电子技术模拟部分第三节

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模拟电子第三章

模拟电子第三章

13
(2)输入特性
iI/mA
-1.0 - 0.5
0.5
O
-0.5
1.0 1.5 2.0
1.4
uI/V
V
iI
mA
+
u_ I
Vcc
&
uO
-1.0
-1.5
40A
-2.0 (a)输入特性
(b)测试电路
①输入短路电流:IIS=-1.07mA
②输入漏电流:IIH= 1IB1( 1<0.01) 约为40 A
35
4.加电后,CMOS器件输入端不能悬空 ①输入电位不定(此时输入电位由保护二极管 的反向电阻比来决定),从而破坏了电路的正 常逻辑关系; ②由于输入阻抗高,易接受外界噪声干扰,使电 路产生误动作; ③极易使栅极感应静电,造成栅击穿。
36
二、其它类型的CMOS电路
1.CMOS与非门 (1)电路结构 两个反相器的负载管并联,驱动管串联。 (2)工作原理
图3.2.16 54LS/74LS系列与非门(54LS/74LS00)的电路结构
25
表3.2.1 不同系列TTL门电路的性能比较
参数名称
TTL门电路系列名称
54/74 54H/74H 54S/74S 54LS/74LS
tpd(ns) 10
6
4
10
功耗/每门 (mW)
10
22.5
20
2
pd(ns·mW) 100 135
IIH:负载门输入漏电流。
29
②只有一个OC门输出低电平:(uOUO(Lma)x)
V C C u O R L (I G (m m a IIx ) L)
RL
VC CuO IG(max)mIIL

第3章电子技术基础_模拟部分

第3章电子技术基础_模拟部分

•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
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•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号

模拟电子技术第3章 (2) 28页

模拟电子技术第3章 (2) 28页

场效应管及其应用
(4) 在使用场效应管时, 要注意漏源电压、 漏源 电流及耗散功率等, 不要超过规定的最大允许值。
场效应管及其应用
3.2 场效应管及其放大电路
与三极管一样, 根据输入、 输出回路公共端选 择不同, 将场效应管放大电路分成共源、 共漏和共 栅三种组态。 本节主要介绍常用的共源和共漏两种 放大电路。
2. 图3.8为N沟道耗尽型场效应管的结构图。 其结构与增 强型场效应管的结构相似, 不同的是这种管子在制造时, 就在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子。
场效应管及其应用
s
g
d
+++++++++++
N+
N+
P型硅衬底
d
g s
d
g s
衬底引线
(a)
(b)
(c)
图3.8耗尽型MOS (a) N沟道结构图; (b) N沟道符号; (c) P沟道符号
g 栅极
场效应管及其应用
d 漏极 耗尽层
d
P
P
N
g
g
s
s 源极
(a)
(b)
图 3.1
(a) 结构; (b) N沟道结型场效应管符号; (b) (c) P沟道结型场效应
d s (c)
场效应管及其应用
2) 图3.2表示的是结型场效应管施加偏置电压后的接 线图。
2. 特性曲线 场效应管的特性曲线分为转移特性曲线和输出特 性曲线。
3
uDS =1 2 V 2
1 U GS(off)
-4 -3 -2 -1 0
uGS /V
图3.3 N沟道结型场效应管转移特性曲线
场效应管及其应用
在UGS(off)≤uGS≤0的范围内, 漏极电流iD与栅极电

