电子技术基础知识培训图文
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电子技术基础—数字部分康光华主编课件
③ 状将态数表码1101右移串行输入给寄存器（串行输入是 指逐位依次输入）。
在接收数码表前5-2，从4位输右入移端位输寄入存器一状个态负表脉冲把各触
发器置为0状态（称为清零）。
CP顺序
输 入DSR
输出 Q0 Q1 Q2 Q3
0
1
0000
1
1
1000
2
0
1100
3
1
0110
4
0
1011
5
0
0101
6
0
19
表5-4 74LS194功能表
结论：清零功能最优先（异步方式）。 计数、移位、并行输入都需CP的↑到来（同步方式）
2019/10/13
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工作方式控制端
M1 M0
功能
M1M0区分四种功能。
00
01
保持 右移
10
左移
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1 1 并行置数 21
5.1.3 寄存器的应用实例
1．数数据据显显示示锁锁存存器器； 数显示值序构数在。通列成码许常脉的计多以串冲数设84／信器备21并号…中B与发…C常D并生需码／器要计串；显数转示，换计并；数以器七的段计数数码值显，示计器
单拍工作方式：不需清除原有数据，只要CP↑一 到达，新的数据就会存入。
常用4D型触发器74LS175、6D型触发器74LS174、 8D型触发器74LS374或MSI器件等实现。
2019/10/13
8
2．由D型锁存器构成的数码寄存器 （1）锁存器的工作原理
送数脉冲CP为锁存 控制信号输入端， 即使能信号（电平
问题：如果计数器的计数速度高，人眼则无法 辨认显示的字符。
措施：在计数器和译码器之间加入锁存器，就 可控制数据显示的时间。
光电子技术基础14_图文_图文
5. 通量阈Pth和噪声等效功率 NEP
从灵敏度R的定义式
可见，如果P＝0，应有i=0 实际情况是，当P＝0时，光电探测器的输出电流并不为零。 这个电流称为暗电流或噪声电流，记为
它是瞬时噪声电流的有效值。 显然，这时灵敏度R巳失去意义，我们必须定义一个新参量 来描述光电探测器的这种特性。
光功率Ps和Pb分别为信号和背景光功率。 即使Ps和Pb都为零，也会有噪声输出。 噪声的存在，限制了探测微弱信号的能力。 通常认为，如果信号光功率产生的信号光电流is等于噪声 电流in，那么就认为刚刚能探测到光信号存在。
⑶涂膜式 在玻璃基片上直接涂上光敏材料膜后而制成。其结构下图。
四、光敏电阻的 特点
1、优点：
灵敏度高，光电导增益大于1，工作电流大，无极性之分 光谱响应范围宽，尤其对红外有较高的灵敏度 所测光强范围宽，可测强光、弱光
2、不足：
强光下光电转换线性差
光电导弛豫时间长
受温度影响大
光电池
硅光电池结构示意如
2. 光谱灵敏度Rλ
条于件是光下光功不谱率变灵谱的敏密情度度R况λ定R下λ由义，于为光光电电流探将测是器光的波光长谱的选函择数性，，记在为其iλ，它
Rλ是常数时，相应探测器称为无选择性探测器(如光热探测 器)，光子探测器则是选择性探测器。
通常给出的是相对光谱灵敏度Sλ定义为
Rλm是指Rλ的最大值，Sλ为无量纲，随λ变化的曲线称为光 谱灵敏度曲线。
依照这一判据，定义探测器的通量阈Pth为
a
例。：即若小于Ri=01.000μ1A微/μ瓦W的，信in=号0.光01功μA率，不则能通被量探阈测P器th＝所0得.00知1μ，W所
以，通量阈是探测器所能探测的最小光信号功率。
电路与模拟电子技术技术基础_图文
线性：VCR曲线为通过原点的直线。 否则，为非线性。
非时变(时不变)： VCR曲线不随时间改变而 改变。 否则，为时变。 即： VCR曲线随时间改变而改变。
电阻元件有以下四种类型：
u-i特性 时不变 时变
线性 u
i u t1 t2
i
非线性 u i
u t1 t2 i
电阻实物
精密型金属膜电阻器
金属氧化皮膜电阻器
直流电流——大小、方向恒定， 用大写字母 I 表示。
参考方向--人为假设，可任意设定，但 一经设定，便不再改变。
参考方向的两种表示方法：
1 在图上标箭头； i
2 用双下标表示
a
b
在参考方向下，若计算值为正，表明
电流真实方向与参考方向一致；若计
算值为负，表明电流真实方向与参考
方向相反。
