P-N MOS管 H桥驱动原理
n-mos管的h桥初级线圈驱动
n-mos管的h桥初级线圈驱动该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
n-mos管的h桥初级线圈驱动该文档下载后可定制修改，请根据实际需要进行调整和使用，谢谢!本店铺为大家提供各种类型的实用资料，如教育随笔、日记赏析、句子摘抄、古诗大全、经典美文、话题作文、工作总结、词语解析、文案摘录、其他资料等等，想了解不同资料格式和写法，敬请关注。
文档下载说明Download tips: This document is carefully compiled by this editor. I hope that after you download it, it can help you solve practical problems. The document n-mos管的h桥初级线圈驱动can be customized and modified after downloading, please adjust and use it according to actual needs, thank you! In addition, this shop provides you with various types of practical materials, such as educational essays, diary appreciation, sentence excerpts, ancient poems, classic articles, topic composition, work summary, word parsing, copy excerpts, other materials and so on, want to knowdifferent data formats and writing methods, please pay attention!nmos管的h桥初级线圈驱动。
n-mosfet管h桥电路
n-mosfet管h桥电路
H桥电路是一种常见的电子电路，用于控制直流电机的方向和速度。
N-MOSFET管H桥电路是一种特定类型的H桥电路，其中两个MOSFET管子使用n型MOSFET管。
在N-MOSFET管H桥电路中，两个n-mosfet管子位于H桥电路的上半部分，另外两个p-mosfet管子位于下半部分。
n-mosfet管子用于控制电流的方向和大小，以控制直流电机的转动方向和速度。
这种电路设计可以有效地控制电机的运转，并实现正向、反向和制动。
通常情况下，控制直流电机的转向通过控制上半部分和下半部分两个n-mosfet管的导通状态来实现。
当上半部分的n-mosfet 管子导通时，电流通过电机，使其正转。
当下半部分的n-mosfet管子导通时，电流逆转，使电机反转。
此外，通过调整n-mosfet管子的导通时间和导通频率，可以控制直流电机的转速。
通过调整上下半部分的n-mosfet管导通和关断的时间长度，可以调整电机的速度和制动效果。
总之，N-MOSFET管H桥电路是一种用于控制直流电机的有效方法，通过控制n-mosfet管子的导通状态，实现直流电机的方向和速度的控制。
h桥mos直流电机驱动电路_解释说明以及概述
h桥mos直流电机驱动电路解释说明以及概述1. 引言1.1 概述本文将深入探讨H桥MOS直流电机驱动电路的原理、优势和应用案例分析，并介绍设计和优化时需要考虑的因素。
H桥MOS直流电机驱动电路是一种常见且重要的电路，广泛应用于各个领域，如家用洗衣机、无人驾驶汽车以及工业自动化设备等。
通过对该电路的研究，可以更好地理解其工作原理，为日后的设计提供指导。
1.2 文章结构文章由以下几个部分组成：引言、H桥MOS直流电机驱动电路解释说明、H桥MOS直流电机驱动电路的应用案例分析、H桥MOS直流电机驱动电路设计和优化考虑因素以及结论。
在引言部分，我们将对本文内容进行简要概括，并介绍各个部分的内容安排。
1.3 目的本文的目标在于全面解释和说明H桥MOS直流电机驱动电路，包括其原理、优势和工作原理。
同时，还将通过详细分析多个应用案例来展示该类型电路在实际应用中的作用和重要性。
此外，我们还将介绍设计和优化该电路时需要考虑的因素，并展望未来H桥MOS直流电机驱动电路可能的发展方向。
通过本文的阐述，读者将能够掌握有关H桥MOS直流电机驱动电路的基础知识，并为相关领域的实际应用提供参考依据。
2. H桥MOS直流电机驱动电路解释说明2.1 H桥MOS电路原理H桥MOS直流电机驱动电路是一种常见的电路，用于控制直流电机的旋转方向和速度。
