扩散工艺和离子注入
扩散片工艺
扩散片工艺
扩散片工艺是指在半导体制造过程中，通过一系列的化学反应和物理处理，将掺杂材料加入到晶体中，从而改变半导体材料的电学性质，以用于制造各种电子器件。
扩散片工艺是现代半导体工业的基础之一，广泛应用于集成电路、太阳能电池、发光二极管等领域。
扩散片工艺的流程包括：清洁晶体表面、沉积氧化膜、掺杂、扩散、退火等步骤。
其中，掺杂是指将有限量的掺杂材料加入到晶体中，改变晶体的电学性质。
扩散是指将掺杂材料通过热扩散的方式，将其分布到整个晶体中。
退火则是为了消除应力和缺陷，使晶体完整性得到恢复。
扩散片工艺中的掺杂技术包括离子注入和扩散两种方式。
离子注入是指使用离子注入器将掺杂材料以高能量注入晶体表面，然后通过热退火使其扩散到整个晶体中。
扩散则是将晶体浸泡在掺杂材料的气氛中，通过热扩散的方式将掺杂材料分布到整个晶体中。
扩散片工艺的关键在于控制掺杂材料的浓度和分布，以及保证晶体的完整性和稳定性。
同时，扩散片工艺还需要考虑到制造成本、生产效率和环境保护等因素。
总之，扩散片工艺是半导体工业中不可或缺的一部分，它的不断改进和创新，将为电子器件的开发和应用提供更加广阔的空间。
- 1 -。
八大半导体工艺顺序剖析
八大半导体工艺顺序剖析八大半导体工艺顺序剖析在现代科技领域中，半导体材料和器件扮演着重要的角色。
作为电子设备的基础和核心组件，半导体工艺是半导体制造过程中不可或缺的环节。
有关八大半导体工艺顺序的剖析将会有助于我们深入了解半导体制造的工作流程。
本文将从简单到复杂，逐步介绍这八大工艺的相关内容。
1. 排版工艺（Photolithography）排版工艺是半导体制造过程中的首要步骤。
它使用光刻技术，将设计好的电路图案转移到硅晶圆上。
排版工艺需要使用光刻胶、掩膜和曝光设备等工具，通过逐层叠加和显影的过程，将电路图案转移到硅晶圆上。
2. 清洗工艺（Cleaning）清洗工艺在排版工艺之后进行，用于去除光刻胶和其他污染物。
清洗工艺可以采用化学溶液或高纯度的溶剂，保证硅晶圆表面的干净和纯净。
3. 高分辨率电子束刻蚀（High-Resolution Electron BeamLithography）高分辨率电子束刻蚀是一种先进的制造技术。
它使用电子束在硅晶圆表面进行刻蚀，以高精度和高分辨率地制作微小的电路图案。
4. 电子束曝光系统（Electron Beam Exposure Systems）电子束曝光系统是用于制造高分辨率电子束刻蚀的设备。
它具有高能量电子束发射器和复杂的控制系统，能够精确控制电子束的位置和强度，实现微米级别的精细曝光。
5. 高能量离子注入（High-Energy Ion Implantation）高能量离子注入是半导体器件制造中的一项重要工艺。
通过将高能量离子注入到硅晶圆表面，可以改变硅晶圆的电学性质，实现电路中的控制和测量。
6. 薄膜制备与沉积（Film Deposition）薄膜制备与沉积是制造半导体器件的关键工艺之一。
这个工艺将薄膜材料沉积在硅晶圆表面，包括化学气相沉积、物理气相沉积和溅射等方法。
这些薄膜能够提供电介质、导电材料或阻挡层等功能。
7. 设备和工艺完善（Equipment and Process Optimization）设备和工艺完善的步骤是优化半导体制造工艺的关键。
扩散&离子注入
横向扩散（扩散问题）：
Xj横＝（0.75～0.85）Xj纵
3.3 扩散工艺
1. 扩散方法 根据杂质源的不同进行分类： 1)、固态源扩散
2)、液态源扩散
3)、气态源扩散
3.3 扩散工艺
扩散常用杂质源 杂质 砷（As） 磷（P） 磷（P） 硼（B） 硼（B） 硼（B） 锑（Sb） 杂质源 AsH3 PH3 POCl3 B2H6 BF3 BBr3 SbCl5 化学名称 砷烷（气体） 磷烷（气体） 三氯氧磷（液体） 乙硼烷（气体） 三氟化硼（气体） 三溴化硼（液体） 五氯化锑（固体）
