锆钛酸锶的烧结及其介电性能表征

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钛酸锶陶瓷介电材料的特性研究

钛酸锶陶瓷介电材料的特性研究随着工业技术的不断发展，各种材料的研究也越来越深入。

其中，作为一种重要的电子材料，介电材料在电子工程、能源技术、医学、生物和环境领域都得到广泛应用。

本篇文章将重点介绍钛酸锶陶瓷介电材料的特性研究。

一、钛酸锶陶瓷介电材料的概述钛酸锶陶瓷（SrTiO3）是一种化学式为SrTiO3的钙钛矿结构的陶瓷材料，具有优异的介电性能和光学性能，在电子器件中广泛应用。

该材料的介电常数可达到300，是一种典型的高介电常数材料。

由于钛酸锶陶瓷材料的热稳定性、机械性能、化学惰性等方面优异，被广泛应用于高压陶瓷电容器、铁电材料、太阳能电池、微波隔板、介电共振器、表面声波器件等领域，尤其在微波与毫米波领域显示出了其无与伦比的优势。

二、1、介电特性钛酸锶陶瓷介电材料的最大优点就是电介质常数高、品质因数高和机械性能好。

高介电常数可以改善电容器的性能，高品质因数可以提高场强下电容器的频率稳定性。

由于钛酸锶陶瓷的介电系数高，被广泛用于电容器、电子器件、生命科学等方面。

然而，由于钛酸锶陶瓷具有高的漏电流密度，在高温下，漏电流密度可以增大几个数量级，从而影响器件性能的稳定性。

2、光电转换特性钛酸锶陶瓷材料也具有优异的光电转换性能，可以用于太阳能电池等领域。

其中，以氧化锌单晶与钛酸锶陶瓷纳米颗粒复合材料作为太阳能电池的电柿单元，可以提高光电转换效率。

因此，钛酸锶陶瓷材料具有广阔的应用前景。

3、微波性能钛酸锶陶瓷材料具有良好的微波介电性能和微波机械性能，其压电系数和介电恒定性优秀，使其具有极高的品质因数，而这恰好是微波应用中非常关键的性能因素。

由于钛酸锶陶瓷的微波介电性能，被广泛应用于无线通信、卫星通信、雷达、微波传输、微波传感器等领域。

三、结语综上所述，钛酸锶陶瓷材料具有优异的介电性能、光电转换性能和微波性能，广泛应用于电子工程、能源技术、医学、生物和环境领域。

未来，钛酸锶陶瓷材料将继续发挥其在信息技术、新能源、生态环保等领域中的重要作用，推动技术的创新与应用。

锆钛酸钡二元陶瓷的制备及其介电性能

收稿日期:2007-03-05基金项目:博士点基金(20040056055#)金属Π石墨Π聚合物ΠBaT iO 3复合PT C 材料的研究。

作者简介:丰红军(1979-),男,河南虞城人,硕士研究生。

联系人:袁启海,电话:(022)27892832,E 2mail :fhj @ 。

文章编号:1004-9533(2009)01-0005-05锆钛酸钡二元陶瓷的制备及其介电性能丰红军,曲远方,单　丹,宋建静(天津大学先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室,天津300072)摘要:研究了不同Z r ΠT i 原子数比下锆钛酸钡二元陶瓷的晶格结构与介电性能。

试样的制备采用传统的固相法,经1300℃保温210h 获得烧结良好的陶瓷试样。

试验结果显示:随着Ba (Z r x T i 1-x )O 3体系中Z r 含量的增加,晶格常数a 增加,晶体四方性降低,Z r 的引入还抑制了离子空穴的生成,介质损耗因此降低;经XRD 衍射分析表明,在Ba (Z r x T i 1-x )O 3化合物中x 在0125～0135变化范围内,试样中存在立方顺电与四方铁电的准同相界。

关键词:钙钛矿;晶格常数;介电常数;弛豫中图分类号:　文献标识码:APreparation of BSZTO and Its Dielectric PropertiesFE NG H ong 2jun ,QU Y uan 2fang ,SH AN Dan ,S ONGJian 2jing(K ey Laboratory for Advanced Ceram ics and M achining T echnology of M inistry of Education ,School of M aterials Science and Engineering ,T ianjin University ,T ianjin 300072,China )Abstract :The lattice structure and dielectric properties of BSZT O with different atom ratio of Z r to T i were studied.Well 2sintered sam ples were synthesized at 1300℃for 210h by ambient atm osphere in conventional ceramics fabrication technique.The experimental results showed that with the increasing of Z r content in Ba (Z r x T i 1-x )O 3system ,the lattice constant a increased and the tetrag onality of crystal decreased ,Z r doping als o restrained the ion vacancies ,which decreased the loss tangent.XRD analysis indicated MP B (m orphotropic phase boundary ),in which trig onal and tetrag onal symmetry coexisted ,existed in Ba (Z r x T i 1-x )O 3for x =0125—0135.K ey w ords :perovskite ;lattice constants ;dielectric properties ;relaxation 锆、钛酸铅是目前应用最为广泛的一类压电陶瓷[1]。