模拟电子技术第三节

模拟电子技术第三节

第4章 集成运算放大电路
输入失调电压对温度的变化率dUIO/dT称为输入失调 电压的温度漂移,简称温漂,用以表征UIO受温度变化的 影响程度。一般以μV/℃为单位。通用型集成运算放大器 的指标为微伏数量级。
(6) 输入失调电流IIO及其温漂dIIO/dT 理想情况下,集成运算放大器两个输入端的静态电流
技术指标都比较接近理想值,采用理想化的分析方式一般 不会造成什么影响,同时分析还相对简单方便。
(2)理想集成运放的传输特性
第4章 集成运算放大电路
集成运放的电压传输特性是指输出电压与输入电压的 关系,即
图4-17 集成运放的外形
其符号如图4-18所示。
第4章 集成运算放大电路
图4-18 集成运放的符号 (a)国家标准符号 (b)通用符号
上图所示集成运放的符号中,有两个输入端,一个输 出端。标为“+”的输入端,被称为同相输入端,即该端输入 信号变化的极性与输出端相同,其输入电压用u+或者up表 示;标为“-”的被称为反相输入端,即该端输入信号变化
过此电压时,差放对管将出现反向击穿现象。 (11)最大共模输入电压Uicmax
是指在保证运放正常工作条件下,共模输入电压的 允许范围。共模输入电压超过此值时,输入差放对管出现 饱和,放大器失去共模抑制能力。
5.理想集成运放
第4章 集成运算放大电路
(1)理想集成运放的条件
一般来说,我们把满足以下条件的集成运放称为理想 集成运放。
应该完全相等,但实际上,当集成运算放大器的输出电压 为零时,流入两输入端的电流并不相等,它们之间的差值 IIO=IB1-IB2就是输入失调电流。造成输入电流失调的主要原
因是差分对管的失调。IIO愈小愈好,一般为1~10nA。

华科模拟电子技术第三章课件

华科模拟电子技术第三章课件

IR 2 0
30
40
iD / A
图2.2.3 锗二极管2AP15的伏安特性
2 半导体二极管及其应用电路
2.1 PN结的基本知识
2.1.3 PN结及其单向导电性
2.2 半导体二极管
2.2.2 二极管的伏安特性 2.2.3 二极管的主要参数 2.2.4 二极管模型
2.3 二极管应用电路
2.3.1 整流电路 2.3.2 限幅电路
▪ 目的2: 判断二极管D是否安全。
(2) 二极管电路的直流分析
(a) 图解分析法
(b) 等效电路(模型)分析法
(3) 二极管电路的交流分析 — 大信号
(4) 二极管电路的交流分析 — 小信号
整流 D
限幅 R
R
+
vI
iD
R vO
vI
iD
例2-2-1和图2-3-1
+
+
+
D
vO
vi
vO
VREF
图2-3-3(习题2-15,16,17)
原子结构
简化模型
+4
温度 光照
掺杂
本征 激发
少子
电子 空穴
复合
N型- 5价 P型- 3价
多子-电子 多子-空穴
空间电荷
半导体: 导电特性介于导体和绝缘体之间 典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。
导电的 1、本征 — 容易受环境因素影响 (温度、光照等) 2个特点 2、掺杂 — 可以显著提高导电能力
2.4 特殊二极管
2.4.1 稳压二极管 击穿特性
• 原理:多子扩散和少子漂移的动态平衡
问题1:二极管(PN结)主要特性是? 其工程描述方法?

【2024版】模拟电子技术课件第三章

【2024版】模拟电子技术课件第三章

60A
此区域中 : 2
40A
IB=0 , IC=ICEO ,
1
20A
VBE<死区电
IB=0
压,称为截止 3 6 9 12 VCE(V)
区。
输出特性三个区域的特点: (1) 放大区: BE结正偏,BC结反偏, IC=IB , 且 IC = IB
(2) 饱和区: BE结正偏,BC结正偏 , 即VCEVBE , IB>IC,VCE0.3V
1、晶体管必须偏置在放大区。发射结正 偏,集电结反偏。
2、正确设置静态工作点,使整个波形处 于放大区。
3、输入回路将变化的电压转化成变化的 基极电流。
4、输出回路将变化的集电极电流转化成 变化的集电极电压,经电容滤波只输 出交流信号。
放大 电路 分析
放大电路的分析方法
静态分析
估算法 图解法
小信号模型分析法
vi=0时
入时
RL IE=IB+IC
基本放大电路的工作原理
静态工作点
RB
RC
C1
IB
(IB,VBE)
VBE
+VCC
IC C2
T VCERL
( IC,VCE )
(IB,VBE) 和( IC,VCE )分别对应于输入输 出特性曲线上的一个点称为静态工作点。
IB
IC
IB
Q
IC
VBE VBE
Q IB
VCE VCE
共射直流电流放大倍数:
___
IC
IB
工作于动态的三极管,真正的信号
是叠加在直流上的交流信号。基极
电流的变化量为IB,相应的集电 极电流变化为IC,则交流电流放 大倍数为:

