模电10三种基本组态放大电路的分析

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子技术基础_华中科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。

参考答案:∞，∞，02.放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。

参考答案:反相，同相3.欲将方波电压转换为三角波电压，应选用。

参考答案:积分运算电路4.欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用。

参考答案:微分运算电路5.欲将输入电压信号放大-100倍，应选用。

参考答案:反相输入式放大电路6.在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。

参考答案:正确7.在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。

参考答案:错误8.电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。

参考答案:错误9.在选择整流元件时，只要考虑负载所需的直流电压和直流电流。

参考答案:错误10.图示电路中，图中A点对地的电压为_____，B点对地的电压为_____。

【图片】参考答案:+15V，-15V11.在单相桥式整流电容滤波电路中，输出电压的平均值VL与变压器副边电压有效值V2的关系为通常为_______。

参考答案:VL=1.2 V212.图示电路满足正弦波振荡的相位平衡条件。

【图片】参考答案:正确13.只要满足相位平衡条件，且【图片】，就能产生自激振荡。

参考答案:正确14.若希望在输入电压小于-3V时，输出电压为高电平；而在输入电压大于+3V时，输出电压为低电平。

可采用________电压比较器。

参考答案:反相迟滞15.单门限比较器只有______个门限值，而迟滞比较器则有______个门限电压值。

参考答案:1，216.设计一个输出功率为100W的功率放大电路，则该功放电路的每个功放管的最大管耗至少应该为。

参考答案:20W17.为了使负载获得尽可能大的功率，对功率放大电路的基本要求是。

参考答案:输出信号的电压和电流都尽可能大18.只要基本放大电路的幅频响应在0dB以上的衰减斜率只有-20dB/十倍频，那么由电阻网络引入任何深度的负反馈时，都不会产生自激振荡。

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?答案:基极2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）答案:热击穿3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。

答案:>,>4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。

答案:CG，CB5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

答案:CS，CE6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

答案:反偏时几乎没有电流通过反偏时PN结等效为一个大电阻正向导通，反向截止7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）答案:BJT为流控器件，FET为压控器件BJT为双极型器件，FET为单极型器件8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）答案:控制的大小，避免因_过大产生非线性失真稳定静态工作点拓展放大器的带宽9.当环境温度升高时，PN结（）。

答案:半导体中的本征激发增强反向饱和电流增大10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。

答案:采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高单端输出时共模抑制比更高广泛用于集成电路设计中11.N型半导体带负电，P型半导体带正电答案:错误12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路答案:错误13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。

答案:错误14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载答案:正确15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。

答案:正确。

模电复习参考

本文档整理的是模电我认为有可能出大题的地方以及有关的解法。

（个人见解，仅供参考）（一）基本放大电路的分析（单管）静态分析（直流分析）：交流电压源短路、电容开路后画出直流通路，然后计算I BQ=（Vcc-U BE）/Rb或I BQ=（Vcc-U BE）/（Rb+（1+β）Re）（这个式子是根据基极和发射极这两条支路与电源组成的环路列的）再求I CQ=βI BQ≈I EQ最后求U CEQ=Vcc-RcI CQ-ReI EQ（没有的部分为0）动态分析（交流小信号等效电路）：交流小信号等效电路的画法：电容短路，直流电源短路，用BJT交流模型（P46）替换晶体管，调整图形至直观。

计算方法：)mA(mV26)(1200EbeIβr++Ω＝（其中I E取I EQ）○1电路中所需要的各支路电流用I b、I c、I e表示，最后全转换成I b。

○2根据已知电阻以及表示出的电流分别写出输入输出电压的表达式（一般使用包含r be和包含R L’的两个回路）○3根据定义求放大倍数、输入输出电阻。

（二）反馈类型的判断对于三极管电路：若反馈信号与输入信号同时加在三极管的基极或发射极，则为并联反馈，若反馈信号与输入信号一个加在基极一个加在发射极则为串联反馈。

对于运放电路：若反馈信号与输入信号同时加在同相端或反相端为并联反馈。

若反馈信号与输入信号一个加在同相端一个加在反相端则为串联反馈。

判断电压还是电流反馈：假设输出端交流短路（RL=0），即uo=0，若反馈信号消失了，则为电压反馈；若反馈信号仍然存在，则为电流反馈。

（三）深度负反馈的计算方法一：由︱1+AF︱>>1和Af=A/(1+AF)得，深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈系数有关。

