二次离子质谱技术
二次离子质谱(SIMS)技术介绍(一)2024
二次离子质谱(SIMS)技术介绍(一)引言:二次离子质谱(SIMS)技术是一种可以分析物质表面组成和结构的先进技术。
它通过轰击样品表面的离子束,从而产生次级离子,然后利用质谱仪来分析并检测这些次级离子的质量和相对丰度。
本文将介绍SIMS技术的原理、仪器和应用。
正文:1. SIMS原理1.1 离子轰击过程1.1.1 离子束与样品的作用机制1.1.2 衰减效应对数据解析的影响1.1.3 电子对离子的俘获过程1.2 次级离子的产生与检测1.2.1 SIMS离子源的种类及特点1.2.2 二次离子产生的机制1.2.3 质谱仪的构成及原理2. SIMS仪器和操作2.1 SIMS仪器的主要组成2.1.1 离子源系统2.1.2 质谱分析系统2.1.3 控制与数据采集系统2.2 SIMS样品制备与操作要点2.2.1 样品的清洁与处理2.2.2 样品的固定与定位2.2.3 实验运行参数的选择与优化3. SIMS技术的应用领域3.1 材料科学与工程3.1.1 表面组成与化学状态分析 3.1.2 材料腐蚀与附着行为研究 3.1.3 材料表面改性与功能化研究 3.2 生命科学与生物医学3.2.1 细胞与组织样品的分析3.2.2 生物分子的分析与鉴定3.2.3 药物载体与药物释放研究 3.3 环境科学与地质学3.3.1 化学污染物的检测与追踪 3.3.2 地质样品的微观结构分析3.3.3 植物与土壤化学分析4. SIMS技术的优势与挑战4.1 优势4.1.1 高灵敏度与高分辨率4.1.2 可实现微区分析4.1.3 非破坏性测试4.2 挑战4.2.1 数据解析与定量分析问题4.2.2 多元素同时测量的复杂性4.2.3 低浓度元素和轻元素的分析难度5. 总结本文介绍了SIMS技术的原理、仪器和应用。
SIMS技术具有高灵敏度、高分辨率和非破坏性等优势,广泛应用于材料科学与工程、生命科学与生物医学、环境科学与地质学等领域。
然而,SIMS 技术在数据解析和多元素测量方面仍面临一些挑战。
二次离子质谱法(SIMS)
二次离子质谱法(SIMS)扎卡里·沃拉斯(Zachary Voras)1.分类二次离子质谱法(secondary ion mass spectrometry,SIMS)是一种灵敏的表面分析质谱技术,可对样品进行光谱分析、成像或深度剖面分析。
这是一种侵入式技术,不能进行原位检测。
2.说明SIMS是一种超高真空(ultra-high vacuum,UHV)表面分析技术,可以观察样品表面的原子和分子种类。
该技术用离子源发出一次离子束,聚焦并加速轰击样品,样品受碰撞脱落的二次离子直接进入质量分析仪(通常为飞行时间质量分析仪)(Vickerman,2009)。
这种碰撞级联会将一次离子的势能转化为脱落的二次离子碎片的动能。
质量碎片的大小则与脱落部位和初始碰撞位置的远近有关。
要获得最佳信号速率和质量分辨率,必须对一次离子和二次离子进行高水平控制,而一次离子源到分析仪之间的路程超过1 m,因此仪器应保持超高真空条件,才能将平均自由程碰撞控制在最低限度。
图1为SIMS表面分析概述。
在一次离子束入射能量和种类设置最优的情况下,可最大限度地提高单一碰撞事件的二次离子产额。
通过观察原子离子或分子离子都可以表征样品的表面材料,但使用下文所述的团簇离子源则可能减少残余对材料的损伤。
图1 SIMS表面分析概述为获得较高的质量分辨率,二次离子质谱仪通常采用飞行时间(time-of-flight,TOF)质量分析器,因为TOF可匹配脉冲式一次离子束。
TOF质量分析器的作用是让进入的离子先通过漂移管加速,再撞击探测装置(通常为微通道板)(Tang等,1988)。
为确保获得最佳质量分辨率,一次离子束的脉冲必须和质量分析仪的提取/加速阶段完全同步(Niehuis等,1987)。
要进一步提高质量分辨率,离子束的脉冲宽度就必须尽可能窄(<1ns)(Eccles和Vickerman,1989)。
与其他质量分析器(如四极杆分析器和扇形磁场分析器)相比,TOF质量分析器有着最高的传输率和灵敏度,可满足静态SIMS分析对数据速率的要求(Vickerman,2009)。
二次离子质谱仪作用
二次离子质谱仪作用二次离子质谱仪(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)是一种在固体表面或物质表面上进行原位分析的技术。
它通过瞄准表面产生的次级离子并测量其质量和相对丰度,从而确定样品中化学元素及其同位素组成和分布。
二次离子质谱仪主要由三个部分组成:离子枪、分析区和质谱仪。
离子枪产生成分稳定、能量可调的离子束,瞄准待分析的表面。
当离子束轰击表面时,表面的分子会被激发并释放出次级离子,这些次级离子则被加速并进入分析区。
在分析区,次级离子会被分析器进行质谱分析,从而得到离子的质量与相对丰度的信息。
1.表面分析:SIMS可以在非破坏性的情况下分析固体材料的表面成分和结构。
它能够提供在固体材料表面单原子层上的化学分析,对材料的表面元素分布、表面组成、晶体结构和晶格畸变等提供详尽的信息。
因此,在材料科学、生物医学、地球科学等领域中,SIMS广泛应用于表面组分分析、表面腐蚀、晶体成长等研究。
2.化学元素分析:SIMS能够对微量元素和同位素进行高灵敏度和高分辨率的检测。
它能够提供元素组分及其同位素的详尽分析,对于元素的同位素分布、形态分异以及同位素示踪等研究具有重要作用。
在地球化学、环境科学、天体化学等领域中,SIMS常用于重要元素、微量元素和稀土元素的分析与研究。