P2O5 ＋ Si → P ＋ SiO2
3.3 扩散工艺
液态源扩散系统
3.3 扩散工艺
3)、气态源扩散
气态杂质源一般先在硅片表面进行化学反应生成 掺杂氧化层，杂质再由氧化层向硅中预扩散。
以B掺杂为例： B2H6+2O2 →B2O3+3H2O 2H2O+Si →SiO2+2H2 2B2O3+3Si →4B+3SiO2
（b）替位式扩散
3.2 扩散原理
杂 质 在 硅 中 的 扩 散
3.2 扩散原理
3. 杂质扩散方程
非克（Fick）第一定律：
J为扩散粒子流密度，定义为单位时间通过单位面 积的粒子数， D为扩散系数，是表征杂质扩散快慢 的系数，N是扩散粒子的浓度。非克第一定律表达 了扩散的本质即温度越高，浓度差越大，扩散就越 快。
3.6 离子注入工艺原理
1. 离子注入参数
1) 注入剂量φ 注入剂量φ是样品表面单位面积注入的离子总数。单位： 离子/cm2 。
I为束流，单位是库仑每秒（安培） t为注入时间，单位是秒 q为电子电荷，等于1.6×10－19库仑 n为每个离子的电荷数 A为注入面积，单位为cm2
半导体八大工艺顺序
半导体八大工艺顺序半导体八大工艺顺序，是指半导体制造过程中的八个主要工艺步骤。
这些工艺步骤包括晶圆清洗、光刻、沉积、刻蚀、扩散、离子注入、退火和包封。
下面将逐一介绍这些工艺步骤的顺序及其作用。
1. 晶圆清洗晶圆清洗是半导体制造过程中的第一步。
在这一步骤中，晶圆将被放入化学溶液中进行清洗，以去除表面的杂质和污染物。
这样可以确保后续工艺步骤的顺利进行，同时也可以提高器件的质量和性能。
2. 光刻光刻是半导体制造中的关键工艺步骤之一。
在这一步骤中，将使用光刻胶覆盖在晶圆表面上，并通过光刻机将图形投射到光刻胶上。
然后，利用化学溶液将未曝光的光刻胶去除，从而形成所需的图形。
3. 沉积沉积是指在晶圆表面上沉积一层薄膜的工艺步骤。
这一层薄膜可以用于改变晶圆表面的性质，增加其导电性或绝缘性。
常用的沉积方法包括化学气相沉积和物理气相沉积。
4. 刻蚀刻蚀是将多余的材料从晶圆表面去除的工艺步骤。
在这一步骤中，利用化学溶液或等离子刻蚀机将不需要的材料去除，从而形成所需的图形和结构。
5. 扩散扩散是将杂质或掺杂物diffused 到晶圆中的工艺步骤。
这一步骤可以改变晶圆的电学性质，并形成PN 结等器件结构。
常用的扩散方法包括固体扩散和液相扩散。
6. 离子注入离子注入是将离子注入到晶圆中的工艺步骤。
这可以改变晶圆的导电性和掺杂浓度，从而形成电子器件的结构。
离子注入通常在扩散之前进行。
7. 退火退火是将晶圆加热至一定温度并保持一段时间的工艺步骤。
这可以帮助晶圆中的杂质扩散和掺杂物活化，从而提高器件的性能和稳定性。
8. 包封包封是将晶圆封装在外部保护材料中的工艺步骤。
这可以保护晶圆不受外部环境的影响，同时也可以方便晶圆的安装和使用。
半导体制造过程中的八大工艺顺序是一个复杂而精密的过程。
每个工艺步骤都起着至关重要的作用，只有严格按照顺序进行，才能生产出高质量的半导体器件。
希望通过本文的介绍，读者对半导体制造过程有了更深入的了解。
半导体不同扩散工艺的特点
半导体不同扩散工艺的特点
半导体的扩散技术是将特定种类的杂质原子在半导体晶体中扩散，并改变半导体材料的导电性质。
半导体扩散工艺主要分为以下几种：
1. 扩散氧化法：将硅片加热至高温，使气体中的氧气（O2）分解，产生的氧分子与硅片表面反应，生成二氧化硅（SiO2），从而控制扩散层的深度和宽度。
该工艺的特点是扩散面积大，扩散层深度均匀，但是扩散速度较慢，适用于生产较高质量要求的器件。
2. 氧化掩蔽扩散法（LOCOS）：利用化学气相沉积或物理气相沉积在硅片表面沉积一层硅氧化物光刻膜（LOCOS法）或硅酸盐膜（LOCAT法），通过扩散杂质（如磷、硼等）和高温处理，使膜下方的硅衬底发生晶格变形和氧化，形成带孔的氧化硅层，从而形成了扩散区域。
