光电效应测量普朗克常量实验报告
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
竭诚为您提供优质文档/双击可除光电效应测量普朗克常量实验报告
篇一:光电效应测普朗克常量实验报告
三、实验原理1.光电效应
当一定频率的光照射到某些金属表面上时,可以使电子从金属表面逸出,这种现象称为光电效应。所产生的电子,称为光电子。光电效应是光的经典电磁理论所不能解释的。当金属中的电子吸收一个频率为v的光子时,便获得这光子的全部能量hv,如果这能量大于电子摆脱金属表面的约束所需要的脱出功w,电子就会从金属中逸出。按照能量守恒原理有:
(1)
上式称为爱因斯坦方程,其中m和?m是光电子的质量和最大速度,是光电子逸出表面
后所具有的最大动能。它说明光子能量hv小于w时,电子不能逸出金属表面,因而没有光电效应产生;产生光电
效应的入射光最低频率v0=w/h,称为光电效应的极限频率(又称红限)。不同的金属材料有不同的脱出功,因而υ0也是不同的。由(1)式可见,入射到金属表面的光频率越高,逸出的电子动能必然也越大,所以即使阴极不加电压也会有光电子落入阳极而形成光电流,甚至阳极电位比阴极电位低时也会有光电子落到阳极,直至阳极电位低于某一数值时,所有光电子都不能到达阳极,光电流才为零。这个相对于阴极为负值的阳极电位
被称为光电效应的截止电压。
显然,有
代入(1)式,即有
(3)
由上式可知,若光电子能量
,则不能产生光电子。产生光电效应的最低频率是
(2)
,通常称为光电效应的截止频率。不同材料有不同的逸出功,因而也不同。由于光的强弱决定于光量子的数量,所以光电流与入射光的强度成正比。又因为一个电子只能吸收一个光子的能量,所以光电子获得的能量与光强无关,只与光子ν的频率成正比,,将(3)式改写为
(4)
上式表明,截止电压
是入射光频率ν的线性函数,如图2,当入射光的频率时,
截止电压,没有光电子逸出。图中的直线的斜率是一个正的常数:
(5)
由此可见,只要用实验方法作出不同频率下的
通过式(5)求出普朗克常数h。其中
曲线,并求出此曲线的斜率,就可以是电子的电量。
图2u0-v直线
2.光电效应的伏安特性曲线
图3是利用光电管进行光电效应实验的原理图。频率为ν、强度为p的光线照射到光电管阴极上,即有光电子从阴极逸出。如在阴极K和阳极A之间加正向电压,它使K、A 之间建立起的电场对从光电管阴极逸出的光电子起加速作用,随着电压
的增加,到达阳极的光电子将逐渐增多。当正向电压
增加到
时,光电流达到最大,不再增加,此时即称为饱和状态,对应的光电流即称为饱和光电流。
图3光电效应原理图
由于光电子从阴极表面逸出时具有一定的初速度,所以当两极间电位差为零时,仍有光电流I存在,若在两极间施
加一反向电压,光电流随之减少;当反向电压达到截止电压时,光电流为零。
图4入射光频率不同的I-u曲线图5入射光强度不同
的I-u曲线爱因斯坦方程是在同种金属做阴极和阳极,且
阳极很小的理想状态下导出的。实际上做阴极的金属逸出功比作阳极的金属逸出功小,所以实验中存在着如下问题:(1)暗电流和本底电流。当光电管阴极没有受到光线照射时也会产生电子流,称为暗电流。它是由电子的热运动和光电管管壳漏电等原因造成的。室内各种漫反射光射入光电管造成的光电流称为本底电流。暗电流和本底电流随着K、A 之间电压大小变化而变化。
(2)阳极电流。制作光电管阴极时,阳极上也会被溅
射有阴极材料,所以光入射到阳极上或由阴极反射到阳极上,阳极上也有光电子发射,就形成阳极电流。由于它们的存在,使得I~u曲线较理论曲线下移,如图6所示。
图6伏安特性曲线
五、数据记录与处理1、零电流法测h
第一组:普朗克常数:6.65×
J·s误差0.30%
第二组:普朗克常数:6.64×第三组:普朗克常数:6.64×2、补偿法测h
普朗克常数:6.68×
J·s误差0.88%
J·s误差0.26%J·s误差0.
21%
3、伏安特性曲线见下页。
六、思考讨论
1、什么是光电效应,及内,外光电效应和单光子,多
光子光电效应。
当一定频率的光照射到某些金属表面上时,可以使电子从金属表面逸出,这种现象称为光电效应。所产生的电子,称为光电子。
常说的光电效应是外光电效应,即电子从金属表面逸出。内光电效应是光电效应的一种,主要由于光量子作用,引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。光电导效应:当入射光子射入到半导体表面时,半导体吸收入射光子产生电子空穴对,使其自生电导增大。光生伏特效应:当一定波长的光照射非均匀半导体(如pn 结),在自建场的作用下,半导体内部产生光电压。
篇二:光电效应测普朗克常量实验报告
光电效应测普朗克常量实验报告
一、实验题目
光电效应测普朗克常数
二、实验目的