3.唾液腺分析:SIMS可应用于研究人体组织和细胞的成分与分布。
例如,在唾液腺研究中,通过分析次级离子质谱图像,可以揭示唾液腺组织中不同细胞类型的元素成分和含量差异,从而了解唾液产生和分泌机制,进一步推进口腔医学和生物医学的研究进展。
4.纳米材料分析:SIMS能够对纳米材料进行表面分析和纳米粒子分析,还可以研究纳米结构和纳米粒子对材料性质的影响。
通过SIMS,研究者可以确定纳米材料的成分、形态和分布情况,从而进一步优化纳米材料的制备和应用。
总之,二次离子质谱仪作为一种表面分析和成分检测的技术工具,具有广泛的应用前景和重要的研究价值。
二次离子质谱ppt
通过采用先进的磁场和电场设计,实现对离子 束的精确控制,提高离子的聚焦度和加速效率 ,从而提高分辨率和灵敏度。
新型二次离子质谱仪器的发展
微型化仪器
随着微制造技术的发展,研制微型化的二次离子质谱仪器具有更大的潜力。这种仪器具有 更小的体积、更轻的重量和更低的功耗,可适用于各种实际应用场景。
多元素分析能力
发展能够同时分析多种元素的二次离子质谱仪器,可以实现对样品中多种元素的同时分析 ,提高分析效率。
在线实时分析仪器
研制在线实时分析的二次离子质谱仪器,可以实现对生产过程中样品的质量监控,提供更 及时、准确的分析结果。
二次离子质谱与其他分析技术的联用
01
与色谱技术联用
将二次离子质谱与色谱技术联用,可以实现复杂样品中不同组分的分
二次离子质谱是一种基于离子束分析的方法,通过在样品表 面注入高能离子束,激发样品中的原子或分子,使其电离并 产生二次离子。
这些二次离子通过质量分析器按其质荷比进行分离,最终得 到样品的元素组成和化学态信息。
二次离子质谱的技术分类
根据不同的激发源,二次离子质谱可分为激光诱导二次离 子质谱、粒子束诱导二次离子质谱、场诱导二次离子质谱 等。
04
二次离子质谱的技术发展及最新研究进展
提高分辨率和灵敏度的方法
1 2 3
优化仪器设计
通过改进仪器设计,如采用更高效的离子光学 系统和更精密的离子检测系统,可以提高二次 离子质谱的分辨率和灵敏度。
采用先进的离子源
采用新型的离子源,如激光烧蚀离子源、场离 子源等,可以获得更高质量的离子束,从而提 高分辨率和灵敏度。
03
二次离子质谱的发展历程
技术起源与早期发展 技术发展重要阶段 技术最新进展与趋势
二次离子质谱(SIMS)
溅射产额与晶格取向的关系
在100~1000 eV下,用Hg+垂直入射Mo和Fe的溅射粒子的角分布
= 60o时W靶的溅射粒子的角分布
最可几能量分布范围:1-10eV 与入射离子能量无关
原子离子:峰宽,有长拖尾 带电原子团:能量分布窄,最 可几能量低,拖尾短
利用上述性质,采用能量过 滤器,可滤掉低能原子团。
对样品有破坏性(选定的区域只能分析一次) 定量分析需要和样品匹配的标样 必须是已知元素(在探测未知元素方面较差,
难以发现未知的沾污)
SIMS 硅材料探测极限
Atoms/cm3 (ppb wt)
用于正离子的O2+ 一次离子束
用于负离子的Cs+ 一次离子束
He 1E17 (286)
Cr
3E11 (0.01)
1E13 (0.8)
1E13 (1.4)
48
SIMS 分析方法总结 基本原理:离子溅射 基本组成:真空室、离子源、质谱仪 辅助组成:电子中和枪 主要功能:成分分析、化合态分析 分析方法:静态、动态、深度剖面、面分布 应用范围:固体材料
分子或原子团的二次发射,即离子溅射。溅射的粒 子一般以中性为主,其中有一部分带有正、负电荷, 这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离 子就得到二次离子质谱。
SIMS的主要特点:
1. 具有很高的检测极限 对杂质检测限通常为ppm,甚至达ppb量级
2. 能分析化合物,得到其分子量及分子 结构的信息 3. 能检测包括氢在内的所有元素及同位素 4. 可以在超高真空条件下获取样品表层信息 5. 能进行微区成分的成象及深度剖面分析
离子溅射与二次离子质谱
描述溅射现象的主要参数是溅射阈能和溅射产额。 溅射阈能指的是开始出现溅射时,初级离子所需 的能量。 溅射产额决定接收到的二次离子的多少,它与入 射离子能量、入射角度、原子序数均有一定的关系, 并与靶原子的原子序数、晶格取向有关。
二次离子质谱仪的工作原理
二次离子质谱仪的工作原理
二次离子质谱仪是一种高精度、高分辨率的质谱仪,其主要原理是利用一个离子束轰击样品表面,将样品表面的原子或分子转化为二次离子,然后将这些二次离子收集并进行质量分析。
二次离子质谱仪的工作过程可以分为以下几个步骤:
1. 离子束轰击样品:在二次离子质谱仪中,通常使用惰性气体(如氩气)产生离子束。
离子束被导入到样品表面,通过碰撞作用将样品表面的原子或分子转化为二次离子。
2. 收集二次离子:二次离子被收集到一个称为“二次离子探测器”的装置中。
二次离子探测器通常是由一个或多个离子检测器组成,用于测量二次离子的质量和数量。
3. 质量分析:在二次离子探测器中,二次离子经过加速和分离,进入质量分析器。
质量分析器使用磁场或电场将二次离子按照其质量-电荷比分离,并将它们引导到不同的检测器中进行检测。
4. 数据处理:二次离子质谱仪的数据处理通常包括数据采集、数据分析和数据展示。
数据采集通常使用计算机控制,并将二次离子的质量-电荷比和数量记录下来。
数据分析通常使用统计学方法和化学分析技术,用于确定样品的组成和结构。
数据展示通常使用图形化界面,以便用户能够直观地理解结果。
