模拟电子线路习题习题答案
模拟电子试题库及答案
模拟电子试题库及答案一、选择题1. 在模拟电子电路中，运算放大器的虚短特性指的是：A. 虚地B. 虚短C. 虚断D. 虚接答案：B2. 以下哪个不是模拟电路的特点？A. 线性B. 非线性C. 可处理模拟信号D. 数字信号处理答案：D二、填空题1. 理想运算放大器的输入电阻是_________。
答案：无穷大2. 模拟信号的频率范围通常比数字信号_________。
答案：宽三、简答题1. 简述模拟电子电路与数字电子电路的区别。
答案：模拟电子电路主要处理模拟信号，其特点是连续性、线性和可处理模拟信号。
而数字电子电路主要处理数字信号，其特点是离散性、非线性和数字信号处理能力。
2. 描述运算放大器的基本应用之一：放大器。
答案：运算放大器作为放大器使用时，其增益可以通过外部电阻来设置，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点，广泛应用于信号放大。
四、计算题1. 给定一个理想运算放大器构成的反相放大器电路，输入电压为2V，反馈电阻Rf为10kΩ，求输出电压。
答案：根据反相放大器的增益公式，输出电压Vout = - (Rf/Rin) * Vin，其中Rin为输入电阻，理想运放的Rin为无穷大，因此Vout = -2V。
2. 如果一个非理想运算放大器的输入偏置电流为1μA，输入偏置电压为1mV，求该运放的输入偏置电阻值。
答案：输入偏置电阻值Rin可以通过输入偏置电压Vbias和输入偏置电流Ibias来计算，即Rin = Vbias / Ibias = 1mV / 1μA = 1kΩ。
五、分析题1. 分析以下电路图，并说明其工作原理。
[电路图略]答案：[根据电路图进行分析并给出答案，包括电路的组成部分、各部分的作用以及整个电路的工作原理。
]2. 给定一个差分放大器电路，输入信号为差分信号，分析其放大倍数。
[差分放大器电路图略]答案：[根据差分放大器的工作原理，分析其放大倍数的计算方法，并给出具体的计算步骤和结果。
]六、实验题1. 设计一个简单的低通滤波器电路，并说明其设计参数。
《模拟电子线路》宋树详 第8章答案
(√)
9. 功率放大电路如图 8.20 所示，已知电源电压 VCC=VEE=6V，负载 RL=4Ω。 (1)说明电路名称及工作方式；
(2)求理想情况下负载获得的最大不失真输出功率；
(3)若 UCES=2V，求电路的最大不失真功率； (4)选择功放管的参数 ICM、PTm 和 U(BR)CEO 。
+ ui
(1)定性画出 uo 端波形。 (2)负载 RL 上输出功率 Po 约为多大？ (3)输入信号 ui 足够大时，电路能达到的最大输出功率 Pom 为多大？ 解：（1）略
显著变化。消除办法可以通过加静态偏置电压，使管子预导通。
4． 乙类推挽功率放大器的管耗何时最大？最大管耗值与最大输出功率间有何关系？管 耗最大时输出功率是否也最大？
答：当U om » 0.64VCC 时，管耗最大； PT1max = PT 2 max » 0.2Po max ；不是
5 .什么是热阻？如何估算和选择功率器件所用的散热装置？
(1)顾名思义，功率放大电路有功率放大作用，电压放大电路只有电压放大作用而没
有功率放大作用。
(Χ)
(2)在功率放大电路中，输出功率最大时功放管的管耗也最大。
(Χ)
(3)乙类互补对称功率放大电路的交越失真是由三极管输入特性的非线性引起的。
(√ )
(4)在 OTL 功放电路中，若在输出端串连两个 8Ω 的喇叭，则输出功率将比在输出端
能超出安全工作区。
（√）
(8)分析功率放大器时常采用图解法，而不是用微变等效电路法，这主要是因为电路
工作在大信号状态，工作点的变化范围大，非线性失真较严重。
（√）
(9)要提高输出功率，就应尽可能扩大动态工作范围并实现阻抗匹配，因此工作点要
模拟电子线路习题习题答案
第一章1.1 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度D N =⨯21410cm3-。
（1）求室温300K 时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P 型或N 型。
（2 若再掺入受主杂质，其浓度A N =⨯31410cm 3-，重复（1）。
（3）若D N =A N =1510cm 3-,，重复（1）。
（4）若D N =1610cm3-，A N =1410cm3-，重复（1）。
解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值i n =⨯5.11010 cm3-，施主杂质D N =⨯21410cm 3->> i n =⨯5.11010 cm 3-，所以可得多子自由浓度为0n ≈D N =⨯21410cm 3-少子空穴浓度0p =02n n i =⨯125.1610cm 3-该半导体为N 型。
（2）因为D A N N -=14101⨯cm 3->>i n ，所以多子空穴浓度0p ≈14101⨯cm 3-少子电子浓度0n =02p n i =⨯25.2610cm 3-该半导体为P 型。
（3）因为A N =D N ,所以0p = 0n = i n =⨯5.11010cm 3-该半导体为本征半导体。
（4）因为A D N N -=10-161014=99⨯1014（cm3-）>>i n ，所以，多子自由电子浓度0n =⨯991410 cm 3-空穴浓度0p =02n n i =142101099)105.1(⨯⨯=2.27⨯104（cm 3-）该导体为N 型。
1.3 二极管电路如图1.3所示。
已知直流电源电压为6V ，二极管直流管压降为0.7V 。
（1） 试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 各为多少？解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 D I =A 1007.06-=53mA (2) D R =AV310537.0-⨯=13.2Ω D r =D T I U =AV3310531026--⨯⨯=0.49Ω1.4二极管电路如题图1.4所示。