方法二：深度负反馈条件下，对基本放大电路使用“虚短”、“虚断”，方法一适用于反馈回路与Uo关系较为明显，方便易求的（如反馈电压为输出电压的分压），一般为晶体管电路和部分集成运放电路。

第二种方法一般针对集成运放电路使用。

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结

模拟电子技术(模电)部分概念和公式总结-CAL-FENGHAI.-(YICAI)-Company One11、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

2、本征半导体：完全纯净的具有晶体结构完整的半导体。

3、在纯净半导体中掺入三价杂质元素，形成P型半导体，空穴为多子，电子为少子。

4、在纯净半导体中掺入五价杂质元素，形成N型半导体，电子为多子、空穴为少子。

5、二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则是由少子的漂移运动形成的。

6、硅管Uon和Ube：0.5V和0.7V ；锗管约为0.1V和0.3V。

7、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

8、二极管主要用途：开关、整流、稳压、限幅、继流、检波、隔离（门电路）等。

9、三极管的三个区：放大区、截止区、饱和区。

三种状态：工作状态、截止状态、饱和状态，放大时在放大状态，开关时在截止、饱和状态。

三个极：基极B、发射极E和集电极C。

二个结：即发射结和集电结。

饱和时：两个结都正偏；截止时：两个结都反偏；放大时：发射结正偏，集电结反偏。

三极管具有电流电压放大作用.其电流放大倍数β=I C / I B (或I C=β I B)和开关作用.10、当输入信号I i很微弱时,三极管可用H参数模型代替(也叫微变电路等效电路)。

11、失真有三种情况:⑴截止失真原因I B、I C太小，Q点过低，使输出波形正半周失真。

调小R B，以增大I B、I C，使Q点上移。

⑵饱和失真原因I B、I C太大，Q点过高，使输出波形负半周失真。

调大R B，以减小I B、I C，使Q点下移。

⑶信号源U S过大而引起输出的正负波形都失真，消除办法是调小信号源。

1、放大电路有共射、共集、共基三种基本组态。

（固定偏置电路、分压式偏置电路的输入输出公共端是发射极，故称共发射极电路）。

模电复习资料(专科)

模拟电路复习资料一、填空题1在本征半导体硅中，加入三价元素硼形成（P型）半导体，加入五价元素磷形成（N型）半导体；2．为了保证三极管工作在放大区，要求发射结（正向）偏置、集电结（反向）偏置；3．在三种基本组态放大电路中，输入电阻最高的是（共集电极）电路，输入电阻最低的是（共基极）电路，输出电阻最低的是（共集电极）电路；4．在场效应管放大电路中，结型场效应管需要（反向）偏置，增强型绝缘栅场效应管需要（正向）偏置；5．（串联）负反馈使输入电阻提高，（电压）负反馈使输出电阻减小；6．振荡器电路产生振荡时，必须满足（振幅平衡）条件和（相位平衡）条件；7．电容滤波适用于（小电流）负载场合，电感滤波适用于（大电流）负载场合。

1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为（自由电子），少数载流子为（空穴）。

2、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、（正向导通）区、反向截止区和（反向击穿）区四个工作区。

3、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。

4、放大电路应遵循的基本原则是：（发射）结正偏；（集电）结反偏。

5、射极输出器具有（电压放大倍数）恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有（输入电阻）高和（输出电阻）低的特点。

