三极管8050管脚图pdf参数

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9013,9014,8050三极管引脚图与管脚功能[1]

9013,9014,8050三极管引脚图与管脚功能[1]

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚功能s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管引脚图e b c当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册可以查询电子资料与单片机资料,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法:(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

8050三极管参数

8050三极管参数

8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。

8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。

8050S 8550S S8050 S8550 参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为 B C D档贴片为 L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数:耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-3008050SS 8550SS 参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 引脚排列多为EBCUTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数:耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档C:120-200 D:160-300 E:280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。

三极管型号及参数大全集

三极管型号及参数大全集

三极管s8050管脚图及参数---------------------------------------------------------------------------4 晶体管2SA1074参数 -----------------------------------------------------------------------------6 2SA1074---------------------------------------------------------------------------------------------6 晶体管2SA1068参数 -----------------------------------------------------------------------------8 2SA1068---------------------------------------------------------------------------------------------8 晶体管2SA107参数-------------------------------------------------------------------------------9 2SA107 ----------------------------------------------------------------------------------------------9 晶体管2SA1072A参数 ------------------------------------------------------------------------- 10 2SA1072A----------------------------------------------------------------------------------------- 10 2SA108 -------------------------------------------------------------------------------------------- 11 2SA1024------------------------------------------------------------------------------------------- 12 2SA1029------------------------------------------------------------------------------------------- 13 2SA1030------------------------------------------------------------------------------------------- 14 BC131 --------------------------------------------------------------------------------------------- 15 BC134 --------------------------------------------------------------------------------------------- 16 BC138 --------------------------------------------------------------------------------------------- 17 AUY35 -------------------------------------------------------------------------------------------- 18 AUY37 -------------------------------------------------------------------------------------------- 19 AUY36 -------------------------------------------------------------------------------------------- 20 AUY38 -------------------------------------------------------------------------------------------- 21 AUZ11 --------------------------------------------------------------------------------------------- 22 BC100 --------------------------------------------------------------------------------------------- 23 BC107 --------------------------------------------------------------------------------------------- 24 BC107P -------------------------------------------------------------------------------------------- 25 晶体管型号参数对照表 ------------------------------------------------------------------------- 26admin减小字体增大字体三极管s8050管脚图及参数、引脚实物图片[本站(中国单片机网),摘自/article/88/196/2008/2008012 37483.html]上一篇文章:三极管9013管脚参数封装说明、引脚实物图片下一篇文章:USB接口充电器电路图三极管s8050管脚图及参数作者:本站来源:本站原创发布时间:2008-1-23 9:43:22 [收藏] [评论]三极管s8050管脚图S8050 pdf,s8050 datasheet 8050参数,8050三极管参数资料pdf晶体管2SA1074参数整理日期:2008-8-31 20:27:34 资料编辑: 点击次数: 132SA1074材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:150集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:160特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:47 资料编辑: 点击次数: 302SA1068材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:100集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:150特征频率ft_Hz:40放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:46 资料编辑: 点击次数: 172SA107材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:35m集电极最大允许直流电流Icm_A:-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-6集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:20000K放大倍数:国产管参考型号:3AG53A此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:45 资料编辑: 点击次数: 162SA1072A材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:120集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:120特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:此参数来自家电维修资料网整理日期:2008-8-31 20:27:33 资料编辑: 点击次数: 122SA108材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:80m集电极最大允许直流电流Icm_A:-10m集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-20集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:45000K放大倍数:国产管参考型号:3AG54B此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.4 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:400 特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:3CK1E材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.2集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V:30集电极_基极击穿电压BVceo_V:30特征频率ft_Hz:200放大倍数:100国产管参考型号:3CG120A此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.2集电极最大允许直流电流Icm_A:0.1集电极_基极击穿电压BVcbo_V:50集电极_基极击穿电压BVceo_V:55特征频率ft_Hz:200放大倍数:100国产管参考型号:3CG120B此参数来自家电维修资料网材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:135m 集电极最大允许直流电流Icm_A:100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:20集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:300M放大倍数:国产管参考型号:3DG120D材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:200m 集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:45集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:350M放大倍数:国产管参考型号:3DG110F材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.8 集电极最大允许直流电流Icm_A:集电极_基极击穿电压BVcbo_V:60 集电极_基极击穿电压BVceo_V:30 特征频率ft_Hz:40M放大倍数:100国产管参考型号:3DK14C材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:15 集电极最大允许直流电流Icm_A:-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:2.5M放大倍数:国产管参考型号:3AD56BAUY37材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:30 集电极最大允许直流电流Icm_A:-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-100 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:0.4M放大倍数:国产管参考型号:3AD56CAUY36材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:15 集电极最大允许直流电流Icm_A:-20 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-70 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:3M放大倍数:国产管参考型号:3AD56B材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:30 集电极最大允许直流电流Icm_A:-10 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-130 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:4M放大倍数:国产管参考型号:3AD56C材料:G外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:6 集电极最大允许直流电流Icm_A:-1 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:-50 集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:3.5M放大倍数:国产管参考型号:3AD50A材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.59 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.15 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:350 集电极_基极击穿电压BVceo_V:300 特征频率ft_Hz:10M放大倍数:40国产管参考型号:3DG180N材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:260m 集电极最大允许直流电流Icm_A:100m 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:50集电极_基极击穿电压BVceo_V:特征频率ft_Hz:150M放大倍数:国产管参考型号:3DG120D材料:S外形:图集电极最大直流耗散功率Pcm_W:0.3 集电极最大允许直流电流Icm_A:0.2 集电极_基极击穿电压BVcbo_V:集电极_基极击穿电压BVceo_V:50 特征频率ft_Hz:放大倍数:国产管参考型号:3DG120D晶体管型号参数对照表整理日期:2008-1-24 0:34:40 资料编辑: 点击次数: 9072晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应本资料共207页,当前在第001页001002003004005006007008009010011012013014015016017018019020 021022023024025026027028029030 031032033034035036037038039040 041042043044045046047048049050 051052053054055056057058059060 061062063064065066067068069070 071072073074075076077078079080 081082083084085086087088089090 091092093094095096097098099100 101102103104105106107108109110 111112113114115116117118119120121122123124125126127128129130131132133134135136137138139140 141142143144145146147148149150 151152153154155156157158159160 161162163164165166167168169170 171172173174175176177178179180 181182183184185186187188189190 191192193194195196197198199200 201202203204205206207三极管型号查询时间:2008-12-24 19:00:32 作者:无被阅:上一篇文章:三极管资料大全下一篇文章:三极管型号查询三极管资料大全时间:2008-12-24 19:04:35 作者:无被阅:下一篇文章:三极管参数大全三极管资料大全时间:2008-12-24 19:04:35 作者:无被阅:。

