模拟电子技术习题解答(康华光版)
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth ＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi |＜时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥时；D1导通，D2截止，vo＝0.7V；当vi ≤时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与voth ＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D 1导通，D2截止。
电子技术基础-模拟电路 (康华光)第三章习题
电子技术基础-模拟电路 （康华光）第三章习题.doc3.1.2、解：由A B I m A ,I .m A =-=-2004可知，A B I I 、的实际方向与图中参考方向相反，即A B I I 、的实际方向都是流进三级管；c I .m A =+204说明c I 的实际方向与图中参考方向相同，即cI 的实际方向是流出三级管；c A B I =I +I 。
所以，它是NPN 型三极管；电极A 是集电极，B 是基极，C 是发射极。
c bI m A I .m Aβ===2500043.2.1、解：（a ）无放大作用。
一方面cc V 使发射结所加的反偏电压太高，管子易击穿；另一反面因b R =0，使输入信号i v 被短路。
（b ）有放大作用。
因电路的偏置正常（及发射极正偏，集电结反偏），而且交流信号能够传输。
（C ）无放大作用，因cc V 无法给PNP 三极管发射结提供偏置电压（或因b C 1隔断了基极的直流通路）。
（d ）无放大作用，因电源cc V 接反，使集电结正偏。
3.3.1、解：由图3.3.1可知，当b C i A ,i m A μ∆=∆=102，故c bi i β∆==∆200。
当C CES C CES i m A V .V ;i m A V .V∆=→≈∆=→≈10032008，，。
3.3.4、解：已知c bi i β∆==∆200，B B B E QB Q bV V I .m A R -==003C Q B Q I I m A β==6 C E Q C C C Q C V V I R V=-=13.4.5、解：（1）求C Q C E Q I V 、表达式cc B Q V I R =1cc C Q B Q V I I R ββ==1C E Q C C C QV V I R +R )=-23（ （2）求v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR R A =-r β2（//），i be R R //r =1，O R R ≈2（3）求C 3开路后，v i O A R R 、、的表达式（在交流通路图中，R 3被短路）L v beR +R R A =-r β23【（）//】，v A ↑i be R R //r =1不变，O R R +R ≈↑233.5.4、解：（1）求Q 点eb B Q C C b b R B Q B E QC Q E Q eeC E Q C C C QR V =V .VR R V V V I I .m A R R V V I Aβμ+-====-=212431818 c e CQ BQ （R +R ）=2.8V I =I（2）求be i r R 、be E Qi b b be e m V r ()I R R //R //[r ()R ].K ββΩ=++=++≈12262001108（3）求vs vs2A A 1、（前者是共发射极放大电路对信号源的电压放大倍数；后者是共集电极放大电路对信号源的电压放大倍数）o o i ei vs s i s be ei s o o i eivs sisbe ei sv v v R R A .v v v r ()R R R v v v +R R A .v v v r ()R R R ββββ==∙=-∙≈-+++==∙=∙≈+++1112220791081（1）（4）求O O2R R 1、o c be b b s o R R r (R //R //R )R R e//Ωβ+=+1122311。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
电子技术基础-模拟部分(第五版)康华光-课后答案
幻灯片89
4
幻灯片90
5
幻灯片91
6
幻灯片92
7
幻灯片93
8
幻灯片94
9
幻灯片95
10
幻灯片96
11
幻灯片97
12
幻灯片98
13
幻灯片99
14
幻灯片100
15
5
幻灯片44
6
幻灯片45
7
幻灯片46
8
幻灯片47
9
幻灯片48
10
幻灯片49
11
幻灯片50
12
幻灯片51
13
幻灯片52
14
幻灯片53
15
幻灯片54
16
幻灯片55
17
幻灯片56
18
幻灯片57
19
幻灯片58
20
幻灯片59
21
幻灯片60
22
幻灯片61
23
幻灯片62
24
幻灯片63
25
幻灯片64
26
幻灯片65
27
幻灯片1
电子技术基础模拟部分
第五版
主编 康华光
高等教育出版社
幻灯片2
2
幻灯片3
3