模拟电子技术课程标准

模拟电子技术课程标准

《模拟电子技术》课程标准课程编号:08020041总学时数:56学时学分:3.5学分一、课程性质、目的和要求模拟电路是应用物理专业、电子信息科学与技术专业和电气控制及其自动化专业的一门重要的技术基础课程。

其目的是对电子专业的学生进行电子工程基础教育。

通过本课程的学习使学生获得电子技术必要的基本理论、基本知识、基本分析方法和基本技能,了解电子技术发展的概况及前景,为学习后续课程及从事今后的工作打下坚实的基础。

预修课程:高等数学、大学物理、电路分析二、本课程的基本内容第一章常用半导体器件6课时(一)教学目的与要求了解本征、杂质半导体的导电特性及PN结中载流子的运动;掌握半导体二极管的伏安特性及其主要参数;理解稳压管的原理及应用;了解PN结的电容效应;掌握晶体三极管的电流分配关系及放大系数;掌握晶体管的共射特性曲线;了解温度对晶体管参数的影响;掌握结型、绝缘栅型场效应管的基本结构,工作原理及相应的特性曲线,了解其与晶体管的异同点。

(二)教学的重点与难点二极管的单向导电性、稳压管的原理;三极管的电流放大原理,如何判断三极管的管型、管脚和管材;场效应管的分类、工作原理和特性曲线。

(三)课时安排:6课时(四)主要内容第一节半导体基础知识(1)课时1、本征半导体2、杂质半导体3、PN结第二节半导体二极管(2)课时1、半导体二极管的常见结构2、二极管的伏安特性3、二极管的主要参数4、二极管的等效电路5、稳压二极管6、其它类型的二极管第三节双极型晶体管(2)课时1、晶体管的结构及类型2、晶体管的电流放大作用…3、晶体管的共射特性曲线4、晶体管的主要参数5、温度对晶体管特性及参数的影响6、光电三极管第四节场效应管(1)课时1、绝缘栅场效应管2、结型场效应管3、场效应管的主要参数4、场效应管与晶体管的比较……第二章基本放大电路 10课时(一)教学目的与要求了解放大电路的性能指标;掌握单管共射放大电路的工作原理;掌握放大电路的静态、动态分析与计算方法(图解法、等效电路法);掌握放大电路的三种基本接法及其特点;掌握场效应管的等效模型及共源放大电路的原理及特点。

模拟电子技术 第3章ppt课件

模拟电子技术 第3章ppt课件

空穴
+4
+4
自在电子
温度升 高
+4
+4
本征激发
束缚电子
由于温度上升,电子获得能量后,少数共价键中 的束缚电子挣脱束缚成为自在电子,留下空穴, 称为本征激发,又称为热激发。
半导体中的两种载流子:
共价键的 空位,称 为空穴
+4
+4
+4
+4
不受束缚的电 子,称为自在 电子
摆脱束缚
束缚电子
半导体中的两种载流子: 由于自在电子与空穴的有序挪动将产生电流,因此 称自在电子与空穴为半导体中的两种载流子;
结论
• 本征半导体外层电子构成稳定的共价键构 造,使原子规那么陈列,构成晶体。
• 在本征激发下,能产生少量的载流子,具 有微弱的导电作用。
• 其导电性能具有热敏性,温度越高,载流 子的浓度越高,导电才干越强。
二、杂质半导体 半导体具有掺杂性,假设在本征半导体中掺
入微量杂质,那么导电性能大为改观,掺入百万分 之一的杂质,载流子浓度添加1百万倍。
N型半导体可简化成
+
图2-3
2. P型半导体
构成
本征掺杂: 本征半导体 硼(3价)
得到大量空穴 〔无自在电子〕
本征激发:得到少量电子空穴对
特点
a. 空穴为多数载流子 〔多子〕 自在电子为少数载流子〔少子〕;
b. 硼原子被称为受主杂质,本身因 获得电子而成为负离子。
P型半导体可简化成 -
图2-5
结论
7.反相恢复时间 8.最高任务频率等
例、设整流电路的电路如下图,从表中选择适宜的二极 管,其中,
vi 4s0i nt)(V ()