代换S8550 S8050三极管

代换S8550 S8050三极管

代换S8550 S8050三极管8050 8550三极管有时在电路里做为对管来使用,也有的做单管应用。

在有些电路里对S8050放大倍数要求是很高的,不能随意替换,必需要用原参数管才能替换,否则电路不能正常工作。

8050为NPN型三极管8550为PNP型三极管图片一TO92封装图片二贴片封装S8050 S8550参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.6V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为EBC或ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-3508050S 8550S参数:耗散功率0.625W(贴片:0.3W)集电极电流0.5A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压25V集电极-发射极饱和电压0.5V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出引脚排列为ECB按三极管后缀号分为 B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 E280-400 L100-200 H200-350关于C8050 C8550参数:耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300关于8050SS 8550SS参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400 引脚排列有EBC ECB两种关于SS8050 SS8550参数:耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数:耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档C:120-200 D:160-300 E:280-400图一是这几种三极管的管脚排列图。

8050、8550代换9014、9013

8050、8550代换9014、9013

8050、8550代换9014、9013(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN 型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

如是象9013 ,9014一样NPN的用万用表检测他们的引脚,黑表笔接一个极,用红笔分别接其它两极,两个极都有5K阻值时,黑表笔所接就是B极。

这时用黑红两表笔分别接其它两极,用舌尖同时添(其实也可以先用舌头添湿一下手指然后用手指去摸,反正都不卫生)黑表笔所接那个极和B极,表指示阻值小的那个黑表所接就是C极。

(以上所说为用指针表所测,数字表为红笔数字万用表内部的正负级是和指正表相反的。

)9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

9013_9014_80500三极管引脚图与管脚功能

9013_9014_80500三极管引脚图与管脚功能

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚功能s9014,s9013,s9015,s9012,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管引脚图e b c当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册可以查询电子资料与单片机资料,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法:(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