幻灯片4
4
幻灯片5
5
幻灯片6
6
幻灯片7
7
幻灯片8
８
幻灯片9
幻灯片10
幻灯片11
湖南人文科技学院
田汉平
幻灯片12
12
幻灯片13
13
幻灯片14
14
幻灯片15
15
幻灯片16
16
幻灯片17
17
电子技术基础_模拟部分(第五版)康华光_课后解答
14
第十四页，编辑于星期日：四点 五十分。
15 第十五页，编辑于星期日：四点 五十分。
16 第十六页，编辑于星期日：四点 五十分。
17
第十七页，编辑于星期日：四点 五十分。
12
第十八页，编辑于星期日：四点 五十分。
13
第十九页，编辑于星期日：四点 五十分。
14
第二十页，编辑于星期日：四点 五十分。
7
第三十五页，编辑于星期日：四点 五十分。
8 第三十六页，编辑于星期日：四点 五十分。
9 第三十七页，编辑于星期日：四点 五十分。
10 第三十八页，编辑于星期日：四点 五十分。
11
第三十九页，编辑于星期日：四点 五十分。
2
第四十页，编辑于星期日：四点 五十分。
3
第四十一页，编辑于星期日：四点 五十分。
电子技术基础模拟部分 第五版
主编 康华
高等教育出版社
第一页，编辑于星期日：四点 五十分。
2 第二页，编辑于星期日：四点 五十分。
3 第三页，编辑于星期日：四点 五十分。
4 第四页，编辑于星期日：四点 五十分。
5
第五页，编辑于星期日：四点 五十分。
6 第六页，编辑于星期日：四点 五十分。
7
11
第四十九页，编辑于星期日：四点 五十分。
12
第五十页，编辑于星期日：四点 五十分。
13 第五十一页，编辑于星期日：四点 五十分。
14
第五十二页，编辑于星期日：四点 五十分。
15
第五十三页，编辑于星期日：四点 五十分。
16 第五十四页，编辑于星期日：四点 五十分。
17
第五十五页，编辑于星期日：四点 五十分。
模拟电子技能技术总结 课后习题答案 康华光等编
精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1T ＝300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b ：图c 15V ，故D 2图d －6V ．故2.4.4解图a D 图b ：将D 图c D 2.4.71，解（1当0＜|V i 0. 7V （2D 2均截止，v o=v i ；v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－0.5V 时，D 2导通，D 1截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－0.5V 时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图b 所示，在0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωtV ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解（a ）画传输特性0＜v I ＜12V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≤－10V 时，D 2导通，D 1截止传输特性如图解2．413中a 所示。
（b ）当v o ＝v I =20sin ωtV 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
康华光《电子技术基础-模拟部分》（第5版）笔记和课后习题（含考研真题）..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体，按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类：①时间连续、数值连续信号，即模拟信号；②时间离散、数值连续信号；③时间连续、数值离散信号；④时间离散、数值离散信号，即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波)，从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号，过滤掉不需要的频率信号，也可以过滤掉某些频率信号，保留其它频率信号。
幅度频谱：各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱：各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路，所谓放大作用，其放大的对象是变化量，本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型：1．电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2．电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3．互阻放大电路电路的互阻增益为4．互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻：输入电压与输入电流的比值，即对输入为电压信号的放大电路，R i越大越好；对输入为电流信号的放大电路，R i越小越好。