二次离子质谱仪广泛应用于材料研究、地质学、生物学和环境科学等领域。
它具有高灵敏度、高分辨率和非常好的定量能力,可以检测到微量元素、分子和同位素等。
二次离子质谱
0.0009
0.007
-
-
Ta
0.02
0.02
0.005
-
0.001
0.008
0.0002
W
0.035
0.15
0.012
-
0.0012
0.13
0.01
Fe
0.35
0.014
-
0.0007
0.0085
0.0035
-
Ni
0.045
-
-
0.007
0.06
-
-
Cu
0.007
-
-
0.0015
0.015
-
-
Sr
聚苯乙烯的二次离子质谱
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
❖离子溅射
➢ 描述溅射现象的主要参数是溅射阈能和溅射产 额。溅射阈能指的是开始出现溅射时,初级离 子所需的能量。
➢ 溅射产额决定接收到的二次离子的多少,它与 入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定 的关系,并与靶原子的原子序数晶格取向有关。
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
SIMS 二次离子质谱仪
❖SIMS类型-离子探针
SIM的原理图
SIMS 二次离子质谱仪
❖SIMS类型-直接成像质量分析器
直 接 成 像 质 量 分 析 器 (Direct Imaging Mass Analyzer—DIMA) 也 就 是 成 像 质 谱 计 (Imaging Mass Spectrometer—IMS) , 有 时 也 称 为 离 子 显 微 镜 (IM) 。 它 是利用较大的离子束径打到样品表面上,从被轰击区域 发射的二次离子进行质量分离和能量过滤,在保证空间 关系不变的情况下,在荧光屏上以一定的质量分辨本领 分别得到各种成分离子在一定能量范围内的分布图像。
二次离子质谱分析
h
7
SIMS 二次离子质谱仪
二次离子质谱仪主 要由五部分组成: 主真空室 样品架及送样系统 离子枪 二次离子分析器 离子流计数及数据 处理系统
h
8
SIMS 二次离子质谱仪
❖ 二次离子质谱仪-离子枪
h
19
1.大量氧会烧坏离子源的灯丝; 2.用作加速离子的几千伏高压引起放电; 3. 引起额外的离子-分子反应,改变裂解 模型,使谱图复杂化。
质谱仪基本结构
h
3
二次离子质谱分析
❖二次离子质谱 一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、
分子或原子团的二次发射,即离子溅射。溅射的 粒子一般以中性为主,其中有一部分带有正、负 电荷,这就是二次离子。利用质量分析器接收分 析二次离子就得到二次离子质谱。
二次离子质谱(SIMS)
Secondary Ion Mass Spectroscopy
h
1
质谱分析基本原理
质谱分析是将样品转化为运动的带电气态离子碎片,于
磁场中按质荷比(m/z)大小分离并记录的分析方法。
其过程为可简单描述为:
离子源 轰击样品
带电荷的 碎片离子
电场加速(zeU) 获得动能(1/2mV2)
h 硅样品深度剖析—元素组分分析
15
SIMS 主要功能
❖ 成二次离子像
1.离子显微镜模式 2.离子探针模式
两种模式下SlMS成像功能优劣的简单比较
h
16
SIMS 主要功能
❖ 成二次离子像
h
17
SIMS 主要功能
❖ 有机物分析
二次离子质谱
二、应用
1、成分分析 1)定性分析
点成分分析
成分面分析
4
• 1、成分分析 • 1)定性分析
成分深度分析
5
• 1、成分分析 • 2)定量分析
(a)标准样品校正法 利用已知成份的标准样品,测出成份含量与二次 离子流关系的校准曲线,对未知样品的成分进行 标定。 (b)理论分析法
6
三、特点பைடு நூலகம்
• 1、可以分析所有的元素 • 2、可以分析同位素 • 3、可以分析痕量元素 • 4、定量分析误差较大 • 5、分析速度快 • 6、面分析分辨率高
7
二次离子质谱 (SIMS)
1
一、基本概念
• 二次离子:在高真空环 境中用一束高能(3-20 keV)离子束或中性粒子 束轰击固体表面,入射 离子(中性粒子)与固体表 面发生级联碰撞,将一 部分固体原子以离子形 式溅射出来,该部分离 子称为二次离子。
2
一、基本概念
• 质谱:指的是不同种类带 电粒子(原子或原子团)的 荷质比及强度构成的谱图。 质谱分析是利用质谱仪。 根据分析原理的不同,目 前质谱仪种类包括:四级 质谱仪,飞行时间质谱仪, 离子阱质谱仪,双聚焦质 谱仪和傅里叶变换质谱仪 等。
二次离子质谱
沉积在Ag上的维生素B12的静态SIMS
45
SIMS
优点
主要特点
1.检测极限可达ppm,甚至ppb量级; 2.能检测包括氢在内的所有元素及同位素; 3.分析化合物组分及分子结构; 4.获取样品表层信息; 5.能进行微区成分的成象及深度剖面分析。
23
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质谱分析
一次离子束扫描样品表面, 质谱仪同时扫描质量范围, 按荷质比收集各种二次粒 子,得出二次粒子的质谱图。 通过分析,可以得到样品受 检测区的元素组成信息以及 各种元素的相对强度。
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深度剖面分析