三极管8050参数

三极管8050参数

三极管8050参数1. 引言三极管是一种重要的电子元器件,常用于放大电路和开关电路中。

三极管8050是一种常用的NPN型小功率晶体管,具有广泛的应用领域。

本文将介绍三极管8050的基本参数,包括极限参数、电学参数、封装和引脚配置等内容。

2. 极限参数三极管的极限参数是指在规定的工作条件下,三极管能够承受的最大电压、电流和功率等。

对于三极管8050来说,其极限参数如下: - Emitter-Base电压(VEBO):5V - Collector-Base电压(VCBO):30V - Collector-Emitter电压(VCEO):25V - Base-Collector电流(ICBO):50nA - Collector-Emitter饱和电压(VCEsat):0.5V(最大值) - 最大集电器功率(PC):625mW - 工作温度范围(Topr):-55℃至150℃3. 电学参数三极管8050的电学参数描述了其在实际应用中的电性能。

以下是三极管8050的主要电学参数: - 饱和电流(ICsat):150mA(最小值)- 直流放大倍数(DC Current Gain,hFE):范围为70至700 - 高频电流增益(fT):300 MHz - 输入电阻(R1E):10kΩ - 输出电阻(RO):100Ω4. 封装和引脚配置三极管8050通常采用SOT-23封装,其引脚配置如下: - 引脚1:Base(基极) - 引脚2:Collector(集电极) - 引脚3:Emitter(发射极)5. 应用示例三极管8050广泛应用于各种电子电路中,以下是一些常见的应用示例: - 放大电路:三极管8050可以作为低功率音频放大器的输出级或驱动级,用于放大音频信号。

- 开关电路:三极管8050可以用作数字信号开关,通过控制其基极电流来控制开关状态。

- 电源管理:三极管8050可以用于电池管理系统、充电电路和稳压电路等,起到控制电流和电压的作用。

9012,9014,8050三极管引脚图与管脚识别方法

9012,9014,8050三极管引脚图与管脚识别方法

s9012s9013,s9014, s9015,,s9018系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管引脚图e b c当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9013,9014系列三极管管脚识别方法:(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。

D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。

在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

简析8050三极管引脚图

简析8050三极管引脚图

简析8050三极管引脚图时间:2012-05-04 来源:百度摘要:三极管s9014,s9013,s9015,s9012,s9018等系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极b基极c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管s9014,s9013,s9015,s9012,s9018等系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。

用下面这个引脚图(管脚图)表示:三极管引脚图e b c当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册可以查询电子资料与单片机资料,明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。

非9014,9013系列三极管管脚识别方法:(a) 判定基极。

用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。

当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。

这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。

黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013,9014,9018。

(b) 判定三极管集电极c和发射极e。

(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。

SS8050三极管规格书:三极管SS8050参数与封装尺寸

SS8050三极管规格书:三极管SS8050参数与封装尺寸

Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current -Continuous Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature
300
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
1000 1500
C /C ob ib
——
V /V CB EB
Cib
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25℃
Cob
3
1 0.1
350 300 250 200 150 100
50 0 0
0.3
1
3
REVERSE VOLTAGE V (V)
P —— T
COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE VCEsat (mV)
140 120 100
80 60 40 20
0 0.0
1000
300 100
30 10
3 1
1
1500 1000
300 100
30 10
3 1 0.2
1000
300 100
30 10
3 1
1
Static Characteristic
VCE=10V Ta=25℃
100
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
CAPACITANCE C (pF)
BASE-EMITTER SATURATION VOLTAGE VBEsat (V)