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模拟电子线路一、单项选择题1、PN结加正向电压时，空间电荷区将（ A ）。
A．变窄B．不变C．变宽D．不确定2、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ C ）。
A．温度B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度D．晶体中的缺陷3、在掺杂半导体中，少子的浓度受（ A ）的影响很大。
A．温度B．掺杂工艺C．杂质浓度D．晶体缺陷4、N型半导体（ C ）。
A．带正电B．带负电C．呈中性D．不确定5、半导体二极管的重要特性之一是（ B ）。
A．温度稳定性B．单向导电性C．放大作用D．滤波特性6、实际二极管与理想二极管的区别之一是反向特性中存在（ B ）。
A．死区电压B．击穿电压C．门槛电压D．正向电流7、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ C ）。
A．基本不变B．明显减小C．明显增加D．不确定变化8、二极管的伏安特性曲线的反向部分在环境温度升高时将（ D ）。
A．右移B．左移C．上移D．下移9、关于BJT的结构特点说法错误的是（ C ）。
A．基区很薄且掺杂浓度很低B．发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C．基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D．集电区面积大于发射区面积10、某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管工作在（ C ）。
8V2.5VA．饱和状态B．截止状态C．放大状态D．击穿状态11、小信号模型分析法不适合用来求解（ A ）。
A ．静态工作点B ．电压增益C ．输入电阻D ．输出电阻12、利用微变等效电路可以计算晶体三极管放大电路的（ B ）。
A ．直流参数C ．静态工作点 B ．交流参数D ．交流和直流参数13、某单管放大器的输入信号波形为，而输出信号的波形为，则该放大器出现了（ C ）失真。
A ．交越B ．截止C ．饱和D ．阻塞性14、交流信号从b 、c 极之间输入，从e 、c 极之间输出，c 极为公共端的放大电路是（ D ）。
A ．共基极放大器B ．共模放大器C ．共射极放大器D ．共集电极放大器15、以下不是共集电极放大电路的是（ D ）。
模拟电子线路基础考试题库含答案
模拟电子线路基础考试题库含答案1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
()正确错误(正确答案)2.二极管的正向偏置电压升高时，其正向电阻增大。
()正确荀吴(正确选项)3.N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
() 正确(V)琢吴4•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
()正确(正确选项)琢吴5.晶体管的参数不随温度变化。
()正确荀吴(正确答案)6•集成运放工作在非线性区的两个特点是虚短和虚断。
（）正确葡吴（正确选项）7•理想运放的共模抑制比为无穷大。
（）正确（正确答案）荀吴8•产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。
（）正确（正确选项）琢吴9.运算放大电路中一般引入正反馈（）正确荀吴3）10电流负反馈既然稳定输出电流，那么必然稳定输出电压。
（）正确荀吴（正确答案）口.本征半导体遍度升高后,两种载流子浓度还是相等。
（）正确（V）琢吴12•参数理想对称的差分放大电路只能放大差模信号,不能放大共模信号。
（）正确（正确选项）荀吴13•放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
（）正确（正确选项）撕吴14•运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
（）正确葡吴3）15•放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
（）正确（正确答案）荀吴16.负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）正确葡吴（正确答案）17•使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。
（）正确荀吴（正确选项）18•利用两只NPN型管构成的复合管只能等效为NPN型管。
（）正确（正确选项）琢吴19•集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（）正确（正确选项）琢吴20•零点漂移就是静态工作点的漂移。
（）正确（正确答案）荀吴21.本征半导体遍度升高后两种载流子浓度仍然相等。
（）正确（正确答案）23.场效应管的工作原理是输入电压控制输出电流。
（）正确（V）間天24.三极管放大电路共有两种组态，分别为共基组态和共射组态。
模拟电子线路智慧树知到期末考试章节课后题库2024年山东师范大学
模拟电子线路智慧树知到期末考试答案章节题库2024年山东师范大学1.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
答案:错2.在半导体内部，只有电子是载流子( )答案:错3.答案:饱和失真，静态工作点选择太高4.差动放大电路是为了而设置的。
答案:克服零点漂移5.答案:对6.答案:错7.晶体三极管具有能量放大作用( )答案:对8.由于控制输入电流就能控制输出电流，因此常将BJT称为电流控制器件。