高频瓷的成分

高频瓷的成分高频瓷是一种常用的电子陶瓷材料，具有优良的电气性能和热机械性能，广泛应用于电子元器件和通信设备中。

高频瓷的成分主要包括氧化物类和非氧化物类两大类。

一、氧化物类成分1. 氧化铝（Al2O3）：氧化铝是高频瓷中最常见的氧化物成分之一，具有优良的绝缘性能和高熔点。

它能够提高高频瓷的机械强度和耐热性能。

2. 氧化镁（MgO）：氧化镁是高频瓷中常见的添加剂，可以提高高频瓷的化学稳定性和机械强度。

它具有良好的绝缘性能和导热性能。

3. 氧化锆（ZrO2）：氧化锆是高频瓷中的重要成分之一，它具有较高的介电常数和较低的介电损耗，适用于高频电子元器件的制造。

4. 氧化钇（Y2O3）：氧化钇是高频瓷中常见的添加剂，可以提高高频瓷的机械强度和耐热性能。

它还能够提高高频瓷的介电常数和介电损耗。

5. 氧化锌（ZnO）：氧化锌是高频瓷中的重要成分之一，具有优良的绝缘性能和导电性能。

它能够提高高频瓷的机械强度和耐热性能。

二、非氧化物类成分1. 硼酸铝（Al2O3·B2O3）：硼酸铝是高频瓷中常见的非氧化物类成分，可以提高高频瓷的低温烧结性能和机械强度。

它还能够提高高频瓷的介电常数和介电损耗。

2. 硅酸钡（BaSiO3）：硅酸钡是高频瓷中的重要成分之一，具有较高的介电常数和较低的介电损耗，适用于高频电子元器件的制造。

3. 钛酸锶（SrTiO3）：钛酸锶是高频瓷中常见的非氧化物类成分，可以提高高频瓷的介电常数和介电损耗。

它还能够提高高频瓷的低温烧结性能和机械强度。

4. 锰酸锂（LiMnO3）：锰酸锂是高频瓷中的重要成分之一，具有较高的介电常数和较低的介电损耗，适用于高频电子元器件的制造。

高频瓷的成分种类繁多，每种成分都具有不同的性能特点和应用范围。

通过调整和控制这些成分的配比，可以得到具有特定性能的高频瓷材料，满足不同领域的需求。

高频瓷在电子通信、无线电设备、雷达系统等领域发挥着重要作用，为现代高科技产业的发展提供了重要支持。

MgO-CaO-TiO2体系介电常数调节及其谐振频率温度系数优化

MgO-CaO-TiO2体系介电常数调节及其谐振频率温度系数优化摘要：采用固相烧结法制备了复合钛酸镁介质材料xMg 2TiO 4-(0.95-x)MgTiO 3-0.05CaTiO 3，数据表明，随着x 增大，介电常数呈现降低趋势，频率温漂系数变负，同时品质因数呈现先增大后减小趋势，当x=0.20时，对应介质陶瓷Er=20.34，Q·f=72153，T f （25～85℃）=-3.75ppm/℃。

为使频率温度系数更接近零，探究了0.2Mg 2TiO 4-0.75MgTiO 3-yCaTiO 3体系y 变化的影响；数据表明当y=0.056时，Er=20.50，Q·f=69768，T f （25～85℃）=0.94ppm/℃，其Q·f 值远高于0.95MgTiO 3-0.05CaTiO 3体系，具有较好的应用前景。

关键词：介电常数；品质因数；谐振频率温度系数； 1 引言微波介质陶瓷的介电性能的重要参数：介电常数（Er ）、品质因数（Q·f）、谐振频率温度系数。

钛酸镁体系中存在偏钛酸镁、二钛酸镁、正钛酸镁晶相[1][2][3]，表1是三种晶相和钛酸钙晶相的电性能参数，为达到体系谐振频率温度系数为0，体系中通常会加入钛酸钙、钛酸锶。

颜海洋[4]等加入钛酸钙调整钛酸镁系统的温度系数以使其趋近于零，同时向系统中加入玻璃，改善了MCT 系统的烧结并改善其介电性能[4]。

Chun ya Luo 等[5]采用预先烧结的钛酸镁粉体制备了0.95MgTiO 3-0.05CaTiO 3陶瓷，其介电性能优于以原粉为原料的工艺，利用制备的陶瓷材料设计了微波贴片天线，在中心频率2.8GHz 下测得的4.83%带宽，回波损耗≤-3db 。

Hao Li 等[6]采用常规固相反应法合成了Mg 2(Ti 1-x Sn x )O 4陶瓷，研究了Sn 取代对Mg 2(Ti 1-x Sn x )O 的结构、微观结构和微波介电性能的影响，X 射线衍射证实了固溶体的形成，在1，510℃烧结4h 后，Mg 2(Ti 0.8Sn 0.2)O 4陶瓷获得了良好的微波介电性能(Er=12.18，Q·f=170，130ghz ，T f =-51.7ppm/℃)，说明Sn 的B 位取代可以适当复合钛酸镁体系的介电常数。

锆钛酸钡_BZT_陶瓷制备及其介电性能的研究进展

(a) 25μm, (b) 45μm, (c) 80μm
试样 εm γ
表１不同组成ＢＺＴ陶瓷的介电峰值（εｍ）和弥散指数（γ） Tab.1 The maximum dielectric constant (εm) and diffuseness constant (γ)
BaZr0.05Ti0.95O3 14619 1.38
Fig.3 Micrographs of BaZr0.35Ti0.65O3 ceramic sintered at 1350℃ for 2 h
氧化物固相反应法是一种传统、应用广泛的陶瓷
制备方法，它主要利用固相扩散传递方式进行反应，
以 BaCO3、ZrO2 和 TiO2 为主要原料，经球磨、烘干、预烧、成型、烧结等工艺过程(如图 2)得到 BZT 陶瓷[8-9]。
Chou 等人研究了助熔剂 B2O3 和 Li2O 对 BaZr0.35Ti0.65O3 陶瓷烧结温度、介电性能的影响[20]。结果表明：B2O3 和 Li2O 可以有效地降低陶瓷的烧结温度，当加入质量分数为 4.00 % Li2O 和 0.75 % B2O3 时，烧结温度可以降到 1000℃，比一般的固相烧结温度低 500℃。
摘要
锆钛酸钡（BZT）具有介电非线性强、漏电流小、介电常数高、居里温度可调、耐高压等特点，备受人们的关注。本文综述了锆钛酸钡陶瓷的制备方法及其晶粒尺寸、组成对 BZT 陶瓷介电性能的影响等方面的研究进展，并提出了在研究中亟待解决的问题。关键词锆钛酸钡，陶瓷，制备方法，介电性能，组成中图分类号：ＴＱ１７４文献标识码：Ａ
第 30 卷第 2 期 2009 年 6 月
《陶瓷学报》 JOURNAL OF CERAMICS

钛酸锶钡(BST)材料及其应用

钛酸锶钡（BST）材料及其应用摘要钛酸锶钡（BST）是一种电子功能陶瓷材料，广泛应用于电子、机械和陶瓷工业。

本文对钛酸锶钡材料的组成、结构、性能、制备与应用等方面进行了一个比较全面的总结，重点展示了钛酸锶钡的铁电性、结构性能与掺杂改性，并详细介绍了钛酸锶钡薄膜和块体分别在微波移相器和高储能介电陶瓷中的应用。