1.2.2 电压和电压的参考方向
信号处理 (中间环节)
接受转换信 号的设备
(负载)
1.2 电 路 变 量
1.2.1 电流和电流的参考方向
电流方向—正电荷运动的方向
电流参考方向—任选一方向为电流正方向。
如：
a
I
ba
I
b
正值
负值
严格定义：电荷在导体中的定向移动形 成电流。电流强度，简称电流i(t)，大 小为：
单位：A ， 1安 = 1 库 / 秒
当
(R=0)时，相当于导线,“短路”
注意：u与 i 非关联时 ，欧姆定理应改写为
例 分别求下图中的电压U或电流I。
3A 2 +U 解：关联
I2 + -6V -
非关联
瞬时功率：
电阻是耗能元件，
是无源元件。
精品课件-电路与电子技术(第二版)(路松行)-第6章
第6章 三相交流电路
17
显然，线电压和相电压相等，即
U AB Ua , U BC Ub, UCA Uc从图6.5知，线电Fra bibliotek和相电流的关系为
IA Iab Ica IB Ibc Iab
IC Ica Ibc
(6.7) (6.8)
第6章 三相交流电路
18
图6.7 三角形连接线电流和相电流的相量关系
第6章 三相交流电路
22
6.3.1 单相负载 单相负载主要包括照明负载、生活用电负载及一些单相设备。
单相负载常采用三相中引出一相的供电方式。为保证各个单相负载 电压稳定，各单相负载均以并联形式接入电路。在单相负荷较大时， 如大型居民楼供电，可将所有单相负载平均分为三组，分别接入A、 B、C三相电路，如图6.8所示，以保证三相负载尽可能平衡，提高 安全供电质量及供电效率。
第6章 三相交流电路
1
第6章 三相交流电路
➢6.1 三相交流电的产生 ➢6.2 三相电源的连接 ➢6.3 三相电源和负载的连接 ➢6.4 三相电路的计算 ➢6.5 三相电路的功率 ➢6.6 安全用电知识 ➢习题6
第6章 三相交流电路
2
6.1 三相交流电的产生
目前在工农业生产和民用电力系统中，电能几乎都是由三相电 源提供的，日常生活中所用的单相交流电也取自三相交流电的一相。
三相交流电是由三相发电机产生的，三相发电机主要由定子和 转子组成，如图6.1所示。
第6章 三相交流电路
3
图6.1 三相发电机示意图
第6章 三相交流电路
4
H定子是固定不动的部分，在定子的槽中嵌入三组线圈， 即AX、BY和CZ。三组线圈的首端分别记为A、B、C，末端分别 记为X、Y、Z。每组线圈称为一相，每相线圈的匝数、形状、 参数都相同，在空间上彼此相差120°。转子是一个可以旋转 的磁极，由永久磁铁或电磁铁组成。在发电机工作时，转子在 外部动力带动下以角速度ω旋转，三个定子绕组都会感应出随 时间按正弦规律变化的电势，这三个电势的振幅和频率相同， 且由于三组线圈在空间位置上相差120°，故相位差互为120°。 我们称这组电源为正弦三相对称电压源，将其表示为
低压电工安全培训课件电工基础
6
1.半导体有以下独特性能：
通过掺入杂质可明显地改变半导体的 电导率。
温度可明显地改变半导体的电导率。即热敏效 应 光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生 电动势，这就是半导体的光电效应。
与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的 ，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后 ，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体技术 的发现应用，使电子技术取得飞速发展，
小容量的电容，通常在高频电路中使用；大容量的电容 往往是作滤波和存储电荷用。电解电容为有极性电容，分 正、负极，一般电源电路的低频滤波均采用电解电容，其 正向漏电流较小，而反向漏电流较大，所以在电路中要注 意极性不能接反，否则会因漏电流大引起爆炸损坏。
19
电容的充放电：把电容器的两个电极分别接在电源 的正、负极上，过一会儿把电源断开，两个引脚间 仍然会有残留电压，这是因为电容器储存了电荷， 电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程 称为电容器的充电。而电容器储存的电荷向电路释
uC Us (1 e RC )
iC
C duC dt
Us R
t
e RC
21
放电过程分析：其中 RC 称为电路充放电时间常数，