6、对放大电路来说，人们一般希望电路的输入电阻（越大）越好，因为这可以减轻信号源的负荷。

人们又希望放大电路的输出电阻（越小）越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

7、晶体管由于在长期工作过程中，受外界（温度的影响）及电网电压不稳定的影响，即使输入信号为零时，放大电路输出端仍有缓慢的信号输出，这种现象叫做（零点）漂移。

克服该漂移的最有效常用电路是（差动）放大电路。

8、理想运放工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压约等于零，称为（虚短）；二是两输入端电流约等于零，称为（虚断）。

9、单相半波整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的0.45倍；桥式整流电路的输出电压平均值是变压器输出电压U2的（0.9）倍；桥式、含有电容滤波的整流电路,其输出电压的平均值是变压器输出电压U2的（1.2）倍。

《模电》练习题

练习题一1. 填空题1.1贴片电阻多用数码法标示，如512标示Ω。

（5.1k）1.2色环电阻，红+红+橙+金+棕，表示阻值和误差为。

（22.3Ω±1%）1.3 某采样电阻标注为R005，表示该电阻的阻值为Ω。

（0.005）1.4 一瓷片电容其标示为104J，表示其容量为uF、误差为±5%。

（0.1）1.5 电容具有通，阻的电气特性。

（交流，直流）1.6 电感在电路中常用“L”表示，电感的特性是通直流阻交流，频率越，线圈阻抗越大。

（高）1.7 低频扼流圈应用于电流电路、音频电路或场输出等电路，其作用是阻止电流通过。

（低频交流）1.8 P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。

（空穴，电子）1.9 温度增加时，二极管的正向电阻将会变。

（小）1.10 PN结最大的特点是。

（单向导电性）1.11 硅整流二极管1N4001的最大整流电流为A，最高反向工作电压为V。

（1,50）1.12 用指针式万用表R×1k挡测量某二极管电阻，在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的极。

（正）1.13 三极管有三个引脚，基极用表示、集电极用C表示、极用E表示。

（B，发射）1.14 三极管是部含有2个PN结，并且具有放大能力的特殊器件。

它分为型和型两种。

（NPN，PNP）1.15指针式万用表的黑表笔接三极管基极，红表笔接触另外两极中的任一电极，若指针偏转角度很大，说明被测管子是型。

（NPN）1.16 驻极体话筒与电路的接法有输出和输出两种。

（源极，漏极）1.17 用万用表测出的扬声器电阻值是电阻值，比标称阻抗值要，这是正常现象。

（直流，小）1.18压电瓷片是一种结构简单、轻巧的器件。

（电声）1.19电烙铁按结构可分为电烙铁和电烙铁。

（热式，外热式）1.20 焊接电子元件时，一般来说最恰当的时间是在s完成。

（1.5~4）1.21 用数字万用表测试二极管的反向电阻，应显示为。

（1）2. 选择题2.1 有几位同学拿来一个滑动变阻器，看到铭牌上标有“20Ω1A”的字样，这几位同学讨论时说出了以下几种对铭牌意义的理解，你认为正确的是（）。

模电第二章基本放大电路

温 T ( C 度 ) I C T ( C I C ) E I C O
T ( C U B ) 不 E I B I C 变
温度T (C) IC ，
若此时I B
，则I
、
CQ
U CEQ在输出特性坐标
系中的位置就可能
基本不变。
2.4 放大电路静态工作点的稳定
一、典型电路
消除方法：增大Rb，减小Rc，减小β。
例2-1:由于电路参数的改变使静态工作点产生如图所示变化。试问（1）当Q从Q1移到Q2、从Q2移到Q3、从Q3移到Q4时，分别是电路的哪个参数变化造成的？这些参数是如何变化的？
4mA 3mA 2mA 1mA
40µA
Q3
Q4
30µA 20µA
IB=10µA
2 6 m V
2 6 m V
r b e 2 0 0 ( 1 ) I E Q 2 0 0 ( 1 3 0 ) 1 . 2 m A 8 7 1 . 6 7
R i R b ∥ r b e r b e 8 7 1 . 6 7 R o R c 6 k
2.4 放大电路静态工作点的稳定
温度对Q点的影响
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法
结论: 1. ui uBE iB iC uCE uo
阻容耦合共射放大电路
2、放大电路的动态分析（性能指标分析）
（1）放大电路的动态图解分析法二、图解分析
结论: 2. uo与ui相位相反；3. 测量电压放大倍数；4. 最大不失真输出电压Uom （UCEQ －UCES与 VCC－ UCEQ ，取其小者，除以 2 ）。
Q
UBE/V
UBEQ VCC
1、放大电路的静态工作点（2）图解法确定静态工作点

