三极管8550资料
8550引脚图
8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.
<三极管8550管脚图>
1.发射极
2.基极
3.集电极
8550参数:
集电极-基极电压Vcbo：-40V
工作温度：-55℃ to +150℃
和8050（NPN）相对
贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.
--------------------------------------------------------------
8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz
8050引脚图
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C060AJ-00
芯片厚度：240±20μm
管芯尺寸：600×600μm 2
焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2 电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：S8050，H8050
极限值（T a=25℃）（封装形式：TO-92）
Tstg——贮存温度-55~150℃
Tj——结温150℃
PC——集电极耗散功率1W
VCBO——集电极—基极电压40V
VCEO——集电极—发射极电压25V VEBO——发射极—基极电压6V
IC——集电极电流1.2A
电参数（T a=25℃）（封装形式：TO-92）。
SS8550三极管参数 TO-92三极管SS8550规格书
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat) IC=-800mA, IB=-80mA
Base-emitter voltage
VBE(on) VCE=-1V, IC=-10mA
-1.2
V
-1
V
20
pF
100
MHz
CLASSIFICATION OF hFE(2)
Rank Range
B
85-160
C
120-200
D
160-300
D3
300-400
B,Sep,2011
Typical Characteristics
SS8550
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
TRANSITION FREQUENCY f (MHz) T
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Symbol
A A1 b c D D1 E e e1 L Φ h
Dimensions In Millimeters
Min.
Max.3.3003.7001.100Seal the box with the tape
QA Label
Outer Box: 350 mm× 340mm× 250mm
Label on the Outer Box
【 南京南山半导体有限公司 — 长电三极管选型资料】
Inner Box: 240 mm×165mm×９５mm
1.400
0.380
三极管8550参数
三极管8550参数（原创版）目录1.三极管 8550 概述2.三极管 8550 的主要参数3.三极管 8550 的用途4.三极管 8550 与 8050 的区别5.三极管 8550 的封装和资料正文一、三极管 8550 概述三极管 8550 是一种常用的普通三极管，属于低电压、大电流、小信号的 PNP 型硅三极管。
它的最大集电极电流为 1.5A，广泛应用于开关电路、射频放大电路、功率放大电路、推挽功放电路等领域。
二、三极管 8550 的主要参数1.集电极 - 基极电压（Vcbo）：-40V2.工作温度：-55℃ to 150℃3.最大集电极电流（Ic）：1.5A4.直流电增益（hFE）：10 to 605.功耗（Pc）：不确定，需要根据实际应用场景和使用条件来确定三、三极管 8550 的用途1.开关应用：由于三极管 8550 具有较快的开关速度和较低的电压，因此常用于开关电路，如振荡器、脉冲发生器等。
2.放大：三极管 8550 可以作为电压放大器和电流放大器使用，具有较好的放大性能。
3.射频放大：三极管 8550 可以用于射频放大电路，提高无线电信号的传输距离和质量。
4.功率放大：三极管 8550 可用于功率放大电路，如音频功率放大器、射频功率放大器等。
5.推挽功放：三极管 8550 可以与其他三极管配合使用，构成推挽功放电路，具有较高的输出功率和较好的稳定性。
四、三极管 8550 与 8050 的区别三极管 8550 和 8050 在参数上具有一定的相似性，但它们之间存在一些区别：1.类型：8550 为 PNP 型三极管，而 8050 为 NPN 型三极管。
2.偏置：由于 8550 和 8050 的类型不同，它们在电路中的偏置电压也不同，需要根据实际应用场景进行调整。
五、三极管 8550 的封装和资料1.封装：三极管 8550 有多种封装形式，如 SOT-23、TO-92 等。
不同的封装形式具有不同的外形尺寸和引脚排列，需要根据实际应用需求选择合适的封装。
8550三极管参数
8550三极管参数1. 介绍8550三极管是一种常用的NPN型晶体管，广泛应用于电子电路中。
它具有高电流放大倍数、低噪声、高频率响应等特点，适用于放大、开关、稳压等各种电路设计。
2. 8550三极管的结构8550三极管由三个区域组成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。
发射极和基极之间是PN结，基极和集电极之间也是PN结。
基极与发射极之间的结被称为发射结，基极与集电极之间的结被称为集电结。
3. 8550三极管的参数3.1 最大额定值•集电极-基极最大电压（Vceo）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极-基极电压。
超过该电压会导致器件损坏。
•集电极-发射极最大电压（Vceo）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极-发射极电压。
超过该电压会导致器件损坏。
•集电极电流（Ic）：该参数指定三极管可以承受的最大集电极电流。
超过该电流会导致器件损坏。
•基极-发射极最大电压（Vbe）：该参数指定三极管可以承受的最大基极-发射极电压。
超过该电压会导致器件损坏。
3.2 小信号参数•直流放大倍数（hfe）：该参数指定三极管的直流电流放大倍数，即集电极电流与基极电流之比。
•输入电阻（Rbe）：该参数指定三极管的输入电阻，即基极电阻。
•输出电阻（Rce）：该参数指定三极管的输出电阻，即集电极电阻。