模拟电子技术习题解答(康华光版)
3. C位置：发射结反偏，截止，IC=0。
习题3.3.2
• (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。
习题3.3.6
2. AV≈1, Ri=Rb//(rbe+51Re//RL)≈90K, Ro=Re//[(RS//Rb+rbe)/(1+β)]=39Ω
3. Vo=[Ri/(Ri+Ro)]×Av× Vs≈200mV
习题3.7.1
1. |AVM|=60db=1000 (倍), fL=100Hz, fH=100MHz
2. f=fH=fL时，|AVM|=57db
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=－9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈，，但使整r体if提性高能，下降， 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接，到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。
• (b)：不能，应交换R 和RL
1. VCC=6V, IBQ=20µA, ICQ=1mA, VCE=3V;
2. Rb=(VCC-0.7)/IBQ=265K(≈300K)， RC=(VCC-VCE)/ICQ=3K;
模拟电子技术课后习题答案康华光等编
模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
康光华电子技术基础(模拟部分)第五版习题选解资料
1.2.1解：正弦波电压表达式为)sin()(θω+=t V t v m ，由于0=θ，于是得 （1）))(102sin(5)(4V t t v π⨯= （2）))(100sin(2220)(V t t v π= （3）))(2000sin(05.0)(V t t v π= （4）))(1000sin(125.0)(V t t v = 1.2.2解：（1）方波信号在电阻上的耗散功率RV dt TRV dt R t v T P S TS T S 2)(1220202===⎰⎰（2）可知直流分量、基波分量、三次谐波分量分别为2S V 、πS V 2、π32S V，所以他们在电阻上的耗散功率为直流分量：R V R V P S S O 4/222=⎪⎭⎫⎝⎛=基波分量：R V R V P S S22212/212ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•=三次谐波分量：R V R V P S S222392/2132ππ=⎪⎭⎫ ⎝⎛•= （3）三个分量占电阻上总耗散功率的百分比： 前三者之和为：RV R V R V R V P P P P S S S S 2222223103~0475.09224≈++==++=ππ所占百分比：%95%1002//475.0%100)/(223~0=⨯≈⨯R V RV P P S S S 1.4.1解：由图可知，i vo LO Lo i s i i s v A R R R v R R R v v •+=+=),(，所以（1）O L S i R R R R 10,10==时，i i s i i s v R R R v v 1011)(=+=， i i vo L O L o v v A R R R v 101110⨯=•+=，则源电压增益为26.810/1111/100≈==i i s o vs v v v v A 。
同理可得 （2）5.225===iis o vs v v v v A （3）0826.01111/10≈==i i s o vs v v v v A （4）826.010/1111/10≈==i i s o vs v v v v A 1.5.1解：电压增益 200005.01===VV v v A i o v dB A v 46200lg 20lg 20≈=电流增益 1001052000/16=⨯Ω==-AV i i A i o i dB A i 40100lg 20lg 20≈=功率增益 ()200001051052000/1632=⨯⨯⨯Ω==--AV V P P A i o p dB A p 4320000lg 10lg 10≈= 1.5.2解：设负载开路时输出电压为'o v ，负载电阻Ω=k R L 1时输出电压为o v ，根据题意 ()''8.0%201o o o v v v =-= 而 ()L O L oo R R R v v +=//'则 ()()Ω=Ω⨯⨯-=-=25010118.0/11/3'L oo O R v v R1.5.3解：设'o v 为负载电阻断开时的输出电压，即V v o 1.1'=；负载电阻Ω=k R L 1时，输出电压V v o 1=。
康华光模拟电子技术基础课后答案全解
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
模电课后（康华光版）习题答案
