哈工大模拟电子技术基础期末试卷2012答案
模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)
模拟综合试卷一一. 填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3. 在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻 。
4.一个NPN 晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是 失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于 ,乙类放大电路的导通角等于 ,工作于甲乙类时,导通角为 。
6.甲类功率输出级电路的缺点是 ,乙类功率输出级的缺点是 故一般功率输出级应工作于 状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为 V ;若u i1=1500µV, u i2=500µV ,则差模输入电压u id 为 µV ,共模输入信号u ic 为 µV 。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较 同相比例放大电路的输入电阻较 。
9. 晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为 的影响。
10. 在共射、共集、共基三种组态的放大电路中, 组态电流增益最; 组态电压增益最小; 组态功率增益最高; 组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是 组态。
二. 选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE 的变化情况为( )。
A .β增加,I CBO,和 u BE 减小 B. β和I CBO 增加,u BE 减小 C .β和u BE 减小,I CBO 增加 D. β、I CBO 和u BE 都增加 2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是( ) A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导 3.双端输出的差分放大电路主要( )来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大 B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
(完整版)哈工大模电习题册答案
【2-1】 填空:1.本征半导体是 ,其载流子是 和 。
两种载流子的浓度 。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ,而少数载流子的浓度则与 有很大关系。
3.漂移电流是 在 作用下形成的。
4.二极管的最主要特征是 ,与此有关的两个主要参数是 和 。
5.稳压管是利用了二极管的 特征,而制造的特殊二极管。
它工作在 。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是 、 、 、和 。
6.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将 。
1. 完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。
2. 杂质浓度,温度。
3. 少数载流子,(内)电场力。
4. 单向导电性,正向导通压降U F 和反向饱和电流I S 。
5. 反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z ),工作电流(I Emin ),最大管耗(P Zmax )和动态电阻(r Z )6. 增大;【2-2】电路如图2.10.4所示,其中u i =20sinωt (mV),f =1kHz ,试求二极管VD 两端电压和通过它的电流。
假设电容C 容量足够大。
-+-+C R+k 5ΩV 6iu VD+-D u Di a)(图2.10.4 题2-5电路图1.静态分析静态,是指u i =0,这时u i 视作短路,C 对直流视作开路,其等效电路如图1.4.2(a)所示。
不妨设U D =0.6V则D D 6V (60.6)V1.08mA 5kU I R --===Ω 对于静态分析,也可以根据二极管的伏安特性曲线,用图解法求解。
2.动态分析对于交流信号,直流电源和电容C 视作短路;二极管因工作在静态工作点附近很小的范围内,故可用动态电阻r d 等效,且D d D1ir u ∆=∆,由此可得等效电路如图1.4.2(b)所示。
