半导体元器件基础知识培训教材
第一章 半导体器件基础-PPT精品文档
按照功率可分为小功率二极管和大功率二极管；
按照材料又可以分为硅二极管和锗二极管
_ _ _
_ _ _
_ _ _ _ _ _
+ + + + + +
+ + +
+ + +
PN结P端接高电位，N端 接低电位，称PN结外加正向 电压，又称PN结正向偏置， 简称为正偏，如图所示
结论：
PN结外加正向电压（正偏）时处于导通状态，外加反向电 压（反偏）时处于截止状态
四、PN结
4.PN结的用途 • 整流半导体器件 • 可变电容 • 稳压器件
一、引言
用一个PN结制成的半导体器件叫做二极管 接在二极管P区的引出线称二极管的阳极，接在N区的 引出线称二极管的阴极。
阳极 阴极 阳极
P
N
阴极
（a） 结构示意图
（b）电路符号
一、引言
二极管有许多类型。 从工艺上分，有点接 触型和面接触型
二、各类二极管及命名
1.分类 按封装形式可封为玻璃封装的、塑料封装的和 金属封装二极管；
二、本征半导体
2.本征激发
结论：
①半导体中存在两种载流子，一种是带负电的自由电 子， 另一种是带正电的空穴，它们都可以运载电荷 形成电流。 ②本征半导体中，自由电子和空穴相伴产生，数目相 同。 ③一定温度下，本征半导体中电子空穴对的产生与复 合相对平衡，电子空穴对的数目相对稳定。 ④温度升高，激发的电子空穴对数目增加，半导体的 导电能力增强。
三、杂质半导体
在本征半导体掺入微量的其它适当元素后形成的半 导体叫做杂质半导体。掺入杂质后的半导体，导电性能 大大的增强。根据掺入杂质的不同分为两种：掺入五价
半导体基础知识PPT培训课件
目录
• 半导体简介 • 半导体材料 • 半导体器件 • 半导体制造工艺 • 半导体技术发展趋势 • 案例分析
半导体简介
01
半导体的定义
总结词
半导体的定义
详细描述
半导体是指在常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，常见的半导体材 料有硅、锗等。
半导体的特性
总结词
化合物半导体具有宽的禁带宽度和高 的电子迁移率等特点，使得化合物半 导体在光电子器件和高速电子器件等 领域具有广泛的应用。
掺杂半导体
掺杂半导体是在纯净的半导体中掺入其他元素，改变其导电 性能的半导体。
掺杂半导体的导电性能可以通过掺入不同类型和浓度的杂质 来调控，从而实现电子和空穴的平衡，是制造晶体管、集成 电路等电子器件的重要材料。
掺杂的目的是形成PN结、调控载流 子浓度等，从而影响器件的电学性能。
掺杂和退火的均匀性和控制精度对器 件性能至关重要，直接影响最终产品 的质量和可靠性。
半导体技术发展趋势
05
新型半导体材料
硅基半导体材料
宽禁带半导体材料
作为传统的半导体材料，硅基半导体 在集成电路、微电子等领域应用广泛。 随着技术的不断发展，硅基半导体的 性能也在不断提升。
半导体制造工艺
04
晶圆制备
晶圆制备是半导体制造的第一步，其目的是获得具有特定晶体结构和纯度的单晶硅 片。
制备过程包括多晶硅的提纯、熔炼、长晶、切磨、抛光等步骤，最终得到可用于后 续工艺的晶圆。
晶圆的质量和表面光洁度对后续工艺的成败至关重要，因此制备过程中需严格控制 工艺参数和材料质量。
薄膜沉积
输入 标题
详细描述
集成电路的制作过程涉及微电子技术，通过一系列的 工艺步骤，将晶体管、电阻、电容等电子元件集成在 一块硅片上，形成复杂的电路。
半导体器件基础 第1章(第二版)PPT课件
电 子的浓度是一定的，反向电流在一定
的电压范围内不随外界电压的变化而
子 变化，这时的电流称为反向饱和电流，第
技 以IR(sat) 表示。
一
术 章
基
础
电
少数载流子的浓度很小，由
子 此而引起的反向饱和电流也很小， 技 但温度的影响很大。表1.2.1是硅 第
管的反向电流随温度的变化情况 一
术 章
基
础
三、PN结的伏安特性
一
术 温度每升高8℃，硅的载流子浓度增加一倍。
章
基
+4
+4
+4
+4
+4
+4 自
由
础
+4
+4
+4
+4
+4
+4 电
子
空穴
+4
+4
+4
+4
+4
+4
1.1.3 杂质半导体的导电特性
电
掺杂后的半导体称为杂质半导体，
子 杂质半导体按掺杂的种类不同，可分为N 第
