半导体发光器件——LED和LD简介_郑志胜
LED综合介绍
![LED综合介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/2133b3150b4e767f5acfce87.png)
LDE介绍LED 是英文light emitting diode (发光二极管)的缩写,它的基本结构是一块电致发光的半导体材料,置于一个有引线的架子上,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,所以LED 的抗震性能好。
LED结构以及发光原理:LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片,发光二极管晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由两部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候,它们之间就形成一个P-N结。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子就会被推向P区,在P区里电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
最初LED用作仪器仪表的指示光源,后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用,产生了很好的经济效益和社会效益。
以12英寸的红色交通信号灯为例,在美国本来是采用长寿命,低光效的140瓦白炽灯作为光源,它产生2000流明的白光。
经红色滤光片后,光损失90%,只剩下200流明的红光。
而在新设计的灯中,Lumileds公司采用了18个红色LED光源,包括电路损失在内,共耗电14瓦,即可产生同样的光效。
汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。
对于一般照明而言,人们更需要白色的光源。
1998年发白光的LED开发成功。
这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石(Y AG)封装在一起做成。
GaN芯片发蓝光(λp=465nm,Wd=30nm),高温烧结制成的含Ce3+的Y AG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光射,峰值550nm。
蓝光LED基片安装在碗形反射腔中,覆盖以混有Y AG的树脂薄层,约200-500nm。
LED常识分解
![LED常识分解](https://img.taocdn.com/s3/m/1c0656d9aa00b52acfc7caed.png)
L E D 常识LED概述:LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来。
半导体晶片由三部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5个周期的量子阱。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子和空穴就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的。
它是一种通过控制半导体发光二极管的显示方式,用来显示文字、图形、图像、动画、行情、视频、录像信号等各种信息的显示屏幕。
由于具有容易控制、低压直流驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点,广泛应用于城市各工程中、大屏幕显示系统。
LED可以作为显示屏,在计算机控制下,显示色彩变化万千的视频和图片。
LED是一种能够将电能转化为可见光的半导体。
LED外延片工艺流程:近十几年来,为了开发蓝色高亮度发光二极管,世界各地相关研究的人员无不全力投入。
而商业化的产品如蓝光及绿光发光二级管LED及激光二级管LD的应用无不说明了III-V族元素所蕴藏的潜能。
在目前商品化LED之材料及其外延技术中,红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主,而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓GaAsP材料为主。
一般来说,GaN的成长须要很高的温度来打断NH3之N-H的键解,另外一方面由动力学仿真也得知NH3和MO Gas会进行反应产生没有挥发性的副产物。
LED外延片工艺流程如下:衬底 - 结构设计 - 缓冲层生长 - N型GaN层生长 - 多量子阱发光层生 - P型GaN层生长 - 退火 - 检测(光荧光、X射线) - 外延片外延片- 设计、加工掩模版 - 光刻 - 离子刻蚀 - N型电极(镀膜、退火、刻蚀)- P型电极(镀膜、退火、刻蚀) - 划片 - 芯片分检、分级具体介绍如下:固定:将单晶硅棒固定在加工台上。
LED基础知识
![LED基础知识](https://img.taocdn.com/s3/m/8d48f8175f0e7cd18425365c.png)
半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)基础知识半导体发光器件包括半导体发光二极管(简称LED)、数码管、符号管、米字管及点阵式显示屏(简称矩阵管)等。
事实上,数码管、符号管、米字管及矩阵管中的每个发光单元都是一个发光二极管。
