磁致伸缩原理
磁致伸缩位移传感器工作原理_磁致伸缩位移传感器使用注意事项
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磁致伸缩位移传感器工作原理_磁致伸缩位移传感器使用注意事项1.磁致伸缩材料(MFC):磁致伸缩位移传感器的核心是一种特殊的材料,称为磁致伸缩材料。
当磁场通过磁致伸缩材料时,会产生应变效应,即材料的长度会发生变化。
这个效应是基于磁性颗粒在外加磁场作用下的定向排列和运动。
2.磁场感应:当外加磁场施加在磁致伸缩材料上时,磁场的强度会影响磁致伸缩材料的长度。
石墨烯可以通过生长在一块多晶硅衬底上的一层石墨进行实现。
由于石墨二维,磁场在它上面的作用导致电子受到强烈的定域束缚和孤对偶,从而使磁致伸缩材料的长度发生微小的改变。
3.引导电流:为了使磁致伸缩材料产生显著的位移,通常需要在材料中通过一定的电流。
这个引导电流是通过一个绕在磁致伸缩材料周围的线圈产生的,在磁致伸缩材料上产生一个磁场,并改变材料的长度。
4.位移测量:磁致伸缩位移传感器测量的是磁致伸缩材料的长度变化,依靠测量线圈的电感变化来实现。
通常,传感器中的线圈和一个补偿线圈组成一个桥电路。
当位移发生时,线圈中的电感将发生变化,从而引起桥电路的不平衡。
通过测量桥电路的不平衡程度,可以得到磁致伸缩材料的位移。
1.温度影响:磁致伸缩位移传感器的性能受到温度的影响较大,应尽量避免将传感器暴露在过高或过低的温度环境中。
同时,应注意传感器的温度补偿特性,以确保测量结果的准确性。
2.磁场干扰:磁致伸缩位移传感器是通过磁场来产生位移的,因此传感器周围的外部磁场会对传感器的测量结果造成干扰。
应尽量将传感器远离强磁场或者通过屏蔽措施来减小磁场干扰。
3.安装位置:传感器的安装位置对测量结果的准确性有很大影响。
应尽量避免传感器受到过大的外力或振动,同时保持传感器与被测物体之间的固定距离。
4.防护措施:磁致伸缩位移传感器通常是一种精密仪器,应注意防护措施,避免传感器受到湿度、灰尘等外部环境的影响。
5.线路连接:在连接传感器的线路时,应注意正确连接线圈和桥电路,避免接触不良或短路等问题。
深圳磁致伸缩位移计工作原理
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深圳磁致伸缩位移计工作原理磁致伸缩位移计也称为LVDT,是一种用于测量物体位移的传感器。
它由一个长而细的线圈和一个铁芯组成,并通过压电调节器、放大器和示数器等组件构成一个完整的测量系统。
深圳磁致伸缩位移计工作原理如下:1.原理基础磁致伸缩位移计基于法拉第电磁感应定律,即当磁场发生变化时,会引起导线内感应电动势的变化。
2.组成结构磁致伸缩位移计由一个长而细的线圈和一个铁芯组成。
线圈通过压电调节器固定在测量物体上方,而铁芯则与测量物体连接在一起。
铁芯能够在测量物体的位移下发生伸缩。
3.工作原理当线圈中通以交流电源时,产生的磁场会经过铁芯并被线圈内的磁感应材料吸收。
在没有位移时,铁芯位于线圈中间位置,使得线圈的感应电动势为零。
当测量物体发生位移时,铁芯会相应地发生伸缩,使得线圈内磁感应材料的磁场发生变化。
这个变化的磁场会导致线圈中的感应电动势发生变化。
感应电动势的变化通过压电调节器传递给放大器。
放大器将信号进行放大和整形后,将其转换为电压输出或数字显示。
通过测量电压的变化,可以得到测量物体的位移。
4.特点和应用-高精度:可达到微米级别的精度。
-长寿命:由于无摩擦部件,不易损坏。
-宽测量范围:可测量几毫米到数十厘米的位移。
-耐用性强:适用于恶劣环境和高温条件。
磁致伸缩位移计广泛应用于工业自动化、机械测量、航空航天等领域。
常见的应用包括测量机械零件的位移、电动汽车电池的变形等。
它的高精度和可靠性使得它成为工业自动化领域中不可或缺的传感器。
磁致伸缩原理
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磁致伸缩原理
磁致伸缩原理是指在磁场的作用下,某些磁性材料会发生形变的现象。
具体而言,当磁性材料置于磁场中时,其内部磁矩会重新排列,导致材料发生形变。
这种形变往往表现为材料的缩短或延伸,即磁致伸缩效应。
磁致伸缩原理是通过磁场对磁性材料内部磁矩的作用来实现的。
在常磁性材料中,原子的磁矩通常是无规则排列的,且各个磁矩之间相互抵消。
然而,当这些材料置于外部磁场中时,部分磁矩会受到磁场影响而发生重新排列。
这种排列过程会导致材料发生微小的形变。
具体来说,当磁性材料置于磁场中时,磁矩会受到磁力的作用而发生旋转。
当磁场方向与材料的磁矩方向一致时,磁矩会被吸引,这时材料会发生收缩现象;当磁场方向与材料的磁矩方向相反时,磁矩会被排斥,这时材料会发生伸长现象。
这种通过磁场调控形变的能力使得磁致伸缩原理可以应用于各种领域。
磁致伸缩原理在实际应用中有着广泛的用途。
例如,在声音装置中,可以利用磁致伸缩原理来制造扬声器,通过改变磁场的大小和方向,控制扬声器的振动膜的形变从而产生声音。
在精密机械领域,磁致伸缩原理也可以用于制造微调器、微运动器件等,实现微小尺度的位移调节。