它由四个功率开关MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）组成，通常配对使用，以构成两个互补开关对。
H桥MOS电路采用了全可控技术，通过不同的开关组合来改变电流流向、极性和大小。
当第一个互补开关导通时, 电机的正极与供电源相连, 而负极与地连接；而当第二个互补开关导通时, 两者则互换。
2.2 H桥MOS直流电机驱动的优势H桥MOS直流电机驱动具有以下几个优势：首先，它能够实现双向控制。
通过调整开关的状态，可以改变电机的旋转方向，使其正反转自如。
H桥驱动电路原理
H桥驱动电路原理2008年05月19日星期一 04:10 P.M.H桥驱动电路原一、H桥驱动电路图4.12中所示为一个典型的直流电机控制电路。
电路得名于“H桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。
4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图4.12及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。
如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。
要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。
根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。
图4.12 H桥驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。
例如，如图4.13所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经Q4回到电源负极。
按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动（电机周围的箭头指示为顺时针方向）。
图4.13 H桥电路驱动电机顺时针转动图4.14所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况，电流将从右至左流过电机。
当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动（电机周围的箭头表示为逆时针方向）。
图4.14 H桥驱动电机逆时针转动二、使能控制和方向逻辑驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。
如果三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。
此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值（该电流仅受电源性能限制），甚至烧坏三极管。
基于上述原因，在实际驱动电路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。
图4.155 所示就是基于这种考虑的改进电路，它在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。
4个与门同一个“使能”导通信号相接，这样，用这一个信号就能控制整个电路的开关。
h桥驱动电路原理
h桥驱动电路原理H桥驱动电路原理H桥驱动电路是一种常用的电路结构，用于控制直流电机或其他电动装置的正反转。
它由四个开关元件和一个直流电源组成，可以根据需要开启或关闭这些开关，从而改变电流的流向，实现电机的正转、反转或制动。
本文将详细介绍H桥驱动电路的原理及其工作原理。
H桥驱动电路由四个开关元件组成，通常使用晶体管或MOSFET作为开关。
这些开关可以分为两组，每组包含两个开关，分别称为上半桥和下半桥。
每个开关都有两个状态：开启和关闭。
当开关关闭时，相应的电流路径被断开，电流无法流过，电机处于停止状态。
当开关打开时，相应的电流路径恢复连接，电流可以流过，电机开始运转。
H桥驱动电路的工作原理如下：当上半桥的一个开关打开，另一个关闭时，电源的正极连接到电机的一个端口，负极连接到电机的另一个端口，电流从正极经过电机流向负极，电机开始正转。
当上半桥的两个开关同时打开或关闭时，电流无法流过电机，电机停止运转。
当下半桥的一个开关打开，另一个关闭时，电源的负极连接到电机的一个端口，正极连接到电机的另一个端口，电流从负极经过电机流向正极，电机开始反转。
H桥驱动电路可以通过改变开关的状态来控制电机的运动。