二极管伏安特性方程:)1e (TD/S D -=U u I i (1.4.1)由于二极管两端电压U D ?U T =26 mV ,故式1.4.1可简化为:TD/S D e U u I i ≈TD D Dd d d 1U I u i r ≈=Ω==≈07.241.08mA26mVD T d I U r 所以d i d d d 0.02sin (V)0.83sin (mA)24.07()u u t i t r r ωω===≈Ω 3.交流和直流相叠加)(mA sin 83.008.1d D D t i I i ω+=+=)(V sin 02.06.0d D D t u U u ω+=+=4.u D 和i D 波形如图1.4.2(c)、(d)所示。
模拟电子技术基础期末考试试题及答案
模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,放大器的输入信号频率增加时,其放大倍数将()A. 增加B. 减少C. 不变D. 无法确定答案:B2. 在放大电路中,静态工作点的选择应保证()A. 电压放大倍数最大B. 功耗最小C. 失真最小D. 静态工作点位于交流负载线的中点答案:D3. 以下哪种电路属于电流串联负反馈()A. 射极输出器B. 电压串联负反馈C. 电流并联负反馈D. 电压并联负反馈答案:A4. 在运算放大器的线性区,其输出电压与输入电压的关系为()A. Vo = A (V+ - V-)B. Vo = A (V- - V+)C. Vo = A (V+ + V-)D. Vo = A (V+ V-)答案:A5. 以下哪种滤波器具有高通特性()A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:B6. 以下哪种电路可以实现模拟乘法运算()A. 比较器B. 积分器C. 微分器D. 乘法器答案:D7. 在模拟乘法器中,两个输入信号的频率分别为ω1和ω2,输出信号的频率可能包含以下哪些成分()A. ω1B. ω2C. ω1 + ω2D. ω1 - ω2答案:ABCD8. 在运放组成的积分器电路中,输入信号为正弦波,输出信号波形为()A. 正弦波B. 余弦波C. 直线D. 抛物线答案:D9. 以下哪种电路可以实现电压-频率转换()A. 电压比较器B. 电压跟随器C. 电压-频率转换器D. 电压-电流转换器答案:C10. 在模拟电子技术中,以下哪种电路属于模拟乘法器()A. 二极管乘法器B. 模拟乘法器C. 电压放大器D. 电流放大器答案:B二、填空题(每题2分,共20分)1. 放大器的输入信号频率增加时,其放大倍数将______(填“增加”、“减少”、“不变”)。
答案:减少2. 放大电路中,静态工作点的选择应保证静态工作点位于______(填“交流负载线的中点”、“输入特性曲线的中点”、“输出特性曲线的中点”)。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级:学号:姓名:成绩:一、填空题1.硅二极管导通时的正向管压降约为____ V,锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时,有一段死区电压,锗管约为____V,硅管约为____V。
0.70.30.20.52.半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3.电路中流过二极管的正向电流过大,二极管将会____;如果施加在二极管两端的反向电压过高,二极管将会____。
烧坏(开路)击穿(短路)4.使用二极管时,应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流(额定电流)最高反向工作电压(耐压)5.理想二极管的特点是正向导通时管压降为____,反向截止时反向电流为____。
0V0A6.用万用表测量二极管的正反向电阻时,若正、反向电阻均接近于零,则表明该二极管已____;若正、反向电阻均接近于无穷大,则表明二极管已____。
击穿烧坏7.在晶体管中,I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8.示波器是电子技术中常用的测量仪器,用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9.硅晶体管发射结的死区电压约为_____V,锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约为_____V,锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310.某晶体管的U CE不变,基极电流I B =30μA时,集电极电流I C =1. 2mA,则发射极电流I E =____ mA,若基极电流I B增大到50μA时,I C增大到2mA,则发射极电流I E =_____mA,晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011.用万用表测量晶体管时,应将万用表置于_____挡,并进行_____。
模拟电子技术基础试卷及答案(期末)
模拟电⼦技术基础试卷及答案(期末)第1章直流电路习题解答1.1 在图1.1所⽰电路中,(1)选d 为参考点,求a V 、b V 和c V ;(2)选c 为参考点,求a V 、b V 和d V 。