1 BST的组成与结构钛酸锶钡与钛酸锶、钛酸钡在结构方面具有非常高的相似性，这预示着它们之间的性能必然有着很紧密的联系。

1.1 钛酸钡简介钛酸钡（BaTiO3）是一种强介电材料，是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一，被约2000）、非线誉为“电子陶瓷工业的支柱”。

钛酸钡的电容率大（常温下介电常数r性强（可调性高），但严重依赖于温度和频率。

钛酸钡是一致性熔融化合物（即熔化时所产生的液相与化合物组成相同），其熔点为1618℃，在整个温区范围内，钛酸钡共有五种晶体结构，即六方、立方、四方、正交、三方，随着温度的降低，晶体的对称性越来越低[1]。

在1460-1618℃结晶出来的钛酸钡属于非铁电的稳定六方晶系6/mmm点群；在1460-130℃之间钛酸钡转变为立方钙钛矿型结构，此时的钛酸钡晶体结构对称性极高，呈现顺电性（无偶极矩产生，无铁电性，也无压电性）；当温度下降到130℃时，钛酸钡发生一级顺电-铁电相变（即居里点T c=130℃），在130-5℃的温区内，钛酸钡为四方晶系4mm点群，具有显著的铁电性，其自发极化强度沿c轴[001]方向，晶胞沿着此方向变长；当温度从5℃下降到-90℃温区时，钛酸钡晶体转变成正交晶系mm2点群（通常采用单斜晶系的参数来描述此正交晶系的单胞，有利于从单胞中看出自发极化的情况），此时晶体仍具有铁电性，其自发极化强度沿着原立方晶胞的面对角线[011]方向；当温度继续下降到-90℃以下时，晶体由正交晶系转变为三方晶系3m点群，此时晶体仍具有铁电性，其自发极化强度方向与原立方晶胞的体对角线[111]方向平行。

锶掺杂的钛酸钡陶瓷制备及介电性能

锶掺杂的钛酸钡陶瓷制备及介电性能巩晓阳;李允令;李伟杰【摘要】钛酸钡作为一种高介电材料，在相变温度120℃附近具有较大的介电常数，为了更好应用于电子陶瓷材料中，需添加锶、锆、硅等掺杂物降低其相变温度至室温附近。

本文用固相反应法制备了多种比例锶掺杂的钛酸钡陶瓷（Ba1-xSrxTiO3）。

在不同频率下对其介电性能与相变温度做了对比研究。

研究结果表明：一定比例锶掺杂能提高钛酸钡陶瓷的有效介电常数，同时随着掺杂比例增加可使相变温度向低温方向移动。

x＝0．3的锶掺杂比例使钛酸钡的相变温度移至室温附近，介电常数高于6000，满足了一般电容器的工作环境要求。

【期刊名称】《河南科技大学学报（自然科学版）》【年(卷),期】2014(000)004【总页数】4页(P92-95)【关键词】钛酸钡;钛酸锶钡陶瓷;介电性能;固相法【作者】巩晓阳;李允令;李伟杰【作者单位】河南科技大学物理工程学院，河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室，河南洛阳 471023;河南科技大学物理工程学院，河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室，河南洛阳471023;河南科技大学物理工程学院，河南洛阳 471023; 河南科技大学洛阳市光电功能材料重点实验室，河南洛阳 471023【正文语种】中文【中图分类】O484钛酸钡作为一种高介电材料，是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一［1－6］。

但纯钛酸钡陶瓷的相变温度（居里点）约为120℃，此时具有最大的介电常数，而室温时介电常数较小，同时其较高的温度系数及随电压和频率的变化具有不稳定性，使其应用受到极大的局限，通常通过添加锶、锆、硅等掺杂物可以有效地改善它的性质［4－9］。

钛酸锶钡陶瓷因具有较高的电容率，低介电损耗，优良的铁电、压电、耐压和绝缘性能，广泛应用于体积小而容量大的微型电容器、热敏电阻、超大规模动态随机存储器、调谐微波器件等，是一种重要的电子陶瓷材料。