技 型（电子型）半导体和P型（空穴型）半
一
术 导体两种。
1.2.1 PN结的形成
电
当P型半导体和N型半
子 导体相互“接触”后，在
它们的交界面附近便出现
第
技 了电子和空穴的扩散运动。
一
术 N区界面附近的多子电子将 基 向P区扩散，并与P区的空
同样，P区界面形章 成一个带负电的薄电
础穴复合，N区界面附近剩下 荷层。于是在两种半 了不能移动的施主正离子， 导体交界面附近便形
成了一个空间电荷区，
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2、三极管的开关特性 截止工作状态
c b
e
调节偏流电阻RP的阻 值，使基极的电流为零 或很小时，三极管的两 个PN结都处于反向偏置， 集电极中没有电流通过， 三极管处于截止状态， 集电极与发射极之间电 阻很大，相当开关断开。
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饱和工作状态
调节偏流电阻RP的阻值， 使基极电流充分大时，集电 极电流也随之变得非常大， 三极管的两个PN结则都处于 正向偏置。集电极与发射极 之间的电压很小，小到一定 程度会削弱集电极收集电子 的能力，这时Ｉb再增大， Ｉc也不能相应地增大了， 三极管处于饱和状态，集电 极和发射极之间电阻很小， 相当开关接通。
放大、截止和饱和三种工作状态。
1、三极管的放大作用
三极管的放大作用是在一定的外部条件控 制下，通过内部载流子的传输体现出来。
外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
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三极管内部载流子的传输过程
▪发射区：发射载流子 ▪集电区：收集载流子 ▪基区：传送和控制载流子
发射区的多数载流子自 由电子不断通过发射结扩 散到基区，形成发射极电
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2、反向截止特性：
给二极管加反向电压，则处于截止状态，二极管 两引脚之间的电阻很大，反向电流很小，相当于开关 断开。
当反向电压不超过某一范围时，反向电流的大小 基本保持不变，所以通常把反向电流又称为反向饱和 电流，但反向电流会随温度的升高而增长很快。
硅二极管的反向电流只有锗二极管的几十分之一 或几百分之一，所以硅管的温度稳定性比锗管好。
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3、二极管反向击穿：
当所加的反向电压增大到一定数值时， 反向电流迅速增大，这种现象称为反向击穿， 二极管失去单向导电性，发生击穿时的反向电 压叫反向击穿电压。此时如果没有适当的限流 措施，因电流过大会使二极管过热而被烧毁。
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所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡， 相当于两个区之间没有电扩散荷运运动动，空间电荷区的厚 度固定不变。
(1-20)
电位V
V0
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
(1-14)
多余 电子
磷原子
+4 +4 +5 +4
N 型半导体中 的载流子是什 么？
1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。
掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自 由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流 子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
空间电荷区， 也称耗尽层。
扩散运动
扩散的结果是使空间电 荷区逐渐加宽，空间电 荷区越宽。
(1-19)
漂移运动
P型半导体
内电场E N型半导体