模电复习资料判断选择填空

判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。

（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。

（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的。

（对）2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用。

（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。

（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（对）第五章差动放大器有单端输出和双端输出两大类，它们的差模电压放大倍数是相等的。

模电习题（含答案）

模电习题（含答案）1. _⾮常纯净的单晶体结构的半导体_ 称本征半导体。

2. 杂质半导体分_N _型半导体和_P _型半导体，前者中多数载流⼦是_⾃由电⼦_，少数载流⼦是_空⽳_，后者中多数载流⼦是_空⽳_，少数载流⼦是_⾃由电⼦_。

3. 本征硅中若掺⼊5价元素的元素，则多数载流⼦应是_⾃由电⼦_，掺杂越多，则其数量⼀定越_多_，相反，少数载流⼦应是_空⽳_，掺杂越多，则其数量⼀定越_少_。

4. P 区侧应带_负电_，N 曲⼀侧应带_正电_。

空间电荷区内的电场称为_内电场_，其⽅向从_N 区_指向_P 区_。

5. 在PN 结两侧外加直流电压，正端与P 区相连，负端与N 区相连，这种接法称之为PN 结的_正向_偏置。

6. 半导体三极管的输⼊特性曲线与⼆极管的正向特性相似，⽽输出特性曲线可以划分为三个⼯作区域，它们是_截⽌_区、_饱和_区和_放⼤_区。

7. 温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升⾼时，半导体三极管的β值_增⼤_，ICBO 值_增⼤_，UBE 值_减⼩_。

8. 半导体三极管能够放⼤信号，除了内部结构和⼯艺特点满⾜要求外，还必须具备的外部⼯作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。

9. ⼯作在放⼤区的某晶体管，当IB 从20微安增⼤到40微安时，Ic 从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。

10. 半导体三极管的三个极限参数是_CM I _、_CEO RB U )(_、_CM P _。

11. NPN 型硅三极管处于放⼤状态时，在三个电极电位中，其电位⾼低关系为_E B C U U U >>_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V _ 。

12. 半导体三极管从结构上分可以分为_PNP _型和_NPN _型两⼤类，他们⼯作时有_⾃由电⼦_、_空⽳_两种载流⼦参与导电。

13. 在⽤万⽤表测量⼆极管的过程中，如果测得⼆极管的正反向电阻都为0Ω，说明该⼆极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为⽆穷，说明该⼆极管已_断路损坏_。

模电课后习题问题详解

习题：一．填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管，利用发光材料可制成发光二级管，利用PN结的光敏性可制成光敏（光电）二级管。

3.在本征半导体中加入＿＿5价＿＿元素可形成N型半导体，加入＿3价＿元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是_自由电子_______；P型半导体中的多子是___空穴____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ，锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个___开关____。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电，因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降U CE不变，基极电流为20μA时，集电极电流等于2mA，则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类，目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管，按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类，每一类中又分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二．选择题1.杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ，加反向电压时可视为＿＿A＿＿。

A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在＿＿D＿＿状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将＿＿A＿＿。

模电设计多级放大电路实验报告

摘要单级放大电路的电压放大倍数一般可以达到几十倍，然而，在许多场合，这样的放大倍数是不够用的，常需要把若干个单管放大电路串接起来，组成多级放大器，把信号经过多次放大，从而得到所需的放大倍数。

在生产实践中，一些信号需经多级放大才能达到负载的要求。

可由若干个单级放大电路组成的多级放大器来承担这一工作。

在多级放大电路的前面几级，主要用作电压放大，大多采用阻容耦合方式; 在最后的功率输出级中，常采用变压器藕合方式’;在直流放大电路及线性集成电路中，·常采用直接接藕合方式。

