电路分析-第五章答案
电路分析(四川邮电职业技术学院)知到章节答案智慧树2023年
电路分析（四川邮电职业技术学院）知到章节测试答案智慧树2023年最新绪论单元测试1.《电路分析》这门课程涵盖了很多专业参考答案:对第一章测试1.将电能转换成热能的理想元件是（）参考答案:电阻2.国际单位制中，电压的基本单位是（）。
参考答案:伏特3.电压参考方向的设定，必须满足下列哪个条件参考答案:任意设定4.电路中，规定电位降低的方向为电压的实际方向。
参考答案:对5.传送、转换电能的速率叫做电功率。
参考答案:对6.元件电压与电流的关系曲线叫做元件的伏安特性参考答案:对7.电阻的倒数叫做电导参考答案:对8.网孔是指其内部不含任何支路的回路。
参考答案:对9.理想电流源其输出电流总保持定值或为一定的时间函数，与其端电压无关。
参考答案:对10.KCL告诉我们，对于集中参数电路，任意时刻，连接在任一节点的各支路电流的代数和恒不为0。
参考答案:错第二章测试1.直流电路中，并联电路的总电流一定比各支路电流要大。
参考答案:对2.含有受控源的二端网络，其等效电阻可以是正值也可以是负值。
参考答案:对3.两个线性电路等效，是指二者对外电路的作用完全相同。
参考答案:对4.两个电阻串联接到某理想电压源上，则电阻大者消耗的功率就大。
参考答案:对5.二端网络A与二端网络B互为等效，则电路A与电路B具有相同的关系。
参考答案:电压、电流6.实际电压源变换成实际电流源时，Is参考方向应该指向电压源的极。
参考答案:正极7.把一个量程为1V的电压表改装成量程为10V的电压表，可以采用的措施。
参考答案:串联一个电阻分压8.电压大小和极性不一致的理想电压源也可以并联。
参考答案:错9.Δ形电路的三个电阻相等且为9Ω，变换为Y形电路时，Y形电路的三个电阻也相等且为Ω。
参考答案:310.有三条支路，之路中的电阻都为1Ω，则三条支路并联后两端的电阻为Ω。
1/3第三章测试1.三个或三个以上支路的汇交点称为节点。
参考答案:对2.平面电路内部不含有支路的回路称之为网孔。
第5章课后习题参考答案
第五章组合逻辑电路1．写出如图所示电路的输出信号逻辑表达式，并说明其功能。
（a）（b）解：（a）Y1ABC（判奇功能：1的个数为奇数时输出为1）Y2AB(AB)CABACBC（多数通过功能：输出与输入多数一致）（b）Y1(AB)A(AB)BABAB（同或功能：相同为1，否则为0）2．分析如图所示电路的逻辑功能（a）（b）（c）解：（a）Y1ABAB（判奇电路：1的个数为奇数时输出为1）0011（b）Y2(((AA)A)A)（判奇电路：1的个数为奇数时输出为1）0123YAM00（c）Y1 A M1（M=0时，源码输出；M=1时，反码输出）YAM233．用与非门设计实现下列功能的组合逻辑电路。
（1）实现4变量一致电路。
（2）四变量的多数表决电路解：（1）1）定变量列真值表：ABCDYABCDY0000110000000101001000100101000011010110010*******010*******011001110001110111112）列函数表达式：YABCDABC D ABCDABCD3）用与非门组电路（2）输入变量A、B、C、D，有3个或3个以上为1时输出为1，输人为其他状态时输出为0。
1）列真值表2）些表达式3）用与非门组电路4．有一水箱由大、小两台水泵ML和Ms供水，如图所示。
水箱中设置了3个水位检测元件A、B、C，如图（a）所示。
水面低于检测元件时，检测元件给出高电平；水面高于检测元件时，检测元件给出低电平。
现要求当水位超过C点时水泵停止工作；水位低于C点而高于B点时Ms单独工作；水位低于B点而高于A点时ML单独工作；水位低于A点时ML和Ms同时工作。
试用门电路设计一个控制两台水泵的逻辑电路，要求电路尽量简单。
解：（1）根据要求列真值表（b）（b）（a）（2）真值表中×对应的输入项为约束项，利用卡诺图化简（c）（d）（c）（d）（e）得：MABCsMBL（ML、M S的1状态表示工作，0状态表示停止）（3）画逻辑图（e）5．某医院有—、二、三、四号病室4间，每室设有呼叫按钮，同时在护士值班室内对应地装有一号、二号、三号、四号4个指示灯。
电路分析(中国石油大学(华东))智慧树知到课后章节答案2023年下中国石油大学(华东)
电路分析（中国石油大学（华东））智慧树知到课后章节答案2023年下中国石油大学（华东）中国石油大学（华东）绪论单元测试1.学好《电路》课的意义（）答案:《电路》是电类专业（自动化、电气工程、电子与信息工程、通信等专业）的第一门专业基础课，有着非常重要的地位。
;《电路》课程的掌握程度对于后续专业课程的学习，有着举足轻重的作用。
;《电路》也是多数电类专业研究生入学考试课。
第一章测试1.电流的参考方向为（）。
答案:沿电路任意选定的某一方向2.图示电路，求u：（）。
答案:-4V3.基尔霍夫电流定律应用于（）。
答案:节点4.在有n个节点，b条支路的连通电路中，可以列出独立KCL方程的个数为（）。
答案:n-15.图示电路中，直流电压表和电流表的读数分别为4V及1A,则电阻R为（）。
答案:76.图示电路中电压U为（）。
答案:2V7.图示电路中电压U AB为（）。
答案:-16V8.电路中b、c两点间的电压U bc为（）。
答案:2V9.图示为某电路中的一个回路，其KCL方程为（）。
答案:R1I1-R2I2-R3I3+R4I4=U S1+U S2-U S3-U S410.图示电路中电压U S为（）。
答案:4V第二章测试1.图示电路中的I为（）。
答案:2A2.电路如图所示，短路线中的电流I为（）。
答案:10A3.图示直流电路中，已知a点电位为5V，则参考点为（）。
答案:c点4.图示电路中的电流I为（）。
答案:0A5.图示电阻串联电路中，U=U1-U2+U3，再根据欧姆定律，可求出等效电阻R为（）。
答案:R1+R2+R36.在下列各图中，与图(N)所示伏安特性相对应的电路是（）。
答案:（B）7.图示电路的开路电压Uoc为（）。
答案:-2V8.图示电路中电位VA为（）。
答案:4V9.如图所示电路中I1为（）。
答案:2A10.图示电路的电压U与电流I的关系为（）。
答案:U=-1-3I第三章测试1.各点电位的高低是（）的，而两点之间的电压值是（）的。
电路分析 张永瑞 王松林 答案
uL (t)
=
L
diL (t) dt
=
−20e−5t
A
5.14 如题 5.14 图所示电路，t < 0 已处于稳态，当 t = 0 时开关 S 闭合，求 t ≥ 0