它是反映充放电快慢的一个参数。
t
uC U oe RC
iC
C
duC dt
Uo R
t
e RC
以上是电容在直流电路瞬态过渡充放电过程的简单分析
，从波形图可以看出，其充电电流超前电压。
16
二、电容
1.电容器结构原理：
在电子电路中，电容器是必不可少的电子器件 ；在电力生产中，电力电容器也是广泛应用。简 单地说，电容器就是一种储存电荷的容器，他不 消耗能量。电容器通常简称为电容，用字母“C” 表示。其基本结构是由两片靠得较近的金属片， 中间隔以绝缘物质而组成，两金属片为电容得极 板，中间的绝缘物质为介质，
1.半导体有以下独特性能：
通过掺入杂质可明显地改变半导体的 电导率。
温度可明显地改变半导体的电导率。即热敏效 应 光照不仅可改变半导体的电导率，还可以产生 电动势，这就是半导体的光电效应。
与金属和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的 ，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后 ，半导体的存在才真正被学术界认可。半导体技术 的发现应用，使电子技术取得飞速发展，
小容量的电容，通常在高频电路中使用；大容量的电容 往往是作滤波和存储电荷用。电解电容为有极性电容，分 正、负极，一般电源电路的低频滤波均采用电解电容，其 正向漏电流较小，而反向漏电流较大，所以在电路中要注 意极性不能接反，否则会因漏电流大引起爆炸损坏。
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电容的充放电：把电容器的两个电极分别接在电源 的正、负极上，过一会儿把电源断开，两个引脚间 仍然会有残留电压，这是因为电容器储存了电荷， 电容器极板间建立起电压，积蓄起电能，这个过程 称为电容器的充电。而电容器储存的电荷向电路释
uC Us (1 e RC )
iC
C duC dt
Us R
t
e RC
21
放电过程分析：其中 RC 称为电路充放电时间常数，
它是反映充放电快慢的一个参数。
t
uC U oe RC
iC
C
duC dt
Uo R
t
e RC
以上是电容在直流电路瞬态过渡充放电过程的简单分析
，从波形图可以看出，其充电电流超前电压。
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二、电容
1.电容器结构原理：
在电子电路中，电容器是必不可少的电子器件 ；在电力生产中，电力电容器也是广泛应用。简 单地说，电容器就是一种储存电荷的容器，他不 消耗能量。电容器通常简称为电容，用字母“C” 表示。其基本结构是由两片靠得较近的金属片， 中间隔以绝缘物质而组成，两金属片为电容得极 板，中间的绝缘物质为介质，
《电子技术基础》中国劳动与社会保障出版社第四版100P.
二极管的反向伏安特性图 7、总结实验，由图可见： 5、按照下表缓慢增大稳压电源的输出电压，直到电流表读数显著增大为止 （1）、反向电压小于某个电压值时I很小，二极管截止。 （输2出）电、压反（向V电）压1达0 到2某0 个3电0 压4值0 时5I0急6剧0增7大0，8二0极9管0 击1穿00。110 120 （电3流）读、数反向(m电A)压达到击穿电压后，时间一长二极管将会烧毁。
连接线若干
二极管
再把二极管反 请分析得灯出泡什亮么吗结？论？
过来接试试看
《电子技术基础》教案
P
PN结（即二极管）的基本特性
返回目录
实验结论： PN结具有单向导电性
电流只能单个方向流过PN结，只能由P区流 向N区，即从二极管正极流向负极。
N
＋
—
正向偏置——导通；
反向偏置——截止
《电子技术基础》教案
二极管的检测
返回目录
2、测量正向电阻.对于指针式万用表，黑表笔连接着万用表
3、测量反向电阻.测反向电阻时红表笔接二极管的正极，如 图 内部电池的正极，所以是黑表笔流出电流，因此测正向电阻时 黑表笔接二极管的正极，如图
正常的二极管正 反向电阻值较很小大，指针摆不幅摆大动
《电子技术基础》教案
返回目录
作业
P 型半导体：在本征半导体内掺入少量三价元素杂质（如硼）形成。
N 型半导体：在本征半导体内掺入少量五价元素杂质（如磷）形成。
二极管的符号 ＋
—
把P型P半型导半体导和体N型或半者导N 体型结半合导到体一虽块然，具交备界导处电形能成力一，个但很单特纯殊的的一薄块层P ，