－－－－ － － －－－－ － － －－－－ － － －－－－ － －
+ +++++ + +++++ + +++++ + +++++
《半导体器件基础》课件
这个PPT课件将带你深入了解半导体器件基础知识，从定义和分类开始，逐步 介绍固体物理基础、材料特性及应用等内容。
第一章 概述
半导体器件的定义和分类
从理解半导体器件的概念和分类开始，打下良好的基础。
固体物理基础
了解固体物理基础和半导体的结构特性，为后续内容打下坚实的基础。
介绍在半导体器件制造过程中使用的工艺辅助设备和材料。
第八章 半导体器件测试与可靠性
半导体器件生产过程中的测试
讨论半导体器件生产过程中的测试方法和步骤，确保 产品质量。
半导体器件的可靠性分析方法
介绍半导体器件的可靠性分析方法，以提高产品可靠 性和寿命。
结语
1 半导体器件的未来发展趋势
2 学习资源和参考文献
CMOS电路的设计原理 和技巧
讲解CMOS电路设计的原理和技巧， 探索其优势和应用范围。
第五章 光电子器件
光电二极管和光电晶体管
了解光电二极管和光电晶体管的原理和结构，以及其在光电子学中的应用。
光电耦合器件和光电器件应用
探索光电耦合器件和其他光电器件的特性和应用领域。
第六章 集成电路和MEMS器件
展望半导体器件领域的未来，包括新技术和应用。
提供学习资源和参考文献，以便进一步学习和探 索。
2
稳压二极管
介绍稳压二极管及其在电路中的应用，以及其工作原理。
3
功率晶体管
理解功率晶体管的工作原理和应用，探讨其在电路中的功能。
第四章 MOS场效应管
基础概念和原理
深入了解MOS场效应管的基本概 念、工作原理和操作特性。
MOSFET的模型和特性
介绍MOSFET的模型和特性，包括 负载线和阈值电压等。各种应用中的表现。
半导体知识基础培训
第一章半导体器件基础课件资料
第一章半导体器件基础第一节半导体基础知识一、本征半导体1、半导体概念半导体：其导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。
本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构的半导体。
2、本征半导体的晶体结构在本征半导体中，原子按一定间隔排列成有规律的空间点阵（晶格）。
由于原子间相距很近，价电子不仅受到自身原子核的约束，还要受到相邻原子核的吸引，使得每个价电子为相邻原子共有，从而形成共价键。
3、本征半导体中的两种载流子的产生在热力学温度零度时，共价键的电子受到原子核的吸引，不能自由移动，此时半导体不导电。
随着温度的上升，共价键内电子因热激发而获得能量，其中能量较高的电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子。
同时，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。
自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱，其中空穴可看成带正电的载流子。
4、本征半导体中载流子的浓度（1）、相关概念：本征激发：本征半导体中成对产生自由电子和空穴的现象。
复合：自由电子填入空穴，并释放出能量的过程。
（2）、载流子浓度的动态平衡：在本征半导体中，由于本征激发不断产生电子、空穴对，使载流子浓度增加。
同时，又由于正负电荷相吸引，自由电子和空穴复合。
在一定温度下，当没有其它能量存在时，电子、空穴对的产生和复合最终达到一种热平衡状态，使本征半导体中载流子的浓度保持一定。
二、杂质半导体1、N型半导体(Negative)在硅（或锗）的晶体中掺入少量的5价杂质元素，如磷、锑、砷等，即构成N 型半导体(或称电子型半导体)。
本征半导体掺入 5价元素后，原来晶体中的某些硅原子将被杂质原子代替。
杂质原子最外层有 5 个价电子，其中 4 个与硅构成共价键，多余一个电子只受自身原子核吸引，在室温下即可成为自由电子。
自由电子浓度远大于空穴的浓度，所以电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)，5价杂质原子称为施主原子。
第一章半导体器件基础知识