此外,磁致伸缩原理还可以用于传感器、执行器等领域,为实现精密度控制和高灵敏度提供了一种有效的方法。
总之,磁致伸缩原理是通过磁场对磁性材料内部磁矩的作用来
实现形变的原理。
它在不同领域有着广泛的应用,为实现精密控制和高灵敏度提供了一种有效的方法。
磁致伸缩原理范文
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磁致伸缩原理范文磁致伸缩效应(magnetostriction effect)是指在外加磁场作用下,磁性材料产生形变的现象。
这种形变是由于磁矩在磁场中的方向改变而引起的,导致晶体格点的略微位移。
磁致伸缩效应广泛应用于传感器、声学换能器、磁性材料等领域。
本文将详细介绍磁致伸缩原理的机制、应用和研究进展。
1.原理机制:磁致伸缩效应的机制可以通过磁力和电力的相互作用来解释。
磁性材料中存在着许多微观磁偶极子,当外加磁场施加到材料上时,磁偶极子会受到磁力矩的作用而发生位移。
这种位移引起了晶体格点之间的应变,从而导致磁致伸缩效应产生。
具体而言,磁矩的改变首先会引起材料的磁畴群体磁矩的重组。
磁畴的重组进一步引起晶格略微的位移和变形,从而通过材料的弹性恢复力来产生宏观的形变。
这种形变可以是线性的(磁致伸长)或非线性的(磁致收缩),具体取决于材料的特性和外加磁场的强度。
2.应用领域:磁致伸缩效应的应用范围非常广泛。
以下是一些典型的应用领域:2.1传感器:磁致伸缩效应可以用于制造磁敏感传感器。
这些传感器能够测量外加磁场的强度、方向和变化率。
在传感器中,磁性材料通过磁致伸缩效应产生的形变被传感器探头检测到,并转化为电信号输出。
2.2声学换能器:磁致伸缩效应被广泛应用于声学换能器的制造。
声学换能器可以将电能和声能相互转换。
当外加电场施加到磁性材料上时,材料会发生形变,产生声波。
反过来,当声波施加到磁性材料上时,也会产生相应的电信号。
这种相互转换的原理被应用于声波传感器、扬声器等领域。
2.3磁性材料:磁致伸缩效应在磁性材料的制备和性能调控中具有重要意义。
通过调节外加磁场的强度和方向,可以实现磁性材料的形变和变形。
磁性材料的形变性能一直是研究的热点,其应用涉及到电动机、变压器、磁记录材料等。
3.研究进展:近年来3.1磁致伸缩材料的开发:研究人员正在不断寻找新的材料用于磁致伸缩效应的应用。
例如,高磁致伸缩性能的铁氢化合物合金被发现可以用于高灵敏度传感器的制造。
磁致伸缩原理
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磁致伸缩原理
磁致伸缩原理是一种物理原理,它探讨物体在外界磁场作用下伸缩变形的原理。
它是由英国物理学家威廉希尔于1857年发明和研究的。
他认为,当物体处于磁场中时,它的形状会发生变化,这种变化物质的形状就是磁致伸缩。
磁致伸缩的基本原理就是磁场会引起物体一侧拉力,另一侧推力,这两个力量综合作用就会引起物体发生伸缩变形。
从物质性质上看,绝大多数物质都具有磁致伸缩性质,只是受到外界磁场强度的控制,伸缩率不同,比如软铁、铁和石墨等物质的伸缩率就很大,而金属的伸缩率很小。
磁致伸缩也可以用于物理实验和科学研究,比如用磁致伸缩原理来研究量子力学的量子特性,用于探究磁材料的特性,还有研究纳米材料表面上的磁场变化等。
在电子工程领域,也大量使用磁致伸缩原理,比如用于制作电子传感器、马达和磁致伸缩开关等产品,它们都可以感知到磁场变化,然后自动伸缩变形来产生动力,从而完成特定的动作。
磁致伸缩的原理和应用正在发展,它不仅可以用于科学研究,也可以用于工业生产,甚至可以作为新型能源的可能性。
未来,磁致伸缩原理能够发挥它更大的作用,改变人们的生活,也许会给我们带来更多惊喜。
综上所述,磁致伸缩原理具有很强的理论意义和实际意义,它不仅可以用于科学研究,也可以用于工业生产,甚至可以作为新型能源
的可能性。
当然,磁致伸缩原理的发展还有很长的路要走,我们期待它在未来的发展过程中能够发挥更大的作用,带给我们更多惊喜。
磁致伸缩 原理
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磁致伸缩原理
磁致伸缩是一种材料在磁场作用下发生体积变化的现象。
这种现象是由于材料内部存在磁性颗粒或晶格与局域的磁矩相互作用所导致的。
在外加磁场的作用下,磁致伸缩材料的磁矩会受到磁场力的作用,使得材料的晶格结构发生变化。
这种变化可以是材料的体积增大或缩小,取决于材料的特性和磁场的性质。
磁致伸缩现象常见于一些具有铁、镍等磁性元素的合金材料,例如镍钛记忆合金。
在这种合金中,当外加磁场消失时,磁性晶格会重新排列,材料会恢复到原始形状。
这种记忆效应使得磁致伸缩材料在各种应变传感器、声发射传感器、电动机等领域有着广泛的应用。
磁致伸缩材料的应用还可以根据其体积变化的性质来进行分类。
一类是正磁致伸缩材料,它们在磁场作用下体积增大。
另一类是负磁致伸缩材料,它们在磁场作用下体积缩小。
这两类材料都有其特定的应用场景,例如正磁致伸缩材料可以用于音频设备中的扩音器,而负磁致伸缩材料则可以用于微机电系统(MEMS)的振动控制。