该工艺特点是可制造出复杂的器件结构，但是对于大尺寸芯片来说，芯片表面会过度弯曲，造成拉应力，最终导致母片变形，影响器件性能和可靠性。
3. 氧化铝扩散法：在扩散前利用化学气相沉积在硅片表面沉积一层氧化铝膜，再在这层氧化铝膜上打一个小口（缺口），通过缺口在晶体下面扩散，形成扩散区。
该工艺特点是可保护芯片表面，避免造成晶片变形，但是扩散层较浅，仅适用于制造器件的浅扩散层。
4. 离子注入法：利用离子加速器将杂质离子注入到硅晶体中，形成扩散区。
该
种方法的特点是扩散速度快，扩散深度大，适用于生产器件的深扩散层，但是也存在与晶片表面反应的问题，同时也会导致结果分布不均匀的问题。
总之，选择适当的扩散工艺需要根据所需器件的性质和质量要求来确定。
3、半导体工艺原理-离子注入
Microelectronic Fabrication & MEMS Technology
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四、离子束电流的测量
Sampling slit in disk
Ion beam
Scanning disk with wafers
Suppressor aperture
Faraday cup
Current integrator
2
二、结深的测量
测量结深的方法主要有 磨角法、
磨槽法（滚槽法） 和 光干涉法。
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费克第一定律 费克第二定律。 再分布后的表面杂质浓度为
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根据冶金学原理，由两种或多种金属组成的合金，其熔点 会大大低于组成这种合金的单体金属的熔点，从而可大大降低 合金中金属处于液态时的蒸汽压。
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例如，金和硅的熔点分别为 1063 oC 和 1404 oC，它们在此 温度时的蒸汽压分别为 10-3 Torr 和 10-1 Torr。当以适当组分组 成合金时，其熔点降为 370 oC ，在此温度下，金和硅的蒸汽压 分别仅为 10-19 Torr 和 10-22 Torr。这就满足了 LMIS 的要求。
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1、等离子体型源 这里的 等离子体 是指部分电离的气体。虽然等离子体中的 电离成分可能不到万分之一，其密度、压力、温度等物理量仍 与普通气体相同，正、负电荷数相等，宏观上仍为电中性，但 其电学特性却发生了很大变化，成为一种电导率很高的流体。
3.4扩散与离子注入
离子注入系统的原理示意图
① 离子源
通过电子和掺杂气体的碰撞 产生离子的装置
磁铁
弧光室
W丝，通过加热产生 热离子化电子
正离子
掺杂气体 P、B或As的硫化物、 氟化物或氢化物作为 离子源
磁铁
利用电磁力 使电子运动
② 分离磁场
利用不同离子在磁场中所受洛仑兹力不同， 因而运动轨迹不同来分离出单一离子。
（3）离子注入时，衬底一般是保持在室温或低于400℃。 避免高温扩散所引起的热缺陷，同时横向效应比热扩 散小得多。另外像二氧化硅、氮化硅、铝和光刻胶等 都可以用来作为选择掺杂的掩蔽膜。对器件制造中的 自对准掩蔽技术给予更大的灵活性，这是热扩散方法 根本做不到的。
（4）注入杂质按掩模版图形近于垂直入射，有利于器件按征 尺寸的缩小。
加速注入半导体内。
使扩散
低温 没有横向扩散 掺杂剂量可以控制 注入的深度可以控制
1. 离子注入过程
a 离子碰撞
Ion
E
atoms
