功能陶瓷性能和应用
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1 2 i (4-6)
Dept. of MSE, CQU
9
每种载流子对总电导贡献的分数为:
ti
i
(4-7)
式中ti称为迁移数。显然,各迁移数的综合必然等于1:
t1t2ti1
(4-8)
因此从本质上来说,阐明并控制陶瓷中电导的问题,主要是包括 描述每种可能的载流子浓度和迁移率,然后把这些贡献加起来, 得到总电导率。
杂质载流子的电导活化能比正常晶格上离子的要低得多。在低 温时,即使杂质数量不多也会造成很大的电导率。在低温时,杂 质电导其主导作用,高温时本征电导起主导作用。
玻璃基本上是离子电导,电子电导可忽略。玻璃结构较松散, 电导活化能比晶体低,其电导率比相同组成的晶体大。陶瓷通常 由晶相和玻璃相组成,其导电性在很大程度上决定于玻璃相。
敏感陶瓷:
热敏陶瓷、气敏陶瓷、 湿敏陶瓷、压敏陶瓷、 光敏陶瓷
磁功能陶瓷:
软磁铁氧体、硬磁铁氧 体、记忆用铁电体
光功能陶瓷:
透明陶瓷、透明铁电陶 瓷
功能陶瓷
生物及化学功能陶 瓷:
载体用陶瓷、催化用 陶瓷、生物陶瓷
功能陶瓷的分类
Dept. of MSE, CQU
3
4.1 电功能陶瓷
4.1.1 陶瓷材料的导电性与导电陶瓷
导带上,引起电的传导。对于半导体,电导率与温度间有以下关
系:
0
exp( E) 2kT
(4-1)
0 为常数, E 称为激活能,由上式可看出,半导体的电导
率随温度身高而增加。
Dept. of MSE, CQU
7
一般而言,陶瓷材料中的带电粒子可能有:正离子、负离子、 电子和空穴。研究陶瓷材料的导电性时,需要引入以下参数:带
❖ 陶瓷材料多由离子键和共价键组成,键结合牢固,大部分 陶瓷的禁带宽度宽,为绝缘材料(例如氧化铝、氧化硅、氮 化硅等)。 如果对绝缘陶瓷进行掺杂,或者制备非化学计量 比化合物,可以得到半导体陶瓷,如NiO(Li)、SnO2-x等。另 外,有的陶瓷材料离子性较强,晶格中可以有自由移动的离 子参与导电,如AgI等。
Dept. of MSE, CQU
ห้องสมุดไป่ตู้
5
❖陶瓷导电特点
迁移率和电导率
在定向电场的作用下,某些带电粒子(载流子)的漂移和 扩散使材料具有导电能力。载流子在晶体中作定向漂移时会遭 受各种散射,影响载流子迁移。在不同温度下,各种散射机制 起的作用不同。材料中载流子浓度和其迁移率是影响陶瓷导电 能力的重要因素。
金属导体的能带没有完全被价电子填满,借助于外电场的作用, 价电子获得能量并跃迁到导带上能量较高的空能级上,引起电子 的定向运动,金属中的载流子全部是电子。由于热运动会阻碍电 子定向移动,因此随温度升高,金属的导电能力下降。
Dept. of MSE, CQU
6
在本征半导体中不存在自由电子,但价带与导带间的禁带宽度 比较小,价带上的电子接受了足够的能量时,可以从价带跃迁到
Dept. of MSE, CQU
12
缺陷对陶瓷导电的影响
晶体缺陷对陶瓷导电行为的影响比较复杂。陶瓷中点缺陷对材 料电性能影响较大,一般都是陶瓷材料的电导有所增加。
例如立方ZrO2,其结构中的正离子作立方密堆积,负离子占据全部 四面体间隙,而全部八面体间隙空着,这就便于其他例子在其间移动。 如果在立方ZrO2中加入8at%的Y2O3,Y3+部分替代Zr4+后在晶格中形成部 分氧离子空位,可使ZrO2的立方相在低温时稳定和称为离子导电的固体 电解质。
Dept. of MSE, CQU
4
❖ 对于传统陶瓷,人们利用陶瓷材料的电性能主要是其绝缘 性能;而对于先进陶瓷材料,除了其绝缘性能外,人们更关 心的是陶瓷材料的导电能力。目前高温超导氧化物的导电能 力已超过金属,得到应用的先进陶瓷材料的电导率覆盖了从 良导体到绝缘体的范围。
❖ 陶瓷材料的导电机制比较复杂,其导电性能与材料组成、 掺杂、微结构、晶体缺陷、制备工艺及后处理过程等密切相 关。
Dept. of MSE, CQU
10
几种化合物中正负离子和电子或空穴的迁移数
Dept. of MSE, CQU
11