第四章部分习题解答4．1．3 某BJT 的极限参数I CM =100mA =100mA，，P CM =150mW =150mW，，V （BR BR））CEO =30V =30V，，若它的工作电压V CE =10V =10V，则工作电流，则工作电流I C 不得超过多大？若工作电流I C =1mA =1mA，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT 工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
则将损坏。
当工作电压当工作电压V CE 确定时，应根据P CM 及I CM 确定工作电流I C ，即应满足I C V CE ≤P CM 及I C ≤I CM 。
当V CE =10V 时，时，mA V P I CECMC 15==此值小于I CM =100mA =100mA，故此时工作电流不超过，故此时工作电流不超过15mA 即可。
即可。
同理，当工同理，当工作电流I c 确定时，应根据I C V CE ≤P CM 及V CE ≤V （BR ）CEO 确定工作电压V CE 的大小。
当I C =1mA 时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V 30V。
4．3．3 若将图题若将图题3.3.1所示输出特性的BJT 接成图题3.3.3所示电路，并设V CC =12V =12V，，R C =1k Ω，在基极电路中用V BB =2.2V 和R b =50k Ω串联以代替电流源i B 。
求该电路中的I B 、I C 和V CE 的值，设V BE =0.7V =0.7V。
图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200=200，故，故，故mA R V V I bBEBB B 03.0=-=I C =βI B =200=200××0.03mA=6mA 0.03mA=6mA V CE =V CC -I C R c =6V4.3.5 图题图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R e 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即V CC 值的大小，故V CC =6V =6V。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
习题2.4.5
A:
B:
习题2.4.6
习题2.4.8
习题2.4.12
习题2.5.1
第三章习题解答
基本放大电路
模拟电子习题3
P 140 3.1.1
P270 习题6.2.1
解:
（1）
AV
Vo Vs
9.2 5.1 256 0.0016
(2)
4.5 5.1
Vio 256 2.34mV
习题 6.2.3
1. Io=2mA , Ic1=Ic2=1mA , IB1=Ic1/β=10μA , Vce=5V 2. Vo=AVD×（vi1-vi2)=－860mV，式中：
习题5.3.2
V 2 122
Pom
CC
8RL
2.25W 88
习题5.3.3
1. 静态时C2的电压6V，调R1 2. 增大R2 3. 损坏T1 ,T2
习题5.4.2 1. 此电路属于OCL 功放 2. POM=152／(28)=14W 3. ＝78.5%
第六章习题解答
差动放大器与集成运放
Rf1 R1
vs1
2vs1
1.2V
vo
vs2 (1
Rf 2 R2
)
vo1(
Rf 2 R2
)
1.8V
习题8.1.4 A1、A2为电压跟随器
vo1 3V ; vo2 4V
vo
vo1
R3 R1
vo2
R3 R2
V3
R5 R4 R5
(1
R3 R1 // R2
)
5V
习题8.1.5 A1、A2、A3 、A4均为电压跟随器
3. β=115, IBQ=15,ICQ=1.725mA, VCEQ=0.27V, 饱和
习题3.5.4
1. VBE=10×Rb2/(Rb1+Rb2)=4.28V, IEQ≈ICQ=(4.28-0.7)/2K=1.79mA, VCEQ=10-1.79×(2K+2K)=2.84V,
2. rbe=1.75KΩ, AV1=-[ri/(ri+RS)]×βRL’/[rbe+(1+β)Re ] =-0.98× [ri/(ri+RS)], AV2≈ri/(ri+RS)
IC3=1mA, VB3=9V, VC2=8.3V, IE=2IC2=0.74mA, IC2=0.37mA, VCEQ3=－9V, VCEQ2=9V, Re2=5.27K, rbe1=rbe2=300+26×(1+β)/2=3.9K,
rbe3=2.4K, ri3=rbe3+(1+β)Re3=245K
vo1 v1 ; vo2 v2 ; vo3 v3
vo
vo1
R2 // R3 R1 R2 // R3
vo2
R1 // R3 R2 R1 // R3
vo3
R2 // R1 R3 R2 // R1
当 R1＝R2＝R3 时 ， vo＝13（vo1 vo2 vo3）
习题8.1.8
vo1
AVD
rbe
Rc (1 )Re1
43
3. RL=5.6K:
vo
(Rc //
rbe (1
RL ) 2
)Re
(vi1
vi2 )
288mV
4. Rid=2[rbe+(1+)Re1]=26K
Ric=[rbe+ (1+) Re]/2+(1+)ro=10M Ro=11.2K