（）答案:对9.集成运算放大电路既可以双端输入，又可以单端输入。
（）答案:对10.多级放大电路比单级放大电路的通频带（）。
答案:窄11.晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）答案:放大状态12.场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）答案:饱和区13.二极管的阳极电位是20V，阴极电位是10V，则该二极管处于（）。
答案:正偏14.如果PN结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则答案:阻当层变厚，反向电流基本不变15.答案:16.晶体三极管放大电路可实现电压或者电流的放。
答案:对17.双极型三极管同场效应管相比，输入电阻大，热稳定性好。
（）答案:错18.判断N沟道MOS管的夹断电压U＞0, P沟道MOS管的夹断电压U＜0. （）答案:错19.答案:对20.当三极管的两个PN结都正偏时，三极管处于饱和状态。
（）答案:对21.场效应管属于电压控制型器件，而双极型半导体三极管则可以认为是电流控制型器件。
（）答案:对22.高通滤波器的通频带是指电压的放大倍数不变的频率范围。
（）答案:错23.答案:对24.稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态答案:反偏25.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好答案:错26.凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
答案:错27.在二极管特性的正向导通区，二极管相当于（）。
答案:接通的开关28.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为10V、5.3V和5V，则该三极管的类型为硅NPN型。
模拟电子线路理论知识考核试题及答案
模拟电子线路理论知识考核一、选择题1、分压式共射放大电路中的反馈类型是（）。
[单选题] *A、是电流串联负反馈√B、是电流串联正反馈C、是电流并联负反馈D、不存在反馈2、功率放大器的主要作用是不失真地放大信号的（）。
[单选题] *A、电压B、电流C、频率D、功率√3、互补对称式功放电路为了克服（），应将静态工作点设置在甲乙类状态。
[单选题] *A、饱和失真B、截止失真C、交越失真√D、双向失真4、甲类功率放大电路结构简单，但最大的缺点是（A ）。
[单选题] *Ａ、效率低√Ｂ、有交越失真Ｃ、易产生自激D、波形失真严重5、甲乙类OTL电路中，功放管静态工作点设置在（），以克服交越失真。
[单选题] *A、放大区B、饱和区C、截止区D、微导通区√6、甲类功放的理想效率为（）[单选题] *A、75％B、50%√C、78.5%D、58.5%7、乙类推挽（互补对称）功率放大电路的理想最大效率为（）[单选题] *A、50.5%B、60.5%C、75.5%D、78.5%√8、能把交流电变成脉动直流电的是（）[单选题] *A、变压器B、整流电路√C、滤波电路D、稳压电路9、在单相桥式整流电路中，如果一只整流二极管内部断开，则（）[单选题] *A、引起电源短路B、输出电压为零C、输出电压减小√D、输出电压上升10、半导体三极管是一种（）。
[单选题] *A、电压控制电压的器件B、电压控制电流的器件C、电流控制电流的器件√D、电流控制电压的器件11、要获得+12V的稳定电压，集成稳压器的型号应选用（）。
[单选题] *A、CW117B、CW317C、CW7812√D、CW791212、晶体三极管处于截止状态的条件是（）。
[单选题] *A、发射结正偏，集电结反偏B、发射结正偏，集电结正偏C、发射结反偏，集电结正偏D、发射结反偏，集电结反偏√13、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（）。
[单选题] *A、NPN管的发射极B、PNP管的发射极√C、PNP管的集电极D、NPN管的基极14、某三极管的发射极电流IE =3.8mA，基极电流IB=40μA，则集电极电流IC为（）[单选题] *A、3.24mAB、4.2 mAC、3.40mAD、3.76mA√15、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（）。
《模拟电子线路》各章节习题答案
各章节部分习题答案第一章半导体器件【练一练1】1. 导体绝缘体2. N P3. 电子空穴4. 空穴电子5. 电子空穴6. 正负7. 单向导电导通截止【练一练2】1. 正向；反向；0.7V；0.2V2. 最大整流电流IF；最高反向工作电压UR3. 硅，锗；点接触型，面接触型；N；硅；整流4. 小；大5. R=U/I；也要改变【练一练3】1. 发射；基; 集电，ｅ；b; c2. 正向，反向3. 截止区；放大区；饱和区4. 集电结，发射结5. PNP；NPN；NPN；PNP6. 发射；集电；基；发射；集电7. I E=ＩB＋ＩC；直流电流放大系数； ；交流电流放大系数，β8. 基极；集电极；微弱；较大9. 反向；反向；零10. 正向；正向；零【习题1】一、选择题1.ａ2.ｃ３.ｂ４.ｃ 5.ｃ 6.C 7.b 8.ｂ 9.ｂ 10.a 11.c 12.c三、问答题14. 从晶体二极管的伏安特性曲线上看，导通电压低的为诸管，导通电压高的为硅管。
16. 晶体三极管电流放大作用的实质是用微弱的电流控制较大的电流。
晶体三极管具有电流放大作用必须给它的各级加上适当的电压，即：发射结正偏，集电结反偏。
18. 用万用表欧姆挡置“R×100Ω或R×1ｋΩ”处，将红、黑表笔对调分别接触二极管两端，表头将有两次指示。
若两次指示的阻值相差很大，阻值大的那次红笔所接为正极，黑笔所接为负极。
19. 因为在测量阻值时，为使测试棒和管脚接触良好，用两只手捏紧进行测量，相当于给所测元件并联一个人体电阻，所以测量值比较小，认为不合格，但用在设备上却工作正常。