钛酸锶晶粒介电常数

钛酸锶晶粒介电常数钛酸锶是一种典型的压电材料，具有良好的介电性能。

其晶粒的介电常数是钛酸锶材料重要的物理特性之一，对其电子性能与应用性能有着显著的影响。

因此，研究钛酸锶晶粒的介电常数具有重要意义。

1. 简介钛酸锶晶粒的介电常数是指在外电场作用下，钛酸锶晶粒内部出现的电偶极矩与其外部电场强度之比，用ε表示。

ε的数值大小直接反映了晶体对电场的响应程度，越大说明晶体的极化性越强。

2. 影响因素钛酸锶晶粒的介电常数主要受晶体结构、晶粒尺寸、温度和频率等因素的影响。

（1）晶体结构钛酸锶晶体结构为钙钛矿结构，晶胞常数为a=3.905Å。

钙钛矿晶体的晶体对称性符合立方晶系或三斜晶系，晶体呈现出高度各向同性特性，因此其介电常数也呈现出各向同性。

（2）晶粒尺寸晶粒尺寸对钛酸锶晶粒的介电常数也有明显的影响。

La-doped SrTiO3（LST）晶体颗粒的平均粒径对介电常数有极大的影响。

当晶粒的尺寸较小时，晶体表面的形貌对晶体内部电场的分布存在显著影响，使得晶体的介电常数值较小。

（3）温度随着温度的升高，钛酸锶晶粒的介电常数呈现出降低趋势。

这是因为当温度升高时，晶体内部的热运动所导致的碰撞频率增高，阻碍了电子在晶体内部的移动，同时也阻碍了极化的发生，从而使介电常数降低。

（4）频率钛酸锶晶粒的介电常数还受频率的影响。

随着电场频率的升高，晶体内部电荷的运动过程加快，整个极化过程的时间变短，因而介电常数也会随之发生变化。

3. 影响机制钛酸锶晶粒的介电常数随着温度、频率和晶体结构等变化而发生变化，其机制可以归纳为以下两个方面。

（1）极化机制钛酸锶晶粒的极化机制可以分为电子极化和离子极化两种。

具体而言，当外界电场作用于钛酸锶晶粒时，电子会受到电场的束缚，从而发生电子极化。

而离子极化是由于钛酸锶晶体中离子在电场的作用下发生移动，从而产生极化现象。

这两种极化方式都会影响钛酸锶晶粒的介电常数。

（2）缺陷机制由于晶体结构的缺陷不可避免，对钛酸锶晶粒的介电常数也会产生影响。

钛酸锶钡陶瓷的结构及介电规律研究

控制．
０３的ｓ含量会导致立方相．项工作在．５ｒ本
１５０ｃ３ｃ烧结２ｈ制备了（ａ一ＳＴＯＢ１ｒ）ｉ３陶瓷，探讨了烧结温度的提高对（ａＳｘＴＯＢｒ）ｉ陶瓷的结构和介电性能变化规律的影响．
ａｅｔｉｆｍＪ．．ｐ１Ｐｙ．１９，７（）ｔｈｌｓ［］ＪＡｐ．ｈｓ，９５７６：ｎｉ
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２／（）０。
图１（ａ一ＳＴＯ３Ｂ１ｒ）ｉ陶瓷的ＸＤ谱，Ｒ
ｘ＝０．５，２０．５，３０．５１０．０，２０．０，３
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基金项目：吉林省科技发展计划资助项目（００５２２１０３）作者简介：自文（９６）男，乔１６一，吉林省长春市人，吉林化工学院高级工程师，要从事电子信息产品元器件及电子材主
料方面的研究．
第１期
乔自文，：酸锶钡陶瓷的结构及介电规律研究等钛

钛酸锶钡的制备

本论文实验方案设计：选用传统固相合成法制备Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷，先按照设计的配方称量并配料样品，湿法球磨后干燥，样品粉体经预烧后，目的是让样品原料预反应，预合成所需要的陶瓷晶相并排出气体，进行二次球磨，出料后造粒陈腐、压片成型，然后在箱式电阻炉中烧结以制备Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷烧结体，最后对样品进行抛光被电极处理并进行样品的性能测试；制备Ba0.3Sr0.7TiO3储能陶瓷则在Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷粉体预烧合成后，掺杂烧结助剂并是混料混合均匀，进行湿法球磨。

出料后造粒陈腐、压片成型，在电炉中烧结制备Ba0.3Sr0.7TiO3储能陶瓷烧结体，最后对样品进行抛光被电极处理并进行样品的性能测试。

Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷样品的制备：按照实验前设计的Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷的配方来进行配料称量，用酒精做助磨剂，选用氧化锆球作球磨石（其中1/3的中号球磨石和2/3的小号球磨石，所有采用湿法球磨方法均用中小号球磨石的搭配，以保证球磨的效率更好），用湿法球磨方法以料：球：酒精比大约1：2：2装入球磨罐中，用行星式球磨机以400r/min球磨12h后取出。

出料后在烘箱中以烘干去除水分后，取出放入氧化铝坩埚中在箱式电炉中预烧，把预烧后的样品粉料在玛瑙研钵中研磨粉碎后，进行二次湿法球磨混合样品原料均匀，再加入已准备好的PV A作为粘结剂造粒，干燥后将样品粉料过40目筛，筛余的样品粉料进行陈腐24h。

陈腐结束后，压片。

BBSZ熔块粉体的制备：因为它的软化点较低，所以对Ba1-x Sr x TiO3系介质材料具有显著的降温效果。

所以本文选择的烧结助剂是B2O3-Bi2O3-SiO2-BaO-CaO熔块简称（BBSZ），以掺杂BBSZ熔块降低Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷的烧结温度。

BBSZ熔块的湿法球磨、干燥的工艺过程与Ba0.3Sr0.7TiO3陶瓷样品的制备过程相同。

锆钛酸锶钙陶瓷材料主晶相组份与介电性能

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ｄｌｔｃｐｏｅｔｓａｄｃｍｐｓｔｎｏＳＺｃｒｍｃｐｗｄｒｒｉｖｓｉｔｄＴｅｒｓｌｈｗｔａｕｄｒｈｏｄｔｎｉｅｒｒｐｒｅｎｏｏｉｏｆＣＴｅａｉｏｅｗｅｅｎｅｔａｅ．ｈｅｕｓｓｏｈｔｎｅｔｅｃｎｉｏｓＸｅｃｉｉｉｇｔｉ
ｌｎ・ｍ的抗还原瓷料。０ｃＪ然而，随着通讯产业的快速发展对元器件的频率要求越来越高，对高频抗还原瓷料的研究与开发是不可缺少的。高频ＮＯ的贱金属化一直落后于ＹＶ、Ｐ类５
中，所以以Ｎ作为内电极的ＭＬＣ烧结过程中必须ｉＣ
采用还原性气氛，而常规ＢＴＯ钛酸钡）陶瓷在还ａｉ（
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八种新型陶瓷材料

八种新型陶瓷材料
随着科技的不断发展，新型陶瓷材料的应用范围也越来越广泛。

下面介绍八种新型陶瓷材料：
1. 氧化锆陶瓷：具有高硬度、高抗压强度、高化学稳定性和良好的耐磨性，适用于制作高强度陶瓷刀具、轴承、气动阀门等。

2. 氧化铝陶瓷：具有高硬度、高密度、高抗压强度和良好的耐磨性，适用于制作切割工具、磨料、电子元件等。

3. 氮化硅陶瓷：具有高硬度、高强度、高温稳定性和耐腐蚀性，适用于制作高温陶瓷刀具、结构陶瓷和电子元件等。

4. 氧化锆纤维增强陶瓷：具有高强度、高韧性和高耐磨性，适用于制作高性能陶瓷刀具、轴承、气动阀门等。

5. 钛酸锶陶瓷：具有高介电常数、高介电损耗和良好的温度稳定性，适用于制作电容器、声波谐振器等。

6. 铝氧化物-氮化硅复合陶瓷：具有高硬度、高抗压强度、高温稳定性和良好的耐磨性，适用于制作高性能陶瓷刀具、轴承、气动阀门等。

7. 氧化锆-氮化硅复合陶瓷：具有高硬度、高抗压强度、高温稳定性和良好的耐磨性，适用于制作高性能陶瓷刀具、轴承、气动阀门等。

8. 碳化硅陶瓷：具有高硬度、高抗压强度、高温稳定性和良好的耐磨性，适用于制作高性能陶瓷刀具、轴承、气动阀门等。

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钛酸锶用途

钛酸锶用途全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：钛酸锶是一种具有广泛用途的无机化合物，常用作陶瓷材料、医疗器械、催化剂等领域。