总之,磁致伸缩是一种通过改变材料体积的方法来响应磁场作用的现象。
通过研究和应用这种现象,可以在各种领域中实现磁场控制下的尺寸和形状变化,从而为各种设备和系统的设计和制造提供新的可能性。
磁致伸缩传感器原理
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磁致伸缩传感器原理
磁致伸缩传感器是一种常见的物理传感器,它利用磁致伸缩效应来测量物体的形变或位移。
其工作原理可以简单分为以下几个步骤:
1. 磁致伸缩材料:磁致伸缩传感器通常由磁致伸缩材料制成,如铁磁合金。
这种材料在外加磁场作用下会发生形变,即沿着磁场方向伸长或缩短。
2. 磁场感应:传感器会产生一个磁场,并将其施加到磁致伸缩材料上。
这个磁场可以由一个磁体或电磁铁产生。
3. 磁致伸缩效应:当施加磁场时,磁致伸缩材料会发生形变。
其沿着磁场方向伸长或缩短的程度与施加的磁场强度成正比。
4. 位移测量:通过测量磁致伸缩材料的形变,可以推导出物体的位移或形变。
这可以通过附加在磁致伸缩材料上的传感器来实现,如应变片、电阻片或感应线圈等。
5. 信号处理:传感器产生的位移信号通常是微弱的,需要经过放大、滤波和数字化等处理,以便进行进一步的分析和应用。
总的来说,磁致伸缩传感器利用施加磁场后磁致伸缩材料的形变来测量物体的位移或形变。
它具有高精度、高灵敏度和快速响应的特点,广泛应用于工业自动化、测量仪器、机器人和医疗设备等领域。
《磁致伸缩原理》课件
![《磁致伸缩原理》课件](https://img.taocdn.com/s3/m/a2fb30cb6429647d27284b73f242336c1fb93063.png)
这个PPT课件将向您介绍磁致伸缩原理,包括其描述、应用、结构、制备技 术,以及研究现状和发展趋势。
磁致伸缩效应的描述
磁致伸缩效应是指当一种材料处于磁场中时,其尺寸会发生变化的现象。这种效应是由材料内部的微观 磁结构的改变引起的。
磁致伸缩效应的应用
磁致伸缩效应具有广泛的应用领域。它可以用于制造精密仪器和传感器、调节和控制设备、以及开发新 型的机械和电子元件。
目前,磁致伸缩元件的研究正在不断发展。研究人员正在致力于提高元件的 灵敏度、稳定性和可靠性,并探索更多新的应用领域。
结论
磁致伸缩原理是一项重要的科学发现,其应用潜力巨大。随着研究的深入和 技术的进步,磁致伸缩元件将在更多领域缩元件通常由磁性材料和弹性材料组成。磁性材料的磁性可以通过外部磁场来控制,从而改变元 件的尺寸。
磁致伸缩元件的制备及关键技 术
制备磁致伸缩元件的关键技术包括合金的选择和合金热处理,以及元件的加 工和装配技术。这些技术的发展对提高元件的性能至关重要。
磁致伸缩元件的研究现状和发 展趋势
磁致伸缩效
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磁致伸缩效磁致伸缩效应是指在磁场作用下,材料发生形变的现象。
这一效应广泛应用于各个领域,如传感器、执行器、声音发生器等。
本文将介绍磁致伸缩效应的原理、应用以及未来发展方向。
磁致伸缩效应的原理是基于磁场对材料内部的磁畴结构的影响。
当外加磁场作用于材料时,材料内部的磁畴结构会发生变化,从而引起材料的形变。
这种形变主要有两种类型:磁致伸长效应和磁致收缩效应。
磁致伸长效应是指材料在磁场作用下沿磁场方向发生拉伸;磁致收缩效应则是指材料在磁场作用下沿磁场方向发生收缩。
磁致伸缩效应的应用非常广泛。
其中一个重要的应用是在传感器领域。
利用磁致伸缩效应,可以制造出高灵敏度的应变传感器。
当外力作用于传感器时,传感器的形变会引起磁场的变化,从而产生电信号。
通过测量这个电信号的变化,可以得到外力的大小和方向。
这种传感器广泛应用于工程结构监测、医疗诊断等领域。
另一个重要的应用是在执行器领域。
执行器是一种将电能转化为机械能的装置。
利用磁致伸缩效应,可以制造出高精度的执行器。
当电流通过执行器时,磁场作用于材料,引起形变,从而实现机械运动。
这种执行器广泛应用于精密仪器、自动化设备等领域。
除了传感器和执行器,磁致伸缩效应还可以应用于声音发生器。
声音发生器是一种能够产生声音的装置。
利用磁致伸缩效应,可以制造出高音质的声音发生器。
当电信号通过发生器时,磁场作用于材料,引起形变,从而产生声音。
这种声音发生器广泛应用于音响设备、通信设备等领域。
尽管磁致伸缩效应已经在很多领域得到了广泛应用,但是仍然存在一些挑战和待解决的问题。
首先,目前制造磁致伸缩材料的成本较高,限制了其在大规模应用中的推广。
其次,磁致伸缩材料的性能受温度的影响较大,高温环境下其效果会大大降低。
此外,磁致伸缩效应还存在一些未解决的基础科学问题,如材料的磁畴结构调控、磁场对材料的破坏等。
为了解决这些问题,研究人员正在进行一系列的研究工作。
一方面,他们致力于开发低成本、高性能的磁致伸缩材料,以促进其在各个领域的应用。
磁致伸缩微观原理
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磁致伸缩微观原理