型称半为导PN体结或，者有一 特块殊的N型导半电导性体能还，是这没是有制实造用半价导值体。器件的基础。
杜德昌电工电子技术基础与技能73稳压电路_图文
（2）用万用表测电容两端电压，然后改变输入直流电压的大小，观察 万用表的读数，记录结果并做比较。
（3）将CW7805换成CW7905，重做实验。
三、 集成稳压器
总结
（1）改变输入电压大小，输出电压不变化——稳压。 （2）应注意CW7805与CW7905接电路时管脚的不同接法。 （3）在输入端接电容用于旁路干扰信号，输出端接电容用来消除
不变）
[动画演示]：硅稳压管稳压电路工作过程
二、串联型稳压电路
1．电路实验
串联型稳压电路由四部分组成
二、串联型稳压电路
分组试验 总结
[做中教]：串联型直流稳压电路仿真实验
二、串联型稳压电路
学生分组实验
（1）利用仿真电路：调节负载电阻RL的大小，观察直流电压表读数 的变化情况。
（2）调节RP可变电阻的大小，观察直流电压表计数的变化情况。 （3）对两种情况进行比较总结观察演示的结果，思考原因。
三、 集成稳压器
（2）管脚识读 CW117××/ W217××/ W317××系列为正电压输 出、CW137××/ W237××/ W337××系列为负电压输出。
可调端
输入端
输出端
（a）17系列
可调端 输入端
输出端
（b）37系列
三、 集成稳压器
（3）电路接法 CW317、CW337系列电路接法分别如图所示。
一、硅稳压管稳压电路
2．工作过程
设RL不变，若电网电压U1升高时，则整流输出电压上U2升， 导致VZ及RL两端的电压上升。只要UL有很少增加，IZ就会显著 增加，又使R中电流IR增大，R上的电压降UR显著增加。
因UL =U2-UR，所以UL又下降，保持稳定。其过程可表示为：
设电网电压不变，则U2亦不变，若由于负载变化使UL下降， 则IZ减小，导致R中的电流IR减小，UR下降，所以UL又上升，保 持输出电压稳定。其过程为：
（3）将CW7805换成CW7905，重做实验。
三、 集成稳压器
总结
（1）改变输入电压大小，输出电压不变化——稳压。 （2）应注意CW7805与CW7905接电路时管脚的不同接法。 （3）在输入端接电容用于旁路干扰信号，输出端接电容用来消除
不变）
[动画演示]：硅稳压管稳压电路工作过程
二、串联型稳压电路
1．电路实验
串联型稳压电路由四部分组成
二、串联型稳压电路
分组试验 总结
[做中教]：串联型直流稳压电路仿真实验
二、串联型稳压电路
学生分组实验
（1）利用仿真电路：调节负载电阻RL的大小，观察直流电压表读数 的变化情况。
（2）调节RP可变电阻的大小，观察直流电压表计数的变化情况。 （3）对两种情况进行比较总结观察演示的结果，思考原因。
三、 集成稳压器
（2）管脚识读 CW117××/ W217××/ W317××系列为正电压输 出、CW137××/ W237××/ W337××系列为负电压输出。
可调端
输入端
输出端
（a）17系列
可调端 输入端
输出端
（b）37系列
三、 集成稳压器
（3）电路接法 CW317、CW337系列电路接法分别如图所示。
一、硅稳压管稳压电路
2．工作过程
设RL不变，若电网电压U1升高时，则整流输出电压上U2升， 导致VZ及RL两端的电压上升。只要UL有很少增加，IZ就会显著 增加，又使R中电流IR增大，R上的电压降UR显著增加。
因UL =U2-UR，所以UL又下降，保持稳定。其过程可表示为：
设电网电压不变，则U2亦不变，若由于负载变化使UL下降， 则IZ减小，导致R中的电流IR减小，UR下降，所以UL又上升，保 持输出电压稳定。其过程为：
电子技术第三章集成电路-107页精品文档
3.1 集成运放的简介
集成电路简介
*集成电路:是把整个电路的各个元件以及相互之间的联接 同时制造在一块半导体芯片上, 组成一个不可分的整体。 *集成运算放大器:是一种具有很高放大倍数的多级直接耦 合放大电路。是发展最早、应用最广泛的一种模拟集成电 路。 *集成电路优点:工作稳定、使用方便、体积小、重量轻、 功耗小,可靠性高、价格低。 *集成电路分类：模拟集成电路、数字集成电路；小、中、 大、超大规模集成电路；
A u d u i1 1 u o u i2 d 2 u u o 1 i1 2 i i b b R R b c / R r b / L e 2 R R b c /r R b / Le
输入和输出方式
1. 双端输入、双端输出:输入输出端没有接地.