图1.1 习题1.1电路图解(1)当选d 为参考点时, V 3ada ==u V V 112cd bc bdb =-=+==u u u V ;V 1cdc -==u V (2)当选c 为参考点时, 4V 13dc ad a =+=+=u u V V 2bc b ==u V ;V 1dcd ==u V 1.2 求图1.2中各元件的功率,并指出每个元件起电源作⽤还是负载作⽤。
图1.2 习题1.2电路图解 W 5.45.131=?=P (吸收); W 5.15.032=?=P (吸收) W 15353-=?-=P (产⽣); W 5154=?=P (吸收); W 4225=?=P (吸收)元件1、2、4和5起负载作⽤,元件3起电源作⽤。
1.3 求图1.3中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.3 习题1.3电路图解 A2=I ; V13335=+-=I I U 电流源功率:W 2621-=?-=U P (产⽣),即电流源产⽣功率6W 2。
电压源功率:W 632-=?-=I P (产⽣),即电压源产⽣功率W 6。
1.4 求图1.4电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.4 习题1.4电路图解 A 1231=-=I A 1322-=-=I 由1R 、2R 和3R 构成的闭合⾯求得:A 1223=+=I I 1.5 试求图1.5所⽰电路的ab U。
图1.5 习题1.5电路图解 V 8.13966518ab-=?+++?-=U1.6求图1.6所⽰电路的a 点电位和b 点电位。
图1.6 习题1.6电路图解 V 4126b=?-=V V 13b a =+-=V V 1.7 求图1.7中的I 及SU。
图1.7 习题1.7电路图解 A7152)32(232=?+-?+-=IV 221021425)32(22S =+-=?+-?+=I U 1.8 试求图1.8中的I 、XI、U 及XU。
哈工大模拟电子技术试题
)量的一部分
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或者全部反送到(
)回路的过程叫反馈。
3 利用图解法确定静态工作点时应该首先画出( )负载线,
分析波形失真应该根据(
)负载线。
4 电子技术中,放大的概念是指( )的控制作用,
放大作用是针对(
A、输出电阻为无穷大
B、共模抑制比为无穷大
C、输入电阻为零
D、开环差模电压增益为零
5 集成运算放大器实质上是一个__________
A 直接耦合的多级放大器
B 阻容耦合的多级放大电路
C 变压器耦合的多级放大电路 D 单级放大电路
三 计算题
下面的电路由两个运放构成,第一个运放标号为 A1,第二个标号为 A2
3 要使放大器向信号源索取电流小,同时带负载能力强,应引入________负反馈,射极跟 随器是________负反馈。
A 电压串联 B 电压并联 C 电流串联 D 电流并联
4 分析理想线性集成运算放大器的两个重要结论是__________
A 虚地和反相
B 虚地和虚短
C 虚短和虚断
D 短路和断路
5 桥式整流电容滤波电路参数合适,当输入交流电压的有效值为 10V,则直流输出电压值
3 简述晶体三极管处于放大饱和和截止工作状态的特点。
3
一 填空题:
1、二极管具有
性,用万用表 R 挡测量二极管正反向电阻,阻值较小的一次,黑
表笔接触的是二极管的
极。
2、硅稳压管工作在
区,稳压管的动态电阻越小,稳压性能越
。
3 实际的集成运放基本可以看成理想运放。在线性使用时,两输入端
相等,相当于
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哈工大2012年数电期末试题+答案
哈工大 2012 年 秋 季学期数字电子技术基础(A)试 题一、(12分)填空和选择(每空1分)(1)进制为一千的计数器至少应使用_________个触发器实现。
(2)集电极开路门使用时应注意在输出端接_______________。
(3)32选1数据选择器有____________个选择变量。
(4)函数式Y =+AB BCD ,写出其对偶式Y '=_______________________。
(5)相同供电电源的CMOS 门电路与TTL 门电路相比,_________________门的噪声容限更大;_________________门的静态功耗更低。
(6)模数转换时,要求能分辨ADC 输入满量程0.1%的变化,则至少需要使用____________位的ADC 。
若信号频率为20kHz ,则要求该ADC 采样频率至少为____________kHz 。
(7)由与非门构成的基本RS 触发器,其约束条件是__________________________。
(8)下列器件的信号一定不能和其他输出信号接在一起的是______________。
(a )RAM 的数据信号;(b )ROM 的数据信号; (c )74LS138的输出信号。
(9)下列说法正确的是____________________。
