实验报告移相

实验四移相实验一、实验目的了解移相电路的原理和应用。

二、实验仪器移相器、信号源、示波器（自备）三、实验原理由运算放大器构成的移相器原理图如下图所示：图4-1 移相器原理图通过调节Rw，改变RC充放电时间常数，从而改变信号的相位。

四、实验步骤1．将“信号源”的U S100幅值调节为6V，频率调节电位器逆时针旋到底，将U S100与“移相器”输入端相连接。

2．打开“直流电源”开关，“移相器”的输入端与输出端分别接示波器的两个通道，调整示波器，观察两路波形。

3．调节“移相器”的相位调节电位器，观察两路波形的相位差。

4．实验结束后，关闭实验台电源，整理好实验设备。

五、实验报告根据实验现象，对照移相器原理图分析其工作原理。

（1）当两波形的相位差最大时：（2）当两波形的相位差最小时：六、注意事项实验过程中正弦信号通过移相器后波形局部有失真，这并非仪器故障。

实验五相敏检波实验一、实验目的了解相敏检波电路的原理和应用。

二、实验仪器移相器、相敏检波器、低通滤波器、信号源、示波器（自备）、电压温度频率表三、实验原理开关相敏检波器原理图如图5-1所示，示意图如图5-2所示：图5-1 检波器原理图图5-2 检波器示意图图5-1中Ui为输入信号端，AC为交流参考电压输入端，Uo为检波信号输出端，DC为直流参考电压输入端。

当AC、DC端输入控制电压信号时，通过差动电路的作用使、处于开或关的状态，从而把Ui端输入的正弦信号转换成全波整流信号。

输入端信号与AC参考输入端信号频率相同，相位不同时，检波输出的波形也不相同。

当两者相位相同时，输出为正半周的全波信号，反之，输出为负半周的全波信号。

四、实验步骤1．打开“直流电源”开关，将“信号源”U S1 00输出调节为1kHz，Vp-p＝8V的正弦信号（用示波器检测），然后接到“相敏检波器”输入端Ui。

2．将直流稳压电源的波段开关打到“±4V”处，然后将“U+”“GND1”接“相敏检波器”的“DC”“GND”。

3．示波器两通道分别接“相敏检波器”输入端Ui、输出端Uo，观察输入、输出波形的相位关系和幅值关系。

4．改变DC端参考电压的极性（将直流稳压电源处的“U-”接到相敏检波器的“DC”端），观察输入、输出波形的相位和幅值关系。

5．由以上可以得出结论：当参考电压为正时，输入与输出同相，当参考电压为负时，输入与输出反相。

6．去掉DC端连线，将信号源U S1 00接到“移相器”输入端Ui，“移相器”的输出端接到“相敏检波器”的AC端，同时将信号源U S1 00输出接到“相敏检波器”的输入端Ui。

7．用示波器两通道观察、的波形。

可以看出，“相敏检波器”中整形电路的作用是将输入的正弦波转换成方波，使相敏检波器中的电子开关能正常工作。

8．将“相敏检波器”的输出端与“低通滤波器”的输入端连接，如图5-4（图5-3为低通滤波器的原理图），“低通滤波器”输出端接电压温度频率表（选择U）。

9．示波器两通道分别接“相敏检波器”输入、输出端。

10．调节移相器“相位调节”电位器，使电压表显示最大。

11．调节信号源U S1 00幅度调节电位器，测出“相敏检波器”的输入Vp-p 值与输出直流电压U O的关系，将实验数据填入下表。

12．将“相敏检波器”的输入信号Ui从U S1 00转接到U S1 1800。

得出“相敏检波器”的输入信号Vp-p值与输出直流电压U O1的关系，并填入下表。

表5-1输入1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Vp-p(V)输出U O（V）-0.27 -0.54 -0.86 -1.15 --1.44 -1.71 -2.0 -2.2 -2.5 -2.8 输出U O1（V）0.27 0.54 0.86 1.15 1.44 1.71 2.0 2.2 2.5 2.8 13．实验结束后，关闭实验台电源，整理好实验设备。

图5-3 低通滤波器原理图图5-4低通滤波器示意图五、实验报告根据实验所得的数据，作出相敏检波器输入—输出曲线（Vp-p—V o、V o1），对照移相器、相敏检波器原理图分析其工作原理。

（1)当相敏检波起的输入--输出曲线的V P-P--V0为+4V时，图为：（2）当相敏检波器的输入--输出曲线的V P-P--V0为-4V时，图为：（3）输入波形换成方波之后的输出波形为：六、移相器，相敏检波器的工作原理移相器：移相器主要是调节电压相位的装置。

相敏检波器：相敏检波器主要由施密特开关及运放组成的相敏检波电路.实验七 扩散硅压阻式压力传感器压力实验一、实验目的了解扩散硅压阻式压力传感器测量压力的原理与方法。

二、实验仪器压力传感器、气室、气压表、差动放大器、电压放大器、电压温度频率表 三、实验原理在具有压阻效应的半导体材料上用扩散或离子注入法，可以制备各种压力传感器。