磁致伸缩(Magnetostriction)是指材料在磁场作用下发生微小的尺寸变化现象。
该原理是由法国科学家皮埃尔·居里发现的。
磁致伸缩微观原理可以通过以下步骤来解释:1. 在没有外部磁场作用下,材料的晶格结构是均匀和对称的。
2. 当外部磁场施加到材料上时,磁场与材料中的磁性原子相互作用,使得磁性原子的自旋和电子云发生微小的重新排列。
3. 这种重新排列导致了晶格结构的微小变形,并且导致了整个材料的线性尺寸发生变化。
4. 材料的尺寸变化与施加的磁场强度成正比,这种比例关系由材料的磁致伸缩常数决定。
磁致伸缩原理在实际应用中具有重要的意义。
例如,在磁致伸缩传感器中,通过测量材料尺寸的微小变化,可以间接地测量施加在传感器上的磁场强度。
此外,磁致伸缩材料还可以用于制造声学发电机、声学换能器等设备,利用磁场的变化来产生机械振动,实现能量转换。
磁致伸缩效应的原理及应用
![磁致伸缩效应的原理及应用](https://img.taocdn.com/s3/m/267f546db5daa58da0116c175f0e7cd1842518cf.png)
磁致伸缩效应的原理及应用1. 磁致伸缩效应的基本原理磁致伸缩效应是指当材料处于磁场中时,其长度会发生变化的现象。
这种现象是由材料内部磁畴的改变引起的。
磁致伸缩效应是磁性材料特有的现象,它的存在在实际应用中得到了广泛的利用。
常见的磁致伸缩效应材料包括镍钛形状记忆合金、铁氧体、铁磁晶体等。
这些材料的磁致伸缩效应主要来源于其磁畴的结构变化。
当材料处于磁场中时,磁畴会发生重新排列和翻转,从而导致材料的长度发生变化。
2. 磁致伸缩效应的应用磁致伸缩效应具有许多重要的应用,下面列举了其中几个典型的应用:•声音发生器磁致伸缩效应可用于制造声音发生器。
利用磁致伸缩效应,当材料受到电流或磁场的作用时,长度会发生变化,从而产生声波。
这种原理被广泛应用于扬声器、麦克风等设备中。
•磁致伸缩传感器磁致伸缩传感器是一种利用磁致伸缩效应进行测量的传感器。
通过测量材料在磁场中的长度变化,可以得到与磁场强度相关的信号。
磁致伸缩传感器具有高灵敏度、快速响应和广泛的测量范围等特点,被广泛应用于力学、物理、材料科学等领域。
•磁致伸缩器件磁致伸缩器件是利用磁致伸缩效应进行控制和驱动的装置。
通过调节磁场的强度和方向,可以控制磁致伸缩材料的长度变化。
磁致伸缩器件具有快速响应、高精度和无摩擦的特点,在精密仪器、航空航天等领域有广泛的应用。
•磁致伸缩压电材料磁致伸缩压电材料是一种将磁致伸缩效应和压电效应结合起来的新型材料。
通过施加磁场和机械力,可以实现材料的同时磁致伸缩和压电效应。
这种材料在机械传感、能量转换和医学诊断等领域具有潜在的应用价值。
3. 磁致伸缩效应的未来发展磁致伸缩效应作为一种重要的物理现象,具有广泛的应用前景。
目前,磁致伸缩效应的研究主要集中在材料的改进和应用的创新上。
未来的发展方向包括:进一步优化磁致伸缩材料的性能,提高其磁致伸缩效应的灵敏度和稳定性;开发新型磁致伸缩器件和磁致伸缩传感器,拓展其应用场景;将磁致伸缩效应与其他功能材料相结合,实现多功能集成。
磁致伸缩的原理
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磁致伸缩的原理
磁致伸缩是指在磁场存在的情况下,某些材料会发生长度的变化。
磁致伸缩原理基于磁光效应和磁敏效应。
首先,磁光效应是指在磁场中,材料的光学性质会发生变化。
具体来说,材料的折射率会随着磁场的变化而发生改变。
这种改变可以通过测量光的传播速度或透过材料的光的强度来观察。
其次,磁敏效应是指在磁场中,材料的磁性质会发生变化。
其中磁敏压电效应是一个重要的机制。
磁敏压电效应是指在磁场中,某些材料会产生电荷极化,进而引起材料表面的电势差,从而产生应变。
基于以上两种效应,磁致伸缩的原理可以解释如下:当磁场施加在具有磁敏压电性质的材料上时,磁场会改变材料的磁性质,而在材料内部会形成一个磁场梯度。
随着磁场的变化,内部的磁场梯度也会发生变化。
这个磁场梯度的变化又会影响材料的折射率,从而导致光传播速度的变化。
由于光速是有限的,当光传播速度发生变化时,就会形成光学传播延迟。
根据电磁波的性质,电磁波的传播延迟和材料的长度变化成正比关系。
因此,当磁场发生变化时,材料的长度也会相应发生变化,即产生磁致伸缩效应。
总之,磁致伸缩的原理是通过磁光效应和磁敏效应,磁场改变材料的光学和磁性质,从而导致材料的长度发生变化。
这一原理在实际应用中可以用于制备磁致伸缩材料、研究电磁波传播特性等。
磁致伸缩原理
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磁致伸缩原理
磁致伸缩原理指的是指材料在磁场作用下发生尺寸的变化。
根据这一原理,当某些材料被置于磁场中时,其尺寸会发生微小的变化,通常呈现出伸长或收缩的特征。
这种现象是由于材料内部的磁畴在磁场的作用下发生重新排列而引起的。
磁致伸缩现象是由背离完全反磁性或完全顺磁性的材料产生的。