它具有很好的化学稳定性和热稳定性，能够在高温下保持其性能不变，因此在许多应用领域得到广泛应用。

钛酸锶在陶瓷材料领域具有重要作用。

钛酸锶可以作为稳定剂加入陶瓷材料中，提高陶瓷的机械性能和耐磨性，使其更加耐用。

钛酸锶还可以改善陶瓷材料的导热性能和抗冲击性能，使其在工业生产中得到广泛应用。

钛酸锶在医疗器械领域也具有重要作用。

由于钛酸锶具有较好的生物相容性和生物降解性，可以用于生产骨科植入物、人工关节等医疗器械，可以有效减少植入物在体内的排斥反应，降低并发症的发生率，提高治疗效果。

钛酸锶还可以作为催化剂在化工生产中发挥重要作用。

钛酸锶具有较高的催化活性和选择性，可以加速化学反应的进行，提高产物的纯度和产率。

在有机合成、石油加工、环境保护等领域都有广泛的应用。

在环境保护和能源领域，钛酸锶也有着重要的作用。

钛酸锶可以作为负极活性材料应用于锂离子电池中，提高电池的性能和循环稳定性，延长电池的使用寿命。

钛酸锶还可以作为光催化剂应用于光催化降解有机污染物，可以高效降解有机废水和废气，净化环境。

钛酸锶是一种具有广泛用途的无机化合物，其在陶瓷材料、医疗器械、催化剂、环境保护和能源领域都有重要的应用。

随着科学技术的不断发展和进步，钛酸锶的应用领域将会进一步拓展，为人类的生活带来更多的便利和贡献。

第二篇示例：除了医药领域，钛酸锶还在材料科学领域中有着重要的应用。

钛酸锶可以用作陶瓷材料的添加剂，可以提高陶瓷材料的强度和硬度，增强其耐磨性和耐腐蚀性。

钛酸锶还可以用于制备高温超导材料和光学材料，具有优异的导电性和光学性能。

钛酸锶还可以用于环保领域。

钛酸锶可以用作废水处理剂，可以吸附废水中的重金属离子和有机物质，净化废水。

钛酸锶还可以用作土壤修复剂，可以吸附土壤中的有害物质，改善土壤质量，保护生态环境。

钛酸锶是一种具有广泛用途的材料，其在医药、材料科学和环保领域都有着重要的应用价值。

钛酸锶晶圆-概述说明以及解释

钛酸锶晶圆-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容可以涵盖以下信息：钛酸锶晶圆是一种具有广泛应用前景的材料，它在光电子、电信和光通信领域具有重要的地位。