逐层剥离表面的原子层, 提取溅射坑中央的二次离 子信号。质谱仪同步监测 一种或数种被分析元素, 收集这些元素的二次离子 强度,即可形成二次离强 度-样品深度的深度剖析 析
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有机物分析
静态SIMS是一种软电离
分析技术,在有机物特别
额。溅射阈能指的是开始出现溅射时,初级离
子所需的能量。 溅射产额决定接收到的二次离子的多少,它与 入射离子能量、入射角度、原子序数均有一定 的关系,并与靶材晶格取向有关。
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质谱仪基本结构
质谱仪器一般具备以下几 个部分:进样系统、离子 源、质量分析器和检测器, 除此之外,质谱仪需在高 真空下进行工作(离子源: 10-3 10-5 Pa ,质量分析 器:10 -6 Pa),因此还有 真空系统
34 二次离子质谱
SIMS 分析方法
定性分析
在分析时,应经常考虑到谱的干涉或干 扰 。 同 时 应 考 虑 同 位 素 效 应, 一 般 地 说 , SIMS中同位素的比例接近于天然丰度,这也 是定性分析中所要掌握的一条法则。最后, 要考虑质谱仪分辨本领对SIMS的影响。
SIMS 分析方法
可达到 ppm 甚至 ppb 的量级,还可以进行微区成分
成像和深度剖面分析 。
SIMS
引言
早在本世纪 30 年代, Arnot 等人就研究了二次离
子发射现象。 1949 年, Herzog 和 Viekbock 首先把 二次离子发射与质谱分析结合起来。六十年代,先
后发展了离子探针和直接成像质量分析器。七十年
液态金属场离子源可以得到束斑
为0.2~0.5 m ,束流为0.5 nA的 离子束,束斑最小可达到50 nA。
双等离子体离子源示意图
SIMS 二次离子质谱仪
二次离子质谱仪-质谱分析器
二次离子分析系统早期采用磁质谱分析器,但仪器复杂、 成本高。
表面分析的静态SIMS中,几乎都采用四极滤质器,它没 有磁场、结构简单、操作方便、成本低。
离子探针(IMA) 二次离子质谱(SIMS)
Secondary Ion Mass Spectroscopy
SIMS
引言
二次离子质谱是利用质谱法分析初级离子入射
靶面后,溅射产生的二次离子而获取材料表面信息 的一种方法。二次离子质谱可以分析包括氢在内的 全部元素,并能给出同位素的信息,分析化合物组 分和分子结构。二次离子质谱具有很高的灵敏度,
离子质谱成像的。初级离子束斑直径最小可达 12m ,甚至更低。初级离子束的最大能量一般为 20keV,初级束流密度为mA/cm2量级。
二次离子质谱分析课件
SIMS 二次离子质谱仪
❖SIMS类型-直接成像质量分析器
直 接 成 像 质 量 分 析 器 (Direct Imaging Mass Analyzer—DIMA) 也 就 是 成 像 质 谱 计 (Imaging Mass Spectrometer—IMS),有时也称为离子显微镜(IM)。它是利 用较大的离子束径打到样品表面上,从被轰击区域发射的二 次离子进行质量分离和能量过滤,在保证空间关系不变的情 况下,在荧光屏上以一定的质量分辨本领分别得到各种成分 离子在一定能量范围内的分布图像。
SIMS 二次离子质谱仪
❖二次离子质谱仪-质谱分析器
➢ 二次离子分析系统早期采用磁质谱分析器,但仪器复杂、 成本高。
➢ 表面分析的静态SIMS中,几乎都采用四极滤质器,它没 有磁场、结构简单、操作方便、成本低。
➢ 飞行时间质谱计分析速度快、流通率高,可以测量高质量 数的离子,而逐渐受到人们的重视。
SIMS 引言
早在本世纪30年代,Arnot等人就研究了二次离 子发射现象。1949年,Herzog和Viekbock首先把 二次离子发射与质谱分析结合起来。六十年代,先 后发展了离子探针和直接成像质量分析器。七十年 代又提出和发展了静态二次离子质谱仪。这些二次 离子质谱仪的性能不断改进,使之成为一种重要的、 有特色的表面分析手段。
SIMS 分析方法
❖深度剖面分析
B注入硅中的SIMS深度剖面分析
SIMS 分析方法
❖面分布分析
利 用 SIM 或 IMS 可 以 获 取材料表面面分布的信息, 随着计算机技术的广泛应用 及电子技术的不断发展, SIMS 的 空 间分 辨率 可达 亚 微米量级 。
SIMS像
SIMS 分析方法
二次离子质谱
表面分析技术
2
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
二次离子质谱
一定能量的离子打到固体表面会引起表面原子、 分子或原子团等的二次发射,即离子溅射。溅射的粒 子一般以中性为主,其中有一部分带有正、负电荷, 这就是二次离子。利用质量分析器接收分析二次离子
就得到二次离子质谱。
表面分析技术
3
SIMS 离子溅射与二次离子质谱
表面分析技术
双等离子体离子源示意图
12
SIMS 二次离子质谱仪
二次离子质谱仪-质谱分析器
二次离子分析系统早期采用磁质谱分析器,不同动量的离子 在磁场中偏转半径不同,不同质荷比的离子分开。质量分辨
本领可高达10000以上,质量范围也较宽。但仪器复杂、成 本高,扫描速度慢。
表面分析技术
13
表面分析的静态SIMS中,几乎都采用四极滤质器 ,它通过高频与直流电场是特定质荷比的离子以稳 定轨迹穿过四极场,而质量较大或较小的离子由于
SIMS 二次离子质谱仪
二次离子质谱仪
二次离子质谱仪至少 包括主真空室、样品架及
送样系统、离子枪、二次 离子分析器和离子流计数 及数据处理示意图