20.（a）截止区（b）放大区 (c) 饱和区第二章放大电路【练一练1】1. 180o;放大器的倒相作用 2. 共发射极；共集电极；共基极 3. 发射极；基极；发射极；集电极；电流；电压 4. 隔直流作用；交流 5. 发射结；集电结6. 不能放大交流信号的电路为（a ）、（b ）、（c ）、（f ）能放大交流信号的电路为 （d ）、（e ） 【练一练2】1. 没有输入信号；估算；图解2. I BQ 、I CQ 和U CEQ3. 减小；增加4. 右移5. 陡6. 晶体管的特性曲线；放大电路的工作状态 【练一练3】1. 倒相；反相器2. 特性曲线；输入电阻；输出电阻3. 输入电阻；r be4. 输出电阻；r o5. LR '1；陡一些；R ’L =R C //R L 6. 大；小 7. 直流负载线的中心 8. 短【习题2】 一、选择题1. b2. a3. b4. c5. b6. c7. c 二、计算题8．I BQ =11 A ，I CQ =0.9mA ，U CEQ =4.2V ，A u = –61，r be =2640 ，r o =2k ； 9．I CQ =3mA ，U CEQ =6V ；10．r i =1668Ω，r o =2kΩ，A u = –72；第三章 含负反馈的放大电路【练一练1】1. B2.B3.A4.C5.C6.A ；B ；B ；B7. 图3.2-11所示电路中，通过R3和R7引入的是：直流电压并联负反馈； 通过R4引入的是：交、直流电流串联负反馈。
模拟电子线路答案
模拟电子线路（B ）参考答案与评分标准一、填空（10分，每格1分）1. 正偏；反偏；2. 共集电极；3. 直流, 电压4. 积分 ,5. 放大， 抑制6. 1; 2 。
二 、 单选题 （10分. 每小题2分）1. B;2.A;3. D;4. B;5.D三. 简答题（１０分, 每小题5分）1. 答: 对电压增益有削弱作用、提高其增益稳定性、减少失真、展宽通频带、改变输入电阻和输出电阻等 （每小点各1分）2. 答：零点漂移是直接耦合放大电路最大的问题。
（3分）最根本的解决方法是用差分放大器（2分）四. (12分) 解: 1. V .3212b b b B =⨯+=CC V R R R U V 3.2BE B E =-=U U UmA 15.1ReE E C ==≈U I I (1分) uA I I 23E B ==β v I R R V U 1.5)(C E C CC CE =⨯+-=(1分)2. 图 (2分)3. Ω=⨯+=135315.12651200r be (1分) 74)//(beL C -≈-=r R R A u β (1分) Ω≈=1353////be B2B1i r R R R (1分) Ω==k 4C O R R (1分) 4. 分）2(53.1031020001530)1(1)1(//Ω=+=++=-=++=k R r R R r R Rc Av e be i e be L βββ (2分)五、（10分）.1. V oH =6v; (1分) V oL =－0.7v, (1分) 门限电平 V I =4 v (1分)（3分）2.(4分)六、 (12分). 1. 电压－串联负反馈、(3分)2. 增大(2分)、宽(2分)3. 733R R R k f +=A uu =1/k f =1+R 7/R 3 =21 （5分)七.(12分) 解：1． A 1反向放大器(1分) , A 2过零比较器(1分)，A 3跟随器(1分) 2．A 1 A 3 线性区(2分) ， A 2非线性区(1分)3. u 01=－10v (2分)U 02=±１２v (2分)U 03= ± 6v 或±6.7v (2分)八.(12分)分）（分），2 mA 52.02(2 mA 04.10EE C2C1EE EEBE(on)EE ====--=I I I R V V I 分）（分）（分）（分）（2472///22.10227.1022535026)1(3001-=-=Ω==Ω==Ω=++=beL c vd c od be id c be r R R A k R R k r R I r ββ (6)分九、（12分）（4分）选R F1=100k, R F2=140kR 1=20K Ω（2分），R 3=25K Ω（2分），R 2=20K Ω（2分），R 4=140K Ω，（2分）R ’1=10K Ω，R ’2=15.6K Ω，九解：（1）最大输出功率和效率分别为%8.694πW 5.242)(CCCES CC L 2CES CC om ≈-⋅==-=V U V R U V P η（2）晶体管的最大功耗W4.622.02.0L2CC oM Tmax =⨯=≈R V P P （3）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92CESCC om i ≈-≈≈U V U U。
模拟电子线路(宋树祥)课后 全部 详细答案
UO =
RL × U I » 3.33V R + RL
图 P1-10
当 UI＝15V 时，稳压管中的电流大于最 小稳定电流 IZmin，所以 UO＝UZ＝6V 同理，当 UI＝35V 时，UO＝UZ＝6V。
（2） I D Z = (U I - U Z ) R = 29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。 1-11 在图 P1-11 所示电路中，发光二极管导通电压 UD＝1.5V，正向 电流在 5～15mA 时才能正常工作。试问： （1）开关 S 在什么位置时发光二极管才能发光？ （2）R 的取值范围是多少？ 解： （1）S 闭合。 （2）R 的范围为 R min = (V - U D ) I Dmax » 233W R max = (V - U D ) I Dmin = 700W。
(c) D 1 导通， J 2 动作； (d) D 2 导通， J 2 动作。
图 p1-18
解:D 1-19 设本题图所示各电路中的二极管性能均为理想。 试判断各电路中的二极管是导通还是截止， 并求出 A 、 B 两点之间的电压 UAB 值。
图 p1-19
解:a 、D 截止, U AB =-12V
图 P1-4 解图 P1-4