时的电流 i(t) 。 解：在 t ≥ 0 ，开关闭合，根据电路的
特殊性，电流 i(t) 可以看成电压源和电容 初始储能作用的叠加。可利用三要素公式 进行求解：
iC
(t )
=
C
duC (t) dt
=
1.2e−2t
A
u(t) = uC (t) + iC (t)R = 6(1− e−2t ) + 4.8e−2t = (6 −1.2e−2t )V
4Ω
iC +
0.1F
uC
-
5.9 如题 5.9 图所示电路，t < 0 时已处于稳态。当 t = 0 时开关 S 闭合，求 t ≥ 0
零状态响应方程为：
duC (t) dt
+
2uC
(t)
=
12
uC (0+ ) = 0
其齐次为：
Ke−2t
4
其特解为：
A0 代入方程有： 2 A0 = 12
通解为：
uCzs (t) = Ke−2t + 6
代入初始条件： 0 = K + 6 K = −6
得：
uCzs (t) = 6(1− e−2t )V
+ 25V 1F -
S +
uC 5Ω
-
5.13 如题 5.13 图所示电路，t < 0 已处于稳态，当 t = 0 时开关 S 打开，求 t ≥ 0
电路分析基础第四版课后习题答案
i
i1
+ 1V −
2Ω
i3
i2
1Ω
2i
+ 2V −
解：在图中标出各支路电流，可得
(1 − 2)V (1 − 2)V = −0.5A, i2 = = −1A 2Ω 1Ω 受控源提供电流 = 2i = −1A i=
p2 Ω = i 2 × 2 = 0.5W
为确定 R，需计算 i4 ，
uce = ucd + ude = 0 ⇒ ude = −ucd = −10u1 = −10V
故
i3 =
udc = −2.5A, i4 = is − i3 = (−3.5 + 2.5)A = −1A 4 R = 0Ω 由此判定
1-33
试用支路电流法求解图题所示电路中的支路电流 i1 , i2 , i3 。
又受控源控制量 i 与网孔电流的关系为 i = i1 − i2
⎧25i1 − 20i2 − 5i3 = 50 ⎪ 代入并整理得： ⎨−5i1 + 9i2 − 4i3 = 0 解得 ⎪−5i − 4i + 10i = 0 2 3 ⎩ 1
受控源电压 受控源功率
⎧i1 = 29.6A ⎨ ⎩i2 = 28A
i2
3Ω
i3
gu
2−5
解
设网孔电流为 i1 , i2 , i3 ,则 i3 = − gu A = −0.1u A ,所以只要列出两个网孔方程
27i1 − 18i2 = 42 −18i1 + 21i2 − 3(−0.1u A ) = 20
因 u A = 9i1 ,代入上式整理得
−15.3i1 + 21i2 = 20
电路分析第五版答案
电路分析第五版答案第一章简介1.1 电路分析的重要性•电路分析是电气工程的基础课程之一，是理解电路原理和设计电路的关键。
•电路分析可以帮助我们了解电流、电压、功率等基本概念，并掌握电路元件的特性和相互关系。
1.2 本书的结构和内容本书共分为八个章节：1.第一章简介2.第二章基本电路定律3.第三章电阻电路4.第四章电容电路5.第五章电感电路6.第六章交流电路分析7.第七章双端口网络8.第八章共模与差模分析第二章基本电路定律2.1 基本电路定律的概述电路中的电压和电流遵循一些基本定律，包括：•基尔霍夫电流定律（KCL）•基尔霍夫电压定律（KVL）•电阻定律（Ohm’s Law）2.2 基尔霍夫电流定律（KCL）根据基尔霍夫电流定律，任何节点处的电流代数和必须等于零。
这可以用公式表示为：$$\\sum_{i=1}^n I_i = 0$$2.3 基尔霍夫电压定律（KVL）根据基尔霍夫电压定律，电路中任何回路的电压总和必须等于零。
这可以用公式表示为：$$\\sum_{i=1}^n V_i = 0$$2.4 电阻定律（Ohm’s Law）根据电阻定律，电阻的电压和电流之间存在线性关系。
这可以用公式表示为：V=VV其中，V表示电阻两端的电压，I表示通过电阻的电流，R 表示电阻的阻值。
第三章电阻电路3.1 电阻的基本性质•电阻是电路中常见的元件，用于限制电流的流动。
•电阻的阻值可以通过颜色代码或万用表进行测量。
3.2 串联电阻和并联电阻•串联电阻是将电阻依次连接在一起，电流从一个电阻流向下一个电阻。
•并联电阻是将电阻并排连接在一起，电流可以通过多个路径流动。
3.3 电阻网络的简化•电阻网络可以用串联和并联的组合来简化。
•通过串并联电阻的变换，可以将复杂的电阻网络简化为更简单的形式。
第四章电容电路4.1 电容的基本性质•电容是一种能够存储电荷的元件。
•电容的电压和电荷之间存在线性关系。
4.2 电容充放电过程•当电容器被连接到电池正极时，电容开始充电。
电路分析基础第四版课后习题第四章第五章第六章答案
/i4-16 用戴维南定理求图题4-11所示电路中流过20k Ω电阻的电流及a 点电压。
a U 解将电阻断开，间戴维南等效电路如图题解4-16所示。
20k Ω,a bk Ω60//3020120120(30120100)V 60V6030a OCR k k k U ==Ω+=×−+=+ 将电阻接到等效电源上，得20k Ω3360mA 1.5mA2020(2010 1.510100)V 70V ab a i U −==+=×××−=− 4-21 在用电压表测量电路的电压时，由于电压表要从被测电路分取电流，对被测电路有影响，故测得的数值不是实际的电压值。
如果用两个不同内险的电压表进行测量，则从两次测得的数据及电压表的内阻就可知道被测电压的实际值。
设对某电路用内阻为的电压表测量，测得的电压为45V ；若用内阻为510Ω5510×Ω的电压表测量，测得电压为30V 。
问实际的电压应为多少？ 解将被测电路作为一含源二端网络，其开路电压，等效电阻OC U O R ，则有5OC 555o o OC OC 454OCo OC 4o 10451045104510(18090)V 90V 30510151051030510u R R u u u R u R ⎧×=⎪⎧+=−×⎪⎪⇒⇒=⎨⎨=×−×⎪⎪⎩××=⎪+×⎩−=4-28 求图题4-20所示电路的诺顿等效电路。
已知：12315,5,10,R R R =Ω=Ω=Ω。
10V,1A S S u i ==解对图题4-20所示电路，画出求短路电流和等效内阻的电路，如下图所示SC i对左图，因ab 间短路，故0,0i i α==，10A 0.5A 155SC i ==+ 对右图，由外加电源法，106ab R α=Ω− 4-30 电路如图题4-22所示。