SS8050三极管参数 TO-92三极管SS8050规格书

SS8050三极管参数 TO-92三极管SS8050规格书

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-92 Plastic-Encapsulate TransistorsSS8050 TRANSISTOR (NPN )FEATURESP CM : 1 W (T A =25.) : 2 W (T C =25.)MAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ParameterSymbolTest conditionsM inT ypM axU nitCollector-base breakdown voltage V (BR)CBOI C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEOI C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltage V (BR)EBOI E =100μA, I C =0 5 V Collector cut-off current I CBOV CB =40V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I CEOV CE =20V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μA h FE(1) V CE =1V, I C =100mA 85 400 DC current gainh FE(2)V CE =1V, I C =800mA40Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =800mA, I B =80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage V BE(sat) I C =800mA, I B =80mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =1V, I C =10mA 1 V Transition frequency f TV CE =10V, I C =50mA,f=30MH Z 100MHzCLASSIFICATION OF h FE(1)Rank B C D D3Range85-160 120-200 160-300 300-400TO-921. EMITTER2. BASE3. COLLECTORB,Feb,2012【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】0255075100125150200400600800100012000.20.40.60.81.01.211010010001010010003003COLLCETORCURRENTIC(mA)BASE-EMMITER VOLTAGE VBE(V)ICV ——If ——TRANSITIONFREQUENCYfT(MHz)COLLECTOR CURRENT IC(mA)COLLECTORPOWERDISSIPATIONPC(mW)AMBIENT TEMPERATURE Ta()℃PC—— TaSS8050 Typical CharacterisiticsCOLLECTOR CURRENT IC(mA)BASE-EMITTERSATURATIONVOLTAGEVBEsat(V)ICVBEsat——CAPACITANCEC(pF)REVERSE VOLTAGE V (V)VCB/ VEBCob/ Cib——30030300DCCURRENTGAINhFECOLLECTOR CURRENT IC(mA)Ih ——COLLECTORCURRENTIC(mA)COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE VCE(V)Static CharacteristicCOLLECTOR CURRENT IC(mA)ICVCEsat——1500B,Feb,2012 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】 【南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】Sponge strip2000 pcsSponge strip The top gasketLabel on the Inner BoxPlastic bagLabel on the Outer BoxInner Box: 333 mm ×162mm ×43mmOuter Box: 350 mm × 340mm × 250mmQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY” on the empty boxInner Box: 240 mm ×165mm ×95mmLabel on the Inner BoxOuter Box: 525 mm × 360mm × 262mmLabel on the Outer BoxQA LabelSeal the box with the tapeStamp “EMPTY” on the empty box。

8050三级的基本管参数

8050三级的基本管参数

8050三级的基本管参数8050三级基本管参数是指8050三极管的一些重要参数,这些参数对于设计和应用电子电路具有重要的指导意义。

本文将全面介绍8050三级基本管参数的含义、取值范围和影响因素,以帮助读者更好地理解和应用这些参数。

8050三极管是一种常用的小功率NPN型晶体管,广泛应用于电子设备和电路中。

它的工作原理是基于PN结的电流放大特性,具有高增益、低功耗等优点。

为了更好地理解8050三极管的性能,以下是几个重要的基本管参数:1. 最大集电极电流(Ic max):这是8050三极管在特定工作条件下允许通过集电极的最大电流。