(a )输入悬空时,TTL 门电路的输入端相当于接低电平; (b )输入悬空时,CMOS 门电路的输入端相当于接低电平; (c )输入悬空时,CMOS 门电路的输入端相当于接高电平; (d )实际应用中,门电路的输入端应尽量避免悬空。
(10)用万用表测量一个标准TTL 门电路的输出信号,发现其值为1.5V ,可能的情况有(多选):______________________________________。
(a )输出端处于高阻态; (b )两输出信号短接; (c )输出为脉冲信号; (d )驱动门过载。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(温度)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(0 ),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(变小),发射结压降(不变)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基)、(共射)、(共集)放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(电压并联)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(串联)负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=(1/(1/A+F)),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=(1/ F )。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=()BW,其中BW=(),()称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为()信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为()信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的()失真,而采用()类互补功率放大器。
13、OCL电路是()电源互补功率放大电路;OTL电路是()电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(),输入电阻(),输出电阻()等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制()漂移,也称()漂移,所以它广泛应用于()电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为()。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(),电路符号是()。
二、选择题(每空2分共30分)1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在()状态,但其两端电压必须(),它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于()状态。
《模拟电子技术基础》期末考试试卷标准答案
河北科技大学 学年第 学期《 模拟电子技术基础 》期末考试试卷标准答案学院 班级 姓名 学号 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分得分一、选择填空题(每空1分,共10分)( A )1.在晶体管放大电路的三种基本接法中, 的输出电压与输入电压不同相。
A. 共射电路B.共集电路.C.共基电路( C )2.选用差分放大电路的原因是。
A.稳定放大倍数B.提高输入电阻C.克服温漂( A )3.若要实现电流—电压转换电路,应引入。
A.电压并联负反馈B.电流串联负反馈C.电流并联负反馈D.电压串联负反馈( A )4.二极管外加正向电压时处于_______状态。
A.导通B.放大C.截止( A )5.正弦波振荡电路必须由以下四个部分组成:放大电路、、正反馈网络和稳幅环节。
A.选频网络B.消除失真电路C.负反馈网络D.滤波环节( C )6.直流稳压电源中滤波电路的目的。
A.将高频变为低频B.将交流变为直流C.减小脉动,使输出电压平滑( B )7.在某电路中测得晶体管的e、b、c三个极的直流电位分别为0V 、0.7V、4.0V,则该晶体管工作在状态。
A.饱和B.放大C.截止( C )8.直流负反馈是指:。
A.只有放大直流信号时才有的负反馈B.直接耦合放大电路中引入的负反馈C.在直流通路中的负反馈( D )9.对于放大电路,所谓开环是指。
A.无负载B.无信号源C.无电源D.无反馈通路( D )10.集成运算放大器实质上是一个具有高电压放大倍数电路。