精品课件-模拟电子技术及应用-第3章

精品课件-模拟电子技术及应用-第3章

U
在图3-2(b)中,
i
,U输i 入U电f ,压Ii 发 I生i ,了输变Ui入化电,Ui流故, I发为i 生串Ii了联 变反If 化馈,;
故为并联反馈。
7
图3-2
8
串联反馈与并联反馈的判别方法是:根据反馈网络与放
大电路的连接关系来判别。即除了公共接地端外,若反馈网
络的另一个端子与放大电路输入信号 则为并联反馈,否则,为串联反馈。
13
判别正反馈与负反馈的方法是瞬时极性法。其具体方法
是:先断开反馈网络与放大电路输入端的连接,然后设定输
入信号有一个正极性的变化(增大),再根据放大电路和反馈
网络信号的传输路径,逐级推出反馈信号的极性(增大或减
小),最后根据反馈信号与输入信号的极性,观察反馈信号与
输入信号叠加后使净输入信号增大了还是减小了,若净输入
称为“取样”;把原输入信号 与反馈信号 X i 的叠加过
程称X为f “比较”。
数,其这为里定无义反几馈个时新放的大参电数路:的放A大倍X数o /;X
i
称为开环放大倍 称为反馈
系数;
称为闭环放大倍数。
F Xf / Xo
Af X o / X i
3
图3-1
4
3.1.2 反馈的类型及判别 1.直流反馈与交流反馈 如果反馈量f中仅含有直流成分,则称为直流反馈。在图
的输U i入端子相连接,
9
3.电压反馈与电流反馈
电压反馈和电流反馈是按取样方式的不同来定义的,即
根据反馈信号 X与f 输出信号 X的o关系来确定。若反馈信
号 与X输f 出电压 成U比o 例,则为电压反馈;若反馈信号
与输出电X流f 成比例,I则o 为电流反馈。如图3-3(a)所示,

模拟电子技术第3章0753006936-文档资料

模拟电子技术第3章0753006936-文档资料
2019/3/7 5
3.9.2 多级放大电路的增益(续)
2. 电压增益的计算方法
RS
+ VS + Vi Ri1 Vo1 Ro1 +
+
+
Ri2 Vo2
Ro2 +
+
+
Ri3 Vo3
+
Ro3 -
+
-
-
Vo1 Vi2
-
-
-
Vo2 Vi3 - -
RL Vo -
Av =Vo/Vi =Vo1/ViVo2/Vi2Vo/Vi3 = Av1 Av2 Av3
3.9 多级放大电路及组合放大单元
引 言 (1) 什么是多级放大电路? (2) 什么叫耦合? (3) 对耦合的要求 各级有合适的工作点 前级输出信号顺利加到后级的输入端 (4) 三种耦合方式 C Ⅰ 阻容耦合 变压器耦合 T Ⅰ 直接耦合 便于集成 fL=0 Ⅰ 前后级工作点不独立
2019/3/7 4
3.9.2 多级放大电路的增益
Ri1 RS Ro1 Ri2 Ro2 Ⅱ
+
Ri3
Ro3
+ VS
-
+ Vi