例如，如果上半桥的一个开关打开，另一个关闭，下半桥的两个开关同时关闭，电机会正转。
如果上半桥的两个开关同时关闭，下半桥的一个开关打开，电机会制动。
如果上半桥的一个开关关闭，另一个打开，下半桥的一个开关打开，另一个关闭，电机会反转。
H桥驱动电路的原理非常简单，但在实际应用中有很多考虑因素。
例如，开关的响应速度、电流的保护、噪音的抑制等都需要考虑。
此外，H桥驱动电路还可以与微控制器或其他控制电路结合使用，实现更精确的控制和调节。
总结起来，H桥驱动电路是一种常用的电路结构，用于控制直流电机或其他电动装置的正反转。
它由四个开关元件和一个直流电源组成，可以根据需要控制开关的状态，实现电机的正转、反转或制动。
H桥驱动电路的工作原理简单明了，但在实际应用中需要考虑多种因素。
场效应管h桥电路
场效应管h桥电路（原创实用版）目录1.场效应管 h 桥电路的概述2.场效应管 h 桥电路的工作原理3.场效应管 h 桥电路的应用4.场效应管 h 桥电路的优缺点正文一、场效应管 h 桥电路的概述场效应管 H 桥电路，是一种常用的放大电路，它的主要构成部分是四个场效应管。
这种电路具有很好的电压放大特性，被广泛应用于各种电子设备中，如音频放大器、无线通信设备等。
二、场效应管 h 桥电路的工作原理场效应管 H 桥电路的工作原理主要基于场效应管的电压放大特性。
在电路中，四个场效应管分为两组，分别是输入端和输出端，每组各有两个场效应管。
输入端的两个场效应管分别接受输入信号，输出端的两个场效应管则提供放大后的信号输出。
当输入信号发生变化时，输入端的两个场效应管会根据输入信号的电压变化而开关，从而改变输出端的两个场效应管的导通状态。
这样就实现了对输入信号的放大。
三、场效应管 h 桥电路的应用场效应管 H 桥电路广泛应用于各种电子设备中，主要用于电压放大。
例如，在音频放大器中，场效应管 H 桥电路可以对音频信号进行放大，从而使音频信号能够驱动扬声器发出更大的声音。
在无线通信设备中，场效应管 H 桥电路可以用于放大信号，从而增强信号的传输距离。
四、场效应管 h 桥电路的优缺点场效应管 H 桥电路具有许多优点，例如，它的电压放大特性非常好，可以提供较大的电压增益。
此外，它还具有输入阻抗高、输出阻抗低等优点。
然而，场效应管 H 桥电路也存在一些缺点。
例如，它的电流放大能力较弱，不能提供较大的电流增益。
此外，它的制作工艺较为复杂，需要精确控制场效应管的尺寸和掺杂浓度等参数。
h桥驱动电路原理
h桥驱动电路原理H桥驱动电路原理H桥驱动电路是一种常用的电路结构，用于控制直流电机的正反转。
它由四个开关元件组成，通常是四个晶体管或四个MOSFET管。
H 桥驱动电路具有很高的灵活性和可靠性，被广泛应用于各种电动设备和机械系统中。
H桥驱动电路的原理是通过控制开关元件的通断状态，改变电机两端的极性，从而实现电机的正反转。
H桥的名称来源于其电路结构形状的形似字母"H"。
H桥驱动电路有四个开关元件，分别为上电子管Q1和Q2，以及下电子管Q3和Q4。
其中Q1和Q4为一对开关元件，Q2和Q3为另一对开关元件。
当Q1和Q4导通，Q2和Q3断开时，电机的正极连接到电源的正极，负极连接到电源的负极，电机正转。
当Q2和Q3导通，Q1和Q4断开时，电机的正极连接到电源的负极，负极连接到电源的正极，电机反转。
当Q1和Q2导通，Q3和Q4断开时，电机短路制动。
当Q1和Q2断开，Q3和Q4导通时，电机自由转动。
为了实现对H桥驱动电路的控制，通常需要一个控制信号。
这个信号可以是一个单片机的输出，也可以是一个硬件电路的触发信号。
控制信号通过控制开关元件的通断状态来实现电机的正反转。
H桥驱动电路的优点是可以实现电机的正反转，并且可以进行制动控制。
此外，它还具有较高的效率和较低的功耗。
然而，H桥驱动电路也存在一些缺点，例如占用空间较大，成本较高，且对于高功率电机的应用会产生较大的热量。
H桥驱动电路是一种常用的电路结构，用于控制直流电机的正反转。
它通过控制开关元件的通断状态，改变电机两端的极性，从而实现电机的正反转。
H桥驱动电路具有很高的灵活性和可靠性，被广泛应用于各种电动设备和机械系统中。
h桥驱动电路工作原理
h桥驱动电路工作原理嗨，小伙伴！今天咱们来唠唠这个超有趣的H桥驱动电路的工作原理哈。
你可以把H桥驱动电路想象成一个超级交通枢纽，就像那种有好多条路可以走的大十字路口。
这个电路主要是用来控制电机的，不管是直流电机正转、反转还是刹车，它都能搞定呢。
咱先说说这个H桥的结构吧。
它长得就像一个字母“H”，所以才叫H桥。
这个“H”的四条“腿”呢，可都是很有讲究的。
每一条“腿”上都连接着一个电子元件，一般是晶体管之类的，就像每个路口都有一个小交警在指挥交通一样。