(1)差模电压放大倍数 :
Aud1
(Rc
//
RL 2
Rb rbe
)
+ V CC
Rc + uo - Rc
(2)共模电压放大倍数
Rb T1
+
u-o 1
RL
+
u-o 2
T2 Rb
Auc 0
+
(3)差模输入电阻
u i1
R i d 2R brbe
3.3 差动放大电路
典型结构与原理
*原理分析要点:(1)差分放大电路的静态和动态计算方法与
基本放大电路基本相同。为了使差分放大电路在静态时,其
输入端基本上是零电位，将Re从接地改为接负电源－VEE。 (2)分析方法要注意2个等效关系:①对每个三极管Re等效2
倍Re,②差模输入的虚地问题.
+ V CC
《电子技术基础》2.1 单相整流电路.pptx
感谢你的聆听
20
谢谢
2019-10-31
感谢你的聆听
21
3
一、说教材
1、本节的作用
整流电路是直流稳压电源电路的第一个环 节，也是关键的一个环节。单相桥式整流电路 是整流电路中的一种，由于其优点明显，实用 性强，在大、中、小型各种实际电路中都有十 分广泛的应用。通过对本节内容的学习，使学 生对二极管的性质更深一步的了解，同时它是 学好滤波电路和稳压电路的基础。
2019-10-31
感谢你的聆听
17
课堂小结
1、单相桥式整流电路的组成、工作原理； 2、电路主要参数的计算； 3、电路特点（与单相半波整流电路对比）
------说出长处与不足
到小 结
2019-10-31
感谢你的聆听
18
说体会
1、通过多媒体辅助教学手段动态演示研究桥式
整流电路的原理，再引导学生质疑、讨论，而
本节课中加以补充。另外教材对整流堆的应用介绍
非常少，而实际应用非常广泛，所以在本节课中还
对“半桥”和“全桥”的连线方法通过多媒体教学
的方式演示出来
2019-10-31
感谢你的聆听
10
二、说学生
我授课的班级是我校08级电子技术应
用专业的学生。中专学生的文化基础相对
来说较差，学习能力和理解能力都较弱，
2019-10-31
感谢你的聆听
9
一、说教材
4、教材处理
本节内容采用张龙兴主编的《电子技术基础》作
为教材。根据学生实际情况，需对教材加以处理，
把单相全波整流电路分成:一、变压器中心抽头式单
相全波整流电路和本节内容二、单相桥式全波整流
电路两部分。教材中四个整流二极管的位置判断方
SMT培训资料
SMT培训手册上册SMT基础知识目录一、SMT简介二、SMT工艺介绍三、元器件知识四、SMT辅助材料五、SMT质量标准六、安全及防静电常识第一章SMT简介SMT 是Surface mount technology的简写，意为表面贴装技术。
亦即是无需对PCB钻插装孔而直接将元器件贴焊到PCB表面规定位置上的装联技术。
SMT的特点从上面的定义上，我们知道SMT是从传统的穿孔插装技术（THT）发展起来的，但又区别于传统的THT。
那么，SMT与THT比较它有什么优点呢？下面就是其最为突出的优点：1.组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右，一般采用SMT之后，电子产品体积缩小40%~60%，重量减轻60%~80%。
2.可靠性高、抗振能力强。
焊点缺陷率低。
3.高频特性好。
减少了电磁和射频干扰。
4.易于实现自动化，提高生产效率。
5.降低成本达30%~50%。
节省材料、能源、设备、人力、时间等。
采用表面贴装技术(SMT)是电子产品业的趋势我们知道了SMT的优点，就要利用这些优点来为我们服务，而且随着电子产品的微型化使得THT无法适应产品的工艺要求。
因此，SMT是电子装联技术的发展趋势。
其表现在：1.电子产品追求小型化，使得以前使用的穿孔插件元件已无法适应其要求。
2.电子产品功能更完整，所采用的集成电路(IC)因功能强大使引脚众多，已无法做成传统的穿孔元件，特别是大规模、高集成IC，不得不采用表面贴片元件的封装。
3.产品批量化，生产自动化，厂方要以低成本高产量，出产优质产品以迎合顾客需求及加强市场竞争力。
4.电子元件的发展，集成电路(IC)的开发，半导体材料的多元应用。
5.电子产品的高性能及更高装联精度要求。
6.电子科技革命势在必行，追逐国际潮流。
SMT有关的技术组成SMT从70年代发展起来，到90年代广泛应用的电子装联技术。
由于其涉及多学科领域，使其在发展初其较为缓慢，随着各学科领域的协调发展，SMT在90年代得到讯速发展和普及，预计在21世纪SMT将成为电子装联技术的主流。
相关主题