传统硅酸盐陶瓷、氧化物陶瓷是离子晶体。在离子晶体中,离 子导电和电子导电都存在。但一般情况下,以离子导电为主,电 子导电很微弱。然而,材料含变价离子,生成非化学计量化合物 或引入不等价杂质时,将产生大量自由电子或空穴,电子导电增 强,称为半导体。离子晶体热缺陷造成的离子电导称为本征离子 电导,杂质造成的离子电导称为杂质电导。
和点缺陷不同,位错、层错、晶界等晶体缺陷一般会降低陶瓷 材料的导电性。
Dept. of MSE, CQU
13
掺杂可能改变陶瓷材料的导电性。
例如在ZnO中掺杂Al3+ 可以增加材料的导电性,原因是当三价的铝 替代了二价的锌后,原先二价锌的位置上变成了三价的离子。为了保持 电中性,使得Al3+附近的锌变成了一价,而一价锌是不稳定的,又会变 成二价的锌,同时放出一个电子,增加了材料的导电性。
电导率定义为单位电场下带电粒子的电流密度:
j nZev
EE
(4-3)
Dept. of MSE, CQU
8
载流子迁移率定义为单位电场下带电粒子的漂移速度:
v E
(4-4)
结合(4-3)和(4-4),第i种带电粒子对导电的贡献为:
i niZiei
(4-5)
这个公式将实验上可测量到的电导率与微观量——载流子浓 度和载流子迁移率联系在一起。如果考虑不同载流子的贡献,材 料的总电导率是各种载流子电导率的总和。
电粒子的种类(正离子、负离子、电子、空穴)、带电粒子的浓
度ni和每个粒子的带电量Zie(Z为粒子带电价态)、在所加电场E 下某种带电粒子(载流子)的漂移速度vi,以及加电场后这种带电 粒子的电流密度ji。电流密度j定义为单位时间内通过单位面积迁移 的电荷量。ji可由下式给出:
ji niZievi
(4-2)
功能陶瓷性能和应用
❖ 功能陶瓷主要是指利用除机械性能外的陶瓷的其它 物理性能,包括导电和半导体性能、绝缘性和介电性、 磁性和热学性能、各种敏感特性,机、电、磁、光、 热等物理性能之间的耦合和转换效应,以及化学和生 物效应制成的一大类材料。
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2
电功能陶瓷:
绝缘陶瓷、介电陶瓷、 铁电陶瓷、压电陶瓷、 半导体陶瓷、快离子导 体陶瓷、高温超导陶瓷
Dept. of MSE, CQU
9
每种载流子对总电导贡献的分数为:
ti
i
(4-7)
式中ti称为迁移数。显然,各迁移数的综合必然等于1:
t1t2ti1
(4-8)
因此从本质上来说,阐明并控制陶瓷中电导的问题,主要是包括 描述每种可能的载流子浓度和迁移率,然后把这些贡献加起来, 得到总电导率。
杂质载流子的电导活化能比正常晶格上离子的要低得多。在低 温时,即使杂质数量不多也会造成很大的电导率。在低温时,杂 质电导其主导作用,高温时本征电导起主导作用。
玻璃基本上是离子电导,电子电导可忽略。玻璃结构较松散, 电导活化能比晶体低,其电导率比相同组成的晶体大。陶瓷通常 由晶相和玻璃相组成,其导电性在很大程度上决定于玻璃相。
敏感陶瓷:
热敏陶瓷、气敏陶瓷、 湿敏陶瓷、压敏陶瓷、 光敏陶瓷
磁功能陶瓷:
软磁铁氧体、硬磁铁氧 体、记忆用铁电体
光功能陶瓷:
透明陶瓷、透明铁电陶 瓷
功能陶瓷
生物及化学功能陶 瓷:
载体用陶瓷、催化用 陶瓷、生物陶瓷
功能陶瓷的分类
Dept. of MSE, CQU
3
4.1 电功能陶瓷
4.1.1 陶瓷材料的导电性与导电陶瓷
导带上,引起电的传导。对于半导体,电导率与温度间有以下关
系:
0
exp( E) 2kT
(4-1)
0 为常数, E 称为激活能,由上式可看出,半导体的电导
率随温度身高而增加。
Dept. of MSE, CQU
7
一般而言,陶瓷材料中的带电粒子可能有:正离子、负离子、 电子和空穴。研究陶瓷材料的导电性时,需要引入以下参数:带
❖ 陶瓷材料多由离子键和共价键组成,键结合牢固,大部分 陶瓷的禁带宽度宽,为绝缘材料(例如氧化铝、氧化硅、氮 化硅等)。 如果对绝缘陶瓷进行掺杂,或者制备非化学计量 比化合物,可以得到半导体陶瓷,如NiO(Li)、SnO2-x等。另 外,有的陶瓷材料离子性较强,晶格中可以有自由移动的离 子参与导电,如AgI等。
Dept. of MSE, CQU