10
SIMS 二次离子质谱仪
二次离子质谱仪-离子枪
离子枪一般分为热阴极电离型离子源、双等离子体离子源 和液态金属场离子源。
表面分析技术
16
分析速度快、流通率高,可以测量高质量数 的离子,而逐渐受到人们的重视。
表面分析技术
17
SIMS 二次离子质谱仪
SIMS类型-离子探针 离 子 探 针 即 离 子 微 探 针 质 量 分 析 器 (Ion Microprobe Mass Analyzer—IMMA),有时也称
时间飞行二次离子质谱
时间飞行二次离子质谱1. 原理:TOF-SIMS基于二次离子质谱技术,通过将样品表面轰击成离子并收集这些离子,然后根据离子在飞行时间上的差异来确定其质量和相对丰度。
具体原理是,样品表面被高能离子轰击,产生次级离子,这些离子经过加速后进入飞行管道,根据其质量-电荷比在飞行管道中飞行一段距离,到达离子探测器。
根据离子到达探测器所需的时间,可以确定其质量-电荷比,从而得到样品的化学组成信息。
2. 应用领域:TOF-SIMS广泛应用于材料科学、表面化学、生物医学等领域。
它可以用于表面成分分析、分子成像、薄膜分析、界面分析等研究。
在材料科学中,TOF-SIMS可以用于研究材料的表面组成、杂质分析、薄膜生长过程等。
在生物医学领域,TOF-SIMS可以用于细胞成分分析、药物输送研究、组织分析等。
3. 优势:TOF-SIMS具有以下优势:高灵敏度,TOF-SIMS可以检测到低至单分子层的离子信号,对于表面分析非常敏感。
高空间分辨率,TOF-SIMS可以实现亚微米甚至纳米级别的空间分辨率,可以对样品表面进行高分辨率成分分析。
多种离子源,TOF-SIMS可以使用不同的离子源,如离子枪、激光等,适用于不同类型的样品。
多种分析模式,TOF-SIMS可以进行表面成分分析、分子成像、深度剖析等多种分析模式,提供更全面的信息。
4. 限制:TOF-SIMS也存在一些限制:轰击效应,样品表面在高能离子轰击下可能发生化学或结构改变,导致分析结果的失真。
离子碰撞,离子在飞行过程中可能发生碰撞,导致质谱信号的衰减和失真。
矩阵效应,样品中存在复杂的基质效应,可能干扰离子的飞行和检测,影响分析结果的准确性。
数据处理,TOF-SIMS产生的数据量庞大,需要进行复杂的数据处理和解释,需要专业的分析软件和经验。
综上所述,时间飞行二次离子质谱是一种用于表面分析的技术,具有高灵敏度、高空间分辨率等优势,广泛应用于材料科学和生物医学等领域。
然而,它也存在一些限制,需要在实际应用中注意。
二次离子质谱sims
二次离子质谱sims
二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry,SIMS)是
一种表面分析技术,用于研究材料的化学成分和结构。
在SIMS中,样品的表面暴露在离子束中,离子束轰击样品表面,将表面的原子或分子二次离子化。
这些二次离子被加速,并通过质谱仪进行质量分析和检测。
SIMS技术广泛应用于材料科学、表面物理、化学、生物医学
等领域。
它可以提供高灵敏度、高空间分辨率和高质量分辨率的分析结果。
SIMS可以用于分析几乎所有类型的材料,包括
金属、半导体、陶瓷、聚合物、生物材料等。
SIMS的主要应用包括:
1. 确定材料的化学成分:通过质谱仪分析二次离子的质量,可以确定样品表面的化学成分。
这对于材料研究和制造过程控制非常重要。
2. 研究元素的分布和浓度:SIMS可以提供材料表面的元素分
布和浓度信息。
这对于评估材料的纯度、探索微观结构、研究焊接或合金等过程非常有用。
3. 表面形貌和拓扑分析:通过SIMS可以获得样品表面的形貌
和拓扑信息,包括表面的粗糙度、颗粒分布等。
4. 薄膜研究:SIMS可以用于研究薄膜的生长过程、组成和结构。
这对于光电子学和纳米技术等领域的研究非常重要。
总之,SIMS是一种非常强大的表面分析技术,可以提供关于
材料化学成分、元素分布、表面形貌等信息。
它在材料科学、化学、生物医学等领域有着广泛的应用。
(仅供参考)二次离子质谱(SIMS)
一、概述
•二 次 离 子 质 谱 是 表 征 固 体材料表面组分和杂质的 离子束分析技术。
•利 用 质 谱 法 分 析 由 一 定 能量的一次离子轰击在样 品靶上溅射产生的正、负 二次离子。
工作原理: 一定能量的离子轰击固体表面引起表面原子、
离子探针
离子探针即离子微探针质量分析器,有时也称扫描 离子显微镜(SIM)。它是通过离子束在样品表面上扫描 而实现离子质谱成像的。初级离子束斑直径最小可达12m,甚至更低。初级离子束的最大能量一般为20keV, 初级束流密度为mA/cm2量级。
离子显微镜
离子显微镜(IM)即直接成像质量分析器 (Direct Imaging Mass Analyzer—DIMA)也就是成像质谱计 (Imaging Mass Spectrometer—IMS),它是利用较 大的离子束径打到样品表面上,从被轰击区域发射的 二次离子进行质量分离和能量过滤,在保证空间关系 不变的情况下,在荧光屏上以一定的质量分辨本领分 别得到各种成分离子在一定能量范围内的分布图像。
(2)动态SIMS
痕量元素的体分析
为了提高分析灵敏度,采用很高的溅射率,即用大束流、 较高能量(数keV—20keV)的一次束,靠快速剥蚀不断地对新 鲜表面进行分析,测到的是体内的成分。
成分-深度剖析
选取二次离子质谱上的一个或几个峰,在较高的溅射速 率下,连续记录其强度随时间的变化,得到近表面层的成 分—深度剖图。
溅射粒子能量分布曲线
SIMS 基体效应