当我们想要电机正转的时候呀，就像是要让车朝着一个方向顺利行驶。
这时候呢，H桥的其中两个对角线上的元件就开始工作啦。
比如说左上角和右下角的元件就像是打开了绿灯，电流就从电源经过这两个元件，然后顺利地流到电机里面，电机就欢快地正转起来啦。
这个过程就好像是给电机注入了一股正能量，让它朝着我们期望的方向转动。
那要是想让电机反转呢？这就像让车掉头往回开。
这时候就轮到另外两个对角线的元件大显身手啦，也就是右上角和左下角的元件开始工作。
电流就会改变方向，从电源经过这两个元件再到电机，电机就会按照相反的方向转动起来。
是不是很神奇呢？就像这个电路有魔法一样，能轻松改变电机的转动方向。
还有刹车的情况呢。
这就好比是突然在路中间设置了一个大障碍物，让车停下来。
在H桥驱动电路里，要实现刹车，就是让电机的两端都接到电源或者地，这样电机就没有办法转动啦。
就像是电机突然被定住了一样，它想动也动不了咯。
这个H桥驱动电路在很多地方都超级有用呢。
比如说在那些小小的遥控汽车里面，就是靠这个电路来控制汽车前进、后退的。
还有那些电动小风扇，如果想要它能正反转来调节风向，也可以用到H桥驱动电路。
不过呢，这个电路也不是没有小脾气的。
在实际应用的时候呀，要特别注意元件的选择。
如果选的晶体管功率不够大，就像小交警没有足够的力气指挥交通一样，可能就没办法让电机正常工作啦。
而且呢，在切换电机正反转的时候，也要小心一点，就像车辆掉头的时候要注意周围的情况一样，要是切换得太快或者太突然，可能会对电路或者电机造成不好的影响呢。
场效应管h桥电路
场效应管h桥电路摘要：1.场效应管简介2.H 桥电路的基本构成3.H 桥电路的工作原理4.H 桥电路的应用领域5.H 桥电路的优缺点正文：场效应管（FET）是一种半导体器件，具有很高的输入电阻和较低的噪声。
H 桥电路是一种用于控制电机、驱动器和其他负载的电路。
将场效应管应用于H 桥电路，可以实现更高效、更可靠的电机控制。
H 桥电路的基本构成包括四个场效应管，它们按照特定的方式连接。
具体而言，H 桥电路包括两个P 型场效应管（PMOS）和两个N 型场效应管（NMOS），它们分别位于电路的上下两层。
这些场效应管的源极和漏极相互连接，形成一个闭合的四端结构。
H 桥电路的工作原理如下：a.当控制信号使PMOS 导通时，电流可以通过PMOS 进入电路的下半部分；b.此时，NMOS 截止，电路的上半部分无电流通过；c.当控制信号使NMOS 导通时，电流可以通过NMOS 离开电路的下半部分；d.此时，PMOS 截止，电路的上半部分无电流通过。
通过这种工作方式，H 桥电路可以实现对电机等负载的正反转控制。
在实际应用中，H 桥电路可以根据不同的控制信号实现多种电机控制策略，例如速度控制、位置控制等。
H 桥电路在场效应管的驱动下具有很高的性能。
由于场效应管具有较低的导通电阻，因此可以实现较高的电流输出。
此外，场效应管具有较快的开关速度，可以减小电路中的电磁干扰。
这使得H 桥电路在需要高效、高可靠性电机控制的领域具有广泛的应用，例如电动汽车、机器人、航空航天等。
然而，H 桥电路也存在一些缺点。
首先，由于需要四个场效应管，其成本相对较高。
其次，在实际应用中，H 桥电路的设计和控制较为复杂，需要充分考虑电路参数、控制策略等多方面因素。
总之，场效应管H 桥电路是一种具有高效、高可靠性特性的电机控制电路。
h桥驱动芯片工作原理 -回复
h桥驱动芯片工作原理-回复H桥驱动芯片是一种重要的电路组件，用于控制电机或负载的正向和反向运动。
它被广泛应用于各种电子设备中，如机器人、遥控器、电动车等。
本文将介绍H桥驱动芯片的工作原理，并分步解释其工作过程。
第一步，了解H桥的基本结构。
H桥由四个开关管（或称为晶体管或MOSFET）组成，可分为上下两路、左右两路。
每一路都由一个N型管和一个P型管组成，形成一个开关。
这四个开关管构成一个桥式结构，可以实现电流的正向和反向流动。
第二步，了解H桥驱动芯片的内部结构。
H桥驱动芯片通常由逻辑电路和功率放大电路组成。
逻辑电路负责接收控制信号，并根据信号控制开关管的导通与截断。
功率放大电路负责将逻辑电路的低电压信号转化为高电压信号，以驱动开关管。
第三步，了解H桥驱动芯片的工作原理。
当控制信号输入时，逻辑电路将信号分解为不同的控制信号，分别控制四个开关管的导通与截断。
通过适时地改变开关管的状态，H桥可以实现电流的正向和反向流动。
第四步，了解H桥的工作状态。
当左边的两个开关管导通时，右边的两个开关管截断，电流从左至右流动，驱动负载正向运动。
当右边的两个开关管导通时，左边的两个开关管截断，电流从右至左流动，驱动负载反向运动。