A. 阻容耦合多级放大B. 共发射极放大C. 变压器耦合多级放大D. 直接耦合多级放大模拟电子技术A卷,共( 6 )页,第( 1 )页模拟电子技术A 卷,共( 6 )页,第( 2 )页ZU R R R R Uo 3321++=ZU R R R R R Uo 32321+++=二、判断题(共10分)1.(请在括号中标明“√”或“×”;每空1分,共5分)( √ )1)阻容耦合多级放大电路各级Q 点相互独立,它只能放大交流信号。
模拟电子技术基础试题(附答案)
模拟电子技术基础试题(附答案)一、填空题(每题2分,共20分)1. 常用的二极管符号有____和____两种。
2. 理想运放满足____、____、____和____四条条件。
3. 电容器充电过程中,其两端电压与充电时间的关系为____。
4. 晶体管的三个极分别为:发射极、____和____。
5. 稳压二极管的反向特性包括____和____两个部分。
6. 常用的放大器分类有____、____和____三种。
7. 整流电路按输入波形不同分为____、____和____三种。
8. 频率响应分析方法主要用于研究____、____和____等电路特性。
9. 常用的滤波器类型有____、____、____和____等。
10. 计数器按计数方式不同分为____、____和____三种。
二、选择题(每题2分,共20分)1. 下列哪个不是理想运放的条件?A. 无穷大的开环增益B. 输入端电阻无穷大C. 输出端电阻无穷大D. 输入端电压与输出端电压无关2. 下列哪个电路不是常用的整流电路?A. 单相全波整流电路B. 单相半波整流电路C. 三相半波整流电路D. 晶体管整流电路3. 下列哪个不是稳压二极管的反向特性?A. 反向漏电流B. 反向击穿电压C. 正向阻断特性D. 反向饱和电流4. 下列哪个不是常用的放大器分类?A. 电压放大器B. 功率放大器C. 运算放大器D. 滤波放大器5. 下列哪个不是常用的滤波器类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 陷波滤波器三、简答题(每题10分,共30分)1. 请简述二极管的工作原理。
2. 请简述运放的同相输入端和反相输入端的区别。
3. 请简述整流电路的作用及其分类。
四、计算题(每题15分,共45分)1. 有一个电容器C=47μF,充电电压U=5V,求充电时间t。
2. 请画出下列电路的频率响应曲线:(略)3. 有一个NPN型晶体管,其β=50,VCBO=5V,VCC=10V,VE=0V,求基极电流Ib、集电极电流Ic和发射极电流Ie。
哈工大2012年数电期末试题 答案概要
哈工大 2012 年 秋 季学期数字电子技术基础(A)试 题一、(12分)填空和选择(每空1分)(1)进制为一千的计数器至少应使用_________个触发器实现。
(2)集电极开路门使用时应注意在输出端接_______________。
(3)32选1数据选择器有____________个选择变量。
(4)函数式Y =+AB BCD ,写出其对偶式Y '=_______________________。
(5)相同供电电源的CMOS 门电路与TTL 门电路相比,_________________门的噪声容限更大;_________________门的静态功耗更低。
(6)模数转换时,要求能分辨ADC 输入满量程0.1%的变化,则至少需要使用____________位的ADC 。
若信号频率为20kHz ,则要求该ADC 采样频率至少为____________kHz 。
(7)由与非门构成的基本RS 触发器,其约束条件是__________________________。
(8)下列器件的信号一定不能和其他输出信号接在一起的是______________。
(a )RAM 的数据信号;(b )ROM 的数据信号; (c )74LS138的输出信号。
(9)下列说法正确的是____________________。
(a )输入悬空时,TTL 门电路的输入端相当于接低电平; (b )输入悬空时,CMOS 门电路的输入端相当于接低电平; (c )输入悬空时,CMOS 门电路的输入端相当于接高电平; (d )实际应用中,门电路的输入端应尽量避免悬空。
(10)用万用表测量一个标准TTL 门电路的输出信号,发现其值为1.5V ,可能的情况有(多选):______________________________________。
(a )输出端处于高阻态; (b )两输出信号短接; (c )输出为脉冲信号; (d )驱动门过载。
模拟电子技术基础试卷及其参考答案
模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷一专升本试卷及其参考答案试卷一(总分150分)(成人高等学校专升本招生全国统一考试电子技术基础试卷之一)一、选择题(本大题10个小题,每小题4分,共40分。
在每小题给出的四个选项中,只有一项是符合题目要求的,把所选项前的字母填在题后的括号内。