17种元素的二次离子产额
金属
清洁表面 覆氧表面
金属
清洁表面 覆氧表面
二次离子质谱SIMS-PPT精选文档
二次离子的发射与中性原子溅射不同, 由于涉及电子转 移,因此与化学态密切相关,其它成分的存在影响了电子态。
(4)与入射离子种类关系 惰性元素离子:Ar+, Xe+ 电负性离子:O2+, O-, F-, Cl-, I- 电正性离子:Cs+ 电负性离子可大大提高正二次离子产额
电正性离子可大大提高负二次离子产额
即 (Δ M)5%H=1 Δ 流通率 经质量分离检测到的xn元素的离子数 从靶上发射的xn离子数 与发射后离子的采集、分析器的窗口和检测 器的接收效率有关。 质量歧视:不同质量数的离子流通率不同 Δ 噪声 Δ 动态范围 Δ 分析速度
六、二次离子分析方法
1. 定性分析 痕量杂质分析
2. 定量分析
检测到的离子流与样品成分间的关系 (1)基本公式 I ±(xn, t) = A Jp S±(xn)f C(xn,t) = Ip S±(xn)f C(xn,t) 其中C(xn,t)为分析时xn成分在表层中的体浓度, 常用百分浓度、ppm或ppb表示。 由于S±的不确定性,使按公式进行定量分析失去 实际意义。
硅的二次离子质谱--正谱图
硅的二次离子质谱--负谱图
Si(111)注O2表面二次离子质谱--正谱图
Si(111)注O2表面二次离子质谱--负谱图
2.二次离子产额 S+或S-:一个一次离子平均打出的二次离子个数。 (1)与样品原子序数关系 明显的周期性关系 S+: 电离能 ↗ S+ ↘ S-: 电子亲和势↗ S- ↘ 各种元素离子产额差异大,可达4个数量级 (2)与化学环境关系 被氧覆盖前后: 纯元素二次离子产额增大2-3个数量级 多荷离子和原子团则表现出不同的规律 (3)基体效应 同一元素的二次离子产额因其它成分的存在而改变。
二次离子质谱
二次离子质谱术的基础是荷能离子与表面的 相互作用,其支撑技术是超高真空技术、 相互作用 , 其支撑技术是超高真空技术 、 电子 技术、电子离子光学、质谱学、 技术 、 电子离子光学 、 质谱学 、 弱信号检测技 微机技术和图像处理技术等。 术、微机技术和图像处理技术等。 其分析对象包括金属和合金、半导体、 其分析对象包括金属和合金 、 半导体 、 绝缘 有机物以至生物膜。其应用领域包括化学、 体 、 有机物以至生物膜 。 其应用领域包括化学 、 物理学和生物学等基础研究, 物理学和生物学等基础研究 , 并已遍及到微电 子学、材料科学、催化、薄膜等实用领域。 子学、材料科学、催化、薄膜等实用领域。
样品
形态: 晶态或非晶态固体, 形态 : 晶态或非晶态固体 , 表面经修饰的固 或具有沉积薄膜或镀层的基底, 体 、 或具有沉积薄膜或镀层的基底 , 样品表 面最好是平坦而光滑的, 面最好是平坦而光滑的 , 粉末样品必须将其 压入软金属箔(如铜 中或压制成小块。 如铜)中或压制成小块 压入软金属箔 如铜 中或压制成小块。 尺寸: 是可变的, 但一般是1cm×1cm×1cm。 尺寸 : 是可变的 , 但一般是 × × 。 制备: 制备 : 进行表面分析或深度方向分析时不需 制样, 制样 , 进行显微结构或痕量元素分析时需要 腐蚀制样。 腐蚀制样。
(4)对杂质的检测限常可达 -4%甚至 -7%数 对杂质的检测限常可达10 甚至10 对杂质的检测限常可达 量级,是所有表面分析方法中灵敏度较高的。 量级,是所有表面分析方法中灵敏度较高的。 (5)可进行微区成分的成像分析和深度剖面分 可进行微区成分的成像分析和深度剖面分 还可得到一定程度的晶格信息。 析,还可得到一定程度的晶格信息。
一般用途
(1) 表面成分分析,其深度分辨率约为 ~l0nm 表面成分分析,其深度分辨率约为5~ 元素的沿深度方向浓度剖析; 元素的沿深度方向浓度剖析; (2) 分析含量在十亿分之几到百万分之几范围 内的痕量元素; 内的痕量元素; (3) 同位素丰度的测定; 同位素丰度的测定; (4) 氢分析; 氢分析; (5) 元素物质的空间分布。 元素物质的空间分布。
第六章-二次离子质谱
(2) 要求在超高真空下能对样品的位置进行 机械调节,并且有相应的送样、取样装置,还 应该能对样品进行加热、冷却、破碎和清洁处 理等;
(3) 要求二次离子分析系统有尽可能高的总 流通率,有适当的质量分析范围和质量分辨率, 克服质量歧视效应并有尽可能快的分析速度。 还要求能够调节质谱计前二次离子能量窗口的 位置和宽度;
(5)溅射产额与晶格取向有关即靶的晶格效应。 除上述规律外,实验研究还表明溅射产额与表面状 态关系很大。表面粗糙度、表面化学吸附、表面氧化以 及表面污染等都对它产生强烈影响。
3. 二次离子能量分布 最可几能量分布范围:1-10eV,与入射离子
能量无关; 原子、离子:峰宽,有长拖尾; 带电原子团:能量分布窄,最可几能量低,
拖尾短。 利用上述性质,采用能量过滤器,可滤掉低能
原子团。
五、SIMS分析模式和基本关系式
l、SIMS分析模式
SIMS分析模式大致可分为动态和静态两大类。一 次离子束流密度是划分两种模式的主要标志。动态 SIMS是最早的SIMS分析模式。
离子显微镜和离子微探针都属于这一类。其 一 次 离 子 束 流 密 度 较 高 (>1X10-7A/cm2) , 溅 射速率>5nm/min,这种模式常用于深度剖析、 成像和微区分析,主要应用于电子技术和材 料科学的研究。
(2) 四极限滤质器(QMS),它通过高频与直流 电场使特定质荷比的离子以稳定轨迹穿过四极 场,质量较大或较小的离子由于轨迹不稳定而 打到四极杆上,从而达到质量分析的目的;
