中职《电子技术基础》期中试卷及及参考答案
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《电子技术基础》期中试卷
一、填空题(每空1分,共32分)
1、晶体二极管加一定的电压时导通,加电压时,这一导电特性成为二极管的特性。
结处于导通状态时电阻_______,处于截止状态时电阻_________。
3.用万用表“R x 1K "挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。
4.场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。
5.试判断下图中各三极管处于何种工作状态,并指出管型。
管型(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______
工作状态(1)_______(2)_______(3)_______(4)_______
称为三极管的_______电流,它反映三极管的_______,Iceo越_______越好。
7.画直流通路时,将_______视为开路,其余不变;画交流通路时将_______视为_______,将直流电源视为_______。
8.放大器的输入电阻_______,则放大器要求信号源提供_______越小,信号源负担就越轻。放大器的输出电阻_______,放大器_______越强。
二、判断题(每题2分,共14分)
l.放大器放大信号说明三极管的放大倍数起到了能量的提升作用。()
2.在基本共射极放大电路中,当电源电压Vcc增大时,若电路其他参数不变,则电压放大倍数Av值应增大。()
3.在共射极单管放大电路中,若电源电压不变,只要改变集电极电阻Rc就能改变集电极电流Ie值。()
4.共基极三极管电路只能放大电压而不能放大电流。()
5.二极管一旦反向击穿就会损坏。()
沟道的增强型绝缘栅场效应管的开启电压大于零。()
三、选择题(每题2分,共14分)
1.某同学用万用表测量一电子线路中的晶体管,测得V E=-3V,V CE=6V,V BC=,则该管是 ( )型处于放大工作状态型处于截止状态
型处于放大工作状态型处于截止状态
2.用下图所示电路测试晶体三极管时,合上开关S1、S2后,电压表读数为,毫安表没有指示,可能是下面哪一种原因 ( )
A.集电极内部开路
班级:姓名:学号:题号一二三四五六七八九总分得分
B. 发射极内部开路
C. C、E级间已击穿
D. 发射结已击穿
3.判断下图所示电路反馈元件Re引进的是 ( )
A.交流电压串联负反馈
B. 交流电流串联负反馈
C. 直流电压串联负反馈
D. 直流电流串联负反馈
4.下图中Rb是反馈元件,引入的反馈类型是 ( )
A.电流并联负反馈
B. 电压并联负反馈
C. 电流并联正反馈
D. 电压并联正反馈
5.要求放大电路输入电阻大、输出电阻小,可采用_______。要求放大电路输入电阻小,输出电阻大,可采用_______。 ( ) A.电压串联负反馈电流并联负反馈 B.电压并联负反馈电流并联负反馈C.电压串联负反馈电流串联负反馈 D.电压并联负反馈电流串联负反馈
6.单管共射放大器输入正弦电压,用示波器观察到输出波形的正半周被削顶,该放大器的静态工作点设置得 ( )
A.正常
B.偏低
C.偏高
D.无法确定
四、综合题(第一题8分,第二题12分,第三题18分,第四题8分,共40分)
1、分析下图所示电路,试判断二极管导通还是截止为什么
2、如下图(a)所示,图中若Vcc=16V,Rc=4KΩ,Rb=400KΩ,试在图(b)上用图解法求静态工作点,并求出电压放大倍数Au。
班级:姓名:学号:
3、如下图所示放大电路中,Vcc=12V,R b1=20KΩ,R b2=10KΩ,Rc=Re=R L=2KΩ,β=80,V BEQ=。
(1)画出电路的直流通路和交流通路。
(2)分析当温度下降时,电路稳定工作点过程。
(3)用自己的话阐述该电路中R b1、R b2、R e、C e这几个元件的作用。
(4)计算静态工作点
(5)若r be=1KΩ,计算电压放大倍数
4. 可调节的简易型恒温器如下图所示,R0为热敏电阻。请补画缺失的电器元件,并说明工作原理。
(5) Au=-80
附:参考答案及评分标准
一.1. 正向反向截止单向导电 2. 较小较大 3. 正负
4. 电压栅极结型绝缘栅 N
5.(1)NPN (2)NPN(3)PNP(4)PNP
(1)截止(2)放大(3)放大(4)饱和
6. 反向穿透电流热稳定性小
7. 电容容量较大的电容短路短路(短接线)
8. 越大信号电流越小带负载能力
二.×××√×√
三. CBDBA B
四.1. 二极管反偏截止
2. 画图略
3. (1)图略
(2) T↓→I CQ↓→I EQ↓→V EQ↓→V BEQ↑→I BQ↑→I CQ↑
(3)R b1限流,R b2分压,R e限流,C e减少信号损耗
(4) V BQ =4V , V EQ = , I CQ = ,I BQ =μA ,V CEQ =