习题 6.2.4
1. RL=∞, vo2=0.02×AVD/2=430mV RL=5.6K, Vo2’＝215mV
模拟电子技术习题
（部分）
教材：《模拟电子技术基础》（第四版） 华中理工大学 康华光主编
第二章习题解答
晶体管器件
习题2.4.3
A: D导通，VAO=－6V B: D截止，VAO=－12V C: D1导通，D2截止， VAO=0V D: D1截止， D2导通， VAO=－6V
习题2.4.4
解题的原则：先断开二极管，计算 二极管连接点的电位高低。
习题3.4.3
IB=IC/β＝1mA/20=0.05mA，
Rb=12V/0.05mA=240K，
rbe=300+26β/ICQ=820，
|AV|=βRC/rbe>=100，得RC>=4.1K。 VCE=12V-1mA×4.1K＝7.9V
习题3.4.4
1. 计算Q点： IBQ=-(12V-0.7)/0.3M=－0.038mA ICQ=-0.038β＝-3.8mA，VCEQ=-4.4V 2. H参数等效电路，图中rbe=984
习题5.2.4
(1)
PO
VO 2 RL
12.5W
PT
2 RL
(VCCVOM
V2 OM
4
) 10W
PV PO PT 22.5W
55.5%
(2) PO 25W PV 31.8W
PT 6.8W
78.5%
习题5.3.1
单电源功放的功率计算：
V2
Pom
CC
8RL
∴POM=9W , 则VCC≥24V
(a)
(b)
习题7.1.4
21. .拆R去f1R引f2虽入然电可流提串高联输负入电反阻馈，，但使整r体if提性高能，下降， 解R决f2的引办入法电是压将并Rf2联的负左端反改馈接，到使T2r集if降电低极。。
习题7.1.5
• (a): 不可能，因为是正反馈，应交 换运放正负极。
• (b)：不能，应交换R 和RL
•(a)
(b)
习题7.1.6
(1)：反馈类型：电流并联负反馈。
习题7.1.6
(2): 输出电流的计算
If
Io
R3 R2 R3
,
Fii
If Io
R3 R2 R3
Aiif
1 F
(1 R2 ) R3
Io
Aiif
• Ii
(1
R2 ) • ui R3 R1
(3)：该电路为压控电流源
习题7.1.7
第五章习题解答
功率放大器
P220 习题5.2.2 (1)：POM=VCC2/2RL=4.5W (2)：PCM≥0.2POM=O.9W (3)：每个管子的耐压:
V(BR)ceo≥24V
习题5.2.3
(1)：POM=VCC2/2RL≥9W ∴ VCC ≥12V
(2)：ICM ≥1.5A , |V(RB)CEO| ≥24V (3): PV=2VCC2/（RL）=11.5W (4) : PCM ≥1.8W (5) : Ui=8.5V
习题3.1.4
1. IC=PCM／VCE=15mA 2. 若IC=1mA，则VCE不得超
过30V。
习题3.2.1
1. 不能放大，电源接反、发射结短路。 2. 能。 3. 不能，Rb接错。 4. 不能，VCC接反
习题3.2.2
1. A位置：IB=(12-0.6)/40K=0.285mA, IC=22.8mA, VCE<0V，因此管子饱和， 实际IC=3mA
2. B位置：IB=(12-0.6)/500K=0.0228mA, IC=1.824mA, VCE=4.7V，管子工作在放 大区。
3. C位置：发射结反偏，截止，IC=0。
习题3.3.2
• (a)：放大。 • (b)：放大。 • (c)：饱和。 • (d)：截止。 • (e)：饱和。
习题3.3.6
3. ri=Rb1//Rb2//(rbe+101×2K)≈8.5KΩ, 4. Ro1=2K, Ro2=[(RS//Rb1//Rb2+rbe)/(1+β)]//Re
习题3.6.2
1. IBQ=(12-0.7)/(Rb+51×Re)=21.7µA, ICQ=βIBQ=1.086mA，VCEQ=-6.5V, rbe=1.5K
(1): 电压串联负反馈: i----h ,
j----f , d----GND , a----c
习题7.2.1 电路看成电压串联负反馈
Avvf
A 1 AF
20
若Vo=2V , 则Vi=100mV ,
Vf=99mV , Vid=1mV
习题7.4.1
电路为电压串联负反馈，ri很高，ro很低
vf
vo
R6 R5 R6
Fvv
vf vo
R6 R5 R6
Avvf
1 F
1
R5 R6
第八章习题解答 运放的应用
习题8.1.1 P375
vO
vp (1
Rf R3
)
vp
vs1
R2 R1 R2
vs2
R1 R1 R2
vo
(vs1
R2 R1 R2
vs2
R1 )(1 R1 R2
Rf R3
)
当R1 R2 R3 R f 时 : vo＝vs1 vs2
习题7.1.1, 7.1.2 (P314）
(b)：Rf1 , Rf2 , C 电压并联直流负反馈 Re1 电流串联交直流负反馈
习题7.1.1, 7.1.2 (P314） •(c): Rf, Re2电流并联交直流负反馈
习题7.1.1, 7.1.2 (P314） (d): R1, R2 电压串联交直流负反馈
2. AVD2= 21.5
Av
c3.
Ridr=be26K(1,
RC Ric)≈(1R0eM2 ,
0.0277 2Rroo2)=5.6K