(3) 飞行时间质谱计(TOF),由于相同能量 不同质荷比的离子飞行速度不同,用脉冲方 式引出离子并经过一段飞行,它们会分别在 不同时间到达收集极,从而得到质谱。
二次离子质谱是利用质谱法分析初级离子入射 靶面后,溅射产生的二次离子而获取材料表面信 息的一种方法。
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海洋有机地球化学检测方法二次离子质谱技术简述摘要:海洋有机地球化学是通过研究与还原性碳相关的物质来揭示海洋生态系的结构、功能与演化的一门科学。
由于其中的有机组分通常以痕量、复杂的混合物形式存在,且是不同年龄、不同来源、不同反应历史生源物质的集成产物,所以总体分析困难较大。
目前主要是从整体水平和分子水平两方面进行检测分析,本文将简单介绍核磁共振谱分析技术、离子交换层析法、气相色谱法、二次离子质谱技术、X射线衍射分析、比色法这六种分析方法的检测对象和所能获得的数据,并对其中的二次离子质谱技术的检测原理、应用现状、优势与弱点和发展趋势等进行总结与分析。
关键词:有机化学检测分析;二次离子质谱(SIMS);剖析应用1.引言目前,用于揭示天然有机组分特征的分析技术可分为两类:一是整体分析以获得有机物主要组分的整体性质包括元素组成、光谱特征等,比如核磁共振谱分析;二是分子水平分析以获得特定类别有机组分的信息,比如气相色谱法。
二次离子质谱技术是目前灵敏度较高的表面微区分析方法,从20世纪初至今在发扬其优点减小或克服其局限性中不断得到发展,成为一种独具恃色的分析手段,在微电子技术、化学技术、纳米技术以及生命科学等之中得到广泛的应用。
2.几种检测方法的介绍2.1核磁共振波谱分析技术(NMR)核磁共振技术(NMR)广泛用于有机化学、分子生物学等领域,在能源科学中用于研究有机分子的微观结构,且它所检测的样品可以是混合样品,具有不破坏样品的特点。
通过核磁共振波谱仪获得样品的共振谱,来测定分子中某些原子的数目、类型和相对位置[9]。
2.2离子交换层析法(IEC)离子交换层析法(IEC)是以离子交换剂为固定相,依据流动相中的组分离子与交换剂上的平衡离子进行可逆交换时的结合力大小的差别而进行分离的一种层析方法。
检测对象主要是各种生化物质,也应用于临床生化检验中,用于分离纯化氨基酸、多肽及蛋白质,也可用于分离核酸、核苷酸及其它带电荷的生物分子。
2.3气相色谱法(GC)气相色谱法(GC)是一种在有机化学中对易于挥发而不发生分解的化合物进行分离与分析的色谱技术。
通过待分析的气体样品与覆盖有各种各样的固定相的柱壁相互作用,使得不同的物质在不同的时间被洗脱出来。
通过将未知物质的保留时间与相同条件下标准物质的保留时间的比较可以表征未知物,从而获得某一特定化合物的纯度,也可以对混合物中的各组分进行分离(同时还可以测定各组分的相对含量)。
在某些情况下,气相色谱还可能对化合物的表征有所帮助。
在微型化学实验中,气相色谱可以用于从混合物中制备纯品[10]。
2.4二次离子质谱技术(SIMS)二次离子质谱技术(SIMS)是用一次离子束轰击样品表面,将表面的原子溅射出来成为带电的离子,然后用质谱仪分析离子的荷质比,便可知道表面成分,是非常灵敏的表面成分分析手段,可用于鉴定有机成分的分子结构,是最前沿的表面分析技术。
2.5X射线衍射分析(XRD)X射线衍射分析(XRD)是利用晶体形成的X射线衍射,对物质内部原子空间分布状况的结构进行分析的方法。
对于晶体材料,这是一种非常理想且有效的方法,而对于液体和非晶态物固体,这种方法也能提供许多基本的重要数据。
通过这种检测方法可以确定试样结晶的物质结构,可以获得元素存在的化合物状态、原子间相互结合的方式,从而可进行价态分析,也可根据衍射X射线强度的比较,进行定量分析[8]。
2.6比色法比色法是以生成有色化合物的显色反应为基础,通过比较或测量有色物质溶液颜色深度来确定待测组分含量的方法,是一种定量分析的方法。
样品需处理为液态,利用紫外-可见分光光度计的光电比色法准确度、灵敏度都更高,适用范围也更广。
3.二次离子质谱技术(SIMS)3.1检测原理SIMS基本原理示于图1[1]:(1)利用聚焦的一次离子束(被加速至keV~MeV能量[2])在样品上稳定地进行轰击,一次离子可能受到样品表面的背散射(概率很小),也可能穿透固体样品表面的一些原子层深入到一定深度,在穿透过程中发生一系列弹性和非弹性碰撞。
一次离子将其部分能量传递给晶格原子,这些原子中有一部分向表面运动,并把能量的一部分传递给表面粒子使之发射,这种过程称为粒子溅射。
在一次离子束轰击样品时,还有可能发生另外一些物理和化学过程:一次离子进入晶格,引起晶格崎变;在具有吸附层覆盖的表面上引起化学反应等等。
溅射粒子大部分为中性原子和分子,小部分为带正、负电荷的原子、分子和分子碎片;(2)电离的二次粒子(溅射的原子、分子和原子团等)按质荷比实现质谱分离;(3)收集经过质谱分离的二次离子,可以得知样品表面和本体的元素组成和分布。
在分析过程中,质量分析器不但可以提供对应于每一时刻的新鲜表面的多元素分析数据,而且还可以提供表面某一元素分布的二次离子图像。
几点说明:SIMS的一次离子源可以为气体放电源(O2+、O-、N2+、Ar+)、表面电离源(Cs +、Rb+)和液态金属场离子发射源(Ga+、In+)等。
质量分析器可采用单聚焦、双聚焦、飞行时间、四极杆、离子阱、离子回旋共振等[1]。
早期使用的质谱计存在一个共同的缺点,就是灵敏度受到低传输率和逐段开窗计数造成的二次离子低利用率的限制。