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电流所意味的电荷定向运动为电路的运行提供能量，只有当电流存在时 电路中的元器件才能工作，并且电流也是驱动机电系统中机械部件的动 力，使电磁原理工作的设备产生磁场，此外照明、加热等电气设备的运 行也必须依靠电流提供能量。
电流通常通过电流表（万用表中包含电流表功能）串联在测点两端直接 接触测量，也可以通过霍尔器件通过电磁原理进行非接触式测量（示波 器所使用的电流钳）。
基本的数字信号的 时序逻辑处理电路， 以触发器和锁存器 为基础。
基础知识
实现数学计算的数字逻辑电路及其版图。
基础知识
基于数字逻辑电路的存 储器。
SRAM通常由6个晶体管 组成，DRAM只需要一个 晶体管和一个电容， Flash存储器只需要一 个晶体管。
基础知识
存储器：
易失性存储器：SRAM、DRAM等，掉电后数据丢失，主要用于电路运行时 存储临时性数据。速度快、功耗大、容量低。
电压有直流和交流两种形式，交流电压通常使用有效值，即在同样的负 载中产生与直流电压同样功率时，对应的直流电压。电压通常通过电压 表（万用表中包含电压表功能）并联在测点两端直接接触测量，测量时 需要设定交流档或直流档。
基础知识
电阻： 器件特性为阻碍电流通过并消耗能量，通常以R代表，单位是欧姆 （Ω），数学模型：I=V/R，即欧姆定律。电阻消耗的电能转化为热量， 功率P=I2R=V2/R。
示波器
供电电源
电源保持 输出状态
电 流 探 头
继电器闭合瞬间通过电流 探头测试启动浪涌电流
电流探头方向示意标志
开关机继电器
供电母线回线
供电母线
被测设备
基础知识
电压：
河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为 有电位差。电场中两点之间的电位差就是电压，电压是形成电流的根源， 有电压存在自由电荷才能在电场力作用下运动。在电路中，电压常用U 表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）、微伏（μV）做单位。 1V=1000mV，1mV=1000μV。
非易失性存储器：掉电后仍能持久保存数据。ROM（包括不可擦除的PROM， 可擦除的EPROM、EEPROM）、Flash（分为NOR型和NAND型，优盘、固态硬 盘等采用NAND型，NAND型又分为SLC、MLC、TLC几种）、磁介质硬盘/磁 带、光盘等。存储密度大、速度慢、功耗低。目前还在发展的新型非易 失性存储器包括铁电式、磁阻式、电阻式、相变式等。
基础知识
集成电路版图、晶圆、封装、成品
基础知识
集成电路生产流程。
基础知识
集成电路设计开发流程。
基础知识
继电器： 继电器主要包括线包和触点两部分。 线包通电后产生磁能，使触点闭合 或开启，实现外部电路的受控通断。
通用IO（GPIO）： 开关量控制，即对外高低电平的输 入或者输出，对应逻辑信号0或者1。 对于输入用于感知外部接口电平高 低，对于输出用于控制外部接口电 平高低。
电容： 电容用于存储电荷，通常用C表示，单位是法（F），F是一个很大的单 位，常用的是微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。 电容的特性是：通交流、阻直流。
电感： 电感用于存储磁场能，通常用L表示，单位是亨（H）。 电感的特性是：通直流、阻交流。
基础知识
二极管：
二极管由PN结构成，具有单向导通性，即只有当电流由正极流向负极 （正极电压高于负极）时是低阻导通状态，反向（负极流向正极，亦 即正极电压低于负极）时呈现高阻截止状态。
基础知识
三极管： 截止区：相当于三极管近似处于关断状态，只有微弱的漏电流； 放大区：控制极（基极或栅极）的变化放大后反映在其它受控极，基本 呈线性变化； 饱和区：控制极的变化不再影响受控极变化规律，类似直通状态。 数字电路中三极管通常工作在截止区和饱和区，实现开关状态控制，模 拟电路中三极管通常工作在放大区，实现按比例受控放大作用（放大倍 数可小于1，即衰减效果）。
例如：三种PWM输出分别对应强度为满值的10%、 50%和90%的三种不同模拟 信号值。假设供电电源为9V， 占空比为10%，则对应的是一个幅度为0.9V 的模拟信号。
电子技术基础知识培训
内容
• 基础知识 • 嵌入式系统概述 • 常见嵌入式系统示例 • 嵌入式控制系统详解 • 甚小型电子系统
基础知识
电流：
电荷的定向运动成为电流，用I表示，单位是安培（A），也常用mA （1A=1000mA，电子元器件运行时其中电流通常在mA量级）、μA （1mA=1,000μA，电子元器件低功耗待机状态时电流通常在μA，长时 间积累可使电池耗尽）等单位。