一、半导体发光二极管工作原理、特性及应用(二、LED显示器结构及分类通过发光二极管芯片的适当连接(包括串联和并联)和适当的光学结构。
可构成发光显示器的发光段或发光点。
由这些发光段或发光点可以组成数码管、符号管、米字管、矩阵管、电平显示器管等等。
通常把数码管、符号管、米字管共称笔画显示器,而把笔画显示器和矩阵管统称为字符显示器。
(一)LED显示器结构基本的半导体数码管是由七个条状发光二极管芯片按图12排列而成的。
可实现0~9的显示。
其具体结构有“反射罩式”、“条形七段式”及“单片集成式多位数字式”等。
(1)反射罩式数码管一般用白色塑料做成带反射腔的七段式外壳,将单个LED贴在与反射罩的七个反射腔互相对位的印刷电路板上,每个反射腔底部的中心位置就是LED芯片。
在装反射罩前,用压焊方法在芯片和印刷电路上相应金属条之间连好φ30μm的硅铝丝或金属引线,在反射罩内滴入环氧树脂,再把带有芯片的印刷电路板与反射罩对位粘合,然后固化。
反射罩式数码管的封装方式有空封和实封两种。
实封方式采用散射剂和染料的环氧树脂,较多地用于一位或双位器件。
空封方式是在上方盖上滤波片和匀光膜,为提高器件的可*性,必须在芯片和底板上涂以透明绝缘胶,这还可以提高光效率。
这种方式一般用于四位以上的数字显示(或符号显示)。
(2)条形七段式数码管属于混合封装形式。
它是把做好管芯的磷化镓或磷化镓圆片,划成内含一只或数只LED发光条,然后把同样的七条粘在日字形“可伐”框上,用压焊工艺连好内引线,再用环氧树脂包封起来。
(3)单片集成式多位数字显示器是在发光材料基片上(大圆片),利用集成电路工艺制作出大量七段数字显示图形,通过划片把合格芯片选出,对位贴在印刷电路板上,用压焊工艺引出引线,再在上面盖上“鱼眼透镜”外壳。
L ED介绍
![L ED介绍](https://img.taocdn.com/s3/m/d24600657e21af45b307a80b.png)
在光度学中对于“光”的定义,是相对于可见 光而言,它所具有的波长范围在380~780nm之间, 不同波长的辐射进入人眼的颜色感受不同。
表 2 各种颜色光线的波长 光色 波长 λ(nm) 代表波长 700 780~630 红(Red) 620 橙(Orange) 630~600 580 黄(Yellow) 600~570 550 570~500 绿(Green) 500 500~470 青(Cyan) 470 470~420 蓝(Blue) 420 紫(Violet) 420~380
LED的结构
发光二极管(即LED)是一种注入式电致发光器件,它由P型 和N型半导体组合而成,其结构示意如下图。实际是将PN结管芯 烧结在金属或陶瓷底座上,然后用透明环氧树脂封装而成。
基本原理
其核心是PN结。因此它具 有一般P-N结的I-N特性,即 穿特性。在正向电压下,电 子由N区注入P区,空穴由P 区注入N区。进入对方区域 的少数载流子(少子)一部 分与多数载流子(多子)复 合而发光。 量子阱把经过结区的电子空 穴限制住,提高复合效率。
LED的各类应用: LED的应用主要可分为三大类:LCD屏背光、LED 指示照明、LED显示。 1、 小尺寸1.5寸到3.5寸LCD屏的背光: 例如手机、PDA、MP3/4等便携设备的LCD屏都需 要LED来背光。 2、7寸LCD屏的背光(如数码相框): 3、大尺寸LCD屏的背光(如LCD TV/Monitor、笔 记本电脑): 目前大部分LCD TV/Monitor、笔记本电脑的LCD屏 是采用的CCFL荧光灯管做背光,因CCFL寿命、环保等 不利原因目前正朝向采用LED背光发展。按LCD屏的尺 寸大小一般需要数十个到上百个白光LED做背光,而其 LED驱动IC市场潜力将会很大。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
三、LED和LD的调制特性 和 的调制特性
1.限制因素
低电流时,是 P-N结的空间电荷电容CJ; 高电流时,是注入复合区的少数载流子的寿命τ。
2.增加带宽的方法
例 增加复合区中掺杂剂的浓度,但会减小量子效率;增加电流密度。 巴勒斯LED的3dB带宽小于100MHz; 改进的顶发射LED的3dB带宽约为500MHz; 侧面发射LED的3dB带宽小于400MHz; 普通通讯LD的调制带宽均在1GHz以上。
普通结构
点接触
巴勒斯结构
环形接触
p n SiO2
特点:结构简单; 特点:圆对称性结构; 外部耦合效率较差 ; 辐射率高; 辐射率低。 光谱远场图有圆对称性。
2.侧面发射二极管类型 侧面发射二极管类型
结构图如下
接触
SiO2
条形接触
特点:功率小; 发射区尺寸小; 发散角小; 辐射度高。
二、半导体激光二极管 半导体激光二极管
半导体发光器件——LED和LD简介 和 简介 半导体发光器件
报告人:郑志胜
一、发光二极管(LED) 发光二极管(
顶端发射二极管 LED分类 侧面发射型发光二极管 辐射机理:当某种外部扰动(电压,电流)产生了电子-空穴对时,电 子-空穴对的复合会产生一个辐射。
1.顶端发射二极管类型 顶端发射二极管类型
1.结构图
P-GaAlAs P-GaAs
a
SiO2
2.激光管驱动阈值
当注入载流子产生的增益系数等于激光器的损耗时,此时的电 流称为阈值电流。阈值越小越好 。
3.激光器发射的若干问题
激光二极管的模式 在激光管中一般存在3个模式,m,s和q。也就是在三个轴线 上的光场波腹数。m对应于y轴,称为横模;s对应于x轴,称为侧 模;q对应于z轴,称为纵模。 光谱宽度 单模工作时Δλ可到0.1A,具有明显的相干性 。 巴勒斯LED的光谱宽度