钛酸锶晶圆具备着优异的光学性能和电学特性，使其适用于各种光学和电子器件的制备。

本文旨在介绍钛酸锶晶圆的制备方法以及其在各个领域的应用前景。

首先，我们将概述钛酸锶晶圆的基本特点和优势。

钛酸锶晶圆是一种具有优异光学性能的材料，具备较高的折射率、较低的色散性和较小的吸收率。

同时，它还具备高的电介质常数和良好的电学性能，使其在光电子器件和电子器件中具备广泛的应用潜力。

其次，我们将介绍钛酸锶晶圆的制备方法。

目前，常用的制备钛酸锶晶圆的方法包括溶液法、热压法和化学气相沉积法等。

这些方法各有优劣，可以根据具体应用需求选择合适的方法进行制备。

接着，我们将讨论钛酸锶晶圆在光电子、电信和光通信领域的应用前景。

目前，钛酸锶晶圆已被广泛应用于光通信领域的光纤放大器、波长分复用器和光调制器等器件中。

此外，钛酸锶晶圆还可用于光电子器件的制备，如太阳能电池和光伏器件等。

其在这些领域的应用前景十分广阔。

最后，我们将对全文进行总结。

通过本文的介绍，读者可以了解到钛酸锶晶圆的基本特点、制备方法以及在光电子、电信和光通信领域的应用前景。

钛酸锶晶圆作为一种具有优异性能的材料，必将在未来的光电子和电子器件中发挥重要的作用。

1.2文章结构文章结构部分的内容如下：1.2 文章结构本文将按照以下结构进行叙述：第一部分为引言，概述了钛酸锶晶圆的背景和应用前景。

首先，会对钛酸锶晶圆进行简要介绍，包括其组成结构和特性。

随后，会说明本文的目的，即对钛酸锶晶圆的制备方法进行探讨以及对其应用前景进行展望。

第二部分为正文，主要包括背景知识和钛酸锶晶圆的制备方法。

在背景知识部分，将介绍钛酸锶的基本性质、应用领域以及现有研究进展。

然后，详细介绍钛酸锶晶圆的制备方法，包括材料准备、加工工艺以及制备过程中的关键参数等方面的内容。

锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性

第27卷第3期2008年6月红外与毫米波学报J.I nfrared M illi m .W avesVol .27,No .3June,2008文章编号:1001-9014(2008)03-0169-05收稿日期:2007211227,修回日期:2008204228 Rece i ved da te:2007211227,rev ised da te:2008204228基金项目:国家自然科学基金(60578058,10774154)、国家杰出青年基金(60225004)和上海市科技专项(0452nm085)作者简介:胡古今(19642),男,安徽绩溪人,中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室副研究员,主要从事凝聚态物理研究.锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性胡古今1,　商景林1,　张　婷1,　谢　婧2,　孙　兰1,　褚君浩1,　戴　宁1(1.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海　200083;2.复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海　201203)摘要:研究了特异结构锆钛酸铅PbZr 0.38Ti 0.62O 3(PZT )多层膜的铁电和介电特性.同均一相PZT 薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT 多层膜具有铁电、介电增强效应.在100V 极化电压下,多层膜的平均剩余极化强度达42.3μC /c m 2,矫顽场为43k V /c m.大的极化强度值归因于大的膜厚和多孔结构有效释放膜内张应力的结果.室温低频限下,PZT 多层膜的表观相对介电常数超过2000.极为有趣的是,在所研究的频率范围,PZT 多层膜具有两种截然不同的介电驰豫.低频介电损耗峰源自空间电荷极化;而遵从A rrhenius 律的高频介电响应可能同与氧空位V O ¨相关的极性缺陷复合体有关.关　键　词:PZT 多层膜;铁电;介电;极性缺陷复合体中图分类号:0469 文献标识码:AFERROE LECT R IC AND D I E LECT R IC PROPERTI ES OFLE AD ZIRC ONATE TI T ANATE MULTILAYERSHU Gu 2J in,　SHANG J ing 2L in,　Z HANG Ting,　X I E J ing,S UN J ing 2Lan,　CHU Jun 2Hao,　DA IN ing(1.Nati onal Laborat ory f or I nfrared Physics,Shanghai I nstitute of Technical Physics,Chinese Academyof Sciences,Shanghai 200083,China;2.State Key Laborat ory of ASI C and Syste m,Fudan University,Shanghai 201203,China )Abstract:Ferr oelectric and dielectric p r operties of the PbZr 0.38Ti 0.62O 3(PZT )multilayer with a unique structure were exp l ored .Compared with the unifor m PZT thin fil m s,the PZT multilayer with alternating dense 2PZT and por ous 2PZT layers exhibits an enhance ment both in ferr oelectric and dielectric perfor mances .The PZT multilayer has an average re manent po 2larizati on of 42.3C /c m 2and an average coercive field of 43k V /c m under an app lied voltage of 100V.The large value of re manent polarizati on is attributed t o the effective relaxati on of the tensile stress in fil m due t o large fil m thickness and por 2ous structure .The apparently relative dielectric constant of the PZT multilayer is more than 2000at r oom te mperature and l ow frequency li m it .More interestingly,t w o distinct dielectric relaxati ons have been observed in the PZT multilayer in the investigated frequency range .The l ow 2frequency l oss peak originates fr om s pace charge polarizati on,while the high 2fre 2quency dielectric res ponse foll owing an A rrhenius 2la w is expected t o be related t o the di polar defect comp lexes ass ociated with oxygen vacancies V O ¨.Key words:PZT multilayer;ferr oelectric;dielectric;di polar defect comp lex引言对可见和红外光透明且折射率随组分变化的三元钙钛矿结构铁电氧化物,如锆钛酸铅、钛酸锶钡,因具有显著的电光效应,是制作新一代特性参数动态可调光子器件的理想材料[1].然而,常规的镀膜技术:分子束外延、金属有机化学沉积、脉冲激光沉积、热蒸发以及磁控溅射沉积等很难将三元铁电材料构筑成周期长度可以和可见光波长相比拟的一维周期性结构,即便制作出来,其成本也相当高.为促进铁电材料在光子带隙工程领域的应用,实现光机电一体化,近年来我们研究组发展了一种操作简单、普适性强,基于单一化学溶液制备一维铁电基光子晶体的技术[2～4].借助该方法,在多种衬底上生长了红外与毫米波学报27卷对特定波段的可见光具有很高反射率且反射带宽和反射带位置可调的锆钛酸铅和钛酸锶钡介质反射镜;同时利用铁电材料的电光效应,通过外加电场初步实现了布拉格反射镜反射带位置的动态调控.本文报道对特异结构锆钛酸铅PbZr0.38Ti0.62O3(PZT)多层膜的铁电和介电特性研究结果.我们发现由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应,其平均剩余极化强度高达42.3μC/c m2,室温表观相对介电常数最大值超过2000;同时在PZT多层膜中观测到两种截然不同的介电驰豫,低频介电损耗峰来自空间电荷极化,而高频介电损耗峰则可能来自缺陷偶极子对交变电场的响应.1　实验实验所用样品是文献[5]介绍的PbZr0.38Ti0.62O3多层膜.PZT多层膜生长在导电金属氧化物La N i O3 (LNO,～200纳米厚)涂布的硅衬底上.