基础知识
三极管线性区的放大作用。
基础知识
三极管饱和区和截止区 的开关作用。
基础知识
CMOS电路结构
基础知识
运算放大器： 对输入信号实现放大/缩小、加/减法、乘/除法、微分、积分等模拟域运 算信号变换的器件。
基础知识
集成电路：
以基础元件（电阻、电容、电感，以及二极管、三极管等晶体管）搭建的 功能电路（模拟电路或数字电路），微缩在一个芯片内。
集成电路类似于软件编路板类似于用高级语言和库函数编程，电子系统相当于用 操作系统、数据库等各种成品软件构建的信息系统。
基础知识
基本的数字信号逻 辑处理电路，依据 布尔代数运算。
基础知识
基本的数字信号逻 辑处理电路在集成 电路中的版图。
基础知识
基础知识
脉冲宽度调制（ PWM，Pulse Width Modulation ）：
利用微处理器的数字输出对模拟电路进行控制的技术，对模拟信号电平幅 度进行数字编码，利用高频率高分辨路的计数器，方波的占空比被调制为 一个模拟信号的电平幅度。
PWM信号仍然是数字的，满幅值的直流供电要么完全有(ON，通)，要么完全 无(OFF，断)，以一种通(ON)或断(OFF)的重复脉冲序列施加到模拟负载上。 通即是直流供电被加到负载上，断即是负载供电被断开。
基础知识
由各种数字逻辑电 路组成的处理器。
处理器主要分为 CSIC（如x86、 68000、8051/31等， 指令集丰富，性能 强，但功耗大，设 计资源消耗大，设 计时需要更多晶体 管）和RSIC（如 ARM、SparC、MIPS 等，只实现基本计 算所需电路，效率 高，但对编译器要 求高）两类。
电流通常通过电流表（万用表中包含电流表功能）串联在测点两端直接 接触测量，也可以通过霍尔器件通过电磁原理进行非接触式测量（示波 器所使用的电流钳）。
基本的数字信号的 时序逻辑处理电路， 以触发器和锁存器 为基础。
基础知识
实现数学计算的数字逻辑电路及其版图。
基础知识
基于数字逻辑电路的存 储器。
SRAM通常由6个晶体管 组成，DRAM只需要一个 晶体管和一个电容， Flash存储器只需要一 个晶体管。
基础知识
存储器：
易失性存储器：SRAM、DRAM等，掉电后数据丢失，主要用于电路运行时 存储临时性数据。速度快、功耗大、容量低。
电压有直流和交流两种形式，交流电压通常使用有效值，即在同样的负 载中产生与直流电压同样功率时，对应的直流电压。电压通常通过电压 表（万用表中包含电压表功能）并联在测点两端直接接触测量，测量时 需要设定交流档或直流档。
基础知识
电阻： 器件特性为阻碍电流通过并消耗能量，通常以R代表，单位是欧姆 （Ω），数学模型：I=V/R，即欧姆定律。电阻消耗的电能转化为热量， 功率P=I2R=V2/R。
示波器
供电电源
电源保持 输出状态
电 流 探 头
继电器闭合瞬间通过电流 探头测试启动浪涌电流
电流探头方向示意标志
开关机继电器
供电母线回线
供电母线
被测设备
基础知识
电压：
河水之所以能够流动，是因为有水位差；电荷之所以能够流动，是因为 有电位差。电场中两点之间的电位差就是电压，电压是形成电流的根源， 有电压存在自由电荷才能在电场力作用下运动。在电路中，电压常用U 表示。电压的单位是伏（V），也常用毫伏（mV）、微伏（μV）做单位。 1V=1000mV，1mV=1000μV。
非易失性存储器：掉电后仍能持久保存数据。ROM（包括不可擦除的PROM， 可擦除的EPROM、EEPROM）、Flash（分为NOR型和NAND型，优盘、固态硬 盘等采用NAND型，NAND型又分为SLC、MLC、TLC几种）、磁介质硬盘/磁 带、光盘等。存储密度大、速度慢、功耗低。目前还在发展的新型非易 失性存储器包括铁电式、磁阻式、电阻式、相变式等。
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集成电路版图、晶圆、封装、成品
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集成电路生产流程。
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集成电路设计开发流程。
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继电器： 继电器主要包括线包和触点两部分。 线包通电后产生磁能，使触点闭合 或开启，实现外部电路的受控通断。
通用IO（GPIO）： 开关量控制，即对外高低电平的输 入或者输出，对应逻辑信号0或者1。 对于输入用于感知外部接口电平高 低，对于输出用于控制外部接口电 平高低。