3.3 动态参数•频率响应（fT）：该参数指定三极管的最高工作频率，即能够正常放大信号的最高频率。
4. 使用8550三极管的注意事项•8550三极管是一种NPN型晶体管，因此在使用时需要注意极性，确保正确连接。
•在设计电路时，需要根据具体的应用需求选择适当的参数，如最大电压、最大电流等。
•在使用8550三极管时，应注意工作温度范围，避免超过规定的温度范围，以免影响器件的性能和寿命。
•当使用8550三极管作为开关时，需要注意输入电流和输出电流之间的匹配，以避免过载或损坏器件。
•在进行焊接时，应注意避免过热，以免损坏器件。
PNP三极管S8550规格书
400
-0.6 V -1.2 V
150
MHz
J 300-400
C,Mar,2013
COLLECTOR CURRENT I (mA) C
-90 -80 -70 -60 -50 -40 -30 -20 -10 -0
-0
-1200
I ——
C
V CE
-400uA -360uA -320uA
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
CE
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE V (mV) BE
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
C ib
C ob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz
I =0/I =0
E
C
T =25 ć a
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION P (mW)
pnp三极管s8550规格书 collectorsot-23 plastic-encapsulate transistors s8550 transistor (pnp) features collectorcurrent: =0.5amarking 2tymaximum ratings (ta=25 unless otherwise noted) symbol parameter value unit cbocollector-base voltage -40 ceocollector-emitter voltage -25 eboemitter-base voltage -5 collectorcurrent -continuous -0.5 collectorpower dissipation 0.3 junctiontemperature 150 stgstorage temperature -55-150 electricalcharacteristics (ta=25 unless otherwise specified) parameter symbol test conditions min max unit collector-base breakdown voltage collector-emitterbreakdown voltage emitter-basebreakdown voltage collectorcut-off current collectorcut-off current emittercut-off current -50ma120 400 dc current gain -500ma50 collector-emitter saturation voltage ce(sat) -50ma-0.6 base-emittersaturation voltage -50ma-1.2 transitionfrequency -20maf=30mhz 150 mhz classification range120-200 200-350 300-400 c,mar,2013 -0 -2 -4 -6 -8 -10 -12 -0 -300 -600 -900 -1200 -1 -10 -100 -1 -10 -100 10 100 -0.1 -1 -10 2550 75 100
8550三极管的符号
8550三极管的符号1. 介绍三极管是一种常见的半导体器件，用于放大和开关电流。
8550三极管是一种NPN型晶体管，广泛应用于电子电路中。
本文将详细介绍8550三极管的符号及其相关信息。
2. 8550三极管的符号8550三极管的符号通常用于电子电路图中，用来表示该器件的连接方式和引脚布局。
下图是8550三极管的符号示意图：图中的符号由三个箭头组成，分别代表三极管的三个引脚。
箭头指向的方向表示了电流的流动方向。
下面是对每个引脚的说明：•基极（Base）：通常用B表示，是三极管的控制端，控制电流的流动。
它是三极管的输入端。
•发射极（Emitter）：通常用E表示，是三极管的输出端，电流从发射极流出。
•集电极（Collector）：通常用C表示，是三极管的输入端，电流从集电极流入。
三极管的符号中还可能包含其他标记，用于表示器件的参数或特性。
例如，箭头旁边可能有一个小圆圈，表示该三极管是PNP型的。
在8550三极管的符号中，没有这个小圆圈，表示它是NPN型的。
3. 8550三极管的参数8550三极管具有一些重要的参数，这些参数对于正确使用和设计电子电路非常重要。
下面是一些常见的8550三极管参数：•最大集电极电压（Collector-Emitter Voltage, Vceo）：指定了集电极和发射极之间最大可承受的电压。
超过这个电压，三极管可能会损坏。
•最大集电极电流（Collector Current, Ic）：指定了集电极电流的最大值。
超过这个电流，三极管可能会过热，并损坏。
•最大功率耗散（Power Dissipation, Pd）：指定了三极管能够承受的最大功率。
超过这个功率，三极管可能会过热，并损坏。
•最大封装温度（Maximum Junction Temperature, Tjmax）：指定了三极管能够承受的最高温度。
超过这个温度，三极管可能会失效。
•直流放大倍数（DC Current Gain, hfe）：指定了输入电流和输出电流之间的倍数关系。
S8550三极管规格书：三极管S8550参数与封装尺寸
-300
-600
-900
BASE-EMMITER VOLTAGE VBE (mV)
-1200
C /C —— V /V
ob ib
CB EB
Cib Cob
-1
REVERSE VOLTAGE V (V)
f=1MHz IE=0/IC=0 Ta=25 ℃
-10
-20
COLLECTOR POWER DISSIPATION PC (mW)
hFE(2)
VCE= -1V, IC= -500mA
VCE(sat)
IC=-500mA, IB= -50mA