电路分析基础(浙江大学)智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学
电路分析基础（浙江大学）智慧树知到课后章节答案2023年下浙江大学浙江大学第一章测试1.实现电能的输送和变换的电路称为____电路。
（）答案:电工2.图示电路中电流 I 的大小为：（）。
答案:4A3.两个电容C1=3μF,C2=6μF串联时，其等效电容值为_____μF（）。
答案:24.图示电路中a、b端的等效电阻Rab在开关K打开与闭合时分别为_____。
（）答案:10Ω，10Ω5.电路理论的研究对象是（）。
答案:模型化电路第二章测试1.具有n个节点，b条支路的连通图G，其独立节点数为：（）答案:n-12.受控源在叠加定理时，下列说法正确的是（）。
答案:受控源不能当独立源单独作用3.最大功率传输定理说明，当负载电阻RL等于电源内阻RS时，负载可获得最大功率，该定理成立的条件是（）。
答案:电源电压和其内阻不变，负载RL可变4.下图电路中，Is=0时，I=2A，则当Is=8A时，I为___ 安。
（）答案:85.若电流表A示数为0，则R与I的值分别为：（）答案:6Ω，2.5A第三章测试1.在交流电路中，直流电路的各种定理和分析方法，只要用____形式代替各种物理量，则直流电路的各种定理和分析方法都可适用。
（）答案:相量2.已知负载阻抗为Z=10∠60°Ω，则该负载性质为____。
（）答案:感性3.图示串联谐振电路的品质因数Q等于：____。
（）答案:104.RLC串联谐振电路品质因数Q=100，若UR=10mV，则电源电压U=____，电容两端电压UC=____。
（）答案:0.01V ; 1V5.理想变压器匝数比为N1:N2, 求ab端的等效阻抗（）答案:第四章测试1.下列说法正确的是：（）答案:正确找出非正弦周期量各次谐波的过程称为谐波分析法。
2.（）答案:24W3.在非正弦周期电路中，电磁系或者电动系仪表测量的是非正弦的________（）。
答案:有效值4.（）答案:0.775A5.下列说法正确的是：（）。
电路分析基础(第四版)张永瑞答案第5章
第5 章 互感与理想变压器 解 自耦变压器对求 U1、I1、U2、I2 来说可以等效为题解
5.9图所示的理想变压器。 设a端到c端的匝数为N1， b端到c端 的匝数为N2， 显然， 有
N1 U1 220 1.1 N2 U2 200
41
第5 章 互感与理想变压器
设 U2 2000 V ， 则
题解5.7图
36
第5 章 互感与理想变压器 5.8 求题5.8图所示的两个电路从ab端看的等效电感Lab。
题5.8图
37
第5 章 互感与理想变压器 解 应用互感T形去耦等效， 将题5.8图(a)、 题5.8图(b)分
别等效为题解5.8图(a)、 题解5.8图(b)。 图 (a)： Lab=1+2∥2=2 H 图 (b)： Lab=1+［4+(－1)］∥(2+4)+3=6 H
题解5.6图
33
第5 章 互感与理想变压器 5.7 题5.7图所示为全耦合空芯变压器， 求证：当次级短
路时从初级两端看的输入阻抗Zin＝0； 当次级开路时从初级两 端看的输入阻抗Zin＝jωL1。
题5.7图
34
第5 章 互感与理想变压器
证明 k=1知互感 M L1L2 。 画T形去耦等效电路并
R r1 r2 Z cosjz 300.8 24
阻抗Z中的电抗即相串联的两个互感线圈等效电感的感抗
X L Z sinjz 30 1 0.82 18
等效电感
L X L 18 57.3mH
2 f 100
25
第5 章 互感与理想变压器
由于是顺接，
0.5
d i1 dt
（2）
X线机主机单元电路分析
第五章 X线机主机单元电路分析一、名词解释1．三钮制控制系统2．电源电路3．X线管灯丝加热电路4．高压初级电路5．高压次级电路6．控制电路二、选择题1．X线机主机控制系统不包括（）A．零钮制B．单钮制C．二钮制D．三钮制E．四钮制2．空间电荷补偿通常是调节（）A．电源电压B．灯丝加热电压C．管电压D．高压初级电压E．磁饱和稳压器电压3．在管电压与曝光时间一定时，X线管曝光量与哪项无关（）A．灯丝加热电压B．灯丝温度C．灯丝亮度D．灯丝发射电子数量E．管电流4．在灯丝加热电路中为了使kV增加时mA不变设计了（）A．谐振式磁饱和稳压器B．空间电荷补偿变压器C．mA调节电位器D．灯丝变压器E．交流互感器5．空间电荷抵偿装置在灯丝变压器初级的连接方式是（）A．反向并联B．反向串联C．正相并联D．正相串联E．串、并结合6．高压初级电路不包括（）A．管电压调节B．管电压控制C．管电压预示D．管电压补偿E．管电压校准7．管电压的调节通常采用调节（）的方法A．初级匝数B．次极匝数C．初级电压D．次极电压E．初级电压波形及频率8．高压初级电路中管电压的控制不包括（）A．接触器B．继电器C．可控硅D．三极管E．接触器与晶闸管配合9．X线管电压补偿通常是调节（）。
A．电源电压B．灯丝初级电压C．灯丝次级电压D．高压初级电压E．高压次极电压10．高压次级最理想的整流方式为（）A．单项全波桥式整流B．三项全波桥式整流C．三项六波桥式整流D．双三项六波桥式整流E．三项十二波桥式整流11．单相全波整流的高压次级电路kV的脉动率可达（）A．100%B．%C．%D．%E．1%12．管电流测量，mA表应（）A．串联在高压初级电路中B．串联在高压次级电路中C．并联在高压初级电路中D．并联在高压次级电路中E．以上均可13．限时电路最主要的元器件是（）A．电阻B．电感C．电容D．电桥E．稳压管14．限时器的作用是（）A．控制管电压峰值B．控制管电流峰值C．控制电源电压峰值D．控制曝光时间E．控制电源频率15．旋转阳极启动电路不包括（）A．启动绕组B．工作绕组C．剖相电容D．供电电源E．转子16．工频X线机供电的总枢纽是（）A．高压变压器B．外电源C．灯丝变压器D．稳压器E．自耦变压器17．千伏表两端的工作电压一般为（）A．数十伏B．数百伏C．数千伏D．40~100千伏E．40~125千伏18．X线机的低压部件中无（）A．自耦变压器B．空间电荷抵偿器C．控制开关D．灯丝加热变压器E．稳压器19．空间电荷补偿变压器的作用是（）A．主要用来调节管电流B．补偿因管电流的变化而带来的管电压的变化C．补偿电源电压的变化而带来的灯丝加热电压的变化D．补偿电源电压的变化而带来的管电压的变化E．补偿因管电压的变化而带来的管电流的变化20．对单相全波整流X线机，下列说法正确的是（）A．流过X线管的电流是脉动直流，流过高压变压器次级中心点的电流是交流电B．