超过这个值,晶体管可能会损坏。

需要注意的是,实际应用中,为了保证晶体管的可靠性和寿命,应尽量将集电极电流控制在该参数范围内。

2. 最大收集极-基极电压(Vceo max):这是8050三极管在特定工作条件下允许的最大收集极与基极之间的电压。

超过这个值,晶体管可能会发生击穿,导致不可预测的损坏。

因此,在应用8050三极管时,应确保收集极和基极之间的电压不超过该参数。

3. 最大功耗(P diss max):这是8050三级管允许的最大功耗,通常以瓦特(W)为单位。

超过这个值,晶体管可能会过热而损坏。

因此,在设计电子电路时,需要根据具体应用来选择合适的功耗。

4. 最大速度(ft):这是8050三极管的最大截止频率,也是频率响应的一个重要指标。

它表示晶体管在高频情况下能够工作的最高频率。

晶体管的响应速度越高,表明它可以应对更高频率的信号,适用于高速电路和通信系统。

5. 输入电容(Cbe)和输出电容(Cbc):这两个参数分别表示8050三极管的输入和输出端口的等效电容。

它们是电子电路中的重要参数,影响着信号的传输和放大。

较大的输入电容和输出电容会增加电路的负载和对源或负载的影响,因此在设计电路时需要注意这些参数。

8050三级基本管参数的取值范围和影响因素取决于厂家和具体型号。

不同的厂家可能会有不同的规格和性能特点。

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法

9014,9013,8050三极管引脚图与管脚识别方法

三极管引脚图
当前,国内各种晶体三极管有很多种,管脚的排列也不相同,在使用中不确定管脚排列的三极管,必须进行测量确定各管脚正确的位置(下面有用万用表测量三极管的三个极的方法),或查找晶体管使用手册
非9014,9013系列三极管管脚识别方法:
(a) 判定基极。用万用表R×100或R×1k挡测量管子三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用第一根表笔接某一电极,而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极b。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测管子为PNP型三极管;如果黑表笔接的是基极b,红表笔分别接触其他两极时,测得的阻值较小,则被测三极管为NPN型管如9013三极管集电极c和发射极e。(以PNP型三极管为例)将万用表置于R×100或R×1K挡,红表笔基极b,用黑表笔分别接触另外两个管脚时,所测得的两个电阻值会是一个大一些,一个小一些。在阻值小的一次测量中,黑表笔所接管脚为集电极;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接管脚为发射极。
D 不拆卸三极管判断其好坏的方法。
s9014,s9013,s9015(pnp),s9012(pnp),s9018,s8050,s8550(pnp)系列的晶体小功率三极管,把显示文字平面朝自己,从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极;对于中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己,三个引脚朝下放置,则从左到右依次为e b c,s8050,8550,C2078 也是和这个一样的。用下面这个引脚图(管脚图)表示:
在实际应用中、小功率三极管多直接焊接在印刷电路板上,由于元件的安装密度大,拆卸比较麻烦,所以在检测时常常通过用万用表直流电压挡,去测量被测管子各引脚的电压值,来推断其工作是否正常,进而判断三极管的好坏。

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据

9011,9012,9013,9014,8050,8550三极管的主要参数数据9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-809012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管放大倍数30-909013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管放大倍数40-1109014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-908050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-1008550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140。

详情如下:90系列三极管参数90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。

9011 结构:NPN集电极-发射极电压 30V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.03A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 370MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-1989012 结构:PNP集电极-发射极电压 -30V集电极-基电压 -40V射极-基极电压 -5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300 9013 结构:NPN集电极-发射极电压 25V集电极-基电压 45V射极-基极电压 5V集电极电流0.5A耗散功率 0.625W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-3009014 结构:NPN集电极-发射极电压 45V集电极-基电压 50V射极-基极电压 5V集电极电流0.1A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率最小 150MHZ放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009015 结构:PNP集电极-发射极电压 -45V集电极-基电压 -50V射极-基极电压 -5V集电极电流0.1A耗散功率 0.45W结温150℃特怔频率平均 300MHZ放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-10009016 结构:NPN集电极-发射极电压 20V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.025A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 9018 结构:NPN集电极-发射极电压 15V集电极-基电压 30V射极-基极电压 5V集电极电流0.05A耗散功率 0.4W结温150℃特怔频率平均 620MHZ放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198 三极管85508550是一种常用的普通三极管。

三极管8550和8050封装定义及参数

三极管8550和8050封装定义及参数

三极管8550和8050封装定义及参数三极管8550 和8050 封装定义及参数模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号:大中小订阅8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。

很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.<三极管8550管脚图>1.发射极2.基极3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo:-40V工作温度:-55℃to +150℃和8050(NPN)相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸:4 英寸(100mm)芯片代码:C060AJ-00芯片厚度:240±20μm管芯尺寸:600×600μm 2焊位尺寸:B 极130×150μm 2;E 极140×130μm 2电极金属:铝背面金属:金典型封装:S8050,H8050极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92)Tstg——贮存温度-55~150℃Tj——结温150℃PC——集电极耗散功率1WVCBO——集电极—基极电压40VVCEO——集电极—发射极电压25VVEBO——发射极—基极电压6VIC——集电极电流1.2A。