摩托罗拉公司设计出X 形硅压力传感器，如图7-1所示，在单晶硅膜片表面形成4个阻值相等的电阻条。

将它们连接成惠斯通电桥，电桥电源端和输出端引出，用制造集成电路的方法封装起来，制成扩散硅压阻式压力传感器。

扩散硅压力传感器的工作原理如图7-1，在X 形硅压力传感器的一个方向上加偏置电压形成电流i ，当敏感芯片没有外加压力作用，内部电桥处于平衡状态，当有剪切力作用时（本实验采用改变气室内的压强的方法改变剪切力的大小），在垂直于电流方向将会产生电场变化i E ⋅∆=ρ，该电场的变化引起电位变化，则在与电流方向垂直的两侧得到输出电压Uo 。

i d E d U O ⋅∆⋅=⋅=ρ （7-1）式中d 为元件两端距离。

实验接线图如图7-2所示，MPX10有4个引出脚，1脚接地、2脚为Uo+、3脚接+5V 电源、4脚为Uo-；当P1>P2时，输出为正；P1<P2时，输出为负（P1与P2为传感器的两个气压输入端所产生的压强）。

图7-1 扩散硅压力传感器原理图图7-2 扩散硅压力传感器接线图四、实验内容与步骤1．按图7-2接好“差动放大器”与“电压放大器”，“电压放大器”输出端接电压温度频率表（选择U，20V档），打开直流电源开关。

（将“2~20V直流稳压电源”输出调为5V）2．调节“差动放大器”与“电压放大器”的增益调节电位器到中间位置并保持不动，用导线将“差动放大器”的输入端短接，然后调节调零电位器使电压温度频率表显示为零。

3．取下短路导线，并按图7-2连接“压力传感器”。

4．气室的活塞退回到刻度“17”的小孔后，使气室的压力相对大气压均为0，气压计指在“零”刻度处，调节调零电位器使电压温度频率表显示为零。

增大输入压力到0.005MPa，每隔0.005Mpa记下“电压放大器”输出的电压值U。

直到压强达到0.1Mpa；填入下表。

表7-1P(kP) 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 U（V）0.28 0.40 0.47 0.54 0.65 0.73 0.81 0.88 0.94 1.03 P(kP) 55 60 65 70 75 80 85 90 95 100 U（V） 1.10 1.16 1.22 1.28 1.34 1.40 1.45 1.50 1.55 1.60 5．实验结束后，关闭实验台电源，整理好实验设备。

五、实验报告1.根据实验所得数据，计算压力传感器输入—输出（P—U）曲线，并计算其线性度。

实验九 电容式传感器位移特性实验一、实验目的了解电容传感器的结构及特点。

二、实验仪器电容传感器、电容变换器、测微头、电压温度频率表 三、实验原理电容式传感器是指能将被测物理量的变化转换为电容量变化的一种传感器它实质上是具有一个可变参数的电容器。

利用平板电容器原理：dSdSC r ⋅⋅==εεε0 （9-1）式中，S 为极板面积，d 为极板间距离，ε0为真空介电常数，εr 为介质相对介电常数，由此可以看出当被测物理量使S 、d 或εr 发生变化时，电容量C 随之发生改变，如果保持其中两个参数不变而仅改变另一参数，就可以将该参数的变化单值地转换为电容量的变化。

所以电容传感器可以分为三种类型：改变极间距离的变间隙式，改变极板面积的变面积式和改变介电常数的变介电常数式。

这里采用变面积式，如图9-1，两只平板电容器共享一个下极板，当下极板随被测物体移动时，两只电容器上下极板的有效面积一只增大，一只减小，将三个极板用导线引出，形成差动电容输出。

通过处理电路将电容的变化转换成电压变化，进行测量。

图9-1电容传感器内部结构示意图四、实验内容与步骤1． 电容传感器已经按图9-2安装在实验台。

图9-2 电容传感器安装示意图图9-3 电容传感器接线图2．将底面板上“电容传感器”与“电容变换器”相连，“电容变换器”的输出接到电压温度频率表（选择U）。

（注：此处应选用三根相同长度的实验导线，而且越短越好。

）3．打开“直流电源”开关。

调节“电容变换器”的增益调节电位器到中间位置，调节螺旋测微器使得电压温度频率表显示为0。

（增益调节电位器确定后不能改动）4．调节螺旋测微器推进电容传感器的中间极板（内极板）上下移动，每隔0.2mm将位移值与电压温度频率表的读数填入表9-1。

表9-1X(mm) -0.8 -0.6 -0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8U (mV) 33 26 18 9 0 -8 -18 -27 -36五、实验报告1.根据表9-1的数据作做出电压—位移曲线。

2.试分析电容传感器转接电容变换器的导线为什么要长度一致。

实验十一霍尔传感器位移特性实验一、实验目的了解霍尔传感器的原理与应用。

二、实验仪器霍尔传感器、测微头、电桥、差动放大器、电压温度频率表、直流稳压电源（±4V）三、实验原理根据霍尔效应，霍尔电势U H=K H IB，其中K H为霍尔系数，由霍尔材料的物理性质决定，当通过霍尔组件的电流I一定，霍尔组件在一个梯度磁场中运动时，就可以用来进行位移测量。

四、实验内容与步骤1．将悬臂架上测微头向下移动，使测微头接触托盘。

按图11-1接线（将直流稳压电源的GND1与仪表电路共地），输出Uo接电压温度频率表。

2．将“差动放大器”的增益调节电位器调节至中间位置。

3．开启“直流电源”开关，电压温度频率表选择“V”档，手动调节测微头的位置，先使霍尔片处于磁钢的中间位置（数显表大致为0），再调节Rw1使数显表显示为零。

4．分别向上、下不同方向旋动测微头，每隔0.2mm记下一个读数，直到读数近似不变，将读数填入表11-1。

表11-1。

X（mm）1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0 -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -1.0U(V) -1.37-1.2-0.86-0.52-0.350 0.32 0.66 0.98 1.27 1.57图11-1 霍尔传感器位移接线图五、实验报告根据实验所得数据，作出U－X曲线。