流过X线管的电流是交流电，流过高压变压器次级中心点的电流是脉动直流C．流过X线管的电流和流过高压变压器次级中心点的电流都是交流电D．流过X线管的电流和流过高压变压器次级中心点的电流都是脉动直流E．在单相全波整流电路的次级中心点可以直接串入直流毫安表来测量管电流21．在工频X线机中，下列元件不属于灯丝加热变压器初级电路的是（）A．稳压器B．管电流调节器C．空间电荷补偿变压器次级D．测量管电流的毫安表E．灯丝加热变压器初级22．多数中型工频X线机限时器设有限时电路和限时保护电路，正常情况下，下列说法正确的是（）A．达到预置的曝光时间，限时电路和限时保护电路同时使X线机停止曝光B．达到预置的曝光时间，限时电路先于限时保护电路使X线机停止曝光C．达到预置的曝光时间，限时保护电路先于限时电路使X线机停止曝光D．达到预置的曝光时间，X线机停止曝光后，限时电路中的限时电容需放电，而限时保护电路中的限时电容可以不完全放电E．达到预置的曝光时间，X线机停止曝光后，限时保护电路中的限时电容需放电，而限时电路中的限时电容可以不完全放电23．关于容量限制电路，下列说法正确的是（）A．是一次性预置保护，对额定值内的多次累积性过载有一定的效果B．对一次性预置保护及额定值内多次累积性过载保护同样有效C．受管电压、管电流二个参量联合控制D．受管电流、曝光时间二个参量联合控制E．是一次性预置保护，受管电压、管电流、曝光时间三个参量联合控制24．X线机上的常用仪表不包括（）A．电源电压表B．千伏表C．安培表D．毫安表E．毫安秒表25．以下哪个图标是诊视床（）A. B. C. D.26．哪个图标的功能是在Ⅰ台完成的（）A. B. C. D.27．下面图标哪一个功能不一样（）A. B. C. D.28．右侧图标什么意思（）A.电离室B.点片摄影C.连续摄影D.暗盒三、填空题1．单钮制控制的X线机摄影时，操作人员只需要选定，即可进行曝光。
电路分析基础(英文版)课后答案第五章
i1 + i2 = i DE 5.5 v1 = 0:5 £ 10
6 t 0+
240 £ 10¡6 e¡10x dx ¡ 10 = ¡12e¡10t + 2 V
t 0+
v2 = 0:125 £ 106 v1 (1) = 2 V; W =
·
Z
240 £ 10¡6 e¡10x dx ¡ 5 = ¡3e¡10t ¡ 2 V
Z
v (t) v (0+ )
155
Z dy R t dx =¡ y L 0+
¯v(t) µ ¶ ¯ R ¯ ln y ¯ =¡ t +
v (0 )
L
v (t) R =¡ t ln + v (0 ) L v (t) = v (0 )e
+ ¡(R=L)t
"
#
µ
¶
;
Vs v (0 ) = ¡ Io R = Vs ¡ Io R R
60(240) = 48 mH 300 [b] i(0+ ) = 3 + ¡5 = ¡2 A 125 Z t (¡0:03e¡5x ) dx ¡ 2 = 0:125e¡5t ¡ 2:125 A [c] i = 6 0+ 50 Z t [d] i1 = (¡0:03e¡5x ) dx + 3 = 0:1e¡5t + 2:9 A 3 0+ i2 = 25 Z t (¡0:03e¡5x ) dx ¡ 5 = 0:025e¡5t ¡ 5:025 A 6 0+
v (0+ ) = ¡9:6 + 38:4 = 28:8 V [b] v = 0 when 38:4e¡1200t = 9:6e¡300t
数字集成电路分析与设计 第五章答案
CHAPTER 5P5.1. For each problem, restate each Boolean equation into a form such that it can be translatedinto the p and n-complex of a CMOS gate.a. ()()Out ABC BD ABC BD A B C B D =+=+=+++b. ()()()Out AB AC BC AB AC BC A B A C B C =++=++=+++c. ()()Out A B CD A AB C D A A B CD A A B CD A =+++=++=+++=++AbVddVddAb BbAAbVddP5.2.AP5.3. First, convert the equation into its p and n-complex.()()()()()()()()()()()Out A B C BC AB AB C BC AB AB C BC AB AB C BC AB AB C BC AB AB C B C =⊕+=++=++=+=++=+++VddP5.4. The truth table is given below in terms of voltages. The function is F A B =The worse case V OH is V DD and the worse case V OL is 0V.P5.5. The first circuit is a NOR gate while the second is a NAND gate. The V OL and V OHcalculated are for the worst-case scenario. To find this, assume only one transistor turns on, this just reduces to a pseudo-NMOS/PMOS inverter, so the other transistors are not important.a. The V OL for the pseudo-NMOS (in 0.18μm) is:()()()2,1N N OXNSAT OX P GSP TPP SATOL W C L N DD TN GSP TP CP PDD TN SAT P N OX v C W V V I V k V V V V E L V V v W L C μ-==--+-=()2DD TP N N OX V V W C μ-()()()()()20.1DD TP CP P DD TN SAT P N DD TPDDN N DD TP CP P DD TN V V E L V V v W L V V V W V V E L V V μ-+--==-+-()()()()()()()()()()()()226440.18100.2100.210 1.80.50.14μm=1.40.11.8270 1.80.5240.2 