1981年,Chait和 Standing首次将飞行时间装置引入了二次离子质谱技术,使得灵敏度得到极大提高[2],而其更重要的特点是只要降低脉冲的重复频率就可扩展质量范围,从原理上不受限制,还可以提高分辨率和降低本底干扰,因而成为近年来质谱仪器发展的热点[1]。
表1[2]列出了3种最常用的分析系统的参数。
3.2优势和弱点SIMS的主要优点【7,4】:(1)在超高真空下(<10-7Pa)进行测试,可以确保得到样品表层的真实信息;(2)原则上可以完成周期表中几乎所有元素的低浓度半定量分析;(3)可检测同位素,因而可用于分析同位素或利用同位素提供的信息;(4)可分析化合物,通过分子离子峰可得到准确的分子量信息,通过碎片离子峰可得到分子结构信息,静态二次离子质谱(SSIMS)可检测不易挥发和热不稳定的有机大分子(如银表面沉积的单层B12);(5)可实现微区面成分分布的分析,由于离子束在体内的扩散比电子束小,因而在同样束斑下可得到更高的空间分辨率;(6)可逐层剥离实现各成分的纵向剖析,连续研究实现信息纵向大约为一个原子层;(7)可在一定程度上得到晶体结构的信息;(8)由于质谱法检测的是具有特定质荷比的离子,比各种电子谱的本底噪声都要低得多,且可通过检测正或负二次离子和选择不同类型的一次束,使之对不同元素或化合物都有很高的检测灵敏度,是所有表面分析方法中灵敏度最高的一种,有很宽的动态范围。
SIMS存在的主要局限【7,4】:(1)质谱包含的信息丰富,在复杂成分低分辨率分析时识谱困难;(2)不同成分在同一基体或同一成分在不同基体中的二次离子产额变化很大,定量分析困难;(3)一次离子(特别是动态二次离子质谱(DSIMS))对样品有一定的损伤;(4)分析绝缘样品必须经过特殊处理;(5)样品组成的不均匀性和样品表面的光滑程度对分析结果影响很大;(6)溅射出的样品物质在邻近的机械零件和离子光学部件上的沉积会产生严重的记忆效应。
3.3应用现状与发展趋势SIMS法在近二、三十年来得到迅速发展,其检测灵敏度达到10-6~10-9g/g。
分析对象包括金属、半导体、多层膜、有机物以至生物膜,应用范围包括化学、物理学和生物学等基础研究,并很快扩展到微电子、冶金、陶瓷、地球和空间科学、医学和生物工程等实用领域。
具体应用有:元素及同位素分析方面:Riciputi等利用SIMS研究矿物中基体效应对轻质元素氧、碳、硫同位素比测量的影响;颗粒物微分析研究方面:Gray S. Groenewold等利用TOF-SIMS离子图像功能,并结合扫描电镜(SEM)及能量色散X射线谱(EDS)研究经CsI溶液浸泡后的土壤颗粒(切尔诺贝利核点站事故后Cs污染造成长期健康问题)。
结果证明,仪器可以检测160Lg/g的铯离子(约0.04单层厚);团簇、聚合物分析及生物医学等方面:Lhuissier等利用SIMS进行桦树、亚麻花粉以及鸡脚掌肉球中细胞的N15标记研究[1];煤及油气资源方面:SIMS技术在分析研究煤和油气烃源岩有机组分的化学成分和结构特征方面具有一定优势SIMS 质谱不但可以分析有机组分的有机离子,而且也可以分析无机离子,还有有机与无机复合离子[6]。
具体的应用还有很多,本文这里就不一一列举。
超高分辨率显微镜成像技术与同位素示踪技术相结合的纳米二次离子质谱技术( NanoSIMS) 具有较高的灵敏度和离子传输效率、极高的质量分辨率和空间分辨率( <50nm) ,代表着当今离子探针成像技术的最高水平,在国际上已被广泛应用于地球科学、材料科学、比较行星学、生物医学和矿物学等领域,并在微生物生态学研究中显示出巨大的潜力,是当前最为先进的表面和界面分析技术,具有广阔的应用前景[5]。
SIMS目前也面临着许多挑战并且仍有着很大的发展空间。
定量分析是SIMS的难点,90年代中,国际标准化组织二次离子质谱学分委员会(ISO/TC 201/SC 6)已决定从硅中硼的定量分析开始制定第一个SIMS方面的国际标准,并由其组织了第一轮国际巡回测试。
在对SIMS荃体效应研究的基础上发展的SNMS和MCs十技术也都促进了SIMS定量分析问题的发展。
由于SIMS面临着在工业过程的质量控制方面进一步推广应用的前景,将推动更加灵活方便定量技术的进一步发展。
同时由于二次离子发射过程和机理十分复杂,至今尚缺乏深入的了解,虽已发展了多种模型用来解释不同的发射过程,但SIMS的基础研究还远跟不上其迅速发展的应用,因此SIMS基础理论与实验研究、计算机模拟二次离子发射机理的研究将会得到更加迅速的发展[4]。
我国虽然在二次离子质谱的研究领域取得一定的进展但由于SIMS的发展比发达国家晚了10余年,所以与当前迅速发展的国际先进技术相比,还存在着明显差距。
目前国内现有的SIMS仪器,基本上是法国Cameca公司生产的IMS系列产品,IMS-6f型二次离子质谱仪在同位素分析方面有很大应用[3]。
4.结语海洋有机地球化学的检测分析可以从整体水平和分子水平两方面进行,具体方法主要有核磁共振谱分析、离子交换层析法、比色法、X射线衍射分析、气相色谱法以及二次离子质谱技术等等,各种方法所能获取的信息都不尽相同,要根据检测对象和预期目标选取合适的方法。
二次离子质谱技术检测灵敏度很高,是有利的表面微区分析方法。
具有定量分析范围广、可分析化合物、可深度纵向剖析等优势,但同时也具有识谱困难、一次离子束对样品有损害等局限。
目前广泛应用于微电子技术、化学技术、纳米技术、生命科学、物理学以及地球和空间科学等学科之中,在定量分析、基础理论研究以及半导体应用等方面仍有较大发展前景。