通过适时地改变开关管的导通与截断状态，可以控制负载的运动方向和速度。
第五步，了解H桥的工作原理更详细地过程。
当左边的两个开关管导通时，上管上方的节点为高电平，下管下方的节点为低电平。
此时，电流从电源的正极进入上管，经过负载，然后从下管流回电源的负极。
换言之，电流一直保持在同一方向，从而使负载正向运动。
当右边的两个开关管导通时，上管上方的节点为低电平，下管下方的节点为高电平。
此时，电流从电源的负极进入下管，经过负载，然后从上管流回电源的正极。
同样地，电流仍然保持在同一方向，从而使负载反向运动。
通过适时地改变开关管的导通与截断状态，可以实现负载的正向或反向运动。
例如，当左边的两个开关管导通时，右边的两个开关管截断，负载正向运动；当右边的两个开关管导通时，左边的两个开关管截断，负载反向运动。
h桥mos管沟道续流原理
h桥mos管沟道续流原理[h桥mos管沟道续流原理]引言：在电子领域中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常常见且重要的器件。
在许多应用中，H桥电路被广泛使用，其中MOSFET的沟道续流原理是其核心。
本文将详细介绍H桥MOSFET沟道续流原理，并逐步解释其工作过程。
第一部分：H桥电路的基本概念H桥电路是一种常见的电路配置，常用于电机驱动、电源逆变器等应用中。
它由四个开关器件（通常四个MOSFET）组成，形成一个类似字母"H"的形状。
其中，两个对角线上的MOSFET称为上桥臂，另外两个则是下桥臂。
通过适当地控制这四个MOSFET的导通与截止，可以实现对电流的双向控制，从而实现电机的正转、反转或制动等操作。
第二部分：MOSFET的基本结构和工作原理MOSFET是一种可以控制电流的器件，它由沟道和栅极组成。
栅极用于控制沟道的通断，沟道则实现电流的流动。
MOSFET的沟道分为两种类型：N沟道（N-Channel）和P沟道（P-Channel）。
N沟道MOSFET通常用于正向电流驱动，P沟道MOSFET则可用于负向电流驱动。
第三部分：H桥MOSFET沟道续流原理H桥MOSFET沟道续流是指电流在MOSFET的导通状态下，从一个桥臂流向另一个桥臂的现象。
这在电机反向转动或制动时是非常重要的。
以下将详细解释沟道续流的原理。
步骤一：正向电流驱动当控制H桥电路使得上桥臂MOSFET导通，而下桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是正向电流。
在这种情况下，上桥臂MOSFET的沟道中的电流开始流动，同时下桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向正向转动。
步骤二：反向电流驱动当控制H桥电路使得下桥臂MOSFET导通，而上桥臂MOSFET截止时，向电机供电的是反向电流。
这时，电流会沿着下桥臂MOSFET的沟道流动，同时上桥臂MOSFET的沟道中没有电流流动。
电机将按照设定的方向反向转动。
pwm互补输出驱动h桥原理
pwm互补输出驱动h桥原理今天咱们来唠唠这个PWM互补输出驱动H桥的原理，可有趣啦。
咱先得知道啥是H桥。
你看啊，这个H桥就像一座很特别的桥，它有四个“桥墩”，其实就是四个电子元件，像MOS管或者晶体管啥的。
这四个元件两两一组，分别在桥的两边。
这个H桥的作用可大啦，它就像是一个超级开关，可以控制电流的流向，让电机正转或者反转，就像指挥交通一样，让车辆（电流）向左走或者向右走。
那PWM又是啥呢？PWM就是脉冲宽度调制啦。
你可以把它想象成是一个调皮的小鼓手。
这个小鼓手敲鼓的节奏很特别，它不是一直敲，而是一会儿敲得长（高电平），一会儿敲得短（低电平）。
这个敲鼓时长和短的比例就很关键啦。
比如说，敲长的时间多，那平均下来就好像是一直在用力敲鼓；敲短的时间多，平均下来就像是轻轻敲鼓。
这个就对应着PWM的占空比。
现在把PWM和H桥联系起来。
当我们用PWM互补输出去驱动H桥的时候，就像是给H桥这个大机器注入了有节奏的能量。
比如说，我们想要电机正转。
那我们的PWM 互补输出就会让H桥一边的一对元件按照一定的节奏导通和关闭，另一边的一对元件也按照互补的节奏来。
就好像是两个人在配合跳舞，一个向左迈一步的时候，另一个就向右迈一步。
这样电流就会按照我们想要的方向通过电机，电机就欢快地正转起来啦。
再讲讲这个互补是啥意思呢。
就像是两个小伙伴，一个在干活的时候，另一个就休息，然后交替着来。
对于PWM互补输出来说，一个输出高电平的时候，另一个就输出低电平，这样就保证了在任何时刻，H桥都能正常工作，不会出现混乱的情况。