解：ui 和 uo 的波形如解图 P1-4 所示。
1-5 电路如图 P1-54 所示，已知 ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压 UD＝0.7V。试画出 ui 与 uO 的波形，并标出幅值。
图 P1-5 解图 P1-5
解：波形如解图 P1-5 所示。 1-6 电路如图 P1-6（a）所示，其输入电压 uI1 和 uI2 的波形如图（b）所示，二极管导通 电压 UD＝0.7V。试画出输出电压 uO 的波形，并标出幅值。
模拟电子线路线性部分第一二章习题解答
《模拟电子技术基础》习题参考答案： 第一章 半导体器件基础1-9 解： （a ）二极管导通，U AG =12V 。
（b ）二极管导通，U AG =6V 。
（c ）二极管截止，U AG =6V 。
（d ）二极管截止，U AG =-6V 。
（e ）二极管导通VD 2，二极管VD 1截止，U AG =-6V 。
（f ）二极管VD 1 、VD 2均截止，U AG =12V 。
1-17解：A 管为：NPN 硅管，E 、B 、C 三个电极分别为③3V 、②3.6V 、①9V 。
B 管为：PNP 锗管，E 、B 、C 三个电极分别为①－5V 、③－5.3V 、②－10V 。
1-18 解： （a ）三极管处于放大区 （b ）三极管处于截止区 （c ）三极管处于饱和区（d ）三极管处于放大区 （e ）三极管处于放大区 （f ）三极管处于放大区（g ）三极管处于放大区 （h ）三极管处于饱和区1-19 解： （a ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道耗尽型。
其夹断电压U P =-4V ，饱和漏极电流I DSS =5mA（b ）场效应管的类型为绝缘栅型N 型沟道增强型。
其开启电压U T =2V 。
（c ）场效应管的类型为绝缘栅型P 型沟道增强型。
其开启电压U T =-2V 。
（d ）场效应管的类型为结型P 型沟道耗尽型。
其夹断电压U P =3V ，饱和漏极电流I DSS =-4mA 。
《模拟电子技术基础》习题参考答案 第二章 基本放大电路2-4 分析图题2-4所示各电路能否正常工作，并说明理由。
解：（a ）电路不能正常工作，对PNP 型管而言，电源Vcc 、电容C b 、C 1、C 2的极性均不正确。
（b ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。
（c ）电路不能正常工作，电容C 1、C 2的极性均不正确。
（d ）电路不能正常工作，电容C b 将输入短路，不能保证输入信号顺利地传送到三极管的基极—发射极之间使基极电流产生变化。
模拟电子线路智慧树知到答案章节测试2023年山东师范大学
第一章测试1.N型半导体具体的可以通过在纯净半导体中掺入三价硼元素而获得。
（）A:错B:对答案:A2.使用发光二极管时，要加正向电压；使用光敏和稳压二极管时要加反向电压A:对B:错答案:A3.二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好A:错B:对答案:A4.本征半导体中没有载流子A:错B:对答案:A5.本征半导体又叫（）A:P型半导体B:掺杂半导体C:纯净半导体D:普通半导体答案:C6.当BJT用作放大器件时，无论是NPN型还是PNP型，都应将它们的发射结加正向偏置电压，集电结加反向偏置电压。
（）A:错B:对答案:B7.BJT是电压控制元件A:对B:错答案:B第二章测试1.在P型半导体中，通过掺入高浓度的五价磷使其变为N型半导体。
（）A:对B:错答案:A2.P型半导体带正电，而N型半导体是带负电的。
（）A:错B:对答案:A3.晶体三极管由两个PN结构成，发射区的载流子浓度最高A:对B:错答案:A第二章测试1.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零A:对B:错答案:B2.晶体三极管放大电路都有功率放大作用。
（）A:对B:错答案:A3.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
A:错B:对答案:A第三章测试1.将放大器信号的全部或者部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做信号答案:第四章测试1.三极管NPN型和PNP型的区别在于三个区域掺杂的粒子不同A:错B:对答案:B2.晶体三极管由两个PN结构成，二极管包含有一个PN结，所以可以具体的用两个二极管反向串接来构成三极管。
（）A:对B:错答案:B3.Ｎ沟道场管的导通截止条件答案:4.Ｎ沟道场管放大工作在饱和区。
答案:5.场效应管的作用场效应管的作用场效应管的工作条件：答案:第五章测试1.功率放大电路具有放大功率的作用；A:错B:对答案:B2.差分放大电路的共模抑制比越大，说明其抑制________的能力越强，一般的差分放大器要求共模抑制比大于60dB。
模拟电子线路A中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子线路A中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线间隔将增大。
参考答案:正确2.在共源组态和共漏组态两种放大电路中，共漏组态的输出电阻比较小。
参考答案:正确3.场效应管栅极电流几乎等于零，所以共源放大电路的输入电阻通常比共射放大电路的输入电阻大。
参考答案:正确4.已知图示中晶体管V1、V2的特性相同，β=200，UBE(on)=0.7V。
则UCEQ1= 。
【图片】参考答案:0.7V5.理想乙类互补推挽功放电路如下图所示，设 UCC =15V， UEE =－15V， RL=4Ω，UCE(sat) =0，输入为正弦信号。
(1)输出最大信号功率时，集电极功耗（单管）为（）A.14.06W B.3.85W C.7.7 W D.12.83W(2) 输出最大信号功率时，电路能量转换效率为（）A.78.5% B.25% C.75% D.50%【图片】参考答案:BA6.电路如图所示，试问（1）晶体管的参数ICM应选取为>（）A。