1.80.5SAT P N DD TPN DD N DD TP CP P DD TN v W L V V W V V V E L V V μλ---=-+-⨯⨯⨯-==-+-Since the minimum width is 2λ, we make that the width. The V OH for the pseudo-PMOS (in 0.18μm) is:()()()()()()2221SDPSDP CP PN P V P OX P SGP TP SDP SAT OX N GSN TN V GSN TN CN N N E L SAT OX I sat I lin C W V V V v C W V V V V E L L v C μ=---=-++()2P OX N DD TN DD TN CN NC W V V V V E L μ-=-+()()()()()()2201DD OH DD OH CP PV V P DD TPDDOH V V P E L W V V VV L ------+()()()()()()20.1824620.184.8(70) 1.80.50.180.2(10)(810)1.80.51.80.5 1.21P P W L ---⨯-=-++4.2P W λ≈The pseudo-PMOS circuit will have bigger devices than the pseudo-NMOS.P5.6. The steps to solving this question are the same as the pseudo-NMOS question in Chapter4.a. For V OH , recognize that GS T V V >= for operation so the output can only be as high asDD T V V -. Since 0SB V ≠, body effect must be taken into account and the full equationis:()()()001.20.40.2OH DD T DDT V V V V Vγγ=-+=-+=-+ Iteration produces V OH =0.73V.b. For V OL , we must first recognize that the worst-case V OL occurs when only one of the pull-down transistors is on. Next we identify the regions of operation of the transistors. In this case, the pull-up transistor is always in saturation and the pull-down is most likely in the linear region since it will have a high input (high V GS ) and a low output (low V DS ). Then, we equate the two currents together and solve for V OL :()()()()()()()()221222222211111224620.61(1)(270)1.20.4(0.13)(10)(810)1.20.42(1.20.42)0.61DS DS CN OL OLV N OX GS T DS sat OX GS T V GS T CN E LV OL OL V OL I sat I lin W C V V V W v C V V V V E LL V V V μ-=---=-++--⨯--=--++Using a programmable calculator or a spreadsheet program, V OL = 0.205V. The dc current with the output low is:()()()()2222222260.20520.2050.61(1)(270)(1.610)1.20.4(0.205)146.5DS DS CN V N OX GS T DS DS V ELW C V V V I L Aμμ---=+⨯--=+=The power with the output low is:(46.5)(1.2)55.8DS DD P I V A V W μμ===P5.7. See Example 5.2 which is based on the NAND gate. This question is the same except thatit addresses the NOR gate.With both inputs tied together, 88N P W W λλ==2χ=== ()()1.80.520.50.77V 112DD TP TNS V V V V χχ-+-+===++In the SPICE solution, the reason why the results vary for input A and B is due to body-effect.P5.8. The solution is shown below. Notice that there is no relevance with the lengths andwidths of the transistors when it comes to V OH , although they the do matter when calculating V OL.01.80.50.3 2.51Vout GG T GG out T V V V V V V γ=-=++=++=P5.9. For t PLH , we need to size the pull-up PMOS appropriately.