第一章半导体器件基础知识制作黎小桃第二节第三节第四节本章概述半导体器件是电子线路的核心器件。
只有掌握半导体器件的结构、性能、工作原理和特点，才能正确分析电子电路工作原理，正确选择和合理使用半导体器件。
本章主要介绍二极管、三极管、场效应管、晶闸管的结构、性能、主要参数以及常用器件的识别与性能测试等。
本章重点： PN 结的特性、晶体三极管、场效应管的工作原理、主要参数和外特性。
本章难点： PN 结的形成、三极管电流放大作用本 章 概 述第一节本 章 概 述第五节第一节 半导体的基本知识一、半导体的概念半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
常用的半导体材料有硅（Si ）、锗（Ge ）、硒（Se ）和砷化镓（GaAs ）等。
二、半导体的特性（1）热敏特性和光敏特性：温度升高或受到光照，半导体材料的导电能力增强。
（2）掺杂特性 ：本征半导体中掺入某种微量元素(杂质)后，它的导电能力增强，利用该特性可形成杂质半导体。
第一节 半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节第一节半导体的基本知识图1-1 共价健结构与空穴产生示意图第二节第三节第四节本章概述第一节第五节三、本征半导体纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体。
共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚。
半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
空穴产生：价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束缚后留下的空位，空穴带正电。
四、N 型和P 型半导体(1)N 型半导体(N-type semiconductor)在四价的本征半导体(硅)中掺入微量五价元素磷，就形成了N 型半导体。
(2)P 型半导体(P-type semiconductor)：在四价的本征半导体(硅)中掺入微量三价元素(硼)就形成P 型半导体。
a)N 型半导体 b)P 型半导体第一节半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节五、PN 结1．PN 结的形成第一节 半导体的基本知识第二节第三节第四节本章概述第一节第五节PN 结P 区N 区内电场电子空穴PN 结的形成在一块纯净的半导体晶体上，采用特殊掺杂工艺，在两侧分别掺入三价元素和五价元素。
半导体培训手册上册
半导体培训手册上册1.1半导体物理基础1.1.1半导体的性质世界上的物体假如以导电的性能来区分，有的容易导电，有的不容易导电。
容易导电的称为导体，如金、银、铜、铝、铅、锡等各种金属；不容易导电的物体称为绝缘体，常见的有玻璃、橡胶、塑料、石英等等；导电性能介于这两者之间的物体称为半导体，要紧有锗、硅、砷化镓、硫化镉等等。
众所周知，原子是由原子核及其周围的电子构成的，一些电子脱离原子核的束缚，能够自由运动时，称为自由电子。
金属之因此容易导电，是因为在金属体内有大量能够自由运动的电子，在电场的作用下，这些电子有规那么地沿着电场的相反方向流淌，形成了电流。
自由电子的数量越多，或者它们在电场的作用下有规那么流淌的平均速度越高，电流就越大。
电子流淌运载的是电量，我们把这种运载电量的粒子，称为载流子。
在常温下，绝缘体内仅有极少量的自由电子，因此对外不出现导电性。
半导体内有少量的自由电子，在一些特定条件下才能导电。
半导体能够是元素，如硅〔Si〕和锗〔Ge〕，也能够是化合物，如硫化镉〔OCLS〕和砷化镓〔GaAs〕，还能够是合金，如Ga x AL1-x As，其中x为0-1之间的任意数。
许多有机化合物，如蒽也是半导体。
半导体的电阻率较大〔约10-5≤ρ≤107Ω⋅m〕，而金属的电阻率那么专门小〔约10-8~10-6Ω⋅m〕，绝缘体的电阻率那么专门大〔约ρ≥108Ω⋅m〕。
半导体的电阻率对温度的反应灵敏，例如锗的温度从200C升高到300C，电阻率就要降低一半左右。
