谱图上出现双峰.
A、光电子线:
在XPS谱图中可以观察到的谱线出了主要的光电子线外,还有俄歇线、X射 线卫星线、鬼线、振激线和振离线、多重劈裂线和能量损失线等。
一般把强度最大的光电子线称为XPS谱图的主线,而把其他的谱线称为伴线 或者伴峰。研究伴峰不仅对正确解释谱图很重要,而且也能为分子和原子中电 子结构的研究提供主要信息。研究伴线的产生、性质和特征,对探讨化学键的 本质是及其重要的,也是目前电子能谱学发展的一个重要方面。
(1)振激 ( Shake up ) (2) 振离 ( Shake off ) (3) 能量损失 ( Energy loss ) (4) X射线伴峰 (X-ray satellites ) (5) 多重分裂 (Multiplet splitting ) (6) 俄歇电子 (Auger electron ) (7)鬼峰(Ghost Lines)
历史沿革
第二次世界大战后瑞典物理学家凯· 西格巴恩研究小组在研发XPS设备中获得 了多项重大进,1967年之后的几年间,西格巴恩就XPS技术发表了一系列学术成 果,使XPS的应用被世人所公认。在与西格巴恩的合作下,美国惠普公司于1969 年制造了世界上首台商业单色X射线光电子能谱仪。1981年西格巴恩获得诺贝尔 物理学奖,以表彰他将XPS发展为一个重要分析技术所作出的杰出贡献。
最强的光电子线是谱图中强度 最大、峰宽最小、对称性最好的 谱峰,称为XPS的主线。每一种 元素都有自己的具有表征作用的 光电子线。所以,是元素定性分 析的主要依据。 光电子线的谱线宽度来自于样 品元素本质信号的自然宽度、X射 线源的自然线宽、仪器以及样品 自身状况的宽化因素等四个方面 的贡献。
B、振激谱线 :
液体
冷 冻
固体
(1)真空加热; (2)氩离子刻蚀。
2.X射线光电子能谱分析的基本原理
1954年,瑞典皇家科学院院士、Uppsala(乌普萨拉) 大学 物理研究所所长K. Siegbahn(凯· 西格巴恩) 教授研制出世 界上第一台Photoelectron Spectroscopy (XPS)。此后, 精确测定了元素周期表中各种原子的内层电子结合能。
两峰的面积比一般为
2p1/2 2p3/2 = 1 2 3d3/2 3d5/2 = 2 3 4f5/2 4f7/2 = 3 4
s壳层不发生自旋分裂
谱图上是单峰
4500
N1s
Intensity / a.u.
4000
3500
3000
2500 406 404 402 400 398 396 394
但是,直到1960年代,人们在硫代硫酸钠的研究中 发现S原子周围化学环境的不同,会引起S内层电子 结合能(S2p)的显著差异后,才引起人们的广泛注 意。因为:原子内层结合能的变化可以提供分子结 构、原子价态方面的信息。 此后,XPS在材料研究的不同领域内得到了广泛的 应用。
样品受到X射线辐照后,发射出光电 子,被探测器收集后经过计算机处理, 得到该样品的XPS能谱图。
1.5 样品处理
电子能谱仪原则上可以分析固体、气体和液体样品。 气体
气 化
采用差分抽气的方法把气体 引进样品室直接进行测定
校正或消除样 品的荷电效应
块状:直接夹在或粘在样品托 上在样品托上;粉末:可以粘 在双面胶带上或压入铟箔(或 金属网)内,也可以压成片再 固定在样品托上。 电中和法、 内标法和外 标法
数据处理 系统 电子能谱仪主要由激发源、电子能量分析器、探测电子的监测器和真空系统等几个
1.1 激发源
电子能谱仪通常采用的激发源有三种:X射线源、真 空紫外灯和电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在 同一个样品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。 电子能谱常用激发源
1.1.1X射线源
XPS中最常用的X射线源 主要由灯的一种电子枪
1.2 电子能量分析器
电子能量分析器其作用是探测样品发射出来的不同能 量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作即压 力要低于10-3帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气 体分子碰撞的几率。
半球形电子能量分析器
半球形分析器示意图
筒镜形电子能量分析器
筒镜分析器示意图
1.3 检测器
Ag3d5/2 Ag3d3/
2
f壳层分裂成两个能级
在谱图上出现双峰.