当材料在磁场中处于铁磁态或亚铁磁态时,通过改变外部磁场的大小或方向,可使其发生一定程度的伸长或收缩。
这种变形可以是微观与宏观尺度上的,具体取决于材料的特性。
磁致伸缩的原理可通过磁畴的重新排列来解释。
当材料处于无外部磁场时,其磁畴通常是无序排列的。
然而,当外部磁场施加在材料上时,这些磁畴会重新排列,从而使材料的尺寸发生微小的改变。
这是由于磁畴重新排列所引起的磁畴壁的移动,进而导致材料产生伸长或收缩。
磁致伸缩原理有许多实际应用。
例如,磁致伸缩材料可以用于制造压电陶瓷材料,用于制造传感器和执行器等器件。
此外,磁致伸缩原理还可以应用于声音的产生和控制等领域。
通过利用材料在磁场中的伸缩特性,可以实现对声音的放大或消除。
总的来说,磁致伸缩原理是一种基于材料在磁场中发生尺寸变化的现象。
通过改变外部磁场,可以实现对材料的伸长或收缩。
这一原理在多个领域有广泛的应用,并为制造各种器件和实现声音的控制提供了新的可能性。
磁致伸缩工作原理
![磁致伸缩工作原理](https://img.taocdn.com/s3/m/430d160fe55c3b3567ec102de2bd960590c6d9f9.png)
磁致伸缩工作原理磁致伸缩是一种利用磁场引起金属材料伸长或缩短的现象和技术。
它是利用磁化的材料在磁场作用下发生磁致伸缩效应的一种应用。
磁致伸缩广泛应用在各种磁致伸缩装置中,如磁致伸缩臂、磁致伸缩悬臂、磁致伸缩驱动器等。
磁致伸缩效应是指当一块铁磁材料处于磁场中时,材料的尺寸会发生变化。
一般而言,金属材料在磁场中会出现沿着磁场方向伸长或缩短的情况。
这种磁致伸缩效应是由于磁矩的改变引起的。
当金属材料处于磁化状态时,内部的磁矩会发生改变,从而导致材料的尺寸发生变化。
磁致伸缩的工作原理可以通过以下几个步骤来解释:1.磁化:在磁致伸缩装置中,金属材料首先被磁化。
这可以通过施加一个外部磁场来实现,或者通过通电产生磁场。
这个磁场会对金属材料的原子或电子产生作用,使其内部磁矩发生变化。
2.内部磁矩变化:在磁场的作用下,金属材料内部的磁矩会发生变化。
这种变化通常是通过磁矩的转动和重新排列来实现的。
这个过程与金属中的磁畴结构相关。
3.弹性变形:磁矩的变化会导致金属材料发生弹性变形。
这是由于磁矩改变引起了金属原子之间的相互作用。
这种变形可能导致金属材料沿磁场方向伸长或缩短。
因为磁矩的改变是可逆的,所以金属材料在去除磁场后会恢复到原来的尺寸。
4.力学工作:金属材料的伸长或缩短可以用来实现力学工作。
例如,在磁致伸缩臂中,材料的伸长或缩短可以用来实现机械臂的伸缩。
这种机械臂可以在需要时伸长或缩短,从而实现对物体的抓取或放置。
总的来说,磁致伸缩是利用磁场作用于金属材料时引起的磁致伸缩效应来实现的。
它的工作原理是通过磁矩的改变引起金属材料的弹性变形,从而实现力学工作。
磁致伸缩在许多领域中有广泛的应用,如机械工程、电子技术等。
磁致伸缩位移计工作原理
![磁致伸缩位移计工作原理](https://img.taocdn.com/s3/m/e8d170286fdb6f1aff00bed5b9f3f90f77c64d4c.png)
磁致伸缩位移计工作原理
磁致伸缩位移计是一种通过测量材料在磁场中的位移或变形来获得位移信息的传感器。
磁致伸缩位移计的工作原理基于磁致伸缩效应,即当材料置于磁场中时,会发生微小的尺寸变化。
这个效应是由于外加磁场改变了材料内部的磁畴结构,导致材料的长度产生微小的变化。
磁致伸缩位移计通常由一个线圈和一个磁固定体组成。
线圈中通以交流电流,产生一个交变磁场。
磁固定体则固定在要测量位移的物体上。
当线圈中的电流变化时,会对磁固定体施加一个变化的磁场,从而引起磁固定体的微小位移或形变。
磁致伸缩位移计会测量线圈电流的变化以及磁固定体的位移或形变,然后计算出物体的位移信息。
一般来说,磁固定体的位移或形变与线圈电流的变化具有一定的线性关系。
通过标定和校准可以把电流变化转换为位移信息。
磁致伸缩位移计具有高精度、非接触、快速响应和较大测量范围等特点,常用于测量微小的位移和形变,例如机械振动、力传感器、压力传感器等应用中。
磁致伸缩原理
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磁致伸缩原理磁致伸缩原理是一种重要的物理现象,它可以帮助我们了解磁性材料的特性以及如何利用它们。
它解释了磁体在受到磁场作用时会发生变形、伸缩的现象。
磁致伸缩是指在磁场中,由于磁材料本身的特性,将磁材料压缩或伸长的一种物理现象,也叫做磁材料的磁致伸缩(magnetostriction)。
磁致伸缩原理的基本机理是,在外加磁场作用下,一种特定的磁性材料的原子的排列结构改变了,产生了一种新的构型,这就是磁致伸缩效应。
这种改变使得磁性材料的原子排列结构发生变化,从而引起了磁材料的形变或伸长。
磁致伸缩效应可以被用于构建多种磁控装置,例如电磁铁、线圈、变压器、控制环等。
这类装置具有优良的磁学性能,可以用于控制电流的产生和消耗,可以有效的控制电器电压和电流,可以调节电动机的转速,可以控制电势和控制磁铁的摩擦,可以实现安全可靠的控制系统,这都是磁致伸缩效应的重要应用。