+
+
-
+
-
+
-
+
-

+
+ RL Vo -
Vo1 Vi2
Vo2 Vi3
-
Vo1
Vo2
Vo3
图 3.9.4
1. 级间的相互影响 后级是前级的负载:RL1=Ri2; RL2=Ri3 前级是后级的信号源: Vs2=Vo1,RS2=Ro1;Vo1=Vi2 ; Vs3=Vo2 , RS3=Ro2 ;Vo2=Vi3 。

模拟电子技术基础简明教程第三版第三章PPT课件

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四、 波特图
根据电压放大倍数与频率之间关系的表达式, 可以画出放大电路的频率特性曲线。 在实际工作中,应用比较广泛的是对数频率特性。 这种对数频率特性又称为波特图。 所谓对数频率特性是指: 绘制频率特性时基本上采用对数坐标。 幅频特性的横坐标和纵坐标均采用对数坐标。 相频特性的横坐标采用对数坐标,纵坐标不取对数。
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五、 高通电路和低通电路
1. RC高通电路的波特图
Au = R+
R 1
jωC
1
=
1
+
1 jωRC
C
+
+
Ui
R Uo
令 fL =
1 2πτL
=1 2πRC
1
Au = 1+
1
jωτL
1
= 1 -j
fL
f
-
-
RC 高通电路
时间常数τL = RC
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2l0 g A u 2l0 g1fLf2
φ
f
0
0.1fH fH 10fH f
-450
-450/十倍频 -900
最大误差 5.710
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第二节 三极管的频率参数
共射截止频率 特征频率 共基截止频率
下页 总目录
三极管的频率参数描述三极管的电流放大系数对高频信 号的适应能力。
在中频时, 一般认为三极管的β基本上是一个常数。
当频率升高时,由于存在极间电容,三极管的电流放大 作用将被削弱,
-20dB/十倍频
特征频率是三极管的一个重要参数, O
当f > fT 时,三极管已失去放大作用, φβ
所以,不允许三极管工作在如此高的 O 频率范围。

模拟电子技术第三章教案PPT课件

模拟电子技术第三章教案PPT课件
36
为什么
负载电阻的中点电位在差 模信号作用下不变,相当 于接“地”。
37
38
4. 电压传输特性
放大电路的输出电压和输入电压之间的关系曲线。
uo uo = f( uI )
如改变uI的极性,可
uI
得另一条图中虚线所
示的曲线,它与实线
完全对称。
39
三、 差分放大电路的四种接法
“单端”的情况,还具有共模抑制能力吗?
具体计算时,有时它们不仅仅决定于本级参数,也与
后级或前级的参数有关。
14
15
例:1 如图所示的两级电压放大电路,
已知β1= β2 =50, T1和T2均为3DG8D。
计算前、后级放大电路的静态值(UBE=0.6V)
及电路的动态参数。
+24V
+
U i

RB1 1M
C1
+
T1
RE1 27k
RB 1
82k
be
bb'
I
EQ
R
A
c
97
d
r
(1
)
R W
be
2
R 2r (1 )R 20.4k
i
be
W
67
P182 3.7
解: 双入单出差分放大电路
u IC
u I1 u I2 2
15 mV
u Id u I1 u I2 10 mV
Ad
Rc
2 rbe
67
u O A d u Id 0 . 67 V
图 3.1.2 阻容耦合放大电路
有零点漂移吗?
特点:静态工作点相互独立,在分立元件电路中广 泛使用,但不能放大缓慢变化的信号。