摘要 (2)第一章放大电路基础 (3)1.1 放大的概念和放大电路的基本指标：1.2 三种类型的指标第二章基本放大电路 (7)2.1 BJT 的结构 (7)2. 2 BJT的放大原理 (8)第三章多级放大电路 (9)3.1 多级放大电路的耦合方式 (9)3.2 放大电路的静态工作点分析 (11)3.3 设计电路的工作原理 (12)3.4计算参数 .......................................................................................................... .. (13)总结......................................................................................................................... (14)参考文献 ................................................................................................................ (14)第一章放大电路基础放大的概念和放大电路的基本指标：“放大”这个词很普遍，在很多场合都会发现放大的现象的存在。

模电总结复习资料模拟电子技术基础

第一章半导体二极管一。

半导体的基础知识1。

半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge)。

2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。

3。

本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性＊载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.＊体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.7。

PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0。

6~0.8V,锗材料约为0。

2～0。

3V。

＊ PN结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二。

半导体二极管＊单向导电性--——-—正向导通，反向截止.＊二极管伏安特性-———同ＰＮ结。

*正向导通压降---——-硅管0.6～0。

7V，锗管0。

2～0。

3V.＊死区电压——--—-硅管0.5V，锗管0。

1V。

3.分析方法-——-——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）;若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段————将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：若 V阳〉V阴( 正偏），二极管导通（短路);若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止（开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路＊稳压二极管的特性-—-正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电考试模拟题（选择题部分）

选择题第一章半导体器件l 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于多数载流子的浓度主要取决于_______________，，而少数载流子的浓度则与而少数载流子的浓度则与__________有关。

有关。

A.A.温度温度温度B. B. B.掺杂工艺掺杂工艺掺杂工艺C. C. C.杂质浓度杂质浓度杂质浓度D. D. D.晶体缺陷晶体缺陷晶体缺陷l 当PN 结加正向电压时，扩散电流扩散电流_____________________漂移电流漂移电流漂移电流,,耗尽层耗尽层____________。

当PN 结外加反向电压时，扩散电流时，扩散电流_____________________漂移电流漂移电流漂移电流,,耗尽层耗尽层____________。

A.A.大于大于大于B. B. B.小于小于小于C. C. C.等于等于等于D. D. D.变宽变宽变宽E. E. E.变窄变窄变窄F. F. F.不变不变不变第二章l 为了使输出电阻较高的放大电路与低电阻负载很好的配合，可以在它们之间插入____；为了把输出电阻较低的放大电路转变为输出电阻很高的放大电路，可以接入_____。

A 共射电路共射电路 b ．共集电路．共集电路 c ．共基电路．共基电路 d ．任何一种组态的电路．任何一种组态的电路l 设单级放大电路输入一个正弦波信号，当放大电路为共射电路时，则V 0与V i 相位相位_____；当为共集电路时，则V 0与V i 相位______；当为共基电路时，则V 0与V i 相位______。

A 相同相同B 相反相反C 相差900 D 相差2700l 既能放大电压，也能放大电流的是_____组态放大电路；可以放大电压，但不能放大电流的是_____组态放大电路；只能放大电压，但不能放大电流的是_____组态放大电路。

a ．共发射极．共发射极 b ．共集电极．共集电极 c ．共基极．共基极l 在共射、共集和共基三种组态的放大电路中，电压放大倍数小于“1”的是____组态；组态；输入电阻最大的是____组态；输入电阻最小的是____组态。