磁致伸缩效应在电子学、机械制造和医学等多个领域都具有重要的应用。
在电子学领域,磁致伸缩效应可以用来制作电感器,它们可以测量磁场的强弱及分布;用来制作特种电磁阀或电磁控制器,它们可以用于控制流体的传输;用来制作驱动磁致伸缩装置,它们可以调节机械设备的运行转速及动作。
体外电磁治疗就是根据磁致伸缩原理,通过外部磁场来调节人体器官组织内细胞的电场,从而达到治疗疾病的目的,它也是应用磁致伸缩原理的一种重要的例子。
磁致伸缩原理的另一个重要应用是有机磁性体(OM)的研究与开发。
OM是一种具有磁致伸缩特性的有机物质,它可以在外加磁场的情况下发生变形,并且具有良好的磁控制及热稳定性。
OM具有较高的铁磁效率,其磁致伸缩率高达2.5%,可以提供高负载能力,因此可以构建新型磁控装置,用于实现高精度的控制系统。
磁致伸缩原理对于磁性材料的研究和应用具有重要的意义。
它可以帮助我们理解磁场及磁材料的特性,为我们的技术发展提供重要的理论指导,为磁性材料的开发制造提供可靠的理论依据,也是技术进步和应用创新的重要保障。
磁致伸缩测量原理
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磁致伸缩测量原理
磁致伸缩(Magnetic Magnetostrictive)测量原理是一种通过测量材料磁致伸缩效应来确定物体长度或形变的方法。
该原理基于磁致伸缩材料在外加磁场下发生形变的特性。
磁致伸缩材料通常是具有铁磁性质的晶体,其中最常用的是镍铁合金(如常见的Invar合金)。
磁致伸缩材料在外加磁场作用下,磁畴的取向会发生变化,从而引起材料的微小形变。
测量原理主要包括以下几个步骤:
1. 施加磁场:首先,在磁致伸缩材料上施加一个恒定的磁场。
2. 磁致伸缩效应:施加磁场后,材料内部的磁畴发生旋转和重组,导致材
料发生微小的尺寸变化。
这种变化是由材料的磁致伸缩特性引起的。
3. 感应线圈检测:在磁致伸缩材料附近放置感应线圈,感应线圈中的电流
会受到材料变化产生的磁场改变的影响。
通过测量感应线圈中的电流或电压变化,可以间接地得到磁致伸缩材料的形变信息。
4. 数据分析与计算:利用已知的磁致伸缩材料的特性参数,如磁致伸缩系数,可以将检测到的电流或电压变化转换为对应的长度或形变值。
磁致伸缩测量原理具有很高的精确度和稳定性,广泛应用于测量和控制领域。
它在位移传感器、应变计、压力传感器等设备中得到了广泛的应用,以实现对物体长度、形变和应力等参数的精确测量。
磁致伸缩原理
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磁致伸缩原理磁致伸缩原理是指在外加磁场的作用下,材料的长度、体积或形状发生变化的现象。
这一原理在许多领域都有着重要的应用,例如在传感器、执行器、声音和振动控制等方面都有着广泛的应用。
磁致伸缩效应最早是在1842年由法国物理学家维尔斯特德发现的。
他观察到镍和铁在磁场中的长度会发生变化,这一现象被称为磁致伸缩效应。
后来人们发现,除了镍和铁之外,许多其他金属和合金也具有磁致伸缩效应。
这一效应的发现为后来的磁致伸缩材料的研究和应用奠定了基础。
磁致伸缩效应的原理是当材料处于外加磁场中时,磁矩会发生重新排列,从而导致材料的形变。
这种形变可以是长度的变化,也可以是体积的变化。
这一效应的大小取决于材料的磁性、形状和外加磁场的强度。
通常情况下,磁致伸缩效应在铁磁性材料中表现得最为显著。
磁致伸缩材料通常被用于制造执行器和传感器。
在执行器中,磁致伸缩材料可以被用来制造磁致伸缩马达和磁致伸缩阀。
这些设备利用磁场的作用来控制材料的形变,从而实现运动控制和能量转换。
在传感器中,磁致伸缩材料可以被用来制造磁致伸缩传感器,用于测量磁场的强度和方向。
这些传感器具有灵敏度高、响应速度快的特点,可以被广泛应用于工业自动化、航空航天和医疗诊断等领域。
除了在执行器和传感器中的应用,磁致伸缩材料还可以被用于声音和振动控制。
通过在振动系统中引入磁致伸缩材料,可以实现对振动的实时控制,从而达到减小噪音和提高系统稳定性的目的。
这一技术在汽车、航空航天和建筑工程等领域都有着重要的应用前景。
总的来说,磁致伸缩原理是一种重要的物理效应,具有广泛的应用前景。
通过对磁致伸缩材料的研究和开发,可以为执行器、传感器、声音和振动控制等领域的技术进步提供重要支持。
随着材料科学和物理学的不断发展,相信磁致伸缩材料的应用前景将会更加广阔。
磁致伸缩原理
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F = 磁晶各向异性能+磁弹性能+应力能
稳定状态的条件əF/əeij=0求出应变张量eij中与应力有关的部分eij 。
eiicc 111 2 c1i2 2c c1 11 1 2 2c c1 12 2
,
eij
i j
c44
( i j )
代入到应力能公式,仅取与方向有关部分得到 应力能 F ijeij
w (r,)l(r) (112233)21 3
考虑一个形变的简单立方晶格,其应变张量的分量为exx,eyy,ezz,exy,eyz,e zx 。 当晶体有应变时,每一个自旋对同时改变键的方向和长度。为简化,首先考虑