如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角， 它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性 和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失 到某一定的值（ 约为20eV左右 ) 时，将停止在固体中不再运 动。上述过程被称为离子注入过程。
注入离子能量减弱，一定深度后停止运动
溅射现象
当运动的原子运动到固体表面时，如果其能量大于表面的势垒，它将 克服表面的束缚而飞出表面层，这就是溅射现象。溅射出来的粒子除了 是原子外，也可以是原子团。溅射出来的原子进入鞘层后，与鞘层内的 离子碰撞后将发生电离，形成新的离子。溅射原子或原子团也可以穿过 鞘层进入等离子体，并捕获等离子体中的电子，形成带负电的粒子或粒 子团，通常称为“尘埃粒子”。尘埃粒子的存在将造成对等离子体的污 染，这对采用等离子体技术制备高质量的薄膜材料是非常有害的。
微电子器件的工艺制备技术研究
微电子器件的工艺制备技术研究一、引言随着科技的发展，微电子器件越来越被广泛应用于各个领域，如消费电子、电子通信、医疗等。
微电子器件的工艺制备技术是实现小型化、高性能和低功耗的关键。
本文将探讨微电子器件的工艺制备技术研究进展。
二、微电子器件制备技术种类微电子器件的制备技术可以分为三种：扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺。
1.扩散工艺扩散工艺是指利用扩散原理，在半导体表面上形成p-n结或改变半导体的电性质，从而制备各种器件。
该工艺可以分为三种：固相扩散、气相扩散和液相扩散。
其中，固相扩散是最常用的一种。
2.离子注入工艺离子注入工艺是指将离子束射入半导体中，操纵半导体电物性，从而形成p-n结或制备器件。
该工艺具有制程简单、精度高和性能良好等优点。
3.化学气相沉积工艺化学气相沉积工艺是指利用化学反应在半导体表面上沉积薄膜，从而形成器件。
该工艺具有制程简单、成本低廉和控制性好等特点。
三、微电子器件制备技术的进展微电子器件制备技术在发展过程中，不断涌现出新的方法和技术。
下面将分别从扩散工艺、离子注入工艺和化学气相沉积工艺方面来介绍微电子器件制备技术的进展。
1.扩散工艺由于扩散工艺制备的器件成本低廉、效率高，因此得到了广泛应用。
在扩散工艺的研究中，最重要的问题是如何控制扩散过程中的杂质含量。
随着微电子器件的小型化，杂质的含量变得更加敏感，因此对杂质的控制要求更高。
目前，控制杂质含量的方法主要有如下几种：前处理、增量扩散和掺杂剂挥发。
其中，前处理是将器件的前部分进行清洗和去除，以减少杂质的影响。
增量扩散是指在扩散过程中，不断的补充新材料，以控制器件中的杂质含量。
掺杂剂挥发则是指在扩散过程中，通过加热掺杂剂将掺杂剂挥发出去，以减少杂质的含量。
2.离子注入工艺离子注入工艺在微电子器件制备中起到了重要的作用。
离子注入技术可以控制掺杂原子的深度、浓度和分布等参数，因而得到了广泛应用。
在离子注入工艺的研究中，最主要的问题是如何控制离子束和自生征上的温升。
八个基本半导体工艺
八个基本半导体工艺随着科技的不断进步，半导体技术在各个领域得到了广泛的应用。
半导体工艺是半导体器件制造过程中的关键环节，也是半导体产业发展的基础。
本文将介绍八个基本的半导体工艺，分别是氧化、扩散、沉积、光刻、蚀刻、离子注入、热处理和封装。
一、氧化工艺氧化工艺是指在半导体晶片表面形成氧化层的过程。
氧化层可以增强晶片的绝缘性能，并且可以作为蚀刻掩膜、电介质、层间绝缘等多种用途。
常见的氧化工艺有湿法氧化和干法氧化两种。
湿法氧化是在高温高湿的环境中，通过将晶片浸泡在氧化液中使其表面氧化。
干法氧化则是利用高温下的氧化气体与晶片表面反应来形成氧化层。
二、扩散工艺扩散工艺是指将掺杂物质（如硼、磷等）通过高温处理，使其在晶片中扩散，从而改变晶片的导电性能。
扩散工艺可以用于形成PN结、调整电阻、形成源、漏极等。
扩散工艺的关键是控制扩散温度、时间和掺杂浓度，以确保所需的电性能。