模电课件--放大器基础第1部分

级间直流电平配置问题一级间直流电平配置问题一
RC1 T1 VCC RC2 T2 RE2 RC3 T3 RE3 RCn Tn REn
由图若 RE2 = 0
VCEQ1 ≈ VBE(on)2 + I CQ2 RE2
则 VCEQ1 ≈ VBE(on)2 ≈ 0.7 V
结果：点靠近饱和区，结果：T1管Q点靠近饱和区，输出易出现失真。点靠近饱和区输出易出现失真。解决方法：后级接入R 扩大前级动态范围。解决方法：后级接入 E，扩大前级动态范围。
三极管偏置电路三极管偏置电路
（1）固定偏流电路 Q点估算：点估算：点估算
I BQ =
RB RC IC VCC
VCC − VBE(on) RB
IB
I CQ = βI BQ + (1 + β ) I CBO ≈ βI BQ
VCEQ = VCC − I CQ RC
电路优点：点设置方便计算简单。点设置方便，电路优点： Q点设置方便，计算简单。电路缺点：不具有稳定Q点的功能点的功能。电路缺点：不具有稳定点的功能。 T↑时→ β↑、ICBO↑、VBE(on)↓ ↑ ICQ↑ Q点升高点升高
设置静态工作点的电路称放大器的偏置电路。设置静态工作点的电路称放大器的偏置电路。
对偏置电路的要求
提供合适的Q点保证器件工作在放大模式。提供合适的Q点，保证器件工作在放大模式。例如：偏置电路须保证三极管E结正偏结正偏、结反偏结反偏。例如：偏置电路须保证三极管结正偏、C结反偏。当环境温度等因素变化时，能稳定电路的点当环境温度等因素变化时，能稳定电路的Q点。例如：温度升高，例如：温度升高，三极管参数β↑、ICBO↑、VBE(on)↓ 而这些参数的变化将直接引起Q点发生变化点发生变化。而这些参数的变化将直接引起点发生变化。点过高或过低时，当Q点过高或过低时，输出波形有可能产生饱和或点过高或过低时截止失真。截止失真。

模电第2章

第2章基本放大电路
2.1 放大概念
I&i I&o
( 2) AVO
&' VO & 1 Vi
+
&' & & VO AVOVi Vi
Rs
+
Ro 放大 +
Ri 电路
V&
–
' o
+
V&s
–
V&i
–
V&o
–
RL
& Ri V & Vi s Rs Ri
求解示意图
106 6 1 0.5( V ) 6 10 10
C1
+
+
IB T
ui
RL
uo
共发射极组态基本放大电路
电流控制和放大。为 IB 提供偏流 Vcc用于提供电将变化的集电极电流源,使三极管工作转换为电压输出. 在线性区。耦合电容:隔直流、传交流，保证信号传输。
第2章基本放大电路
2.1 放大概念
模电中，以输入和输出回路的共同端作为电位参考点，叫做“地”，用 “”表示。
(1)如果直接将它与10 的扬声器相接，扬声器上的电压和功率
各为多少？(2)如果在拾音头和扬声器之间接入一个放大电路，其输入电阻Ri= 1M ，输出电阻Ro= 10 ，开路电压增益为1，则此时扬声器上的电压和功率各为多少？解:
Rs +
V&S
I&o
+ Rs RL +
I&i
+ Ro 放大 + Ri 电路
2、若输出为电流形式，则 Ro 越大越好。

模拟电子线路(模电)基本放大器静态动态分析

例
输入正弦信号时，画各极电压与电流的波形。
iC C1 iB + vCE RC + V - CC RL C2
vi
iB
Q 0 0
+
-
RB + VBB -
+
vBE -
iB
IBQ
iC
ICQ t
iC
Q t 0 0
ib
-1/RL
vBE vBE
VCEQ
vCE vCE
t
t
Q点波动对输出波形的影响：
iC iC
rb ' e
dub ' e 26mV 26mV (1 ) dib IB IE 26mV rbb ' (1 ) IE
rbe rbb ' rb ' e
2. 输出端等效互相平行、间隔均匀，且与uＣＥ轴线平行。当 uＣＥ为常数时，从输出端c、e极看，三极管就成
直流通路画法：C断开
IBQ、ICQ和UCEQ这些量代表的工作状态称为静态工作点，用Q表示。
U CEQ VCC I CQ RC
二、图解法
VCC U BE IB uBE f (iB , uCE ) Rb IC β IB iC f (iB , uCE ) U V I R CC C c CE 直流负载线
电压放大倍数 Au U o
电流放大倍数 Ai I o 功率放大倍数
Ap Po