你想啊，如果没有这种PWM互补输出的巧妙控制，H桥可能就像一个没有指挥的乐队，大家都乱弹琴。
有了PWM互补输出，就像是有了一个超级棒的指挥，每个乐手（电子元件）都知道啥时候该演奏（导通），啥时候该安静（关闭）。
而且啊，通过改变PWM的占空比，我们还能控制电机的速度呢。
就像那个小鼓手改变敲鼓的节奏，电机就会跟着这个节奏调整自己的转动速度。
n+pmos的h桥电路,给pwm波烧mos
n+pmos的h桥电路,给pwm波烧mos一、介绍1. 首先我们来介绍一下n+pmos的h桥电路。
2. H桥电路是一种用来控制直流电机旋转方向的电路，它由四个开关管组成。
3. 在n+pmos的h桥电路中，使用了n型和p型mos管来实现电机的控制。
二、电路原理1. 在n+pmos的h桥电路中，使用了两个n型mos管和两个p型mos管来构成h桥。
2. 当n型mos管导通时，电机正转；当p型mos管导通时，电机反转。
3. 通过控制这四个开关管的导通和关闭，即可控制电机的旋转方向和速度。
三、PWM波原理1. PWM波是一种脉冲宽度调制信号，通过控制脉冲的宽度和周期来调节电路的输出功率。
2. 在电机控制中，可以通过调节PWM波的占空比来控制电机的转速。
3. 通过高频率的PWM波，可以让电机实现平滑的速度变化，避免了传统直流调速的噪音和能效问题。
四、给PWM波烧MOS的问题1. 由于PWM波是一种高频脉冲信号，当直接接到mos管上时，很容易导致mos管过热烧毁。
2. 由于mos管是电机控制中的重要器件，一旦烧毁就需要更换，会带来很大的成本和维护压力。
3. 如何有效地给PWM波烧MOS成为了电机控制领域中需要重视的问题。
五、解决办法1. 为了解决PWM波烧MOS的问题，可以采取以下几种方法。
2. 首先是在PWM波输入端加上低通滤波器，可以将高频脉冲信号转换成平滑的直流信号，减小对mos管的冲击。
3. 其次是在mos管的驱动电路中加入死区控制，即在n型mos管和p型mos管之间设置一段时间的延迟，避免出现同时导通的情况。
4. 还可以在mos管的驱动电路中加入过流保护和过温保护，一旦出现异常情况及时切断电路，保护mos管的正常工作。
六、结语1. n+pmos的h桥电路结合PWM波的使用在电机控制中有着广泛的应用。
2. 但是在使用过程中，也需要注意PWM波烧MOS的问题，采取相应的措施保护mos管的正常工作。
3. 只有有效的保护和控制mos管，才能保证电机控制系统的稳定性和可靠性。
场效应管电机驱动-10页文档资料
场效应管电机驱动-MOS管H桥原理时间:2010-09-16 来源: 作者:Liang110034@126 点击：1641 字体大小:【大中小】所谓的H 桥电路就是控制电机正反转的。
下图就是一种简单的H 桥电路，它由2 个P型场效应管Q1、Q2 与2 个N 型场效应管Q3、Q3 组成，所以它叫P-NMOS 管H 桥。
桥臂上的4 个场效应管相当于四个开关，P 型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N 型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。
场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。
正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1 置高电平（U=VCC）、控制臂2 置低电平（U=0）时，Q1、Q4 关闭，Q2、Q3 导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机正转。
控制臂1 置低电平、控制臂2 置高电平时，Q2、Q3 关闭，Q1、Q4 导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机反转。
当控制臂1、2 均为低电平时，Q1、Q2 导通，Q3、Q4 关闭，电机两端均为高电平，电机不转；当控制臂1、2 均为高电平时，Q1、Q2 关闭，Q3、Q4 导通，电机两端均为低电平，电机也不转，所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H 桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。
（另外还有4 个N 型场效应管的H 桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。