三、沉积工艺沉积工艺是将材料沉积在半导体晶片表面的过程。
常见的沉积工艺有化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）两种。
CVD是利用化学反应在晶片表面沉积薄膜，可以实现高纯度、均匀性好的沉积。
而PVD则是通过蒸发、溅射等物理过程，在晶片表面形成薄膜。
四、光刻工艺光刻工艺是将光敏胶涂覆在晶片表面，然后通过光刻曝光、显影等步骤，将光敏胶图案转移到晶片上的过程。
光刻工艺是制造半导体器件的核心工艺之一，可以实现微米级甚至纳米级的图案制作。
五、蚀刻工艺蚀刻工艺是通过化学反应或物理过程将晶片表面的材料去除的过程。
蚀刻工艺可以用于制作电路的开关、互连线等。
常见的蚀刻方法有湿法蚀刻和干法蚀刻两种。
湿法蚀刻是利用化学溶液对晶片表面进行腐蚀，而干法蚀刻则是通过等离子体或离子束对晶片表面进行刻蚀。
六、离子注入工艺离子注入工艺是将掺杂离子注入晶片中的过程。
离子注入可以改变晶片的导电性能和材料特性，常用于形成源漏极、调整电阻等。
离子注入工艺需要控制注入能量、剂量和深度，以确保所需的掺杂效果。
第四章 离子注入作业
第四章离子注入作业1、离子注入定义：离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质。
2、离子注入工艺相比扩散工艺具有以下优点：(1)、可以在较低的温度下，将各种杂质掺入不同的半导体中。
(2)、能精确地控制掺入硅片内部杂质的浓度分布和注入深度。
(3)、可以实现大面积的均匀掺杂，而且重复性好。
(4)、掺入杂质纯度高。
(5)、由于注入杂质的直射性，杂质的横向扩散小。
(6)、可以得到理想的杂质分布。
(7)、工艺条件容易控制。
(8)、没有固溶度极限。
注入杂质含量不受硅片固溶度限制。
4、一般横向扩散结深＝(0.75～0.85)×Xj(Xj为纵向结深)7、阻止机制：材料对入射离子的阻止能量的大小用阻止机制来衡量。
阻止机制表示离子在靶内受到阻止的概率。
1963年，Lindhard, Scharff and Schiott首先确立了注入离子在靶内分布理论，简称LSS理论。
LSS理论认为，注入离子在靶内的能量损失分为两个彼此独立的过程电子阻止机制：来自原子之间的电子阻止，属于非弹性碰撞。
核阻止机制：来自原子核之间的碰撞，属于原子核之间的弹性碰撞。
总能量损失为两者的和9、核碰撞特点：入射离子与晶格原子的原子核发生碰撞，散射显著、引起晶格结构的损坏。
电子碰撞特点：入射电子与晶格原子的电子发生碰撞，入射离子的路径几乎不变、能量传输小、晶格结构的损坏可以忽略不计。
11、非局部电子阻止不改变入射离子要点方向；局部电子阻止电荷/动量交换导致入射离子运动方向的改变（ 核间作用）。
电子阻止本领和入射离子的能量的平方根成正比。
核阻止机制在低能量下起主要作用；电子阻止机制在高能量下起主要作用。
12、入射离子的浓度分布理论计算表明，在忽略横向离散效应和一级近似下，注入离子在靶内的纵向浓度分布可取高斯函数形式。
13、什么是横向效应？横向效应指的是注入离子在垂直于入射方向平面内的分布情况。
掺杂工艺小结
4.离子注入
❖ 退火：在某一高温下保持一段时间，使杂质通过扩 散进入替位，有电活性；并使晶体损伤区域“外延 生长”为晶体，恢复或部分恢复硅的迁移率，少子 寿命。
❖ 两个目的：使杂质具有电活性；减小点缺陷密度 ❖ 退火效果与温度，时间有关 ❖ 退火后出现靶的杂质再分布 ❖ 退火方法
高温退火 快速退火：激光、宽带非相关光、电子束退火
4.离子注入
❖ 电子碰撞：注入离子与靶内自由电子以及束缚电子 之间的碰撞
❖ 电子阻止本领和注入离子能量的平方根成正比
低能区
中能区
高能区
εc
核阻止本领和电子阻止本领曲线
(1)低能区： Sn(E)占主要 地位，Se(E) 可忽略 (2)中能区： Sn(E)和Se(E) 同等重要 (3)高能区： Se(E) 占主要 地位， Sn(E) 可忽略