A、1.05 B、1.06 C、0.5 D、2.08（2）晶体管的参数U(BR)CEO应选取为>（）V。
A、8.5 B、9 C、18 D、17.5（3）如果要求输出电压为8V,输入信号为（）mV。
A、 75.2B、60.5C、79.2D、80.6【图片】参考答案:BDC7.已知某直流稳压电源电路如图所示。
设三极管的发射结导通电压UBE(on)=0.7V，变压器副边绕组电压有效值为20V。
(1) 求输出电压UO 的调节范围( )：A. 3【图片】6V; B. 6【图片】9V; C. 7.95【图片】15.9V; D.9【图片】18V;(2) 当电位器RW 调至中间位置时，估算UA 的数值为（）：A. 28V;B. 24V;C. 14V;D.56V;(3) 当电位器RW 调至中间位置时，估算UO 的数值为（）：A. 24V; B. 18V; C. 12V; D.10.6V;【图片】参考答案:DBC8.N型半导体是在纯净半导体中掺入____。
模拟电子线路课后作业解答02-作业
[
]
Au1 = −
rbe + (1 + β )Re
β Rc
≈ −1; Au 2 =
(1 + β )Re rbe + (1 + β )Re
≈ 1;
2.23
Au = − g m ( Rd // RL ); Ri = R3 + ( R1 // R2 ); Ro = Rd
正确的有（4） （9） （8） （12） ，其余为错误。 2.7 （1） RL = ∞ 时： I BQ = 所以 rbe = rbb′ + (1 + β )
VCC − VBEQ VBEQ − ≈ 22 µA ， Rb Rs
VT V = rbb′ + T ≈ 1.28 KΩ I EQ I BQ
=− 80 × 5 56 × 1.28 ≈ −312.5 ；Ri = Rb // rbe = ≈ 1.25 KΩ ；Ro = Rc = 5 KΩ 1.28 57.28
Vom ≈ 4.24V 2
(2) RL = 3KΩ 时，在输出特性曲线上画出直线 υCE =
Rc // RL VCC − iC ( Rc // RL ) ，它与 i B = 20µA 的曲 Rc
线相交的点就是静态工作点。 I BQ = 20 µA , I CQ = 2mA ,VCEQ = 3V 最大输出电压的峰值为 2.5
(
)
rbe = rbb′ + (1 + β ) Au = −
VT ≈ 2.73KΩ I EQ
β ( Rc // RL ) 100 × 2.5 =− ≈ −7.56 rbe + (1 + β )R f 33.03
模电题库及答案
模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100 分）1. N型半导体带负电，P型半导体带正电。
（）2•以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。
（）3. PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。
（）4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。
（）5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。
（）6. 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。
（）7. 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。
（）8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。
（）9. 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。
（）10. 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。
（）11. 温度升高后，在纯净的半导体中（）。
A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变12. 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压）D.自由电子和空穴数目都不变，则（）。
A. 阻当层不变，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大B. 阻当层变厚，反向电流基本不变D.阻当层变厚，反向电流减小4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极8.测得三极管i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ，则该管的交流电流放大系数3为（）°A.60B.75C.80 D .1009. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ，贝U 1, 2, 3分别为（）°A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）°A.截止区B.放大区C.饱和区D .击穿区11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）A.输入电阻小，输出电阻大B.输入电阻小，输出电阻小作业1-2一、习题（满分100分）1. N 型半导体（ ）。
《模拟电子线路》宋树详 第9章答案
图 9.39 习题 6 图
解：整流桥将交流电压 u 整流，再经电容器 C1 滤波，得直流电压 UI
U I = 1.2U = 1.2 ´ 6 = 7.2V
电压 UI 经 R 和 RL 分压（C1 和 C2 均可看作开路） ，R 上电压为
U R = U I - U O = 7.2 - 6 = 1.2V