）下面是由与非门CD4011 组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H 桥的控制臂需要0V 或7.2V 电压才能使场效应管完全导通， PWM 输入0V 或5V时，栅极驱动电路输出电压为0V 或7.2V，前提是CD4011 电源电压为7.2V。
切记！！故CD4011 仅做“电压放大”之用。
mos h桥电路原理
MOS H桥电路原理1. 引言MOS H桥电路是一种常用的电子开关电路，主要用于控制直流电机的转向和速度。
它由四个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）组成，可以实现正转、反转和制动等功能。
本文将详细介绍MOS H桥电路的基本原理、工作方式以及应用。
2. MOSFET简介在了解MOS H桥电路之前，首先需要了解MOSFET的基本原理。
MOSFET是一种三端可控硅，由源极（S）、栅极（G）和漏极（D）组成。
栅极与源极之间通过一个氧化层隔离，形成栅氧化物层。
根据栅极与源极之间的电压变化，可以控制漏极与源极之间的导通状态。
MOSFET有两种工作模式：增强型和耗尽型。
增强型MOSFET在栅极-源极间施加正向偏置时导通，耗尽型MOSFET在栅极-源极间施加负向偏置时导通。
3. MOS H桥电路结构3.1 基本结构MOS H桥电路由四个MOSFET组成，分别命名为Q1、Q2、Q3和Q4。
这四个MOSFET 分别连接在直流电源和负载之间，形成一个桥式结构。
其中，Q1和Q2被连接在一起，称为上半桥；Q3和Q4被连接在一起，称为下半桥。
Vcc│Q1│────┼───────┌────┴────┐Vout1 │ │ Vout2│ 负载│GND ──┼────┬────┼─── GND│ Q3 │└────┬────┘Q43.2 工作原理当控制信号输入时，可以通过控制上半桥的导通与否以及下半桥的导通与否来实现对负载的正转、反转和制动。
•正转：使得上半桥导通，下半桥断开。
•反转：使得上半桥断开，下半桥导通。
•制动：使得上下半桥同时导通或同时断开。
具体来说，在正转时，将控制信号分别施加到Q1和Q4的栅极上，并将Q2和Q3的栅极接地。
这样，Q1和Q4导通，形成一条通路，电流从Vcc流向负载，实现正转。
反转时，将控制信号分别施加到Q2和Q3的栅极上，并将Q1和Q4的栅极接地。
这样，Q2和Q3导通，形成一条通路，电流从负载流向GND，实现反转。
场效应管h桥电路
场效应管h桥电路
摘要：
1.场效应管简介
2.H 桥电路的组成
3.H 桥电路的工作原理
4.H 桥电路的应用领域
5.H 桥电路的优点与局限性
正文：
场效应管（FET）是一种半导体器件，具有很高的输入电阻和低噪声，被广泛应用于各种电子设备中。
H 桥电路是一种能够控制场效应管导通和截止的电路，通常用于直流电机、步进电机和伺服系统的驱动。
H 桥电路主要由四个场效应管组成，它们按照特定的方式连接，形成一个四边形。
在典型的H 桥电路中，有两个场效应管充当上桥臂，另外两个场效应管充当下桥臂。
上桥臂和下桥臂的连接方式可以是P 沟道和N 沟道，也可以是N 沟道和P 沟道。
H 桥电路的工作原理是利用上桥臂和下桥臂的切换来改变电机电流的方向。
当上桥臂导通，下桥臂截止时，电机电流从正极流向负极；当上桥臂截止，下桥臂导通时，电机电流从负极流向正极。
通过控制上桥臂和下桥臂的导通与截止，可以实现对电机电流的精确控制，从而达到控制电机转速和转向的目的。
H 桥电路广泛应用于直流电机、步进电机和伺服系统的驱动。
在电动汽
车、机器人、无人机等领域，H 桥电路发挥着重要作用。
H 桥电路具有控制精度高、响应速度快、可靠性好等优点，但也存在电磁干扰、功耗较高等局限性。
总之，场效应管H 桥电路是一种具有广泛应用的半导体驱动电路，通过精确控制场效应管的导通与截止，实现对电机电流的调控。
H桥驱动电路原理图及使能控制和方向逻辑
H桥驱动电路原理图及使能控制和方向逻辑一、H桥驱动电路图1中所示为一个典型的直流电机控制电路。
电路得名于“H 桥驱动电路”是因为它的形状酷似字母H。
4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠(注意：图1及随后的两个图都只是示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来)。
如图所示，H桥式电机驱动电路包括4个三极管和一个电机。
要使电机运转，必须导通对角线上的一对三极管。
根据不同三极管对的导通情况，电流可能会从左至右或从右至左流过电机，从而控制电机的转向。
图1 H桥驱动电路要使电机运转，必须使对角线上的一对三极管导通。