金属的电阻率随温度的变化那么较小，例如铜的温度每升高1000C，ρ增加40%左右。
电阻率受杂质的阻碍显著。
金属中含有少量杂质时，看不出电阻率有多大的变化，但在半导体里掺入微量的杂质时，却能够引起电阻率专门大的变化，例如在纯硅中掺入百万分之一的硼，硅的电阻率就从2.14⨯103Ω⋅m减小到0.004Ω⋅m左右。
金属的电阻率不受光照阻碍，然而半导体的电阻率在适当的光线照耀下能够发生显著的变化。
《半导体器件基础》课件
计算机的CPU、内存等核心硬件都离不开半导体器件，如晶体管、电容
、电阻等。
03
消费电子中的半导体器件
手机、电视、音响等消费电子产品中，半导体器件广泛应用于信号处理
、显示控制等方面。
光电器件在通信与显示领域的应用
光纤通信中的光电器件
光纤通信系统中的光电器件，如激光器、光电探测器等，用 于实现高速、大容量的信息传输。
成。
工作原理ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
特性
03
具有低噪声、高速、低功耗等优点，常用于高频率信号处理。
04
半导体器件的工作原理
半导体的能带模型
原子能级与能带
描述原子中的电子能级如何形成连续的能带结构。
价带与导带
解释半导体的主要能带特征，包括价带和导带的定义与特性。
禁带宽度
讨论禁带宽度对半导体性质的影响，以及如何利用禁带宽度进行电 子跃迁。
半导体器件的交流参数
阐述半导体器件的交流参数，如频率响应、噪 声系数等。
半导体器件的可靠性参数
介绍半导体器件的可靠性参数，如寿命、稳定性等。
05
半导体器件的应用
电子设备中的半导体器件
01
集成电路中的半导体器件
集成电路是现代电子设备的基础，其中的晶体管、二极管等半导体器件
起着关键作用。
02
计算机硬件中的半导体器件
ABCD
通过掺入不同元素，可以 调控半导体的导电类型（ N型或P型）和导电性能 。
在实际应用中，通常将硅 或锗基体材料进行掺杂， 以实现所需的导电性能。
宽禁带半导体材料
宽禁带半导体的特点是其具有高热导率、高击 穿场强和高电子饱和速度等优异性能。
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阳极 引线
N型锗片
阴极 引线
铝合金小球
阳极引线
PN结
N型硅
金锑合金
金属触丝 (a)
外壳
底座 (b) 阴极引线
半导体二极管的结构及符号 （a）点接触型结构;（b）面接触型结构;
阳极 阴极 引线 引线
P N
P型支持衬底
(c)
阳极
a
阴极
k
(符号
半导体二极管的主要参数 1. 最大整流电流IF 2. 反向击穿电压UB 3. 反向饱和电流IS
＋4
＋4
＋4
由于热激发而产 生的自由电子
＋4
＋4
＋4
自由电子移走
后留下的空穴
＋4
＋4
＋4
P型半导体的共价键结构
在P型半导体中，原来的晶体仍会产生电 子—空穴对，由于杂质的掺入，使得空穴数目 远大于自由电子数目，成为多数载流子(简称 多子)，而自由电子则为少数载流子(简称少 子)。因而P型半导体以空穴导电为主。
（如光照、温升等），有些价电子就会挣脱共 价键的束缚而成为自由电子，在共价键中留下 一个空位，称为“空穴”。空穴的出现使相邻 原子的价电子离开它所在的共价键来填补这个 空穴，同时，这个共价键又产生了一个新的空 穴。这个空穴也会被相邻的价电子填补而产生 新的空穴，这种电子填补空穴的运动相当于带 正电荷的空穴在运动，并把空穴看成一种带正 电荷的载流子。空穴越多，半导体的载流子数 目就越多，因此形成的电流就越大。
N型半导体
N型半导体是在本征半导体硅中掺入微量的 5价元素（如磷、砷、镓等）而形成的，杂 质原子有5个价电子与周围硅原子结合成共 价键时，多出1个价电子，这个多余的价电 子易成为自由电子，如图所示。
＋4
＋4
＋4
自由电子
＋4
＋5
＋4
施主原子
＋4
＋4
＋4
N型半导体的共价键结构
综上所述，在掺入杂质后，载流子的数目 都有相当程度的增加。因而对半导体掺杂是改 变半导体导电性能的有效方法。
半导体器件
华天科技测试部 2010年
半导体的基础知识