VBE(sat)
fT
IC=-500mA, IB= -50mA
VCE= -6V, IC= -20mA
f=30MHz
H 200-350
Min -40 -25 -5
120 50
Max Unit V V V
10 -1
400
COMMON EMITTER VCE=-6V Ta=25℃
-10
-100
COLLECTOR CURRENT IC (mA)
P —— T
C
a
300
200
100
0
0
25
50
75
100
125
150
AMBIENT TEMPERATURE Ta (℃)
C,Mar,2013
CAPACITANCE C (pF)
FEATURES z Complimentary to S8050 z Collector current: IC=0.5A
1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR
MARKING : 2TY
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
三极管8050和8550对管的参数
图１8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列图２8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用，当然很多时候也作为单管应用。
8050 为硅材料NPN型三极管；8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数：耗散功率0.625W（贴片：0.3W）集电极电流0.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出按三极管后缀号分为B C D档贴片为L H档放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350C8050 C8550 参数：耗散功率1W集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-3008050SS 8550SS 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D D3 共4档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300 D3:300-400引脚排列有EBC ECB两种SS8050 SS8550 参数：耗散功率: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)集电极电流1.5A集电极--基极电压40V集电极--发射极击穿电压25V特征频率fT 最小100MHZ放大倍数：按三极管后缀号分为B C D 共3档放大倍数B：85-160 C：120-200 D：160-300引脚排列多为EBCUTC的S8050 S8550 引脚排列有EBC8050S 8550S 引脚排列有ECB这种管子很少见参数：耗散功率1W集电极电流0.7A集电极--基极电压30V集电极--发射极击穿电压20V特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出放大倍数：按三极管后缀号分为C D E档C：120-200 D：160-300 E：280-400NEC的8050最大集电极电流(A):0.5 A;直流电增益:10 to 60;功耗:625 mW;最大集电极-发射极电压（VCEO）:25;频率:150 MHz .其它的8050PE8050 硅NPN 30V 1.5A 1.1WMC8050 硅NPN 25V 700mA 200mW 150MHzCS8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K3DG8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K2SC8050 硅NPN 25V 1.5A FT=190 *K值得注意的是，在代换相应的8050或8550三极管时，除了型号匹配，放大倍数也是很重要的参数。
三极管8550发射极基极电压
三极管8550发射极基极电压
通用的PNP型三极管（如8550）的极性定义如下：
1.发射极（Emitter，E）：通常是带有箭头的那一侧。
2.基极（Base，B）：通常是正中间的那一侧。
3.集电极（Collector，C）：剩余的一侧。
对于PNP型三极管，发射极是N 区，基极是P 区，集电极是N 区。
在正常工作状态下，发射极是负载电流的来源，而集电极是电流的汇集点。
一般来说，PNP型三极管的工作需要将发射极连接到负极，而基极连接到输入信号的源，集电极连接到负载。
在这种配置下，发射极相对于基极是正向偏置的，这意味着发射极电位较低。
然而，确切的电压值将取决于具体的电路设计和工作条件。
在使用8550 PNP型三极管时，具体的发射极基极电压（VBE）取决于其工作状态和外部电路的特定设置。
正常工作情况下，VBE 通常在0.6 到0.8 伏之间，但这个范围可能会有一些变化。
最好的方式是查阅8550三极管的数据手册，以获取详细的电性能参数。
三极管8550和8050封装定义及参数
三极管8550和8050封装定义及参数三极管8550 和8050 封装定义及参数模拟技术&音响制2009-10-18 19:51:03 阅读161 评论0 字号：大中小订阅8550是电子电路中常用到的小功率pnp型硅晶体三极管。
很多放大电路中都要用到他,下面是引脚资料介绍.<三极管8550管脚图>1.发射极2.基极3.集电极8550参数:集电极-基极电压Vcbo：-40V工作温度：-55℃to +150℃和8050（NPN）相对贴片smt封装的8550三极管引脚图及功能.--------------------------------------------------------------8050三极管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电（VCEO）:25; 频率:150 KHz8050引脚图芯片尺寸：4 英寸（100mm）芯片代码：C060AJ-00芯片厚度：240±20μm管芯尺寸：600×600μm 2焊位尺寸：B 极130×150μm 2；E 极140×130μm 2电极金属：铝背面金属：金典型封装：S8050，H8050极限值（Ta=25℃）（封装形式：TO-92）Tstg——贮存温度-55~150℃Tj——结温150℃PC——集电极耗散功率1WVCBO——集电极—基极电压40VVCEO——集电极—发射极电压25VVEBO——发射极—基极电压6VIC——集电极电流1.2A。