)1. 用万用表的R×100档测得某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若改用R×1k档,测量同一二极管,则其正向电阻值()a. 增加b. 不变c. 减小d. 不能确定2. 某三极管各电极对地电位如图2所示,由此可判断该三极管()a. 处于放大区域b. 处于饱和区域c. 处于截止区域d. 已损坏图23. 某放大电路在负载开路时的输出电压为6V,当接入2kΩ负载后,其输出电压降为4V,这表明该放大电路的输出电阻为()a. 10kΩb. 2kΩc. 1kΩd. 0.5kΩ4. 某放大电路图4所示.设VCC>>VBE,LCEO≈0,则在静态时该三极管处于()a.放大区b.饱和区c.截止区d.区域不定图45. 图5所示电路工作在线性放大状态,设R'L=RD//RL,则电路的电压增益为()'gmRL' b.1+gmRs C.-gmRL' d.-RL'/gm a.gmRL-图56. 图5中电路的输入电阻Ri为()a. Rg+(Rg1//Rg2)b. Rg//(Rg1+Rg2)c. Rg//Rg1//Rg2d.[Rg+(Rg1//Rg2)]//(1+gm)RS7. 直流负反馈是指()a. 存在于RC耦合电路中的负反馈b. 放大直流信号时才有的负反馈c. 直流通路中的负反馈d. 只存在于直接耦合电路中的负反馈8. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是()a. 输入信号所包含的干扰和噪声b. 反馈环内的干扰和噪声c. 反馈环外的干扰和噪声d. 输出信号中的干扰和噪声9. 在图9所示电路中,A为理想运放,则电路的输出电压约为()a. -2.5Vb. -5Vc. -6.5Vd. -7.5V图910. 在图10所示的单端输出差放电路中,若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为()a. 10mVb. 20mVc. 70mVd. 140mV图10二、填空题(本大题共7个小题,18个空,每空2分,共36分。
模拟电子技术练习题库(附参考答案)
模拟电子技术练习题库(附参考答案)一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。
()A、对 :B、错正确答案:A2.集成运放的非线性应用存在()现象。
A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。
正确答案:B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
( )A、错误B、正确 ;正确答案:B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案:B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。
A、∞;B、0;C、不定。
正确答案:A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。
A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。
正确答案:B7.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案:A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。
A、虚短;B、虚地;C、虚断。
正确答案:A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。
A、饱和区B、死区C、截止区正确答案:A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。
A、正弦半波;B、矩形方波;C、等腰三角波;D、仍为正弦波。
正确答案:A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。
()A、对 :B、错正确答案:B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案:B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案:A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案:C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。
哈工大模拟电子技术基础习题册(计算机学院用)解读
习题解答【1-1】填空:1.本征半导体是,其载流子是和。
两种载流子的浓度。
2.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
漂移电流是在作用下形成的。
3.二极管的最主要特征是,与此有关的两个主要参数是和。
4.稳压管是利用了二极管的特征,而制造的特殊二极管。
它工作在。
描述稳压管的主要参数有四种,它们分别是、、、和。
5.某稳压管具有正的电压温度系数,那么当温度升高时,稳压管的稳压值将。
6.双极型晶体管可以分成和两种类型,它们工作时有和两种载流子参与导电。
7.场效应管从结构上分成和两种类型,它的导电过程仅仅取决于载流子的流动;因而它又称做器件。
8.场效应管属于控制型器件,而双极型晶体管是控制型器件。