所以
运算放大器的输出电流就是调整管的基极电流，即
IB =
调整管的管耗为
IE 109.5 = = 2.15mA 1 + b 1 + 50
PC = U CE I C = (U I - U O ) bI B = (30 - 15) ´ 50 ´ 2.15 = 1612.5mW = 1.61W
10．如图 9.43 所示电路，试求输出电压 U O 的可调范围是多大？
V
12
V
6
V
15 6
图 9.40 习题 7 图
图解习题 7
解： （1）稳压管 DZ 接反使 UO 降至 0.7V；限流电阻 R 短路， rZ << R L ，IR 电流过大， 使 IZ 电流超过允许值，从而烧坏稳压管。 （2） U O = U Z = 6 V ，根据式（9.3.2） ，取
U2 =
U I 18 = = 15 V 1.2 1.2
图 9.35 习题 2 图
解：在图 9.35 中，含有两个整流电路。 （1）负载上电压和电流的平均值
①变压器副边（90+10）V，二极管 D1 和负载 RL1，构成了单相半波整流电路。
U L1 = 0.45(90 + 10) = 45V I L1 = U L1 45 = = 4.5mA RL1 10 ´ 10 3
电子线路第三章答案
《模拟电子线路》课程教案内容：第三章习题解答3－1放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝？答：由G P＝10lgA P，得G P＝10lg100＝10×2＝20dB。
3－2 假如输入电压为20mV，输出电压为2V，问放大器的电压增益是多少分贝？答：因为A V＝V O/V i＝2V÷20mV＝2000÷20＝100，而G V＝20lgA V所以G V＝20lg100＝40 dB。
3－3 假如输入信号电压为V i＝0.02V，电流I i＝1.0mA；输出电压V O＝2V，电流I O＝0.1A。
问放大器的电压、电流增益和功率增益各为多少分贝？答：因为A V＝2V÷0.02V＝100，A i＝0.1A÷1mA＝100÷1＝100，Ap＝A V×A i＝104所以G V＝20lgA V＝20lg100＝40 dBG i＝20lgA i＝20lg100＝40 dBG P＝10lgA P＝10lg104＝40 dB3－4 电压增益是－60dB，试问它的电压放大倍数是多少？该电路是放大器吗？答：由G V＝20lgA V得A V＝10（GV/20）＝10（－60/20）＝10－3＝0.001。
该电路不是放大器而是衰减器。
3－5 画出由PNP型管接成的共发射极交流放大电路，并标出静态电流方向和静态管压降（V CEQ）的极性。
答：PNP型管接成的共发射极交流放大电路如右图所示。
静态管压降（V CEQ）的极性为上负下正。
3－6 什么是“非线性失真”？放大电路为什么要设置适宜的静态工作点？答：因为放大电路本身的非线性所造成的输出信号波形失真称为非线性失真。
放大电路假如不设置适宜的静态工作点，信号放大时就可能使晶体三极管进入饱和区或截止区，产生非线性失真。
所以放大电路必须设置适宜的静态工作点。
3－7 用图3.0.1所示方法调整静态工作点有什么错误？应如何改正？画出准确的电路图。
模拟电气线路试题及答案
模拟电气线路试题及答案一、选择题1. 模拟电路中的放大器主要功能是什么？A. 信号放大B. 信号滤波C. 信号调制D. 信号解调答案：A2. 以下哪个不是模拟电路中常见的元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 微处理器答案：D3. 在模拟电路设计中，通常使用哪种方法来减小噪声？A. 增加电源电压B. 增加信号频率C. 增加电路复杂度D. 使用屏蔽和接地答案：D二、填空题4. 模拟信号的特点是具有______和______。
答案：连续性；幅度变化5. 运算放大器的两个主要输入端分别是______和______。
答案：非反相输入端；反相输入端6. 模拟电路中的反馈可以分为______和______。
答案：正反馈；负反馈三、简答题7. 简述模拟电路与数字电路的主要区别。
答案：模拟电路主要处理的是连续变化的信号，而数字电路处理的是离散的数字信号。
模拟电路的信号幅度可以无限变化，而数字电路的信号只有高电平和低电平两种状态。
模拟电路通常使用模拟元件如电阻、电容、电感和运算放大器等，而数字电路则使用逻辑门和触发器等数字元件。
8. 解释什么是运算放大器的增益，并给出增益的计算公式。
答案：运算放大器的增益是指输出信号与输入信号的比值。
增益的计算公式为：增益 = 电压增益× 电流增益。
四、计算题9. 给定一个RC低通滤波器电路，其中R=1kΩ，C=1μF，计算其-3dB截止频率。
答案：首先计算RC的时间常数τ = R * C = 1kΩ * 1μF = 1ms。
然后，-3dB截止频率 f_c = 1 / (2π * τ) = 1 / (2π * 0.001)≈ 159.15 Hz。
10. 如果一个运算放大器的开环增益为10^6，反馈电阻Rf=10kΩ，输入电阻Ri=1kΩ，求闭环增益。
答案：根据闭环增益公式，闭环增益 Av = Aol / (1 + Aol * (Rf / Ri))，其中Aol是开环增益。
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1.3二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。
（1）试求流过二极管的直流电流。
（2）二极管的直流电阻 和交流电阻 各为多少？
解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即
= =53mA
(2) = =13.2
= = =0.49
1.4二极管电路如题图1.4所示。
题图（b）：e结反偏，c结反偏，截止状态
题图（c）：e结正偏，c结正偏，饱和状态
题图（d）：e结开路，晶体管损坏
2.4
（1）说明每种浓度分布曲线所对应的发射结和集电结的偏置状态。
（2）说明每Βιβλιοθήκη 浓度分布曲线所对应的晶体管的工作状态。