键方向平行x-轴,即1=1, 2=3=0时
w x(r, )l(r0)(1 21 3)
H
∆( l/l )=3/2 。从0到/2 时,见右图,不同角
度,l/l –I/Is的变化曲线都不一样。
对于K1>0的立方晶体,在退磁状态下,每 个磁畴的磁化强度方向平行于‹100›方向中的一
个方向,因此平均伸长为( l /l )dem=/2,而与观 察方向无关。如果沿[100]方向磁化到饱和,则
( l/l )sat=3/2.因此
3
7 35
其中r 是原子间距。如果相互作用能为r的函数,则当自发磁化强度产生时,
晶格会发生形变,因为该相互作用将根据原子间结合键(二原子间的连线)方
向的不同,不同程度的改变键长。第一项,g( r )为交换作用项,对线性磁
致伸缩没有贡献。但是此项在体积磁致伸缩中,起着重要的作用。
S
S
r
( 键长r以及平行自旋与键的夹角 均可变的自旋对。 )
对镍:C11=2.50x1012尔格/厘米3 C12=1.60x1012尔格/厘米3 C44=1.185x1012尔格/厘米3
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体,该弹性能为
E e l1 2 C 1 ( e x 2 1 x e y 2 y e z 2 ) z1 2 C 4 ( e x 4 2 y e y 2 z e z 2 ) xC 1( e 2 ye y z ze ze z x xe xe x y)y
对简立方晶格中单位体积内所有最近邻原子对的能量相加(磁弹性能)为
E m a g e l B 1 e x x ( 1 2 1 3 ) e y y2 2 1 3 e z z3 2 1 3
B 2 ( e x y12 e y z23 e z x31 )
磁弹性能表达式
其中
B1 Nrl r0
,
B2 2Nl
用晶格应变和磁畴的磁化强度方向表示的能量,被称为磁弹性能。
体心立方晶格 面心立方晶格
8 B1 3 Nl
,
B29 8Nlrlr0
B11 2N 6lrlr0 ,
B2N2lrlr0
弹性能 由于磁弹性能是应变张量exx,eyy,ezz,exy,eyz,ezx的线性方程,所以
对于<111>方向,i=i =1 / 3 ( i= 1,2,3 ) ,
ll11 111 11 3C B424
Ni-Fe合金的磁致伸缩常数与成份的关系。虚 线是室温下的,点划线是4.2K下测量结果。
自发磁致伸缩( 体积磁致伸缩 )的机理
对于一个单畴晶体的球,在居里温度以上是顺磁球,当温度低于居 里温度,由于交换相互作用产生自发磁化,与此同时晶体也改变了形状 和体积,成为椭球,产生自发形变,即自发磁致伸缩。
场作用下的变化过程。每个磁畴内的晶格沿磁
畴的磁化强度方向自发的形变e 。且应变轴随
着磁畴磁化强度的转动而转动,从而导致样品
整体上的形变。
H
l eco2s
l
式中:e 为磁化饱和时的形变, 覌察方向(测
试方向)与磁化强度方向之间的夹角。
在退磁状态,磁畴磁化强度的方向是随机分布,其平均形变为
l /2 eco 2sin de
应力能
当铁磁晶体受外应力作用或其内部本耒存在着内应力(在制备过程中, 由高温降低下耒,一般总有内应力存在)。设应力的方向(以三个立方晶轴 为座标系)为( 1,2,3 ), 强度为 。从弹性力学可知应力张量为ij=ij ,由 应力所产生的应变张量为 eij 。总应变张量为 eij=eij0+eij ( eij0是前面讨论 的应变张量 )。因此晶体自由能中应加上应力能
各向同性的磁致伸缩的伸长量是随磁化强
度的大小而改变。以Co为例,钴是六角晶系,
C-轴为易磁化轴。磁化是通过1800畴壁位移来
完成的。假设磁场方向与C-轴的夹角为,位
移完成的磁化强度I =Iscos 。
l e
l sat
在磁场比较小时,畴壁位移完成,但是磁化强度方向仍然在易轴C
方向,因而没有磁致伸长。在高磁场下,磁化强度向外场方向转动,此
个方向,因此平均伸长为( l /l )dem=/2,而与观 察方向无关。如果沿[100]方向磁化到饱和,则
( l/l )sat=3/2.因此
l3
l 2 2
当晶体沿[100]方向磁化
整个磁化过程中完全通过畴壁位移进行。磁畴壁有900和1800两种畴壁。在低 场下,与单轴Co的情况一样1800畴壁位移对伸长没有贡献。900畴壁位移对伸长起 作用。第一种情况,在磁化过程中,首先是1800壁位移,当I 增加到Is/3时,对伸长 没有影 响。900畴壁位移开始,样品长度才会改变。
在该过程中,I =Iscos , 为Is与H之间夹角,
l3(c2o s1)
l2
3
因此有:
I 1 Is 3
时
l 0 l
I 1 Is 3
时
l
l
23IIs
2
1 3
实验结果:<111>方向磁化,磁致伸缩为负值,因此符号和大小 均依赖于磁化强度的晶体学方向,称为各向异性磁致伸缩(anisotropic magnetostriction)。沿<110>方向磁化实验结果,在磁化过程初期,由 900壁移导致一个轻微的正的伸长,而在随后的转动磁化过程中,观察 到相当大的一个收缩。