ss8050引脚图_数据手册_三极管开关参数

ss8050引脚图_数据手册_三极管开关参数

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTDTO-92Plastic-Encapsulate TransistorsTO-92SS8050TRANSISTOR (NPN )1. EMITTERFEATURESPower DissipationP CM : 1 W (T A =25.): 2 W (T C =25.)2. BASE3. COLLECTORMAXIMUM RATINGS (T a =25℃ unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25℃ unless otherwise specified)CLASSIFICATION OF h FE(1)B,Feb,2012Parameter Symbol Test conditions Min TypMaxUnit Collector-base breakdown voltageV (BR)CBO I C =100uA, I E =0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V (BR)CEO I C =0.1mA, I B =0 25 V Emitter-base breakdown voltageV (BR)EBO I E =100μA, I C =0 5VCollector cut-off current I CBO V CB =40V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off currentI CEO V CE =20V, I E =0 0.1 μA Emitter cut-off current I EBO V EB =5V, I C =0 0.1 μADC current gain h FE(1) V CE =1V, I C =100mA85 400h FE(2) V CE =1V, I C =800mA 40Collector-emitter saturation voltage V CE(sat) I C =800mA, I B =80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltageV BE(sat) I C =800mA, I B =80mA 1.2 V Base-emitter voltage V BE V CE =1V, I C =10mA 1V Transition frequencyf T V CE =10V, I C =50mA,f=30MH Z 100MHzSymbolParameter Value Unit V CBO Collector-Base Voltage 40 V V CEOCollector-Emitter Voltage 25 V V EBO Emitter-Base Voltage 5 V I CCollector Current -Continuous 1.5 A T j Junction Temperature 150 ℃T stg Storage Temperature -55-150 ℃Rank B C D D3Range85-160 120-200 160-300 300-400(m A )h F EC O L L E C T O R C U R R E N TD C C U R RE N T G A I NC O L L E C T O R -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V C E s a t(m V )B A S E -E M I T T E R S A T U R A T I O NV O L T A G E V B E s a t(V )(m A )C O L L C E T O R C U R R E N TC A P A C I T A N C EC(p F )(M H z )C O L L E C T O R P O W E RD I S S I P A T I O N P C(m W )T R A N S I T I O N F R E Q U E N C Y10100Typical CharacterisiticsSS8050140120100Static Characteristic500uA450uA400uACOMMON EMITTERT a =25℃1000300h FE ——T a =100℃I CCOMMON EMITTERV CE =1V350uA T a =25℃80604020300uA 250uA200uA150uA100uAI =50uA100300 100.00.51.01.52.02.51310301003001000 1500COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE V CE(V)COLLECTOR CURRENT I C(mA)1000V CEsat —— I C1.2V BEsat ——I C3001001.0T a =100℃0.8T a =25℃30T a =25℃0.6T a =100℃100.43β=10β=1011310301003001000 15000.21 330300 1000 1500COLLECTOR CURRENT I C(mA)COLLECTOR CURRENT I C(mA)15001000V BE —— I C1000C ob / C ib —— V CB / V EBf=1MHzI E =0/I C =0 T a =25℃10010T a =100℃T a =25℃10010CCCOMMON EMITTERV CE =1V10.20.40.60.81.01.210.10.3131020BASE-EMMITER VOLTAGE V BE (V)REVERSE VOLTAGE V (V)1000f T —— I C1200P C —— T a300100301010008006004003V CE =10V T a =25℃20012101000 25 50 75 100 125 150COLLECTOR CURRENT I C(mA)AMBIENT TEMPERATURE T a (℃)B,Feb,2012万联芯城-电子元器件采购网是长电科技,顺络,厚声等多家知名元件品牌的原厂授权代理商,所售电子元器件产品均为原装现货库存,专为终端客户提供一站式电子元器件配单服务,万联芯城成立于2014年,拥有丰富的行业经验以及优质的货源渠道,拥有大型现代化仓储系统,只需提交BOM表,即可为您报价。

8050三极管参数,8050的引脚参数

8050三极管参数,8050的引脚参数

8050三极管参数,8050的引脚参数首先,三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。

晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。

三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。

8050是非常常见的NPN型晶体三极管,在各种放大电路中经常看到它,应用范围很广,主要用于高频放大。

参数:类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压(VCEO):25;特征频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K对于8050的引脚参数其实很容易判别的。

S8050,NPN三极管,平面向上,左到右分别为为EBC极D8050则是ECB极8050参数:BVCBO=40伏,BVCEO=25伏,I=1.5安,P=1瓦8050S参数:BVCBO=25伏,BVCEO=20伏,I=0.7安,P=0.625瓦S8050和S8550是现在很常用的小功率三极管。

S8050是NPN 管,S8550是PNP管。

它们参数都一样。

BVceo=25V,Pcm=1W,Icm=1.5A,引脚排列完全一样。

面对型号,从左到右引脚分别是e、b、c。

/342ac65c10385343e7e2f4499313b07eca8088ac?x-bce-process=image/resize,m_lfit,w_600,h_800,limit_18050三极管参数共享文档 2018-06-28 2页用App免费查看8050三极管参数类型:开关型;极性:NPN;材料:硅;最大集存器电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集存器发射电(VCEO):25;频率:150 MHzPE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *KMC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。

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