3.扩散
❖ 替位式扩散：以近邻处有空位为前题 ❖ 替位扩散杂质：As， Al，Ga，Sb，Ge ❖ 对替位扩散杂质而言，在晶格位置上势能相
对较低，在间隙处势能较高（和间隙式杂质 正好相反，对比图5-2和图5-3） ❖ 替位式扩散速率比填隙式扩散低得多 ❖ 填隙扩散杂质：O，Au，Fe，Cu，Ni，Zn， Mg ❖ 两种扩散速率与温度均成指数关系
4Hale Waihona Puke 离子注入❖ 晶格损伤：高能离子注入硅片后与靶原子发生一系 列碰撞，可能使靶原子发生位移，被位移原子还可 能把能量依次传给其它原子，结果产生一系列的空 位－间隙原子对及其它类型晶格无序的分布。这种 因为离子注入所引起的简单或复杂的缺陷统称为晶 格损伤。
❖ 高能离子在靶内与晶格多次碰撞，从而导致靶的晶 格损伤
4.离子注入
❖ B、P的退火
P
逆退火现象
离子注入扩散掺杂技术原理及应用
离子注入扩散掺杂技术原理及应用20世纪70年代，半导体离子注入获得突破，离子注入、离子刻蚀和电子束曝光技术的结合，形成集成电路微细加工新技术，推动激光技术和红外技术飞速发展促成了今天全新的电子工业、计算机工业喝光通讯技术全面发展的新局面。
由于非半导体离子注入的材料表面处理量大，体积庞大，形状复杂，所需束流强度高，故非半导体离子注入材料改性起初发展缓慢。
随着强流氮离子注入机，特别是金属蒸发真空弧离子源( MEVV A)的问世，非半导体离子技术在20世纪80年代末期得到迅速发展。
用离子注入方法可获得高度过饱和的固溶体、亚稳定相、非晶态和平衡合金等不同组织结构形成，大大改善了工件的使用性能。
目前离子注入又与各种沉积技术、扩渗技术结合形成复合表面处理新工艺，如离子辅助沉积（IAC）、离子束增强沉积（IBED）、等离子体浸没离子注入（PSII）以及PSII—离子束混简单地说，离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在所选择的（即被注入的）区域形成一个具有特殊性质的表面层（注入层）。
合等，为离子注入技术开拓了更广阔的前景。
掺杂就是使杂质进入wafer内部，并在wafer中的某区域以一定浓度分布，从而改变器件的电学性能，掺入的杂质可以是IIIA族和V A族的元素。
利用掺杂技术，可以制作PN结、欧姆接触区、以及电阻等各种器件。
什么是离子注入呢？离子注入是将被注入元素利用离子注入机电离成带正电荷的离子，经过高压电场加速后高速轰击工件表面，使之注入工件表面一定浓度的真空处理工艺。
简单地说，离子注入的过程，就是在真空系统中，用经过加速的，要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在所选择的（即被注入的）区域形成一个具有特殊性质的表面层（注入层）。
离子注入技术的原理如图所示：离子注入是将离子源产生的离子经加速后高速射向材料表面，当离子进入表面，将与固体中的原子碰撞，将其挤进内部，并在其射程前后和侧面激发出一个尾迹。
6 Silvaco TCAD工艺仿真离子注入、扩散、淀积和刻蚀
deposit material=BPSG thick=.1 c.boron=1e20 c.phos=1e20
淀积，网格控制：
rate.depo machine=MOCVD cvd dep.rate=0.1 u.m \ step.cov=0.75 tungsten
deposit machine=MOCVD time=1 minute
Note: The number of grid divisions has not been specified. A non uniform grid with 14 divisions and 0.001 micron spacings at the top and bottom will be used.
