国产三极管型号命名规则

三极管命名规则

三极管的命名规则中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2二极管、3三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时: A-N型错材料、B-P型错材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时: A-PNP型错材料、B-NPN型错材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V微波管、w-稳压管、C参量管、Z 整流管L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K开关管、x-低频小功率管(F3MHz,Pc1W),A-高频大功率管(P3MHz,Pc>1W)、T半导体晶闸管(可控整流器)、Y体效应器件、B-雪崩管、J阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如: 3DG18表示NPN型硅材料高频三极管日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、--依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2- 二极管、 3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时： A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V微波管、W体稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y- 体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、一一依此类推。

第二部分：日本电子工业协会 JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会 JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2—二极管、3—三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性.表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN 型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型.P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C—参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N—阻尼管、U-光电器件、K—开关管、X—低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W)、G—高频小功率管（f〉3MHz，Pc〈1W)、D -低频大功率管(f〈3MHz，Pc〉1W）、A—高频大功率管(f〉3MHz，Pc〉1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器）、Y—体效应器件、B-雪崩管、J—阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG—激光器件.第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1—二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推.第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。

S—表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A—PNP型高频管、B—PNP型低频管、C—NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H—N 基极单结晶体管、J—P沟道场效应管、K—N沟道场效应管、M—双向可控硅。

三极管的型号命名及简易测试

三极管的型号命名及简易测试2011-04-29 19:28:18| 分类：电子器件类| 标签：三极管基极集电极管子|字号大中小订阅ali8840整理晶体三极管是无线电爱好者使用频率最高的器件之一，每个爱好者都应十分熟悉晶体管的符号、型号、命名方法，并且能十分熟练地掌握测试方法。

三报管按内部特性可分为PNP型和NPN 型两种，按材料不同可分为硅管和锗管，按封装材料不同可分为金属管、塑封管等。

在电路图中有两种符号分别表示，PNP管(不论锗管还是硅管)均用图一符号表示，NPN型管(不论锗管还是硅管)均用图二符号表示。

注意图中箭头所指的方向。

在电路图中三极管符号旁边一般都会标出管子的型号，如3AX38，3AG12等。

通过这些型号可查阅到三极管的具体参数。

晶体管按最大集电极允许耗散功率(Pcm)的大小，可分为小功率晶体管(Pcm在300毫瓦下)；中功率晶体管(Pcm大干300毫瓦但小于1瓦)及丈功率晶体管(大于1瓦) 小功率晶体管外形目前常见的如图三所示，其金属壳封装的管脚排列位置如图四所示，硅酮塑封小功率三报管的管脚排列位置，以标记面(平面或倒有平面)对着自已看，如图五所示，其中按(a)所示位置排列有3DG6、3DG201、202、204、205，3CG35，3DX203、202，3CX201、202等，进口管子2SC1473NC、2SC1573A、2SA683NC、2SC536NP、2SA6359等按(b)所示排列，2SA628A等按(c)所示排列。

按国家标准，国产普通晶体三极管型号由五个部分组成，如表一所示。

如3AG1C为PNP型高频小功率三报管，3DG6为NPN型硅高频小功率三板管。

而日本生产的普通晶体管的命名方法与我国不同，它也有五个部分组成，如表二所示。

如，2SA561为PNP高频管，可用国产3CG23C代用，2SC383为NPN高频管，可用国产3DG4C代用。

目前，市场上进有日电公司产JE9000系列中、小功率三极管，其中9011、9013、9014、9016、9018为硅NPN 三极管，9012、8015为硅PNP三极管，而9012与9013(Icm0.5A、BVceo20V、Pcm0.6W)及9014与9015(Icm0.1A、BVceo46V、Pcm≥O.45W)可配对组成互补放大管。