物体根据导电能力的强弱可分为导体、半 导体和绝缘体三大类。凡容易导电的物质 （如金、银、铜、铝、铁等金属物质）称 为导体；不容易导电的物质（如玻璃、橡 胶、塑料、陶瓷等）称为绝缘体；导电能 力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅、 锗、硒等）称为半导体。半导体之所以得 到广泛的应用，是因为它具有热敏性、光 敏性、掺杂性等特殊性能。
在本征半导体中，空穴与电子是成对出现 的，称为电子—空穴对。其自由电子和空穴数 目总是相等的。本征半导体在温度升高时产生 电子—空穴对的现象称为本征激发。温度越高， 产生的电子—空穴对数目就越多，这就是半导 体的热敏性。
在半导体中存在着自由电子和空穴两种 载流子，而导体中只有自由电子这一种载流子， 这是半导体与导体的不同之处。
结变窄
－＋ P －＋ N
－＋
自建场方向 外电场方向 正向电流（很大）
＋－
(a)
结变宽
－－＋＋ P －－＋＋ N
－－＋＋
自建场方向 外电场方向
反向电流（很小）
－＋
(b)
PN （a）正向连接; （b）反向连接
PN结反向偏置——截止 将PN结按上图（b）所示方式连接（称PN结反
向偏置）。由图可见，外电场方向与内电场方向一致， 它将N区的多子（电子）从PN结附近拉走，将P区的多 子（空穴）从PN结附近拉走，使PN结变厚，呈现出很 大的阻值，且打破了原来的动态平衡，使漂移运动增 强。由于漂移运动是少子运动，因而漂移电流很小； 若忽略漂移电流，则可以认为PN结截止。
PN结
在同一块半导体基片的两边分别形成N型和P型 半导体，它们的交界面附近会形成一个很薄的空间
电荷区，称其为PN结。
PN结的形成过程如图所示。
P区
N区
耗尽层空 P 间电荷区 N
扩散运动方向
自建场
(a)
(b)
（a）多子扩散示意图；（b）PN结的形成
PN结的单向导电性
PN结正向偏置——导通 给PN结加上电压，使电压的正极接P区，负极接N区
a
＋ uV － iV
＋－ T
V
＋
～
u1
u2
uo
RL
－ －+
b
单相半波整流电路
T
V1
V2
a
＋－ T
V4
V1 i1
＋
RL
～
u2
RL
uo
V4
V3
－+
V3
V2 i2
－
b
(b)
（即正向连接或正向偏置），如下图（a）所示。由于PN 结是高阻区，而P区与N区电阻很小，因而外加电压几乎全 部落在PN结上。由图可见，外电场将推动P区多子（空穴） 向右扩散，与原空间电荷区的负离子中和，推动N区的多 子（电子）向左扩散与原空间电荷区的正离子中和，使空 间电荷区变薄，打破了原来的动态平衡。同时电源不断地 向P区补充正电荷，向N区补充负电荷，其结果使电路中形 成较大的正向电流，由P区流向N区。这时PN结对外呈现较 小的阻值，处于正向导通状态。
综上所述，PN结正向偏置时，正向电流很大； PN结反向偏置时，反向电流很小，这就是PN结的单向 导电性。
半导体二极管
半导体二极管的结构 半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管。
二极管按其结构的不同可以分为点接触型和面接触 型两类。
点接触型二极管的结构，如下图（a）所示。 这类管子的PN结面积和极间电容均很小，不能承受 高的反向电压和大电流，因而适用于制做高频检波 和脉冲数字电路里的开关元件，以及作为小电流的 整流管。
本征半导体是一种纯净的半导体晶 体。常用的半导体材料是单晶硅（Si） 和单晶锗（Ge）。半导体硅和锗都是4 价元素，其原子结构如图:
价电子 电子轨道
惯性核
Si ＋14
Ge ＋32
原子核
(a)
(b)
半导体的原子结构示意图
（a）硅原子；（b）锗原子；（c）简化模型
＋4 价电子
(c)
本征半导体如果能从外界获得一定的能量
在本征半导体中掺入微量的杂质元素，就会
使半导体的导电性能发生显著改变。根据掺入杂 质元素的性质不同，杂质半导体可分为P型半导体 和N型半导体两大类。
P型半导体
P型半导体是在本征半导体硅（或锗）中掺入微 量的3价元素（如硼、铟等）而形成的。因杂质原子 只有3个价电子，它与周围硅原子组成共价键时，缺 少1个电子，因此在晶体中便产生一个空穴，当相邻 共价键上的电子受热激发获得能量时，就有可能填 补这个空穴，使硼原子成为不能移动的负离子，而 原来硅原子的共价键因缺少了一个电子，便形成了 空穴，使得整个半导体仍呈中性，如图下页所示。