()()()()15120.70.720.70.73010010845010PLH eqp LOAD p SQLOAD PLHLt RC R C WL W R C k t λλ--====Ω⨯=⨯For V OL :()()()()()()()()()()()()()2246660.1220.10.63 4.210810 1.610 1.20.4 1.08mA1.20.4240.1(270)(1.610)1.20.40.11138.577377232(3OLOL CN P sat OX GS T P GS T CP V N N OX OL TN OLN P V N N E LNN NW v C V V I sat V V E LW C V V V W I sat L L W W W stack L μλλλ---⨯⨯⨯--===-+-+--⨯--==++===⨯=2)155(2)W stack λ=P5.10. The circuit is shown below:()()()()()()()()31512315120.720.70.7301075106350100.720.70.712.510751026.6275010PLH EQP LOAD PP EQPLOAD PLHPHL EQN LOAD NN EQNLOAD PHLLt RC R C W L W R C t Lt RC R C W L W R C t λλλλλ----====⨯⨯=⨯====⨯⨯=≈⨯Because the number of transistors in series is more than one, we must multiply the widths by the appropriate number. Here, all the NMOS transistors will have a width of 54λ. The PMOS transistors will have widths of 126λ and 190λ, respectively.P5.11. We estimate the dc power and dynamic switching power for this problem.a. The circuit’s dc power can be computed by computing the dc current when the output is low. This is given by I DS =550uA/um x 0.1um=55uA. Then P DC =66uW when the output is low.b. Its dynamic power can be calculated by simply using the equation 2dyn DD P CV f α=. Therefore, P dyn =(50fF)(V DD -V TN )(V DD )(100MHz)=4.4uW.P5.12. The pseudo-NMOS inverter has static current when the output is low. We can estimate itas:()()()()()()()()224660.110810 1.610 1.20.425.6A 1.20.4240.1P sat OX GS T P GS T CP W v C V V I sat V V E Lμ--⨯⨯⨯--===-+-+Then the average static power is P stat =(25.6uA)(1.2)/2 =15.4uW.The dynamic power is dyn DD swing avg P CV V f ==(50fF)(1.2)(1.1)f avg assuming that V OL is 0.1V.For the CMOS inverter, the static power is almost zero: P stat =I sub V DD . It is far less than the pseudo-NMOS case. The dynamic power dyn DD swing avg P CV V f ==(50fF)(1.2)2f avg is slightly larger than the pseudo-NMOS case.VVINCMOS InverterV V INPseudo-NMOSP5.13. Model development to compute αsc .P5.14. The energy delivered by the voltage source is:()()200202DDDDV C sourceDD DD L L DDCL DDV CDDcap C LC L C C LdvE i t V dt V C dt C V dvC V dt dv V E i t v dt C v dt C v dv C dt∞∞∞∞========⎰⎰⎰⎰⎰⎰As can be seen, only half the energy is stored in the capacitor. The other half was dissipated as heat through the resistor.P5.15. The average dynamic power does not depend on temperature if the frequency stays thesame. However, the short-circuit current will increase as temperature increases. In addition, the subthreshold current increases as temperature increases. So the overall power dissipation will be higher. P5.16. The circuit is shown below. The delay should incorporate both Q and Qb settling in400ps. All NMOS and PMOS devices are the same size in both NAND gates.QQW()()()()()()()()15331220.70.70.70.720.71001030100.1212.5100.10.72400101μm N P P PHL PLH UP LOAD DOWN LOAD LOAD eqp eqn P N LOAD eqp eqn LOAD eqp eqn PL Lt t t R C R C C R R W W C R L R L WC R L R L W t --⎛⎫=+=+=+ ⎪⎝⎭+=++==≈P5.17. The small glitch in J propagates through the flop even though it is small. This is due tothe fact that the JK-flop of Figure 5.20 has the 1’s catching problem. P5.18. The small glitch in J does not propagate through the flop since the edge-triggeredconfiguration does not have a 1’s catching problem.P5.19. The positive-edge triggered FF is as follows:QQDS(a) With CK=D=0 and S=R=1, the outputs are(b) Now CK=0。