9.当温度升高时,双极性晶体管的β将,反向饱和电流I CEO将,正向结压降U BE将。
10.用万用表判断电路中处于放大状态的某个晶体管的类型与三个电极时,测出最为方便。
11.晶体管工作有三个区域,在放大区时,应保证和;在饱和区,应保证和;在截止区,,应保证和。
12.当温度升高时,晶体管的共射输入特性曲线将,输出特性曲线将,而且输出特性曲线之间的间隔将。
解:1.完全纯净的半导体,自由电子,空穴,相等。
2.杂质浓度,温度,少数载流子,(内)电场力。
3.单向导电性,正向导通压降U F和反向饱和电流I S。
4.反向击穿特性曲线陡直,反向击穿区,稳定电压(U Z),工作电流(I Emin),最大管耗(P Zmax)和动态电阻(r Z)5.增大;6.NPN,PNP,自由电子,空穴(多子,少子)。
7.结型,绝缘栅型,多数,单极型。
8.电压,电流。
9.变大,变大,变小。
10.各管脚对地电压;11.发射结正偏,集电结反偏;发射结正偏,集电结正偏;发射结反偏,集电结反偏。
12.左移,上移,增大.。
sin V,二极管D视为理想二极管,试分【1-2】在图1-2的各电路图中,E=5V,u i=10t别画出输出电压u o的波形。
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哈工大 2012 年 春 季学期
模拟电子技术基础 试题(A )
+V (a) (b) (c)
图1-1
2、图1-2中,电路 适合作为一阶有源低通滤波器。
(可以多选)
C
R u I
R 1
R 2
+
-A
u O
C
R u I
+-A
u O
C
R u I
R 1
R 2
+-A
u O
R 3
(a) (b) (c)
图1-2
3、负反馈能改善放大电路的性能,为了稳定输出电压,应采用 型负反馈;如果输入为电流源信号,宜采用 型负反馈。
4、考察滞回比较器和窗口比较器的电压传输特性曲线,当输入电压单调变化时,滞回比较器的输出电平变化 次,窗口比较器的输出电平变化 次。
阻为r d。
1、计算静态工作点I BQ、I CQ、U CEQ,写出表达式;
2、画出微变等效电路;
A 、输入电阻R i、输出电阻R o的表达式;
3、写出中频电压放大倍数
u
4、若观察到输出电压出现了顶部失真,试判断失真类型。
(10分)Array
图2
压降u CEmax 。
R L
u i
+V CC
VT 2
u o
R
R
VT 1
VD 1
VD 2
-V CC
图3-1
2、电路如图3-2所示,R 、C 为已知参数。
(1) 从相位平衡条件判断,该电路能否产生正弦波振荡?若不能,如何修改电路使之产生正弦波振荡?
(2) 若要该电路(或改正后的电路)产生的正弦波频率为1
2RC
,R 1、R 2、R 3应该分别为多大?
图3-2
3、电路如图3-3所示,试回答以下问题:
(1) 虚线框I 、II 中电路分别实现何种滤波特性?
(2) 从电路结构来看,图3-3电路整体能够实现哪种滤波特性?
(3) 要实现上述滤波特性,对电路参数有何要求?(要求通带放大倍数幅值相等)
u I
图3-3
四、稳压电路如图4所示,已知输入电压U I =35V ,CW317调整端电流可忽略不计,输出端与调整端之间的电压U 21=1.25V 。
要求引脚2的输出电流大于5mA 、输入端与输出端之间的电压U 32的范围为3V~40V 。
1、根据U I 确定作为该电路性能指标的输出电压的最大值;
2、求解R 1的最大值;
3、若R 1=200Ω,输出电压最大值为25V ,则R 2的取值最大为多少?
4、该电路中CW317输入端与输出端之间承受的最大电压为多少?(8分)
U I
U o
图4
1、分别画出差模、共模半边微变等效电路;
2、求差模电压放大倍数O ud i1i2
u A u u =
-;
3、求单端输出和双端输出时的共模抑制比K CMR 。
(10分)
+V CC
EE
图5
3、写出u o与u o1、u o2和U REF之间的关系表达式。
(6分)
图6
⎪
⎭ ⎝+⎪⎭ ⎝+⎪⎭ ⎝+⎪⎭ ⎝
+65310j 110j 110j 110j 11、求中频电压放大倍数um
A 、上限截止频率f H 、下限截止频率f L ; 2、在图7所示对数坐标中画出u
A 的幅频特性波特图,并标明上升和下降的斜率; 3、将该放大电路接为负反馈放大电路,设反馈系数F
=-0.1,其中环路增益AF 的相频特性波特图如图7所示,请判断该负反馈放大电路是否会产生自激振荡;
4、若产生自激,则求F 应下降到多少才能使电路到达临界稳定状态;若不产生自激,
则说明有多大的相位裕度。
(7分)
A φ/ Hz
/ Hz
图7
2、推导u O2幅值以及周期T 的表达式;
3、图8(b)为一直流稳压电路,设P 2点输出直流电压U P2>0。
若R w1'= R w1'',将P 1与P 2相连接,待电路稳定后,缓慢将R W2滑动端从下向上滑动,定性说明输出信号u O2会发生什么变化;
4、若将P 1接地,而将P 3改与P 2相连接,待电路稳定后,缓慢将R W2滑动端从下向上滑动,定性说明输出信号u O2又会发生什么变化。
(8分) O2
P
(a)
u 1
2
(b)
图8。