模拟电子技术 第三章

模拟电子技术 第三章

输入电阻
.
Au
A n .
j1 uj
R1=Ri1
输出电阻 R0=Ron
uo RL
解: (1)求解Q点,第一级为共射放大电路
U BQ1

Rb 2 Rb1 Rb2
VCC
I BQ1

U BQ1 U BEQ1
(1 )Re1
I CQ1 I BQ1
U CQ1 VCC (I CQ1 I BQ2 )Rc1 VCC I R CQ1 c1
共模信号:大小相等,极性相同。
差模信号:大小相等,极性相反.
典型电路:长尾式差分放大电路
一.结构: 对称性结构
+VCC
即:1=2=
Rc
Rc
UBE1=UBE2= UBE rbe1= rbe2= rbe RC1=RC2= RC Rb1=Rb2= Rb
I BQ1 I BQ2 I BQ ICQ1 ICQ2 ICQ I EQ1 I EQ2 I EQ U CQ1 U CQ2 U CQ uO U CQ1 U CQ2 0
• 1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之 后,IBM基于8088推出全球第一台PC。折 合25560.8元人民币
• 1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小 的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着 进入超大规模集成电路(VLSI)阶段
• 。我国集成电路发展历史
• 我国集成电路产业诞生于六十年代,共经历了三个发展 阶段:
• 1965年-1978年:以计算机和军工配套为目标,以开发 逻辑电路为主要产 品,初步建立集成电路工业基础及 相关设备、仪器、材料的配套条件
• 1978年-1990年:主要引进美国二手设备,改善集成电 路装备水平,在“治散治乱”的同时,以消费类整机作 为配套重点,较好地解决了彩电集成电路的国产化
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定义:Ri = Ui / Ii
Ri
(1) Ri计算
Ri = Ui / Ii = RB // Rbe
(2) Ri的意义 Ri的大小直接影响放大器输入端信号Ui的大小,即反映了 放大器从信号源获取信号的能力;
Ui = US Ri /( Ri + RS )
同时,高的输入电阻使得信号源输出电流Ii很小,从而降低了 信号源的负载电流;
2、由输出特性曲线找IC 和 UCE;
A
(1)做直流负载线AB UCE = UCC - IC RC
(2)根据直流负载线与
IB估算值对应曲线的交点
Q(静态工作点),找出
对应的UCE 和 IC
B
二、动态分析
1、根据输入特性曲线找出iB的变化规律 (1)、图解过程
a、 IB b、 ui
Q UBE uBE iB
1、计算静态工作点
RB1 RB2
IB UB
+UCC RC
IC
直流通路
UCE
RS
RE
+ US -
RB1 C1
+
Ui RB2
IE
RC +
+UCC
C2
RE +
RL Uo
CE
(1) UB = UCC RB2 / (RB1 + RB2) = 2.31V
(2) IE = (UB - UBE) / RE = 1.61 mA
RS +
US -
Ui
+ Ro Ri Uo-
Io Uo RL
Uo = RL Uo Ro + RL
Ri
Ro
Ro 越小,说明放大电路带负载的能力越强; 因此,通常要求电压放大器具有尽可能低的输出电阻;
3、电压放大倍数
RS US+-
Ii Ib
Ui RB
Rbe βIB
Io RC RL Uo
AU = Uo Ui
IC ≈ IE = 1.61mA
(3) IB = IC / β = 0.04 mA (4) UCE = UCC - IC RC - IE RE = 5.56 V
2、动态分析
Ri
Ro
(1) Rbe = 300 + (1+β) ×26mV ÷ IE (mA) = 962 Ω
(2) AU = Uo/ Ui = (–β Ib ( RC// RL )) / (Ib Rbe) = – 83.2

一马当先,全员举绩,梅开二度,业 绩保底 。20.10. 2220.1 0.2202:4702:47 :4402:4 7:44Oc t-20

牢记安全之责,善谋安全之策,力务 安全之 实。202 0年10 月22日 星期四2 时47分 44秒T hursday , October 22, 2020
因此,通常要求电压放大器具有尽可能高的输入电阻;
2、输出电阻
Ii Ib RS
US+-
Ui RB
Rbe βIB
Io RC RL Uo
Ro是有源二端网络 的等效内阻。
(1) Ro计算
Ro
将放大电路的独立源置零,从负载两端向前看进去求等效电阻;
或用加压求流、加流求压、开短法等方法。
(2) Ro的意 义
Ii