电容： 电容用于存储电荷，通常用C表示，单位是法（F），F是一个很大的单 位，常用的是微法（μF）、纳法（nF）、皮法（pF）。 电容的特性是：通交流、阻直流。
电感： 电感用于存储磁场能，通常用L表示，单位是亨（H）。 电感的特性是：通直流、阻交流。
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二极管：
二极管由PN结构成，具有单向导通性，即只有当电流由正极流向负极 （正极电压高于负极）时是低阻导通状态，反向（负极流向正极，亦 即正极电压低于负极）时呈现高阻截止状态。
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三极管： 截止区：相当于三极管近似处于关断状态，只有微弱的漏电流； 放大区：控制极（基极或栅极）的变化放大后反映在其它受控极，基本 呈线性变化； 饱和区：控制极的变化不再影响受控极变化规律，类似直通状态。 数字电路中三极管通常工作在截止区和饱和区，实现开关状态控制，模 拟电路中三极管通常工作在放大区，实现按比例受控放大作用（放大倍 数可小于1，即衰减效果）。
例如：三种PWM输出分别对应强度为满值的10%、 50%和90%的三种不同模拟 信号值。假设供电电源为9V， 占空比为10%，则对应的是一个幅度为0.9V 的模拟信号。
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• 基础知识 • 嵌入式系统概述 • 常见嵌入式系统示例 • 嵌入式控制系统详解 • 甚小型电子系统
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电流：
电荷的定向运动成为电流，用I表示，单位是安培（A），也常用mA （1A=1000mA，电子元器件运行时其中电流通常在mA量级）、μA （1mA=1,000μA，电子元器件低功耗待机状态时电流通常在μA，长时 间积累可使电池耗尽）等单位。
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三极管线性区的放大作用。
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三极管饱和区和截止区 的开关作用。
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CMOS电路结构
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运算放大器： 对输入信号实现放大/缩小、加/减法、乘/除法、微分、积分等模拟域运 算信号变换的器件。
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集成电路：
以基础元件（电阻、电容、电感，以及二极管、三极管等晶体管）搭建的 功能电路（模拟电路或数字电路），微缩在一个芯片内。
集成电路类似于软件编路板类似于用高级语言和库函数编程，电子系统相当于用 操作系统、数据库等各种成品软件构建的信息系统。
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基本的数字信号逻 辑处理电路，依据 布尔代数运算。
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基本的数字信号逻 辑处理电路在集成 电路中的版图。
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脉冲宽度调制（ PWM，Pulse Width Modulation ）：
利用微处理器的数字输出对模拟电路进行控制的技术，对模拟信号电平幅 度进行数字编码，利用高频率高分辨路的计数器，方波的占空比被调制为 一个模拟信号的电平幅度。
PWM信号仍然是数字的，满幅值的直流供电要么完全有(ON，通)，要么完全 无(OFF，断)，以一种通(ON)或断(OFF)的重复脉冲序列施加到模拟负载上。 通即是直流供电被加到负载上，断即是负载供电被断开。
基础知识
由各种数字逻辑电 路组成的处理器。
处理器主要分为 CSIC（如x86、 68000、8051/31等， 指令集丰富，性能 强，但功耗大，设 计资源消耗大，设 计时需要更多晶体 管）和RSIC（如 ARM、SparC、MIPS 等，只实现基本计 算所需电路，效率 高，但对编译器要 求高）两类。