解：（1）对于 晶体管，当发射结（集电结）正偏时，由于从发射区（集电区）向基区注入了非平衡少子电子，所以 处P区边界上少子电子的浓度大于平衡的电子浓度 ，当发射结（集电结）反偏时，在阻挡层两侧边界上的少子浓度趋向于零。据此，可以判别：
题图2.6
解：（1）Q1点：
（2）
2.7
解：
题图（b）：
处于放大状态
题图（c）： A， mA
(V)
不可能，表明晶体管处于饱和状态。
2.8
解：题图2.8（a）为固定偏流电路。
（1）20 时
（V）
（2）55 时
的变化为
图2.8（b）为分压式电流负反馈偏置电路。
（1）20 时
（2）55 时
的变化为
2.9
(1)估算直流工作点ICQ、UCEQ。
答图1.10
1.11稳压管电路如题图1.11所示。
（1）设 V，稳压管 的稳定电压 =10V，允许最大稳定电流 =30mA， =5mA, =800 , = 。试选择限流电阻R的值。
（2）稳压管的参数如（1）中所示，R=100 ， =250 ，试求 允许的变化范围。
（3）稳压管的参数如（1）中所示，当 =10V时，其工作电流 =20mA， =12 ，如 =20V不变，试求 从无穷大到1k 时，输出电压变化的值 为多少？
解：（1） mA
（2） mA
（3） mA
（4）
（5）E增加，直流电流 增加，交流电阻 下降。
1.6在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求Uo的值。
题图1.6
解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U0＝5V。
(2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U0＝0V。
(2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝2V。其相应波形如答图1.7 (b)所示。
答图1.7
1.9在题图1.9(a)所示电路中，二极管等效为恒压降模型。已知输入电压u1、u2的波形如题图1.9(b)所示，试画出u0的波形。
题图1.9
解：该电路为高电平选择电路，即u1、u2中至少有一个为3V，则u0＝3一0.7＝2.3V。u1、u2均为0时，uo＝一0.7V。其波形答图1.9(c)所示。
(2)若偏置电阻RB1、RB2分别开路,试分别估算集电极电位UC值，并说明各自的工作状态。
(3)若RB2开路时要求ICQ＝2mA，试确定RB1应取多大值。
题图2.9
（2）当RB1开路时，I3Q=0,管子截止。UC=0.
当RB2开路时，则有
答图1.9
1.10在题图1.10所示电路中，设稳压管的Uz＝5V，正向导通压降为0.7V。若ui＝10sinωt(V)，试画出u0的波形。
题图1.10
解：当ui≥5V时，Vz击穿，u0＝5V。当ui≤一0.7V时，Vz正向导通，u0＝一0.7V。
当一0.7V＜ui＜5V时，Vz截止，u0＝ui。由此画出的u0波形如答图1.10所示。
= cm
少子空穴浓度
= = cm
该半导体为N型。
（2）因为 = cm >> ，所以多子空穴浓度
cm
少子电子浓度
= = cm
该半导体为P型。
（3）因为 = ,所以
= = = cm
该半导体为本征半导体。
（4）因为 =10 10 =99 10 （cm ）>> ，所以，多子自由电子浓度
= cm
空穴浓度
= = =2.27 10 （cm ）
(3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有
1.7二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。
题图1.7
解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。
解：（1）因为
式中，因 ，所以 =0， V
式中 mA, V=18V
选择R应满足：400 <R<457
(2)当 时， mA。
当 达到最大时， （V）
当 为 时， （V）
即 的变化范围是14.5~17V。
（3）当 时， =10V。
当 时， =10V （V）
（mV）
或
9(mV)
第二章
2.1
解：
2.3
解：题图（a）3AX为PNP锗管， V（正偏）， V（反偏），放大状态
（1）设二极管为理想二极管，试问流过负载 的电流为多少？
（2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压 V，试问流过负载 的电流是多少？
（3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压 V， ，试问流过负载的电流是多少？
（4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？
（5）增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？
第一章
1.1在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度 = cm 。
（1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。
（2若再掺入受主杂质，其浓度 = cm ，重复（1）。
（3）若 = = cm ,，重复（1）。
（4）若 = cm ， = cm ，重复（1）。
解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值 = cm ，施主杂质 = cm >> = cm ，所以可得多子自由浓度为
（1）图(a)：发射结反偏，集电结反偏。图(b)：发射结正偏，集电结反偏。图(c)：发射结正偏，集电结正偏。图(d)：发射结反偏，集电结正偏。
（2）图(a)：截止。图(b)：放大。图(c)：饱和。图（d）：反向放大。
2.6
（1）求IBQ=0.3mA时，Q1、Q2点的β值。
（2）确定该管的U(BR)CEO和PCM。