作业标准记得牢,驾轻就熟除烦恼。2 020年1 0月22 日星期 四2时47 分44秒 02:47:4 422 October 2020

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那么 RX =?
Ui = Ib Rbe + (1+β) Ib RE
RX = Ui / Ib = Rbe + (1+β)RE =41.962 KΩ
Ri = RB1 // RB2 // RX = 5.47KΩ

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(3) Ri = Rbe// RB2// RB1 = 0.837 KΩ (4) Ro = RC = 3 KΩ
(5) AUS = Uo/ US = (Uo/ Ui )(Ui / US) = AU × (Rbe// RB2// RB1) / ((Rbe// RB2// RB1) + RS) = -52.1
(2) iB变化规律
iB = IB + ib = 40 + 20sint (μA)
2、从输出特性曲线找出ic 、uCE变化规律
(1)图解过程
2.25 0.75
a、 iB变化 b、 iB变化
iC变化 uBE变化
(2) iC 变化规律 iC = IC + ic =1.5+0.75sin t(mA)
(3) uCE 变化规律 uCE = UCE + uce = 6 + 3 sin( t -180 ) V

人生得意须尽欢,莫使金樽空对月。0 2:47:44 02:47:4 402:47 10/22/2 020 2:47:44 AM

安全象只弓,不拉它就松,要想保安 全,常 把弓弦 绷。20. 10.2202 :47:440 2:47Oc t-2022- Oct-20

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(1)从输入特性曲线找出iB的变化规律; (2)从输出特性曲线找出ic 、uCE变化规律;
注意: 必须有输入、输出特性曲线; 图解法适用于大信号的放大电路;
一、静态分析
300KΩ RB
IB
4KΩ RC IC
V UCE
+UCC +12V
1、估算IB IB= (UCC - UBE ) / RB ≈ UCC / RB = 40μA
第六节 放大电路分析方法
第一 图解分析法 4KΩ
+UCC +12V
分析思路: 利用三极管的输入特性和
300KΩ RB
RC + C2
输出特性,用作图方法来分 析放大电路的工作情况。
C1 + V
基本分析步骤:
Ui
Uo
1、静态分析
(1)估算IB ; (2)由输出特性曲线找出
2、动态分析
IC 和 UCE ;
第二 微变等效电路分析方法
一、三极管的微变等效电路
ib(μA)
输 B ib
入 口
ube
E
ic C 输
uce 出 口
E
1、输入口等效 △ib
将A、 B曲线线性化 则△ib B与△ube成正比 输入口可以等效为一个电阻
QB
A ube(v)
△ube
定义:输入电阻 Rbe = △ube / △ib ; 对正弦量,Rbe = Ube / Ib ;

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谢谢大家!

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说明:(1) Rbe是Q处切线斜率的倒数;
(2) Rbe是动态电阻;静态工作点不同, Rbe也不同;
(3)小功率管: Rbe =300 Ω+ (1+β) ×26mV ÷ IE(mA)
输入端等效电路:
B
Ube Ib
Rbe
E
2、输出口等效
(1) △iC = β △iB ;则可以看成是一个 由ib控制的受控电流源( Ic = βIb );
(2) △iC 与△uCE 成正比;定义动态电阻
Rce=
△uCE △iC
iB =常数 =
UCE IC
(3)输出端的等效电路
Ic
C
Rce UCE
βIb
E
3、三极管的微变等效电路
B
Ib
Ube
Rbe
C
Ic
Rce
Uce
E
βIb
E
三极管的微变等效电路
Rce很大,工程分析时常将其开路去掉,得到简化微变等效电路
当CE 开路去掉时 静态工作点不变 所以Rbe不变;
(1) Rbe = 962 Ω
(2) Ro = RC
Ri
Ro
= 3 KΩ
(3) AU = Uo/ Ui = –β Ib ( RC// RL) / ( Ib Rbe + (1+ β) Ib RE ) = –1.91
(4) Ri = Ui / Ii = (RB1 // RB2 // RX)
Uo = US
Ui Uo = Us Ui
Ri Ri + RS AU
(并非公式)
例题:
RS +
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