国内三极管的命名规则

国内三极管的命名规则在电子领域中，三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。

国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。

遵循这个规则，可以方便地识别和使用各种类型的三极管。

国内三极管的命名规则主要包括以下几个方面：1. 代号中的字母：国内三极管的代号中通常包含两个字母。

第一个字母表示三极管的类型，常见的有N（NPN型）和P（PNP型）。

第二个字母表示三极管的功率等级，常见的有A、B、C、D等。

其中，A代表小功率，B代表中功率，C代表大功率，D代表超大功率。

2. 代号中的数字：国内三极管的代号中通常包含两个数字。

第一个数字表示三极管的最大集电极电流，单位为毫安。

第二个数字表示三极管的最大集电极电压，单位为伏特。

3. 代号中的其他字母：有些国内三极管的代号中还包含其他字母，表示一些特殊的功能或参数。

例如，代号中的字母H表示高频特性好，字母L表示低噪声，字母R表示可靠性好，字母T表示温度特性好等。

根据这些规则，我们可以通过三极管的代号来了解它的基本性能和特点。

例如，一个代号为2N3904的三极管，其中的字母N表示NPN型，数字2表示最大集电极电流为200毫安，数字3表示最大集电极电压为30伏特，字母90表示该三极管的特殊功能或参数。

除了代号中的字母和数字，国内三极管还有一些其他的参数和性能指标需要注意。

例如，最大集电极电流、最大集电极电压、最大功率等是选择三极管时需要考虑的重要参数。

此外，三极管的频率响应特性、噪声系数、放大倍数等也是需要了解的关键指标。

在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的国内三极管。

根据不同的电路要求，我们可以选择不同类型、功率等级和特殊功能的三极管。

通过合理选择和使用三极管，可以有效地实现电子设备的各种功能，提高设备的性能和可靠性。

国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。

半导体型号的命名方法

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。

五个部分的意义分别如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(f<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管，如 2SJ----K-N沟道场效应管，如 2SK----M-双向可控硅。

电子元器件型号命名规则

电子元器件型号命名规则2，电容器5,半导体二、三极管一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分的意义分别如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。

2—二极管、3—三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。

表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W—稳压管、C-参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（f〈3MHz，Pc<1W）、G-高频小功率管（f〉3MHz,Pc〈1W)、D-低频大功率管(f〈3MHz,Pc>1W）、A—高频大功率管(f〉3MHz，Pc>1W）、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管。

二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1—二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3—具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型.A—PNP型高频管、B-PNP型低频管、C—NPN型高频管、D—NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G—N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J—P沟道场效应管，如2SJ-—-—K—N沟道场效应管，如2SK——-—M-双向可控硅。

半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)

半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。

一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。

日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。

二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。

常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

半导体型号命名规则

一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP 型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

半导体型号命名方法

半导体型号命名方法一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P 型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个p n结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NP N型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

二极管命名规则

二极管命名规则 Revised by Liu Jing on January 12, 2021各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

三极管的命名规则

三极管的命名规则一、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N 型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F3MHz,Pc1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN 型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分组成;五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目;2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性;表示二极管时：A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料;表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料;第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型;P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管F<3MHz,Pc<1W、G-高频小功率管f>3MHz,Pc<1W、D -低频大功率管f<3MHz,Pc>1W、A-高频大功率管f>3MHz,Pc>1W、T-半导体晶闸管可控整流器、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件;第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成;通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型;0-光电即光敏二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推;第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志;S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件;第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型;A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅;第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;两位以上的整数-从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品;第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志;A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品;3、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱;美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型;JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、无-非军用品;第二部分：用数字表示pn结数目;1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件;第三部分：美国电子工业协会EIA注册标志;N-该器件已在美国电子工业协会EIA注册登记;第四部分：美国电子工业协会登记顺序号;多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号;第五部分：用字母表示器件分档;A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别;如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档;4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法;这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件使用的材料;A-器件使用材料的禁带宽度Eg=~如锗、B-器件使用材料的Eg=~如硅、C -器件使用材料的Eg>如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征;A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、 F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管;第三部分：用数字或字母加数字表示登记号;三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号;第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档;A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志;除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类;常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀;其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值;2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特;3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值;如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管;5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家,如德国、荷兰采用如下命名方法;第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件;第三部分：多位数字-表示器件的登记序号;第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品; 俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少,在此不介绍;。