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1.4.1 刻蚀的命令及参数
• 命令etch，参数有：
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1.4.1 刻蚀的命令及参数（续）
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1.4.1 刻蚀的命令及参数（续）
参数Isotropic只是一个速率， 等方向性的速率。
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1.4.2 刻蚀例子
go athena line x loc=0.0 spac=0.02 line x loc=1.0 spac=0.10 line y loc=0.0 spac=0.02 line y loc=2.0 spac=0.20
etch silicon thick=0.5
etch dry thick=0.3
rate.etch machine=wet silicon wet.etch \ isotropic=0.5 u.m
etch machine=wet time=2 minutes
tonyplot
等离子体论文1
《等离子体物理学》论文论文题目：离子注入的应用专业：核工程与核技术专业方向：光电探测科任教师：姓名：学号：200日期：2012年11月21日离子注入技术是参杂工艺中引入杂质的一种新方法。
它是继扩散工艺之后的一门新技术。
在扩散工艺的基础上有更为突出的优点，具有可观的发展前景，势必会有更为广泛的应用。
本次论文主要对象是离子注入技术的原理应用前景。
一.离子注入原理、离子注入机及工作特点：1.1离子注入原理：离子注入的方法就是在真空中、低温下，把杂质离子加速（对Si，电压≥105 V），获得很大动能的杂质离子即可以直接进入半导体中；同时也会在半导体中产生一些晶格缺陷，因此在离子注入后需用低温进行退火或激光退火来消除这些缺陷。
离子注入的杂质浓度分布一般呈现为高斯分布，并且浓度最高处不是在表面，而是在表面以内的一定深度处。
1.2离子束加工原理：离子束加工（ion beam machining，IBM）是在真空条件下利用离子源（离子枪）产生的离子经加速聚焦形成高能的离子束流投射到工件表面，使材料变形、破坏、分离以达到加工目的。
因为离子带正电荷且质量是电子的千万倍，且加速到较高速度时，具有比电子束大得多的撞击动能，因此，离子束撞击工件将引起变形、分离、破坏等机械作用，而不像电子束是通过热效应进行加工。
1.3离子注入机：离子注入是在一种叫离子注入机的设备上进行的。
离子注入机是由于半导体材料的掺杂需要而于上世纪60年代问世。
虽然有一些不同的类型，但它们一般都由以下几个主要部分组成：（1）离子源，用于产生和引出某种元素的离子束，这是离子注入机的源头；（2）加速器，对离子源引出的离子束进行加速，使其达到所需的能量；（3）离子束的质量分析（离子种类的选择）；（4）离子束的约束与控制；（5）靶室；（6）真空系统。
1. 4.氮注入机，只能产生气体束流（几乎只出氮)：主要用于工具的注入。
其优点如下:a.操作维修简单。
(1)束流高。
外延,扩散,离子注入,衬底制备
7.7 分子束外延（MBE）
MBE：Molecular Beam Epitaxy 原理：在超高真空下，利用薄膜组分元素受热蒸发所 形成的原子或分子束，直接射到衬底表面，形 成外延层。 应用：元素半导体—Si、Ge 化合物半导体-GaAs、GaN、SiGe MBE的特点： ①温度低； ②生长速度低； ③化学组成及掺杂浓度精确可控； ④厚度可精确控制到原子级；
SOI技术的特点与优势
1．速度高 ：在相同的特征尺寸下，工作速度可提高 30-40％； 2．功耗低： 在相同的工作速度下，功耗可降低 50 ％ - 60％； 3．特别适合于小尺寸器件； 4．特别适合于低压、低功耗电路； 5．集成密度高 ： 封装密度提高约40％； 6．低成本： 最少少用三块掩模版，减少13%-20% （30％）的工序； 7．耐高温环境： 工作温度300℃-500℃； 8．抗辐照特性好： 是体硅器件的50-100倍。
绪论
外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺； 液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延； 固相外延（SPE）：离子注入退火过程； 分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy） ②按材料分类 同质外延：外延层与衬底的材料相同，如 Si上外延Si，GaAs上外延GaAs； 异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如 Si上外延SiGe 或 SiGe上外延Si； 蓝宝石上外延Si-- SOS(Silicon on Sapphire)； 蓝宝石上外延GaN、SiC。 ③按压力分类 常压外延：100kPa ； 低压（减压）外延：5-20kPa。