多层膜包含24个由致密PZT膜层和多孔PZT膜层组成的双层膜,膜的总厚度约2.1μm,单个双层膜的平均厚度为90nm.PZT多层膜具有多晶和单一钙钛矿结构.俄歇电子谱表明在多层膜内存在氧空位,而Pt/PZT2多层膜界面附近,约10n m厚薄层内的氧空位浓度远比膜体内的氧空位浓度高[5].为进行电学性能分析,通过光刻工艺在PZT多层膜的表面制备了铂金(Pt)电极阵列,单个Pt电极的尺寸为0.2mm×0.2 mm.所有电学测量都是在Pt/PZT2多层膜/LNO结构的电容器上进行的.PZT多层膜的铁电和介电特性分别用R T6622000铁电测试系统和HP4194A阻抗分析仪进行表征,样品温度由控温仪(MMR Tech2 nol ogies,I nc)控制,而且所有介电频谱是用0.5V的交流小信号测定的.2　结果与讨论2.1　PZT多层膜的铁电特性同时具备良好的一维光子晶体、热释电、介电和铁电性能是PZT多层膜在集成光子、电子器件领域获得应用的基本前提.文献[2～4]已对PZT多层膜的光学性质进行了详细讨论.图1给出了PZT多层膜在3个不同极化电压幅值下的极化强度与电场强度的关系.从图上可以看出,当极化电压增加到80V 时,电极化达到饱和;进一步增加电压到100V,此时的电滞回线几乎与80V的回线重合;电滞回线表现出非原点对称性.在500k V/c m的驱动电场下,PZT图1　近周期PZT多层膜的室温电滞回线,三条曲线分别对应40V,80V和100V的最大极化驱动电压Fig.1　Ferr oelectric hysteresis l oop s of quasi peri odic PZTmultilayer fil m measured at r oom temperature.The curvescorres pond t o the maxi m u m driving voltages of40,80,and100V,res pectively多层膜的平均剩余极化强度Pr达42.3μC/c m2,矫顽场Ec仅为43kV/c m.同生长在相同衬底、组分相近的均一相PZT薄膜相比,非均匀相PZT多层膜具有高的剩余极化强度值.为排除漏电流对PZT多层膜极化的贡献,我们测量了PZT多层膜电容器的漏电流.在100V直流偏压下,电容器的电阻、电阻率及漏电流分别为1.328×1010Ω、2.788×1010Ω・c m和3.52nA,说明PZT多层膜是一个良好的电绝缘体,漏电流对剩余极化的影响可以忽略,图1中细长而饱和的电滞回线进一步佐证了这一论点.众所周知除了漏电流外,电畴的微结构与状态、晶粒尺寸与结晶学取向、缺陷类型与密度、膜厚及应力等同样是影响铁电薄膜铁电性能的重要因素.T. Ku maza wa等人的研究结果表明由于PZT和硅两者热胀系数的差异,生长在硅衬底上的多晶PZT薄膜受到很大张应力作用,张应力使PZT薄膜的极化强度显著降低[6].Kui Yao和W ei Chuan Goh等人分别利用加有聚己醇的镀膜溶液以及特殊的脉冲激光蒸发工艺,使PZT薄膜中形成随机分布的孔洞,以释放PZT膜内的张应力,从而提高薄膜的铁电极化强度[7,8].我们认为多晶无择优取向PZT多层膜铁电性能的增强是由相同机制引起的.虽然从X射线衍射数据推出PZT多层膜内仍然存在一定的张应变(PZT多层膜膜的a轴晶格常数约4.048!,比同组分块体PZT材料的a轴晶格常数3.982!略大,相对变化量小于2%)[5],但可以预计大的膜厚(约2μm)和大量纳米孔的存在使PZT多层膜内的张应力得到很大程度的降低,从而导致剩余极化强度的提高.0713期胡古今等:锆钛酸铅多层膜的铁电和介电特性另外,电滞回线沿负场轴方向的偏移主要是由氧空位(累集在Pt/PZT2多层膜界面)和电子(俘获在LNO/PZT2多层膜界面)产生的内建电场引起的[9].2.2　PZT多层膜的介电特性图2是PZT多层膜在不同温度,位于100Hz到1MHz频率范围内的介电色散谱.从图2(a)可知,PZT多层膜相对介电函数的实部ε′随温度升高而增大;对给定的温度,ε′随频率的增加快速下降,表现出强烈的介电色散;室温低频限下表观巨介电常数ε′高达2300.仔细考察图2(a)中对应温度380K和420K的两条谱线,可以发现每条曲线上都存在两个ε′随频率降低而急剧升高的区域,它们对应着两种完全不同的介电驰豫,在介电损耗谱上表现为各自的损耗峰.图2(b)是PZT多层膜的介电耗散因子对频率和温度的依赖关系.在380～420K的温度范围,可以清晰地观察到两个宽的介电损耗峰.温度低于500K时,由于高、低频损耗峰的相互交叠,很难确定低频损耗峰的位置及幅度;当温度从300K逐渐升高时,高频损耗峰向更高频率方向移动,表现为热激活过程;温度高于500K时,低频损耗峰向低频方向移动,峰强逐渐增大,而高频损耗峰的位置移至测试频率之外,两个损耗峰完全分开.高频损耗峰峰值频率fp.T 的对数ln fp.T)与相应温度T倒数T-1的图像是斜率为0.49的直线,意味着PZT多层膜的高频介电响应遵循A rrhenius律,且具有0.49±0.01e V的热激活能.Chen Ang和Zhi Yu已证明PZT材料体系的低频本征相对介电常数在100左右[10],实验中观测到的PZT多层膜的巨介电常数是一种外在效应.其中,在外场作用下电极极化(空间电荷极化)、畴壁运动极化、颗粒和边界极化(垒层电容器效应)、以及界面极化(麦克斯韦-瓦格纳效应)等外在响应都会对巨介电常数产生贡献[10～12].为了了解PZT 多层膜低频巨介电常数的可能起源,在进行介电谱测量时,给Pt/PZT2多层膜/LNO电容器施加10V 的直流偏压.我们发现在100Hz～10kHz的频率范围,ε′显著下降,换句话说ε′能被直流电场有效抑制,这表明PZT多层膜的低频介电响应具有空间电荷极化的典型特征;另一方面,低频损耗峰的位置随温度升高向低频方向移动的现象也进一步说明低频介电响应拥有空间电荷极化的基本属性.因此,基于上述两个实验事实,我们推断PZT多层膜的表观低频巨介电常数应归因于空间电荷极化.需要强调的图2　PZT多层膜介电色散谱随温度的变化(a)为相对介电函数的实部(b)为介电耗散因子Fig.2　The te mperature dependence of the dielectric dis persi on s pectra of PZT multilayers(a)the real partε′of dielectric per m it2 tivity and(b)the dissi pati on fact or f or PZT multilayers是:虽然电极极化是PZT多层膜低频巨介电常数的主要贡献者,但不应忽略由膜内颗粒和颗粒边界以及大量界面引起的垒层电容器效应和麦克斯韦-瓦格纳效应对低频介电常数的贡献.电介质中存在四种可能的电极化机制:空间电荷极化、偶极子极化、原子极化和电子极化.电子和原子的极化驰豫仅在高频(>1010Hz)下才可观测到.考虑到偶极子极化响应一般出现在声频范围以及PZT多层膜的低频介电损耗峰来自空间电荷极化的事实,可以推断PZT多层膜的高频损耗峰应源自偶极子型的极化驰豫.钙钛矿结构氧化物中氧空位是普遍存在的一种点缺陷,氧空位热激活能E a(y)与氧空位浓度y有关,两者由关系式:E a(y) =21-20y(e V)确定[13].俄歇电子谱测量结果给出PZT多层膜的平均氧原子浓度为58%,即一个PZT 原胞内平均有0.1个氧空位[5],将y=0.1代入上式,计算得到氧空位的热激活能为0.5e V,同PZT 多层膜高频介电驰豫热激活能的实验值0.49±0.01e V相一致,表明氧空位一定参与了高频介电响应.目前,我们在正开展进一步工作以确定与氧空位(下转184页)171红外与毫米波学报27卷REFERENCES[1]Rosenthal I,Baruch R.100years of measuring the fat con2tent of m ilk[J].Journal of Che m ical Education,1993,70(6):480—482.[2]Reid L M,Woodcock T,O’Donnell C P,et al.D ifferentia2ti on of app le juice sa mp les on the basis of heat treat m ent and variety using che mo metric analysis of M I R and N I R data [J].Food Research International,2005,38:1109—1115. [3]HE Yong,L I Xiao2L i.D iscri m inati on of varieties of waxberryusing near infrared s pectra[J].J.Infrared M illi m.W aves (何勇,李晓丽.近红外光谱杨梅品种鉴别方法的研究.红外与毫米波学报),2006,25(3):192—194,212.