源电压放大倍数 Aus U o
源电流放大倍数 Ais I o

Ui
Us
Ii
Pi
Is
(2) 输入电阻 Ri

模电放大电路的基本原理

Au 所以
Uo Ui
Au
而
Uo Ui
Ui Ibrbe
RL
rbe
Uo IcRL Ib
(RL Rc // RL ) Ri = rbe // Rb ，
Ro = Rc
(二) rbe 的近似估算公式
rbb ：基区体电阻。
iC c
reb ：基射之间结电阻。
re：发射区体电阻，一般只有几
iB
欧姆，可忽略。
图 2.4.1(a)
【例】图示单管共射放大电路中，VCC = 12 V，
Rc = 3 k，Rb = 280 k，NPN 硅管的 = 50，试估算静
态工作点。
解：设 UBEQ = 0.7 V
IBQ
VCC
U BEQ Rb
12 0.7
(
) mA
280
40 A
ICQ IBQ
= (50 0.04) mA = 2 mA
方法：根据 uCE = VCC iCRc 式确定两个特殊点
当 iC 0 时，uCE VCC
当
uCE
0
时，iC
VCC Rc
输出回路输出特性
iC 0，uCE VCC
uCE
0，iC
VCC RC
图 2.4.2
Q 直流负载线
由静态工作点 Q 确定的 ICQ 、 UCEQ 为静态值。
【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知
其中 Ie (1 )Ib
引入发射极电阻
后， Au 降低了。
若满足(1 + ) Re >> rbe
Au
RL Re
Au 与三极管的参数、rbe 无关。
b +

模电题库及答案

模拟电子线路随堂练习第一章半导体器件作业1-1一、习题（满分100 分）1. N型半导体带负电，P型半导体带正电。

（）2•以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3. PN 结处于正向偏置时，正向电流小，电阻大，处于导通状态。

（）4. 晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）5. 硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）6. 在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）7. 晶体三极管的基极，集电极，发射极都不可互换使用。

（）8. 晶体三极管工作在饱和状态的条件是：发射结正偏，集电结正偏。

（）9. 晶体三极管有三种工作状态，即：放大状态，饱和状态，导通状态。

（）10. 三极管是一种电压控制器件，场效应管是一种电流控制器件。

（）11. 温度升高后，在纯净的半导体中（）。

A. 自由电子和空穴数目都增多，且增量相同B.空穴增多，自由电子数目不变C.自由电子增多，空穴不变12. 如果PN 结反向电压的数值增大（小于击穿电压）D.自由电子和空穴数目都不变，则（）。

A. 阻当层不变，反向电流基本不变C.阻当层变窄，反向电流增大B. 阻当层变厚，反向电流基本不变D.阻当层变厚，反向电流减小4. 工作在放大状态的三极管两个电极电流如图，那么，第三个电极的电流大小、方向和管脚自左至右顺序分别C.集电极、发射极、基极 D.基极、集电极、发射极8.测得三极管i b =30 yA 时i c =2.4mA ,而i b =40 ^A 时i c =3mA ，则该管的交流电流放大系数3为（）°A.60B.75C.80 D .1009. NPN 型硅管各极对地电位分别是 V 1=6V , V 2=2.7V , V 3=2V ，贝U 1, 2, 3分别为（）°A.基极、集电极、发射极B.发射极、基极、集电极C.集电极、发射极、基极 D.集电极、基极、发射极10.三极管输出特性曲线可分为三个区，下列不属于工作区的是（）°A.截止区B.放大区C.饱和区D .击穿区11. 在放大电压信号时，通常希望放大电路的输入电阻和输出电阻分别为（）A.输入电阻小，输出电阻大B.输入电阻小，输出电阻小作业1-2一、习题（满分100分）1. N 型半导体（）。