电路分析知到章节答案智慧树2023年上海电力大学
电路分析知到章节测试答案智慧树2023年最新上海电力大学第一章测试1.图示电路中,节点A和B之间的电压ＵAB为（）V。
参考答案:-162.图示电路中Ｉ= 0 时,电位ＵA=（）V。
参考答案:603.通常所说负载增加，是指负载（）增加。
参考答案:功率4.图示电路中Ｓ断开时Ｉ1= 0A,Ｉ=2A。
Ｓ闭合时Ｉ1=( )A,Ｉ=( )A。
（）参考答案:0;65.图示电路中,当ＩS=10A 时,电压Ｕ为（）V,当ＩS=8A时电压Ｕ为（）V。
（）参考答案:12;166.电路理论分析的对象是电路模型而不是实际电路。
（）参考答案:对7.欧姆定律可表示成U=RI,也可表示成U=-RI,这与采用的参考方向有关。
（）参考答案:对8.在节点处各支路电流的方向不能均设为流向节点，否则将只有流入节点的电流而无流出节点的电流。
（）参考答案:错9.在电压近似不变的供电系统中，负载增加相当于负载电阻减少。
（）参考答案:对10.理想电压源的端电压是由它本身确定的，与外电路无关，因此流过它的电流则是一定的，也与外电路无关。
（）参考答案:错第二章测试1.图示电路ＡＢ间的等效电阻为（）。
参考答案:14Ω2.电路如图所示，Ａ、Ｂ端的等效电阻Ｒ＝（）。
参考答案:4Ω3.电路如图所示，可化简为（）参考答案:3Ω电阻4.如图所示电路中，当电阻Ｒ2增加时电流Ｉ将（）。
参考答案:增加5.图示电路中，就其外特性而言，（）。
参考答案:ｂ、ｃ等效6.两只额定电压为110V的电灯泡串联起来总可以接到220V的电压源上使用。
（）参考答案:错7.电流相等的两个元件必属串联,电压相等的两个元件必属并联。
（）参考答案:错8.一个不含独立源的电阻性线性二端网络（可以含受控源）总可以等效为一个线性电阻。
（）参考答案:对9.一个含独立源的电阻性线性二端网络（可以含受控源）总可以等效为一个电压源与一个电阻串联或一个电流源与一个电阻并联。
（）参考答案:对10.已知图示电路中Ａ、Ｂ两点电位相等，则ＡＢ支路中必然电流为零。
e第五章 正弦稳态电路分析
第五章 正弦稳态电路分析习题解答5-1 已知正弦电流)60314cos(20 +=t i A ，电压)30314sin(210-=t u V 。
试分别画出它们的波形图，求出它们的有效值、频率及相位差。
解 电压u 可改写为)120314cos(210)30314sin(210 -=-=t t u Vi 、u 波形图如图所示。
其有效值为V 10142.14220=A==U I i 、u 的频率为Hz 5014.32314π2=⨯==ωfu 、i 的相位差为18060120-=--=-= ψψϕi u5-2 己知)3πcos(m +=t Ιi ω，当s 5001=t 时，第一次出现零值，求电流频率f 。
解 按题意有题5-1图0)3π500cos(m =+=ωI 2π3π500=+ω 得)3π2π(500-=ωHz 667.41)3π2π(2π500π2=-==ωf5－3 在图示相量图中，己知A 101=I ，A 52=I ，V 110=U ，Hz 50=f ，试分别写出它们的相量表达式和瞬时值表达式。
解 相量表达式为V0110A 455A 301021 ∠=∠=-∠=∙∙∙U I I瞬时值表达式为A )30314cos(2101 -=t i A )45314cos(252 +=t iV )314cos(2110t u =5－4 己知某正弦电压V )π100sin(10ψ+=t u ，当s 3001=t 时，V 5)(3001=u ，题5－3图 ∙U ∙则该正弦电压的有效值相量=∙U？解 按题意有5)300π100sin(10=+ψ求出6π300π100)105arcsin(-=-=ψ 故V 6π256π210-∠=-∠=∙U5－5 实际电感线圈可以用R 、L 串联电路等效，现有一线圈接在56V 直流电源上时，电流为7A ；将它改接于50Hz 、220V 的交流电源上时，电流为22A 。
试求线圈的电阻和电感。
电路分析课后习题第5章习题答案
8isc − 4 × 2 = 2i1 isc = 1.2A i1 = 2 − isc
5-16 图示电路，在t<0已处于稳态，在t = 0时 图示电路， 已处于稳态， 已处于稳态 时 将开关S由1切换至 ，求i(0+)和u(0+)。 将开关 由 切换至2， 和 。 切换至
2
1 S t=0 2 5A 3
i
3 + 3V −
−
t=0-时，电容相当于开路，等效电路为 时 电容相当于开路，
S1 3A 3 0.5F 2 6 + uC(0-)
i
− 3× 6 u c (0 − ) = 3 × = 6V 3+ 6 uc (0+) = uc (0−) = 6V
i(0+) 2 + 12V 4 + u
−
−
12 4 i (0 + ) = + 3× = 4A 2+4 4+2 u (0 + ) = (4 − 3) × 4 = 4V
5-18电路如图所示，t<0时电路处于稳态，在 电路如图所示， 时电路处于稳态 时电路处于稳态， 电路如图所示 t = 0时将开关 闭合，求电容电压 C（t）。 时将开关S闭合 时将开关 闭合，求电容电压u ） S t=0 1 2 + 300µF µ uC 1A
t t t
τ
τ
τ
t 5-15图示电路，求电容电压 u（），≥ 0 。已知 图示电路， 图示电路 C t
u C 0 = 0V （）
i1 4 2A
4 0.01F + 2i1 − + uC
−
首先求出虚线左端的戴维南等效电路。 首先求出虚线左端的戴维南等效电路。
电路分析第五章 电容元件与电感元件
u=L di dt
WL
=
1 2
Li
2
5.7、电容与电感的对偶性
电感和电容的串并联