[4]HUANGM in,HE Yong,HUANG L in2Xia,et al.D iscri m i2nati on of varieties of silk wor m egg based on visible2near in2 frared s pectra[J].J.Infrared M illi m.W aves(黄敏,何勇,黄凌霞,等.基于可见2近红外光谱技术的家蚕蚕种鉴别方法的研究.红外与毫米波学报),2006,25(5):342—344, 359.[5]W ang L,Lee F S C,W ang X R,et al.Feasibility study ofquantifying and discri m inating s oybean oil adulterati on in ca mellia oils by attenuated t otal reflectance M I R and fiber op tic diffuse reflectance N I R[J].Food Che m istry,2006,95:529—536.[6]B rás L P,Bernardino S A,Lopes J A,et al.Multibl ockP LS as an app r oach t o compare and combine N I R and M I R s pectra in calibrati ons of s oybean fl our[J].Che m o m etrics and Intelligent L aboratory Syste m s,2005,75:91—99.[7]Vapnik V N.S tatistical L earning Theory[M].John W ileyand Sons I nc.:Ne w York.1998.[8]Suykens J A K,Van Gestel T,De B rabanter J,et al.L eastSquares Support V ectorM achines[M].World Scientific Pub2 lishing:Singapore,2002.[9]Zhu J Y,Chen K T,Zhang H X.Study of least squares su2port vect or machines[J].Co m puter Science.(朱家元,陈开陶,张恒喜.最小二乘支持向量机算法研究.计算机科学),2003,30(7):157—159.[10]Y AN Yan2Lu.B asic and A pplication of N ear Infrared Spec2troscopy A nalysis[M].Beijing:China L ight I ndustry Press.(严衍禄.近红外光谱分析基础与应用.北京:中国轻工业出版社),2005,369.[11]Zhou Q,Sun S Q,Yu L,et al.Sequential changes ofmain components in different kinds of m ilk powders using t w o2di m ensi onal infrared correlati on analysis[J].Journal of M olecular S tructure,2006,799:77—84.(上接171页)相关的缺陷偶极子的具体构型,包括组成缺陷偶极子的荷电单元和偶极矩的大小等.4　结论同均一相PZT薄膜材料相比,由致密层和多孔层交替排列形成的近周期PZT多层膜具有铁电、介电增强效应.在500kV/c m的极化电场下,多层膜的平均剩余极化强度高达42.3μC/c m2,矫顽场仅为43kV/c m.较大的膜厚和多孔结构有助于释放膜内张应力,从而使PZT多层膜的极化强度增强;PZT多层膜的室温低频表观巨介电常数主要来自空间电荷极化的贡献;与氧空位相关的极性缺陷复合体对交变电场的响应很可能是PZT多层膜高频介电损耗峰的微观起因.REFERENCES[1]L I N Tie,S UN J ing2Lan,ME NG Xiang2J ian,et al.Ferr oe2lectric fil m thickness dependence of infrared detect or with an Si O2aer ogel ther mal insulati on layer[J].J.Infrared M illi m.W aves(林铁,孙　兰,孟祥建,等,用Si O2气凝胶做隔热层的铁电薄膜红外探测器性能与铁电薄膜层厚度的关系.红外与毫米波学报),2007,26:329—331. [2]Hu G J,Chen J,An D L,et al.Fabricati on of ferr oelectricPbZr0.4Ti0.6O3multilayers by s ol2gel p r ocess[J].A ppl.Phys.L ett.,2005,86:162905—162907.[3]Hu G J,Hong X K,Chu J H,et al.Ferr oelectric and op ti2cal p r operties of quasi peri odic PbZr0.5Ti0.5O3multilayers gr own on quartz wafers[J].A ppl.Phys.L ett.,2007,90: 162904—162906.[4]HU Gu2J in,HONG Xue2Kun,CHE N J ing,et al.For mati onmechanis m of peri odical ferr oelectric multilayers with high op tical reflectivity[J].J.Infrared M illi m.W aves(胡古今,洪学鹍,陈静,等.高反射率周期性铁电多层膜形成机理研究.红外与毫米波学报),2007,26(2):89—91. [5]Hu G J,Hong X K,Sun J L,et al.Peculiar ferr oelectricand dielectric p r operties of quasi peri odic PbZr0.4Ti0.6O3 multilayers[J].N e w J.Phys.,2006,8:386(1—7). [6]Ku maza wa T,Ku magaiM iura Y H.Effect of external stresson polarizati on in ferr oelectric thin fil m s[J].A ppl.Phys.L ett.,1998,72:608-610.[7]Kui Y,Yu Sh H,Francis E T,et al.Residual stress analy2sis in ferr oelectric PbZr0.52Ti0.48O3thin fil m s fabricated by s ol2gel p r ocess[J].A ppl.Phys.L ett.,2003,82:4540—4542.[8]W ei Chuan Goh,Kui Y,Ong C K.Pseudo2ep itaxial leadzirconate titanate thin fil m on silicon substrate with en2 hanced ferr oelectric polarizati on[J].A ppl.Phys.L ett., 2005,87:072906—072908.[9]Pike G E,W arren W L,D i m os D,et al.Voltage offsets in(Pb,La)(Zr,Ti)O3thin fil m s[J].A ppl.Phys.L ett., 1995,66:484—486.[10]Chen Ang and Zhi Yu.D ielectric behavi or of PbZr0.52Ti0.48O3thin fil m s:I ntrinsic and extrinsic dielectric res ponses [J].A ppl.Phys.L ett.,2004,85:3821—3823.[11]Erbil A,Ki m Y,and Gerhardt R A.Giant per m ittivity inep itaxial PbTi O3/Pb1-xLaxTi O3heter ostructures[J].Phys.Re w.L ett.,1996,77:1628—1631.[12]Lunkenhei m er P,Bobnar V,Pr onin A V,et al.O rigin ofapparent col ossal dielectric constants[J].Phys.Rev.B, 2002,66:052105(1—4).[13]Steinsvik S,Bugge R,Gj onnes J,et al.The defects struc2ture of SrTi1-xFexTi O3-yinvestigated by electrical conduc2 tivity measurements and electr on energy l oss s pectr oscopy (EE LS)[J].Phys.Che m.Solids.,1997,58:969—976.481。