例如，如图2所示，当Q1管和Q4管导通时，电流就从电源正极经Q1从左至右穿过电机，然后再经Q4回到电源负极。
按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
当三极管Q1和Q4导通时，电流将从左至右流过电机，从而驱动电机按特定方向转动(电机周围的箭头指示为顺时针方向)。
图2 H桥电路驱动电机顺时针转动图3所示为另一对三极管Q2和Q3导通的情况，电流将从右至左流过电机。
当三极管Q2和Q3导通时，电流将从右至左流过电机，从而驱动电机沿另一方向转动(电机周围的箭头表示为逆时针方向)。
图3 H桥驱动电机逆时针转动二、使能控制和方向逻辑驱动电机时，保证H桥上两个同侧的三极管不会同时导通非常重要。
如果三极管Q1和Q2同时导通，那么电流就会从正极穿过两个三极管直接回到负极。
此时，电路中除了三极管外没有其他任何负载，因此电路上的电流就可能达到最大值(该电流仅受电源性能限制)，甚至烧坏三极管。
基于上述原因，在实际驱动电路中通常要用硬件电路方便地控制三极管的开关。
改进电路在基本H桥电路的基础上增加了4个与门和2个非门。
4个与门同一个“使能”导通信号相接，这样，用这一个信号就能控制整个电路的开关。
而2个非门通过提供一种方向输人，可以保证任何时候在H桥的同侧腿上都只有一个三极管能导通。
pnmos管h桥驱动芯片
pnmos管h桥驱动芯片
PNMOS管H桥驱动芯片是一种电子元件，用于驱动电机或其
他负载的双向控制。
它通常由四个PNMOS管组成，以实现正向和反向的电流流动。
这种驱动芯片可以通过控制输入信号来控制电机的转动方向和速度。
PNMOS管H桥驱动芯片可以在许多应用中使用，例如机器人、无人机、电动汽车、电动自行车等。
它们提供了高效的电机控制和保护，能够防止电机过电流、过热和短路等问题。
根据具体的驱动芯片型号，其功能和特性可能会有所不同。
不同的芯片可能具有不同的工作电压范围、最大电流输出、保护功能等。
一些PNMOS管H桥驱动芯片还提供了PWM输入，以实现对电机转速的精确控制。
在使用PNMOS管H桥驱动芯片时，需要根据具体的应用需
求进行正确的连接和参数设置。
同时，还需要注意电源电压和电流的要求，以及外接负载的限制。
此外，也需要合理设计散热和保护电路，以确保芯片的正常运行和保护电机。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
P-N MOS管H桥原理
所谓的H桥电路就是控制电机正反转的。
下图就是一种简单的H桥电路，它由2个P 型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成，所以它叫P-NMOS管H桥。
桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。
场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。
正因为这个特点，在连接好下图电路后，控制臂1置高电平（U=VCC）、控制臂2置低电平（U=0）时，Q1、Q4关闭，Q2、Q3导通，电机左端低电平，右端高电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机正转。
高
低
控制臂1置低电平、控制臂2置高电平时，Q2、Q3关闭，Q1、Q4导通，电机左端高电平，右端低电平，所以电流沿箭头方向流动。
设为电机反转。
高
低
Liang110034@
当控制臂1、2均为低电平时，Q1、Q2导通，Q3、Q4关闭，电机两端均为高电平，电机不转；
当控制臂1、2均为高电平时，Q1、Q2关闭，Q3、Q4导通，电机两端均为低电平，电机也不转，
所以，此电路有一个优点就是无论控制臂状态如何（绝不允许悬空状态），H桥都不会出现“共态导通”（短路），很适合我们使用。
（另外还有4个N型场效应管的H桥，内阻更小，有“共态导通”现象，栅极驱动电路较复杂，或用专用驱动芯片，如MC33883，原理基本相似，不再赘述。
）下面是由与非门CD4011组成的栅极驱动电路，因为单片机输出电压为0~5V，而我们小车使用的H桥的控制臂需要0V或7.2V电压才能使场效应管完全导通，PWM输入0V或5V 时，栅极驱动电路输出电压为0V或7.2V，前提是CD4011电源电压为7.2V。
切记！！
故CD4011仅做“电压放大”之用。
之所以用两级与非门是为了与MC33886兼容。
单片机0~5V 0~7.2V
两者结合就是下面的电路：调试时两个PWM输入端其中一个接地，另一个悬空（上拉置1），电机转为正常。
监视MOS管温度，如发热立即切断电源检查电路。
CD4011的14引脚接7.2V，７引脚接地。