ห้องสมุดไป่ตู้
5
❖陶瓷导电特点
迁移率和电导率
在定向电场的作用下,某些带电粒子(载流子)的漂移和 扩散使材料具有导电能力。载流子在晶体中作定向漂移时会遭 受各种散射,影响载流子迁移。在不同温度下,各种散射机制 起的作用不同。材料中载流子浓度和其迁移率是影响陶瓷导电 能力的重要因素。
金属导体的能带没有完全被价电子填满,借助于外电场的作用, 价电子获得能量并跃迁到导带上能量较高的空能级上,引起电子 的定向运动,金属中的载流子全部是电子。由于热运动会阻碍电 子定向移动,因此随温度升高,金属的导电能力下降。
Dept. of MSE, CQU
6
在本征半导体中不存在自由电子,但价带与导带间的禁带宽度 比较小,价带上的电子接受了足够的能量时,可以从价带跃迁到
Dept. of MSE, CQU
12
缺陷对陶瓷导电的影响
晶体缺陷对陶瓷导电行为的影响比较复杂。陶瓷中点缺陷对材 料电性能影响较大,一般都是陶瓷材料的电导有所增加。
例如立方ZrO2,其结构中的正离子作立方密堆积,负离子占据全部 四面体间隙,而全部八面体间隙空着,这就便于其他例子在其间移动。 如果在立方ZrO2中加入8at%的Y2O3,Y3+部分替代Zr4+后在晶格中形成部 分氧离子空位,可使ZrO2的立方相在低温时稳定和称为离子导电的固体 电解质。
Dept. of MSE, CQU
4
❖ 对于传统陶瓷,人们利用陶瓷材料的电性能主要是其绝缘 性能;而对于先进陶瓷材料,除了其绝缘性能外,人们更关 心的是陶瓷材料的导电能力。目前高温超导氧化物的导电能 力已超过金属,得到应用的先进陶瓷材料的电导率覆盖了从 良导体到绝缘体的范围。
❖ 陶瓷材料的导电机制比较复杂,其导电性能与材料组成、 掺杂、微结构、晶体缺陷、制备工艺及后处理过程等密切相 关。
Dept. of MSE, CQU
10
几种化合物中正负离子和电子或空穴的迁移数
Dept. of MSE, CQU
11
传统硅酸盐陶瓷、氧化物陶瓷是离子晶体。在离子晶体中,离 子导电和电子导电都存在。但一般情况下,以离子导电为主,电 子导电很微弱。然而,材料含变价离子,生成非化学计量化合物 或引入不等价杂质时,将产生大量自由电子或空穴,电子导电增 强,称为半导体。离子晶体热缺陷造成的离子电导称为本征离子 电导,杂质造成的离子电导称为杂质电导。
和点缺陷不同,位错、层错、晶界等晶体缺陷一般会降低陶瓷 材料的导电性。
Dept. of MSE, CQU
13
掺杂可能改变陶瓷材料的导电性。
例如在ZnO中掺杂Al3+ 可以增加材料的导电性,原因是当三价的铝 替代了二价的锌后,原先二价锌的位置上变成了三价的离子。为了保持 电中性,使得Al3+附近的锌变成了一价,而一价锌是不稳定的,又会变 成二价的锌,同时放出一个电子,增加了材料的导电性。
电导率定义为单位电场下带电粒子的电流密度:
j nZev
EE
(4-3)
Dept. of MSE, CQU
8
载流子迁移率定义为单位电场下带电粒子的漂移速度:
v E
(4-4)
结合(4-3)和(4-4),第i种带电粒子对导电的贡献为:
i niZiei
(4-5)
这个公式将实验上可测量到的电导率与微观量——载流子浓 度和载流子迁移率联系在一起。如果考虑不同载流子的贡献,材 料的总电导率是各种载流子电导率的总和。
电粒子的种类(正离子、负离子、电子、空穴)、带电粒子的浓
度ni和每个粒子的带电量Zie(Z为粒子带电价态)、在所加电场E 下某种带电粒子(载流子)的漂移速度vi,以及加电场后这种带电 粒子的电流密度ji。电流密度j定义为单位时间内通过单位面积迁移 的电荷量。ji可由下式给出:
ji niZievi
(4-2)
功能陶瓷性能和应用
❖ 功能陶瓷主要是指利用除机械性能外的陶瓷的其它 物理性能,包括导电和半导体性能、绝缘性和介电性、 磁性和热学性能、各种敏感特性,机、电、磁、光、 热等物理性能之间的耦合和转换效应,以及化学和生 物效应制成的一大类材料。
Dept. of MSE, CQU
2
电功能陶瓷:
绝缘陶瓷、介电陶瓷、 铁电陶瓷、压电陶瓷、 半导体陶瓷、快离子导 体陶瓷、高温超导陶瓷