电感的串联
n
Leq
Lk
k 1
电感的并联
1
n1
Leq
k 1 Lk
电容的串联 电容的并联
1 n 1
Ceq
k 1 Ck
n
Ceq
Ck
k 1
习题课
5-12
习题1 已知u(0)=4V，则该电容t≥0时的VCR为
C a
2Ω电阻的功率：P2 2V2 /2Ω 2W
习题3 答案（续1）
5-18
解
电感储存能量：WL
1 2
Li2
1 2H2A2
2
4J
电容储存能量：WC
1 Cu 2 2
1 1F4V2
2
8J
电路总共储存能量为4J+8J=12J。该项能量 是电源接入时，由电源提供的。在电源持续作用 下，这能量始终储存在电路内，其值不变，故PL 和PC均为零。
功率平衡。
消耗功率 6W+2W+4W=12W
习题课
5-20
习题4 已知uc(t)=2cos(2t)V、C=1F、R=1Ω， 受控源电压u(t)=2ic(t)，求uR(t)、is(t)。
R
iS
+ ic + uR- +
u-c C
2ic
-
答案
P1 2A2 1 4W P2 2V 2 /2 2W
习题4 答案
2dt 0.25V
4 1
例题 (续)
（4） t ≥ 0时的等效电路
u1(t)+-
南京邮电大学 电路分析基础 课后习题解答 第1---5章 沈元隆
10Ω a
解：因为ad端口开路，所以可设bcb电流
10Ω +6V - i的参考方向如图所示，有KVL得
b
20Ω
c 10Ω
+ 2V -
(20 10 10)i 6 2 i 0.1
d 10Ω - 2V+
u u (20 10)i 2 5V
ac
bc
u 5 2 7V ad
1
3
2
2
2-27
将 I I 2I ,U 5I 代入上式，可得
3
2
12
2
I 0.75A 2
3-5a 电路如题图3-5所示，试列网孔方程。
+
7V -
1Ω im2 2Ω
3Ω
im1
7A
im3
2Ω
2Ω
+
7V -
1Ω
+ im1
u-x 2Ω
im2
2Ω
3Ω
7A
im3
2Ω
题图3-5（a）
解：设电流源两端电压为Ux 。
III：im1 2im2 (11 2)im3 15
辅助方程： 2(im2 im3 ) ux
所以：
im1
35 2
A
im2
45 4
A
im3
55 4
A
ux 5V
3-9．电路如题所示，用节点分析法求电压u 2S
“1”
1S “2” 2S
“3”
＋
6A
1S u
－
＋
3u
IB +UB －
A
B
北京理工大学《数字电路-分析与设计》数电习题答案
第五章习题5-1 图题5-1所示为由或非门组成的基本R-S 锁存器。
试分析该电路，即写出它的状态转换表、状态转换方程、状态图、驱动转换表和驱动方程，并画出它的逻辑符号，说明S 、R 是高有效还是低有效。
解：状态转换表：状态转换驱动表5-2 试写出主从式R-S 触发器的状态转换表、状态转换方程、状态图、驱动转换表和驱动方程，注意约束条件。
解：与R-S 锁存器类似，但翻转时刻不同。
5-3 试画出图5.3.1所示D 型锁存器的时序图。
解：G=0时保持，G=1时Q=D 。
图题5-1 或非门组成的基本R-S 锁存器S R状态转换方程：Q n+1Q n+1=S+RQ n状态转换图： S =Q n+1R=Q n+1 状态转换驱动方程： 逻辑符号： 输入高有效 G D Q图题5-3 D 型锁存器的时序图5-4试用各种描述方法描述D锁存器：状态转换表、状态转换方程、时序图、状态转换驱动表、驱动方程和状态转换图。
5-5锁存器与触发器有何异同？5-6试描述主从式RS触发器，即画出其功能转换表，写出状态方程，画出状态表，画出逻辑符号。
5-7试描述JK、D、T和T'触发器的功能，即画出它们的逻辑符号、状态转换表、状态转换图，时序图，状态转换驱动表，写出它们的状态方程。
5-8试分析图5.7.1(a) 所示电路中虚线内电路Q’与输入之间的关系。
5-9试分析图5.7.1(b)所示电路的功能，并画出其功能表。
5-10试用状态方程法完成下列触发器功能转换：JK→D, D→T, T→D, JK→T, JK→T’, D→T’。
解：JK→D：Q n+1=JQ+KQ，D：Q n+1=D=DQ+DQ。
令两个状态方程相等：D=DQ+DQ =JQ+KQ。
对比Q、Q的系数有：J=D，K=D逻辑图略。
5-11试用驱动表法完成下列触发器功能转换：JK→D, D→T, T→D, JK→T, JK→T’, D→T’。
解：略。
5-12用一个T触发器和一个2-1多路选择器构成一个JK触发器。
电路分析基础知到章节答案智慧树2023年桂林电子科技大学
电路分析基础知到章节测试答案智慧树2023年最新桂林电子科技大学绪论单元测试1.同一型号的灯泡，单个灯泡接220V电源与两个灯泡串联接220V电源，灯泡的亮度有什么变化？（）参考答案:变暗第一章测试1.下图为连接甲乙两地的输电线路，若甲地工作于800kV，电流为1.8kA，则功率由( )地输送至( )地，其值为 ( )MW。
参考答案:甲，乙，14402.电压电流参考方向如图中所标，有关A、B两部分电路电压电流参考方向是否关联描述正确的是（）。
参考答案:A部分电压、电流参考方向非关联；B部分电压、电流参考方向关联。
3.电路如图所示, 其中电阻的值应分别为( ) Ω。
参考答案:100 , 1004.在集总假设条件下，对实际电路元件加以理想化，只能用一个表征该元件主要性质的模型来表示该元件。
参考答案:错5.在非关联的参考方向下，欧姆定律可以写成u=-iR。
其中R表示电阻，u为电阻两端的电压，i为流过电阻两端的电流。
参考答案:对6.电流和电压的参考方向可任意选定，选定后，在电路的分析和计算过程中也能改变。
参考答案:错7.对于集总参数电路中的任一节点，在任一瞬间，流向该节点的电流的代数和恒等于零。
参考答案:对8.独立电源可能产生功率，也可能吸收功率。
参考答案:对9.理想电压源的端电压u与外接电路有关。
参考答案:错10.理想电流源的端电压u由外电路确定。
参考答案:对11.实验中可以把电压源短路。
参考答案:错12.受控源是描述电子器件中某一支路对另一支路控制作用的理想模型，本身不直接起“激励”作用。
参考答案:对13.图示电路中，i1=i2。
参考答案:对14.图中所示电路中电流I等于_____A。
参考答案:null15.试求图中U AC为_____V。
参考答案:null16.图中 R1=500Ω，R3=200Ω， R2为500Ω的电位器。
输入电压为U1=12V , 输出电压U2的变化范围为{ }V～{ }V。
参考答案:null17.电路如图所示，电压ＵＳ等于_____V 。