7.9 外延层电阻率的测量
方法：四探针法、三探针法、电容-电压(CV)法、扩展 电阻法等 扩展电阻法 特点：可以测量微区的电阻率或电阻率分布。 原理：当金属探针与半导体材料呈欧姆接触时，电阻主 要集中在接触点附近的半导体中，而且呈辐射状 向半导体内扩展。 采用探针形式：单探针、两探针、三探针。 下面以右图所示单探 针为例进行原理说明。
离子注入技术(Implant)
离子注入技术摘要离子注入技术是当今半导体行业对半导体进行掺杂的最主要方法。
本文从对该技术的基本原理、基本仪器结构以及一些具体工艺等角度做了较为详细的介绍，同时介绍了该技术的一些新的应用领域。
关键字离子注入技术半导体掺杂1绪论离子注入技术提出于上世纪五十年代，刚提出时是应用在原子物理和核物理究领域。
后来，随着工艺的成熟，在1970年左右，这种技术被引进半导体制造行业。
离子注入技术有很多传统工艺所不具备的优点，比如：是加工温度低，易做浅结，大面积注入杂质仍能保证均匀，掺杂种类广泛，并且易于自动化。
离子注入技术的应用，大大地推动了半导体器件和集成电路工业的发展，从而使集成电路的生产进入了大规模及超大规模时代（ULSI）。
由此看来，这种技术的重要性不言而喻。
因此，了解这种技术进行在半导体制造行业以及其他新兴领域的应用是十分必要的。
2 基本原理和基本结构2.1 基本原理离子注入是对半导体进行掺杂的一种方法。
它是将杂质电离成离子并聚焦成离子束，在电场中加速而获得极高的动能后，注入到硅中而实现掺杂。
离子具体的注入过程是：入射离子与半导体（靶）的原子核和电子不断发生碰撞，其方向改变，能量减少，经过一段曲折路径的运动后，因动能耗尽而停止在某处。
在这一过程中，涉及到“离子射程”、“”等几个问题，下面来具体分析。
2.1.1离子射程图2.1.1（a ） 离子射程模型图图2.1.1（a ）是离子射入硅中路线的模型图。
其中，把离子从入射点到静止点所通过的总路程称为射程；射程的平均值，记为R ，简称平均射程 ；射程在入射方向上的投影长度，记为p x ,简称投影射程；投影射程的平均值，记为p R ，简称平均投影射程。
入射离子能量损失是由于离子受到核阻挡与电子阻挡。
定义在位移x 处这两种能量损失率分别为n S 和e S ：nn xdE S d =（1）ee e dE S k E dx==（2）则在dx 内总的能量损失为：()n e n e dE dE dE S S dx =+=+（3）P0000P 0nd d d d d R E E E ER x E x S S ===+⎰⎰⎰（4）n S 的计算比较复杂，而yxpx py pz d Ed E且无法得到解析形式的结果。
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扩散工艺和离子注入
扩散工艺和离子注入分别是半导体工业中重要的加工技术。
这些
技术在半导体器件的制作中扮演着至关重要的角色。
在本文中，我们
将介绍这两种技术，了解它们的原理，应用和一些注意事项。
首先，我们来谈论一下扩散工艺。
扩散工艺是一种在半导体加工
中广泛使用的技术，可用于将杂质掺入到晶体中，从而改变晶体材料
的性质。
由于其具有可重复性，高效率和稳定性，因此扩散技术成为
当今半导体行业广泛使用的技术之一。
需要注意的是，扩散工艺在运用时需要严谨的控制条件，例如温度、离子浓度、扩散时间等，以控制金属杂质的扩散深度和引入量。
扩散工艺是一个复杂的过程，涉及到多个步骤，包括表面处理、扩散
和后处理等。
接下来，让我们来介绍离子注入技术。
离子注入是通过将离子轰
击到晶体表面的过程来改变其电学性能的一种技术。
离子源可以是氩、磷、硼和氮等离子，而这些离子又可以控制其注入能量和浓度，从而
定向改变晶体表层性质。
与扩散工艺相比，离子注入采用直接轰击晶体表面的方法，因此
没有扩散时间限制，更加高效。
但需要注意的是，离子注入技术对于
材料的损害较大，因此在使用时应该进行精细的控制。
而且，注入能
量和浓度等参数需要进行仔细的选择，以保证合适的材料性质改变而
不损害器件的整体性能和寿命。
总之，扩散工艺和离子注入技术是现代半导体器件制造中必不可少的工艺，对于半导体行业的发展和进步有着重要的作用。
因此，在使用这些技术时，一定要掌握其原理，选择合适的条件并特别注意细节，从而确保制造出高质量、可靠的半导体器件。