16000
Pt4f5/2
Pt4f7/2
14000
intensity / cps
12000
10000
8000
6000 82 80 78 76 74 72 70 68 66 64 62
Binding Energy / eV
4光电子特征峰伴峰
Eb h Ws Ek
X射线光电子能谱分析的基本原理
各种原子和分子的不同轨道的电子结合能是一定的,具有标识性。因 此,只要借助XPS得到结合能Eb,就可以方便地定出物质地原子(元素 )组成和官能团类别。 电子结合能更为精确地计算还应该考虑它地驰豫过程所产生地能量变 化。因为一个内壳层的电子被发射出去后,同时留下一个空位时,原子 中的其余电子,包括价电子将经受核静电吸引的突然变化,它们的分布 需要重新调整。这种重新调整的过程成为电子的驰豫过程。驰豫过程的 时间和内壳层电子发射的时间相当,因而驰豫过程必然对发射的电子产 生影响。
检测器通常为单通道电子倍增器和多通道倍增器 光电子或俄歇电 -13 -9 10 ~ 10 A 子流 倍增器
-4
10 ~ 1A
通道电子倍增器是 一种采用连续倍增电极 表面(管状通道内壁涂 一层高阻抗材料的薄膜) 静电器件。内壁具有二 次发射性能。电子进入 器件后在通道内连续倍 增,增益可达 109 。
多通道检测器是由多 个微型单通道电子倍 增器组合在一起而制 成的一种大面积检测 器,也称位敏检测器 (PSD)或多阵列检测 器。
1.4 真空系统
电子能谱仪的真空系统有两个基本功能。 1、使样品室和分析 器保持一定的真空 度,以便使样品发 射出来的电子的平 均自由程相对于谱 仪的内部尺寸足够 大,减少电子在运 动过程中同残留气 体分子发生碰撞而 损失信号强度。 2、降低活性残余气体的分 压。因在记录谱图所必需的 时间内,残留气体会吸附到 样品表面上,甚至有可能和 样品发生化学反应,从而影 响电子从样品表面上发射并 产生外来干扰谱线。 298K吸附一层气体分子所需时 间10-4Pa时为1秒;10-7Pa时为 1000秒
内壳层出现空穴后,原子中其他电子很快向带正电的空穴驰豫,于是 对发射的电子产生加速,所以原来定义的结合能Eb是中性原子的出台能 量E初和达到最后空穴态的终态能量E终之差。与突然发生的过程相比,这 样测得的结合能要小一些。这个差别是由原子的驰豫能量造成的。虽然 考虑驰豫过程对分析图谱有帮助,但是相对来说,差别的数值不大,因 此有时可以忽略该差别。
要获得高分辨谱图和减少 伴峰的干扰,可以采用射 线单色器来实现。即用球 面弯曲的石英晶体制成, 能够使来自X射线源的光 线产生衍射和“聚焦”, 从而去掉伴线和韧致辐射, 并降低能量宽度,提高谱 仪的分辨率。
双阳极X射线源示意图
1.1.2紫外光源
紫外光电子能谱仪中使用的 高强度单色紫外线源常用稀 有气体的放电共振灯提供。
电子
一般认为,表层的信息深度为10 nm左 右。如果利用深度剖析技术如离子束溅 射等,可以对样品进行深度分析。 常用的电子能谱技术有: X射线光电子能谱分析(XPS) 俄歇电子能谱分析(AES) 紫外光电子能谱分析(UPS) 等等。
被测样品
1、X射线光电子能谱仪的基本构造
样品 光电子
能量 分析器
探测器 X射线源 AlK或MgK 超高真空系统 优于10-9mbar
1981年Siegbahn教授获得了诺贝尔物理奖
X射线光电子能谱分析的基本原理
X射线(h) 光电子(e-)
光电效应:
如右图示,原子中不同能级 上的电子具有不同的结合能。当 一束能量为h的入射光子与样品 中的原子相互作用时,单个光子 把全部能量交给原子中某壳层( 能级)上一个受束缚的电子。如 果光子的能量大于电子的结合能 E和功函数,电子将脱离原来受 束缚的能级,剩余的能量转化为 该电子的动能。这个电子最后以 一定的动能从原子中发射出去, 成为自由电子;原子本身则成为 激发态的离子。
电子结合能Eb:
一个自由原子或者离子的结合能,等于将此电子从所在的能级转移到无限远处所 需要的能量。对于气体样品,如果样品室和谱仪制作材料的影响可以忽略,那么 电子的结合能Eb可以从光子的入射能量h以及测得的电子的动能Ek求出,即:
Eb h Ek
对于固体材料,电子的结合能定义为把电子从所在的能级转移到费米能级(0K时 固体能带中充满电子的最高能级)所需要的能量。另外,固体中电子从费米能级 跃迁到自由电子能级(真空能级)所需要的能量成为逸出功,即功函数。所以, 入射光子的能量h分为三部分:电子结合能Eb,逸出功Ws,自由电子的动能Ek。 所以:
X射线光电子能谱分析
电子能谱分析是一种研究物质表层元素组成与离子状态的表面分析技术。 其基本原理是利用单色射线照射样品,使样品中原子或者分子的电子受激 发射,然后测量这些电子的能量分布。 通过与已知元素的原子或者离子的不同壳层的电子的能量相比较,就可 以确定未知样品中原子或者离子的组成和状态。
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