时伸长量变化
l31co2s l 2
显然,当=0时,∆( l /l )=0;也就是说,在易
(1800畴)
c
c
轴方向加磁场,从退磁状态到饱和状态样品的长
l
度没有变化。如果磁场H与易轴垂直=/2,则
H
∆( l/l )=3/2 。从0到/2 时,见右图,不同角
度,l/l –I/Is的变化曲线都不一样。
对于K1>0的立方晶体,在退磁状态下,每 个磁畴的磁化强度方向平行于‹100›方向中的一
ll C 1B 2 1 C 1 11 21 22 22 23 23 2 1 3 C B 4 2( 412122323 3131 )
得到磁致伸缩的基本关系式。对于一 些特殊方向,可以得到一些特殊关系式。 例如:磁畴的磁化强度在<100>方向,则 1=1=1 , 2=3=2=3=0
ll10 0 10 03 2C 1B 2 1C 11
F 3 21 0 0
ห้องสมุดไป่ตู้
22 22 22
11 22 33
3 1 1 1 1 2 1 2 2 3 2 33 1 3 1
ij
当100=111=s时则
F 3 2scos2
为应力方向(1,2,3 )与磁化强度矢量方向( 1,2,3 )之间的夹角。
磁致伸缩的测量方法
w (r ,) l(r ) (11 2233 )2 1 3
考虑一个形变的简单立方晶格,其应变张量的分量为exx,eyy,ezz,exy,eyz,e zx 。 当晶体有应变时,每一个自旋对同时改变键的方向和长度。为简化,首先考虑
键方向平行x-轴,即1=1, 2=3=0时
w x(r,) l(r 0 )( 1 2 1 3 )
沿着[100]方向磁化时,覌察不到各向异性磁致伸缩效应,因为Is 在整个磁化过程中,总是平行于<100>方向中的一个。
对于立方晶体
用100和111给出磁致伸缩公式
ll 3 21 0 0 1 21 22 22 23 23 2 1 3 3 1 1 11 2 1 2 2 3 2 3 3 1 3 1
晶体形变时,r = r0( 1+exx ),键的方向余弦为1=1, 2=exy/2,3=ezx/2 则
w x r l r 0 e x( x 1 2 1 3 ) l12 e x y l31 e zx
同样对y和z方向的自旋对,有
w y r l r 0 e y( y2 2 1 3 ) l23 e y zl12 e xy w z r l r 0 e z( z3 2 1 3 ) l31 e z x l23 e yz
积分愈大则交换能Ee小x,2JSiSj
,由于系统在变
化过程中总是要求自由能极小,系统处于稳定态。
因此原子间距离不会保持在d1,必须变为d2, 0
因而晶体尺寸变大。
Fe
• d2 d1 •
Fe Mn
C0
3 • Ni
Gd
d/ra
如果在曲线3的位置(曲线下降段),则尺寸收缩。
交换积分与晶格原子间距离的关系, d:晶格常数;ra:未满壳层的半径。
磁化强度方向( 1,2,3 ) , 观测方向(1,2,3)
对于各向同性的磁致伸缩,100=111= 。
l l 3 2 1 1 2 2 3 3 2 1 3 2 3 c o s 2 1 3
对于多晶材料的磁致伸缩是各向同性的,因为总的磁致伸缩是每 个晶粒形变的平均值,即使100111。假定i = i ( i =1 ,2 ,3),对不同 晶粒取向求平均,得平均纵向磁致伸缩为
5210053111
对于六角晶系
若使z-轴平行六角晶体的C-轴,则沿C-轴的形变量为
l l A1 1 22 2 1 1 2233 B 1 3 2 1 3 2 1 1 2 2 2 C 1 3 2 3 2 1 1 2 2 3 3 4 D11 2233
3
7 35
其中r 是原子间距。如果相互作用能为r的函数,则当自发磁化强度产生时,
晶格会发生形变,因为该相互作用将根据原子间结合键(二原子间的连线)方
向的不同,不同程度的改变键长。第一项,g( r )为交换作用项,对线性磁
致伸缩没有贡献。但是此项在体积磁致伸缩中,起着重要的作用。
S
S
r
( 键长r以及平行自旋与键的夹角 均可变的自旋对。 )
F = 磁晶各向异性能+磁弹性能+应力能
稳定状态的条件əF/əeij=0求出应变张量eij中与应力有关的部分eij 。
e ii c c 1 1 1 2 c 1i2 2 c c 1 1 1 12 2 c c 1 12 2
,
eij
i j
c44
( i j )
代入到应力能公式,仅取与方向有关部分得到 应力能 F e ij ij
第二项代表偶极-偶极相互作用,它依赖于磁化强度的方向,是通常线性
磁致伸缩的主要耒源,与自旋-轨道以及轨道间的作用有关的能量。第三
项及以后项虽然对磁致伸缩有贡献,但是高阶项,比第二项小得多。因此
仅考虑第二项,原子对的能量可写为
w (r,)l(r)(c2o 1 s)
3
令( 1,2,3 )为磁畴磁化强度的方向余弦,( 1,2,3 )为结合键的方向余弦 ,
因此就有: 对于 对于
I 1 Is 3
,
I1
Is 3
,
l 0 l
l
l
23IIs
13
第二种情况,900和1800壁移同时进行,则